智慧芽：2023 IGBT技術分析報告（13頁）.pdf

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1、本報告由智慧芽生態市場部制作數據來源：智慧芽研發情報庫IGBT技術分析報告1.主要解決技術問題2.熱門技術領域3.技術演進路線4.技術效果布局趨勢5.技術效果矩陣6.企業分布7.技術路線圖8.技術方案解讀9.關于研發情報庫目錄2主要解決技術問題3IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar JunctionTransistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置

2、的“CPU”。IGBT領域目前主要面臨成本高、體積大、可靠性差等問題。熱門技術領域4技術演進路線5技術效果布局趨勢6技術效果矩陣7企業分布8技術路線圖9技術方案解讀-例1：降低成本10該技術方案介紹了一種驅動電路、驅動芯片的技術，應用在IGBT的驅動電路及IGBT保護領域，能夠解決實現復雜、成本高、IGBT驅動芯片無法囊括保護功能等問題，達到防止過電流和短路、提高可靠性的效果。技術方案解讀-例2：縮小體積11該技術方案介紹了一種功率模塊、系統結構的技術，應用在輸出功率的轉換裝置、電氣元件、冷卻/通風/加熱改造等方向，能夠解決IGBT元件電流不均衡、IGBT功率模塊體積龐大、整機成本增加等問題，

3、達到降低IGBT過壓擊穿事故、滿足高功率等級設計要求、解決不均流問題的效果。技術方案解讀-例3：提升可靠性12該技術方案介紹了一種并聯、均流的技術，應用在電氣元件、輸出功率的轉換裝置等方向，能夠解決IGBT可靠性降低、損壞IGBT器件、均流不均衡等問題，達到提高工作可靠性、降低功率損耗、避免器件損壞的效果。關于研發情報庫智慧芽研發情報庫幫你從茫茫的技術方案大海中找到最符合你需求的那些，既提高了檢索結果的精準度，節約了大量的查閱時間，還能讓你快速理解一篇技術方案中最精華的核心關鍵，更能讓你從全局掌握該技術領域中的研發現狀及趨勢。它還可以監控行業頭部企業的技術動態、某項技術的發展路徑以及30秒生成技術交底書，幫助研發人快速找方向、找技術、找靈感，用了之后你才會發現原來找到技術解決方案還可以這么簡單！