碳化硅的性能及用途

1、 敬請參閱最后一頁特別聲明 1 證券研究報告 2020 年 8 月 25 日 露笑科技002617.SZ 電子 中國碳化硅產業的國之重器 露笑科技002617.SZ投資價值分析報告 公司深度 碳化硅碳化硅SiC :第三代半導體芯片材料:第三。

2、 敬請參閱最后一頁特別聲明 1 證券研究報告 2020 年 8 月 26 日 露笑科技002617.SZ 電子 中國碳化硅產業的國之重器 露笑科技002617.SZ投資價值分析報告 公司深度 碳化硅碳化硅SiC :第三代半導體芯片材料:第三。

3、1 敬請參閱最后一頁特別聲明 市場數據市場數據人民幣人民幣 市場優化平均市盈率 18.90 國金半導體指數 5856 滬深 300指數 5114 上證指數 3414 深證成指 14202 中小板綜指 12514 相關報告相關報告 1.新技術。

4、GaN 在 5G 宏基站射頻 PA的大發展相較于 Si 和 GaAs 的前兩代半導體材料,GaN 和 SiC 同屬于寬禁帶半導體材料,具有擊穿電場強度高飽和電子漂移速度高熱導率大介電常數小等特點,具有低損耗和高開關頻率的特點,適合于制作高。

5、氮化鎵產業鏈分為襯底外延片和器件環節.盡管碳化硅被更多地作為襯底材料相較于氮化鎵,國內仍有 從事氮化鎵單晶生長的企業,主要有蘇州納維東莞中鎵上海鎵特和芯元基等;從事氮化鎵外延片的國內廠 商主要有三安光電賽微電子海陸重工晶湛半導體江蘇能華英諾。

6、碳化硅晶體生長難度高,工藝是核心.碳化硅性能有明顯優勢,卻始終未能轉換成市場規模,最主要的原因是碳化硅襯底制造困難.與傳統的單晶硅使用提拉法制備不同,碳化硅材料因為一般條件下無法液相生長,只能使用氣相生長的方法,如物理氣相傳輸法PVT.這也。

7、根據大直徑區熔硅單晶的研究與制備,單晶硅生長爐分為:直拉法磁控直拉法區熔法三種工藝方案,其中直拉法是光伏硅片的主流工藝.直拉法CZ是單晶硅棒的主流工藝.直拉法是在坩堝中將多晶料熔化,然后利用裝有籽晶的提拉裝置向上提拉生長單晶硅的方法.其主要。

8、請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 2021.12.10 碳化硅與新能源景氣度共振,第三代半導體加速滲透碳化硅與新能源景氣度共振,第三代半導體加速滲透 第三代半導體行業首次覆蓋報告第三代半導體行業首次覆蓋報告 。

9、 1 本報告版權屬于安信證券股份有限公司.本報告版權屬于安信證券股份有限公司. 各項聲明請參見報告尾頁.各項聲明請參見報告尾頁. 液冷板產能液冷板產能大規模大規模擴張, 前瞻布局碳化擴張, 前瞻布局碳化硅襯底硅襯底 高分子材料高分子材料高技。

10、 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 全球視野本土智慧全球視野本土智慧 行業行業研究研究 Page1 行業行業研究研究 Page1 證券研究報告證券研究報告深度報告深度報告 電子元器件電子元器件 半導體系列報告之半導體系列報告之二二 超配超配。

11、斱正電子 公司深度報告天岳先迚 688234 碳化硅產業鏈煉釐者,半絕緣 導電型襯底雙輪驅勱證 券 研 究 報 告 2022年 1月 13日 摘要 天岳先迚聚焦碳化硅襯底材料的研収生產和銷售,處亍產業的上游材料端.襯底材料的制備約占碳化硅器。

12、2022 年深度行業分析研究報告 2 目錄 1 天岳先進:蓄勢待發的國產碳化硅襯底龍頭 . 3 1.1 國內半導體前沿生產商,進軍國際碳化硅襯底市場 . 3 1.2 收入穩定增長,半絕緣型襯底業務漸入佳境 . 4 1.3 股權結構穩定,激勵。

13、斱正申子 行業深度抜告 碳化硅SiC 行業研究框架 新能半導大旪代新核芯證 券 研 究 抜 告 2022年 2月 15日 摘要 性能完美替代,SiC器件未來將逐步替代傳統硅基器件:叐益亍優秀癿杅料特性,隨著量產和技術成熟帶來癿成本下陳,在新。

14、證券研究報告行業研究半導體 半導體行業報告 1 29 東吳證券研究所東吳證券研究所 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 海外觀察系列一:從海外觀察系列一:從 wolfspeed 發展看碳化發展看碳化硅國產化硅國。

15、2022 年深度行業分析研究報告 232 正文目錄正文目錄 1. SiC 碳化硅:產業化黃金時代已來;襯底為產業鏈核心碳化硅:產業化黃金時代已來;襯底為產業鏈核心 . 4 1.1. SiC 特點:第三代半導體之星,高壓高功率應用場景下性能優。

16、 1 本報告版權屬于安信證券股份有限公司.本報告版權屬于安信證券股份有限公司. 各項聲明請參見報告尾頁.各項聲明請參見報告尾頁. xml 國產國產碳化硅襯底碳化硅襯底不斷突破,不斷突破,半導體設備招半導體設備招標持續景氣標持續景氣 國內產商。

17、2022 年深度行業分析研究報告 2 正文目錄正文目錄 報告核心觀點報告核心觀點 . 4 與市場不同的觀點 . 5 碳化硅為第三代半導體材料,引領功率及射頻領域革新碳化硅為第三代半導體材料,引領功率及射頻領域革新 . 6 碳化硅較硅更能滿足。

18、 上市公司 公司研究 公司深度 證券研究報告 電力設備 2022 年 03 月 31 日 晶盛機電 300316 晶體生長設備龍頭,碳化硅培育增長新曲線 報告原因:首次覆蓋 買入首次評級 投資要點: 國內長晶設備龍頭,半導體業務快速卡位.晶。

19、 Tableyemei1 觀點聚焦 Investment Focus Tableyejiao1 本研究報告由海通國際分銷,海通國際是由海通國際研究有限公司,海通證券印度私人有限公司,海通國際株式會社和海通國際證券集團其他各成員單位的證券研究。