什么是igbt？igbt是什么意思？

igbt是Insulated-Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極晶體管）的簡稱，是目前用在電力控制和電力控制領域非常流行的一種有源半導體電子元件，擁有優異的條件和綜合性能。



一般來說，igbt的核心由n型晶體管和p型晶體管共同組成，它們具有晶體管和雙極晶體管的優勢，但又保持雙極晶體管物理結構的靈活性。igbt可以取代傳統大功率電動機和雙極晶體管，其最大的優勢在于可以提供更高的電流、功率和頻率，也可以減少熱效應，模擬固定電源及使用CST快速開關功能，可以實現很好的電流平衡。

igbt的結構簡單，在貼片（SMD）和裝配過程中可以很容易地安裝在PCB板上并進行自動焊接，可以節省安裝時間和費用。igbt可以實現比雙極晶體管開關速度更快的控制，而n型晶體管的功率損耗更低，但最大的限制在于它不能完全斷開。在高頻操作條件下，igbt仍保持其關斷和能量損耗的優勢，可以輕松達到千兆赫的頻率。

igbt還有著優良的靜態特性，開關特性和動態特性都比傳統硅雙極晶體管好，從而大大增強了系統可靠性。igbt采用集成設計技術，可直接在封裝中增加發射區和收集區，具有隔離電阻和節流器，將振蕩和EMI很有效地測控，減少系統的復雜程度，減少板的個數并降低系統成本。

igbt在現代多功能電子設備中起著越來越重要的作用，從汽車中的發動機管理，家電產品，電力變換器，等離子電源，微處理器技術和應用，電力控制，家庭節能照明，到通信產品，igbt都能發揮其優勢特性，為市場提供更新穎，安全，環保高效的產品和服務。

igbt不僅在市場競爭中起著重要作用，而且在國家節能減排方面也發揮著重要作用，可以使電器的系統使用更加高效可靠，進一步節能減排。



總之，igbt是一種兼具n型晶體管和p型晶體管的有源組件，具有優異的發射特性，結構簡單，安裝和焊接簡單，低電壓損耗，可靠性強，市場應用廣泛等特點，并在節能減排和能源利用方面發揮重要作用。

igbt（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）是一種子單元，它結合了雙極晶體管（BJT）和MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管）的功能，是一種集成電路元器件，可用于控制能量傳遞。 由于Igbt具有雙極晶體管的能量傳輸特性，MOSFET的高入射和低on電阻，因此Igbt是可并行的電力乙醇，也可作為可控硅的替代品，具有顯然的優勢。

Igbt的結構可以用一個MOS雙極晶體管（BJT）來描述，具有一個正極片，一個p型濃度結和一個n型金屬氧化物薄膜芯片（MOS）結。芯片中有一個絕緣柵，此絕緣柵定義了正極片和MOS的分離的區域。絕緣柵上的雙極性分立元器。絕緣柵在正極片和MOS結之間形成一個共同的p型接口層。絕緣柵可誘導從源極到目標極的電子和從目標極到源極的電洞。

因此，Igbt具有雙極晶體管開/關功能，但它有著顯著的優勢：


（1）Igbt有著極低的發射閾值，這進一步減少了結溫。

（2）Igbt擁有優秀的開關特性，在極短的開關速度可達100 ns，堪稱為現代設計中極為重要的元器件。

（3）Igbt的on-state電阻是MOSFET的10倍以上，輸入電容也大大降低，使Igbt的電流反響更快，為大功率開關提供了良好的穩定性和可靠性。

（4）Igbt具有極好的交流電阻可調特性，它具有效地控制電容量，使其具有很好的穩態性能，反應速度更快。

同時，Igbt的優點也在于它的功率高、密度大、散熱性能好，氣密性能高、工作頻率高、受溫度影響小、噪聲小、容錯能力強等優點。與可控硅相比，Igbt的體積小，重量輕，有效的傳熱性能，散熱方便，可靠性高等優勢，在高功率換流箱及其他驅動電路中可以做到很好的效果。

總之，Igbt是一種十分適用于高功率驅動、輸出幅頻功率損耗小、工作頻率高、受溫度影響小、噪聲小、容錯能力強的氣密元件，它可以用于驅動、輸入及輸出的高功率應用。