直拉法與區熔法的比較 單晶生長方法主要分為直拉法和區熔法,其中區熔法只能生長 200mm 的單晶,而直拉法生長的單晶能達 450mm,因此直拉法是生產光伏和半導體硅片最佳方法。 行業數據 下載Excel 下載圖片 原圖定位