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第三代半導體

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第三代半導體Tag內容描述：

1、目標市場國地區排名pp分析技術主要布局在哪些國家地區，專利申請量的多少在一定程度上反映了該目標市場的受關注程度。
這可以幫助企業在做技術戰略布局時，評估哪些是需要主要關注的國家地區，以及哪些國家地區均未被布局，是否可能成為潛在的機會點。
pp。

2、預計未來第三代半導體市場規模穩步增長，潛在市場空間巨大。
在 5G 通信新能源汽車快充綠色照明等新興需求崛起和國家政策大力支持的雙重驅動下，預計我國第三代化合物半導體市場規模有望實現快速增長。
2020新基建風口下第三代半導體應用發展與投資價。

3、GaN 作為第三代半導體具有寬帶隙3.4 eV擊穿場強大3.3 MW cm電子飽和漂移速度高2.7 107 cm s等物理結構優勢。
在以往的半導體材料中，Si 是目前集成電路及半導體器件的主要材料，但其帶隙窄，擊穿電壓低，在高頻高功率器件的。

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