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1、請務必閱讀末頁的免責條款和聲明2023年年6月月2日日電子行業科技安全專題電子行業科技安全專題半導體產業鏈安全淺析及投資策略半導體產業鏈安全淺析及投資策略徐濤徐濤/王子源王子源中信證券研究部中信證券研究部 電子行業組電子行業組21、外部制裁限制如何演變外部制裁限制如何演變，國內政策支持可能如何推進國內政策支持可能如何推進？半導體板塊：核心回答三個問題半導體板塊：核心回答三個問題2、重資產端：設備重資產端：設備、制造制造、先進封裝關注什么先進封裝關注什么？3、輕資產端：輕資產端：CPU/GPU/AI芯片芯片/高端模擬芯片關注高端模擬芯片關注什么什么？外部變化：中長期維度，逆全球化倒逼制造端全球擴

2、產，本土化成為趨勢。美國限制：美國芯片法案支持本土先進制程擴產，拉攏盟友共建供應鏈。對華半導體產業制裁再升級，倒逼國產化加速。政策支持：外部限制層層遞進背景下，政策支持力度有望加大。建議關注財稅+補貼+人才激勵+科研體系等激勵措施。歷史經驗：全球半導體產業存在周期屬性，每個完整周期一般持續35年左右。設備/零部件：短期受到擾動，長期國產化率提升拉動，國內份額提升空間大。建議關注國產化率提升有彈性的細分。制造：景氣周期下行開始體現至報表端，市場已price-in。估值處于歷史低位，基本面表現滯后，建議等待右側時機。先進封裝：后摩爾時代提升系統性能的重要路徑，國內企業逐步走向市場前沿。國產CPU：

3、信創CPU市場空間超千億元，核心實現國產化，重點關注實現自主可控的企業。算力國產化：GPT深度學習模型打開AI市場空間，算力需求普及情形下，主題相關上市公司受益。工業市場模擬芯片：估值持續消化，關注高端突破與行業整合，相關公司中長期業績確定性相對較強，遠期估值相對合理。建議關注：（建議關注：（1）設備：北方華創、芯）設備：北方華創、芯源微、拓荊科技、中微公司、華海清科、源微、拓荊科技、中微公司、華海清科、盛美上海、至純科技等。（盛美上海、至純科技等。（2）零部件：）零部件：富創精密，關注新萊應材、江豐電子等。富創精密，關注新萊應材、江豐電子等。建議關注：（建議關注：（1）制造：中芯國際（）制造

4、：中芯國際（A/H股）、華虹半導體股）、華虹半導體、晶合集成、中芯集、晶合集成、中芯集成成；（；（2）封測：長電科技、通富微電、）封測：長電科技、通富微電、華天科技、甬矽電子、匯成股份、頎中華天科技、甬矽電子、匯成股份、頎中科技、晶方科技、環旭電子?？萍?、晶方科技、環旭電子。建議關注：（建議關注：（1）信創相關）信創相關/AI芯片：芯片：龍芯中科、海光信息、寒武紀、江波龍芯中科、海光信息、寒武紀、江波龍、納思達；（龍、納思達；（2）模擬芯片：杰華特、）模擬芯片：杰華特、納芯微。納芯微。XYhUvXeZiWeXhZnXkUeX8ZmO6MbPbRoMrRsQsRlOoOoQlOnNrN8OpNp

5、PvPnPoPMYmOrR3板塊漲幅：板塊漲幅：23Q1半導體板塊上漲半導體板塊上漲17.00%，滬深滬深300上漲上漲4.63%，跑贏大盤跑贏大盤12.37pcts。分板塊來看分板塊來看，23Q1集成電路集成電路/分立器件分立器件/半導體材料半導體材料/半導體設備半導體設備(中中信證券分類信證券分類)板塊漲幅分別為板塊漲幅分別為16.63%/8.29%/16.04%/26.65%，板塊分別跑贏大盤板塊分別跑贏大盤12.00/3.66/11.41/22.02pcts。集成電路：23Q1漲幅約16.63%，主要由于ChatGPT概念熱度拉升，相關AI芯片、服務器產業鏈配套芯片等標的估值顯著拉升。

6、半導體材料：23Q1漲幅約16.04%，主要系海外高端光刻膠斷供風險發酵，國產替代加速拉動板塊估值上行。半導體設備：23Q1漲幅約26.65%，表現最優，主要系短期業績擾動市場一定程度已經反映，市場估值回歸低位，貿易摩擦加劇及政策支持確定之下，產業鏈安全仍為關注重點，3月大幅上漲。資料來源：Wind，中信證券研究部 注：中信證券分類半導體各個細分板塊半導體各個細分板塊2023Q1表現表現vs滬深滬深300 集成電路集成電路/分立器件分立器件/半導體材料半導體材料/半導體半導體設備板塊設備板塊跑跑贏贏滬深滬深300漲幅漲幅半導體復盤（子板塊半導體復盤（子板塊）：均跑）：均跑贏贏大盤大盤，設備表現

7、最優，設備表現最優-10%-5%0%5%10%15%20%25%集成電路-hs分立器件-hs半導體材料-hs半導體設備-hs4半導體復盤（前十）：半導體復盤（前十）：AI概念、半導體設備及領先復蘇公司表現亮眼概念、半導體設備及領先復蘇公司表現亮眼半導體行業半導體行業整體板塊公司整體板塊公司23Q1漲跌幅前十漲跌幅前十公司公司漲跌幅漲跌幅（%）最新市值最新市值（億元）（億元）公司公司漲跌幅漲跌幅（%）最新市值最新市值（億元）（億元）寒武紀-U241 745 納芯微-8 294 佰維存儲170 187 燦瑞科技-10 65 芯原股份120 483 圣邦股份-10 554 海光信息92 1,794

8、大港股份-11 96 龍芯中科72 588 思瑞浦-12 293 國芯科技69 169 宏微科技-12 113 唯捷創芯-U61 243 納思達-14 635 恒爍股份54 49 紫光國微-16 944 德明利54 65 斯達半導-17 469 力芯微53 77 臻鐳科技-23 98 23Q1整體板塊漲幅前十：整體板塊漲幅前十：AI概念的邏輯擴散，如寒武紀-U、佰維存儲、芯原股份、海光信息、龍芯中科、國芯科技、恒爍股份、德明利等；行業復蘇標的如唯捷創芯-U等。23Q1百億流通市值漲幅前十：百億流通市值漲幅前十：AI概念相關公司，如寒武紀-U、芯原股份、海光信息、龍芯中科、國芯科技等；行業復蘇標

9、的如唯捷創芯-U等；半導體設備國產替代如中微公司、芯源微、微導納米、華海清科等。半導體行業百億市值以上公司半導體行業百億市值以上公司23Q1漲跌幅前十漲跌幅前十公司公司漲跌幅漲跌幅（%）年初市值年初市值（億元）（億元）公司公司漲跌幅漲跌幅（%）年初市值年初市值（億元）（億元）寒武紀-U241 219 天岳先進-6 335 芯原股份120 219 納芯微-8 321 海光信息92 933 圣邦股份-10 616 龍芯中科72 343 大港股份-11 108 國芯科技69 100 思瑞浦-12 331 唯捷創芯-U61 150 宏微科技-12 128 中微公司51 604 納思達-14 735 芯

10、源微42 145 紫光國微-16 1120 微導納米42 114 斯達半導-17 562 華海清科41 240 臻鐳科技-23 127 資料來源：Wind，中信證券研究部 注：最新市值按照2023年3月31日收盤價計算資料來源：Wind，中信證券研究部 注：最新市值按照2023年1月1日收盤價計算5外部變化：中長期維度，逆全球化倒逼制造端全球擴產，本土化成為趨勢外部變化：中長期維度，逆全球化倒逼制造端全球擴產，本土化成為趨勢各地區紛紛拋出政策各地區紛紛拋出政策，推動建廠推動建廠“軍備競賽軍備競賽”，晶圓廠本土化或成為未來晶圓廠本土化或成為未來趨勢趨勢，設備采購全球設備采購全球景氣度高景氣度高。

11、根據美國根據美國、歐盟已經明確的法案歐盟已經明確的法案，至少將至少將有超過有超過1200億美元的政府補助流向半導體行業億美元的政府補助流向半導體行業。歐洲：歐洲：歐盟委員會于2022年2月8日推出歐洲芯片法案(EuropeanChips Act)，擬動員超過430億歐元的公共和私人投資強化歐洲的芯片研究、制造。2022年3月，德國向英特爾提供補貼，英特爾宣布將在德國馬格德堡建新廠。2022年11月中方收購德芯片企業Elmos受阻。日本：日本：2021年11月，日本批準7740億日元（約合57億美元）的半導體在地化投資資金：包括6170億日元用于創新芯片制造產能、470億日元用于傳統生產（模擬芯

12、片和電源管理部件）和110日元億用于下一代硅的研發。臺積電2021年2月宣布，在筑波市建立日本首個正式的研發基地；2022年6月宣布將建設日本熊本工廠，其中日本政府補貼約4760億日元（35億美元)。韓國：韓國：2022年7月，韓國政府出臺半導體超級強國戰略，擴大對半導體研發和設備投資的稅收優惠，引導企業至2026年完成半導體投資340萬億韓元（約17460億人民幣），并爭取在未來10年培養15萬名專業人才。三星、SK海力士等韓國企業也在努力擴大本土制造產能。中國臺灣：中國臺灣：2022年11月17日，臺當局行政機構會議通過“產業創新條例”第10之2條、第72條修正草案，增列針對技術創新且居國

13、際供應關鍵地位的公司，其前瞻創新研發支出的25%可抵減當年所得稅額，購置先進設備支出的5%抵減當年所得稅額。此舉被外界稱為“臺版芯片法案”。臺積電表示將持續在中國臺灣地區進行投資。根據我們統計，按照目前部分主流晶圓廠的全球擴產計劃測算，未來至少將有1500億美元資本開支陸續落地。公司公司地點地點廠區名廠區名/所在地區所在地區投資金額投資金額產能產能工藝制程工藝制程時間節點時間節點臺積電美國亞利桑那州Fab 21120億美元（20212029年）2萬片/月（2024年）12英寸5nm2021年動工、2024年投產中國南京南京廠28.87億美元4萬片/月12英寸28nm及以上2022下半年量產中國

14、臺灣臺中中科園區8000-1 萬 億 新 臺 幣（約 289 億361億美元)NA2nm、1nm2024年試產、2025年量產中國臺灣高雄廠90.4億美元NA7nm、28nm2022年動工、2024年投產日本熊本熊本廠50億美元4.5萬片/月12英寸22/28nm2022年動工、2024年投產德國（談判中）NANANA英特爾美國俄亥俄州新廠200億美元NA擴建12英寸產能，部分代工2022-2025德國馬格德堡新廠170億歐元NA2nm2023-2027愛爾蘭都柏林廠120億歐元NANA三星美國德州泰勒市170億美元3萬片/月12英寸7nm、5nm2022-2024韓國平澤P3NANA3nm聯

15、電中國臺灣南科Fab 12A P6廠30億美元2.75萬片/月12英寸28nm/22nm2022年動工、2023年投產廈門廈門廠NA2萬片/月12英寸28nm2021-2022新加坡12i P3廠50億美元3萬片/月12英寸22/28nm2024年底開始量產格芯新加坡新加坡新廠40億美元45萬片/年12nm至90nm2023年開始投產德國德累斯頓10億美元12nm至90nm2022-2025美國紐約馬爾他Fab 810億美元15萬片/年NA2023年力積電中國臺灣銅鑼新廠2780億新臺幣10萬片/月12英寸2023-2026世界先進中國臺灣新竹9.05億元新臺幣4萬片/月8英寸2023-202

16、5博世德國德累斯頓新廠10億歐元NA新建12英寸2021年德國羅伊特林根晶圓廠2.96億美元NA6/8英寸2022年開始擴產德州儀器美國謝爾曼新廠NANA擴建12英寸2023-2025部分海外半導體廠商擴產計劃梳理部分海外半導體廠商擴產計劃梳理右側表格資料來源：各公司公告（含量產、投產、擴產時間），集微網（含量產、投產、擴產時間），芯智訊（含量產、投產、擴產時間），TechWeb（含量產、投產、擴產時間），中信證券研究部6美國美國芯片法案芯片法案2022年年8月簽署生效：扶持本土建廠月簽署生效：扶持本土建廠，同時涉及對華排他性限制同時涉及對華排他性限制。法案主要內容：約527億美元的直接資金支

17、持+相當于約240億美元的稅收抵免+享受優惠企業被禁止在華投建先進產線。臺積電赴美建廠：臺積電赴美建廠：臺積電計劃在鳳凰城北部建設6個廠房，第一座已于2021年4月開工建設，2022年底主體建筑已完工，公司計劃2023年設備進駐廠區，2024年開始生產。2022年12月6日，臺積電在美國亞利桑那州舉辦新廠上機典禮，根據Digitimes報道，蘋果、NVIDIA可能成為新廠首批客戶，AMD與賽靈思在洽談之中，新廠將包括一期2萬片/月5nm及及4nm以及二期2萬片/月3nm產能。美國試圖倡議與日本美國試圖倡議與日本、韓國以及中國臺灣組成芯片四方聯盟韓國以及中國臺灣組成芯片四方聯盟（Chip 4），

18、將中國大陸排除在其半導體產業鏈體系之外將中國大陸排除在其半導體產業鏈體系之外。2022年9月27日舉行“美-東亞半導體供應鏈彈性工作小組”首次預備會議，會議已達成初步共識，該平臺作為美國主導討論的工作平臺，美日韓及中國臺灣四方主要商議如何從各自角度來解決半導體供應鏈遇到的相關問題。資料來源：各公司官網（含投產時間），集微網，中信證券研究部資料來源：azcentral官網部分部分晶圓晶圓廠在美國的新建廠在美國的新建及擴產計劃及擴產計劃截至截至2022年年6月臺積電美國亞利桑那州廠區建設狀況月臺積電美國亞利桑那州廠區建設狀況外部變化：美國芯片法案支持本土先進制程擴產，拉攏盟友共建供應鏈外部變化：美

19、國芯片法案支持本土先進制程擴產，拉攏盟友共建供應鏈編編號號狀態狀態廠商廠商地點地點晶圓尺寸晶圓尺寸技術節點技術節點規劃產能規劃產能（萬片萬片/月月）投資額投資額（億億美元美元）生產項目生產項目投 產 時投 產 時間間1在建臺積電美國亞利桑那州鳳凰城北部12英寸5nm/4nm（一期）3nm（二期）一期2萬片（5nm/4nm），二期2萬片（3nm）規 劃 120 億美元晶圓代工2023年2計劃三星美國德克薩斯州12英寸5nm、sub-5-nm2170億美元晶圓代工2024年3計劃格芯美國紐約12英寸9012nm1.2510億美元晶圓代工4在建英特爾美國亞利桑那州錢德勒12英寸7nm200億美元CP

20、U等2024年5計劃英特爾美國俄亥俄州哥倫布12英寸200億美元CPU等2025年6在建德州儀器美國德克薩斯州謝爾曼12英寸300億美元模擬芯片2025年開 始 投產7計劃美光科技美國愛達荷州博伊西12英寸150億美元DRAM2030年72022年年10月月7日日，美國商務部工業與安全局美國商務部工業與安全局（BIS）公布了對于中國出口管制新規公布了對于中國出口管制新規，針對高算力芯片針對高算力芯片、超級計算超級計算、先進芯片制造先進芯片制造、半導體設備領域對半導體設備領域對中國中國大陸的大陸的制裁制裁再再次升級次升級。本次限制途徑包括本次限制途徑包括“物項物項”、“實體實體”、“用途用途”、

21、“人員人員”四類四類。一一、以以“物項物項”限制：限制：CCL商品管制清單里新增商品管制清單里新增4項項ECCN出口管制分類編碼出口管制分類編碼，瞄準瞄準【高算力芯片高算力芯片】和和【部分半導體設備部分半導體設備】。二二、以以“實體實體”限制：對于實體清單中與先進計算相關的限制：對于實體清單中與先進計算相關的【28家中國實體家中國實體】增加外國直接產品規則增加外國直接產品規則，新增新增【31家實體家實體】到未經核實清單到未經核實清單（UVL清單清單）。三三、以以“用途用途”限制：瞄準限制：瞄準【超級計算機超級計算機】、【先進芯片制造先進芯片制造】和和【特定半導體設備開發特定半導體設備開發】的的

22、最終用戶和最終用途最終用戶和最終用途，出口需要獲取許可證出口需要獲取許可證。四四、以以“人員人員”限制：新規在限制：新規在【半導體制造半導體制造】層面增加了對層面增加了對“美國人美國人”的最終用戶和最終用途限制的最終用戶和最終用途限制。1.高算力芯片：新增ECCN 3A090物項編碼 滿足輸入輸出（I/O）雙向傳輸速度高于600GB/s 且且計算位寬 x TOPs 4800的任何芯片（包括CPU、GPU、ASIC等）2.部分半導體設備新增ECCN 3B090編碼主要為一些用于沉積鈷、鎢的薄膜沉積類設備，主要用于10nm及以下先進制程芯片生產。1.超級計算機：新增ECCN 4A090物項編碼，體

23、積 41,600 ft3且且雙精度計算能（FP64）100 petaFLOPs或單精度計算能（FP32）200 petaFLOPs1.位于實體清單（Entity List）中的【28家實體】，上游使用到美國技術（落些列ECCN編碼范疇內的）產的產品將直接進EAR管制范疇，由于本次外國直接產品規則的更新，其含美國技術的上游供應（如芯片設計、晶圓廠流片、采購）或將受到影響。2.新增【31家實體】到未經核實清單（UVL清單），UVL清單的管制力度比實體清單小很多，且存在“退出機制“，如果企業被加入“未經驗證清單”后60天內安排最終用途核查，美國商務部將啟動程序將企業移除UVL清單。如果企業被加入UV

24、L清單后60天仍未能安排最終用途核查的，美國商務部將啟動程序將企業加入“實體清單”。2.如果受管控物項（如設備、材料、軟件、技術）用于中國開發或生產先進制程芯片的晶圓廠：16/14nm及以下邏輯及以下邏輯或非平面晶體管結構邏輯芯片或非平面晶體管結構邏輯芯片（如如FinFET、GAA）、128層及以上層及以上NAND存儲存儲、18nm及以下及以下DRAM存儲芯片存儲芯片。3.如果受管控物項（如進口零部件）用于中國特定半導體設備開發（包括ECCN編碼3B001、3B002、3B090、3B661、3B991的特定半導體設備相關零件、組件和設備），需要許可證。1.除非獲得許可證，否則“美國人”不得參

25、與對于先進制程（16/14nm以下邏輯、128層及以上NAND、18nm及以下DRAM）相關的物項（設備、材料、軟件、技術）向中國的轉移行為以及相關協助和服務。2.并非所有的中國半導體公司的美籍高管或員工都會受到影響，不提供先進制程相關制造技術（包括設備材料軟件）的企業不受影響。外部變化：美國外部變化：美國1007新規對華半導體產業制裁升級，倒逼國產化加速新規對華半導體產業制裁升級，倒逼國產化加速資料來源：美國商務部BIS官網，中信證券研究部8外部變化：日本、荷蘭跟進美國出口管制外部變化：日本、荷蘭跟進美國出口管制國內主要晶圓廠采購半導體設備中美系、日系、荷系及國產設備占比國內主要晶圓廠采購半

26、導體設備中美系、日系、荷系及國產設備占比2023年年1月月27日日，美方與日本美方與日本、荷蘭達成協議荷蘭達成協議，擬將對華半導體出口管制外擴擬將對華半導體出口管制外擴。據彭博社報道，美國政府與荷蘭和日本代表在華盛頓達成協議，擬限制向中國出口一些先進的芯片制造設備，該協議并未官宣，荷蘭、日本政府仍需敲定各自的最終法律安排。荷蘭ASML、日本尼康和佳能是全球光刻機領域主要玩家，此外日本還擁有東京電子等重要設備企業。美、日、荷設備廠商占全球市場前五名，合計占比超過70%，美、日、荷代表了全球半導體設備的主流供應地區。市場關注DUV光刻機能否對華銷售，我們認為不必過度擔心。從企業在商言商角度出發，成

27、熟制程仍有產業鏈充分合作的基礎。美國對華半導體限制一步步升級美國對華半導體限制一步步升級，在前期美方報告中已有跡可循在前期美方報告中已有跡可循，目前是將前期計劃逐步落實目前是將前期計劃逐步落實。2021年美國人工智能國家安全委員會（“NSCAI”）向美國國會提供的報告中提到，美國要想在半導體產業保持全球領先地位，應設法妨礙中國進口光刻機等尖端芯片生產設備，并考慮與荷蘭和日本協調制定管制政策，將中國的半導體產業限制在落后于美國兩代的程度。資料來源：國際招標采購網，中信證券研究部 注：中國國際招標網，中信證券研究部 注：數據范圍為相關網站公布的國內晶圓廠20162022年招標數據，數據截至2022

28、年12月10日0%20%40%60%80%100%離子注入光刻薄膜沉積涂膠顯影化學機械拋光過程控制測試設備氧化擴散/熱處理刻蝕清洗去膠總計美系設備占比日系設備占比荷系設備占比國產化率92023年年3月月31日日，日本政府宣布擬對半導體設備施加出口限制日本政府宣布擬對半導體設備施加出口限制，相關條例征詢公眾意見相關條例征詢公眾意見。據路透社和日經新聞報道，日本經濟產業大臣西村康稔在3月31日記者會上宣布，日本將修訂出口管制令，包括先進的半導體制造設備在內的23種物品將被列入受出口管制的物品清單。2023年年5月月23日日，日本經濟產業省發布省令日本經濟產業省發布省令，正式出臺針對正式出臺針對23

29、種半導體制造設備種半導體制造設備（或物項或物項）的出口管制措施的出口管制措施，并將于并將于7月月23日開始實施日開始實施。正式公布內容與3月31日公布的征詢公眾意見稿基本一致。本次措施主要是增加了本次措施主要是增加了6大類大類23種管制物項種管制物項，要求對華出口需申請許可要求對華出口需申請許可。管制針對先進半導體設備。雖未明確說明設備對應的制程節點，但技術指標、應用于具體材料和工藝的描述均具有較強的針對性，主要瞄準先進制程相關。半導體材料不在限制行列之內。中國大陸為日本主要半導體設備廠商的重要收入來源地區之一中國大陸為日本主要半導體設備廠商的重要收入來源地區之一，出口管制不影響成熟制程設備，

30、符合我們先前預期。日本半導體設備公司東京電子（TEL）、迪恩士（DNS）和尼康公司（Nikon），根據三家公司2022年報，來自中國大陸客戶的營收占比分別為28.3%、26.2%、28.4%，均為其最大收入來源地區。日本廠商占有領先地位的設備日本廠商占有領先地位的設備、材料領域亦將加大國產替代力度材料領域亦將加大國產替代力度，如如涂膠顯影設備涂膠顯影設備、測試設備測試設備、擴散擴散/熱處理設備熱處理設備、薄膜薄膜沉積設備沉積設備、光刻膠光刻膠、硅片硅片、拋光液拋光液等等。外部變化：日本方面推出半導體設備出口管制措施，外部變化：日本方面推出半導體設備出口管制措施，7月生效月生效10資料來源：日本

31、經濟產業省網站，中信證券研究部日本日本6 6大類大類2323種半導體設備出口管制清單（種半導體設備出口管制清單（20232023年年5 5月月2323日發布）梳理日發布）梳理（一）（一）外部變化：日本出口管制針對性極強，瞄準先進制程外部變化：日本出口管制針對性極強，瞄準先進制程涉及工序序號細分設備品類具體工藝環節/技術指標日本代表廠商潛在國產替代受益廠商光刻（4種）1ArF浸沒式光刻機光源的波長為193nm或更大，以納米表示的光源波長乘以0.25并除以數值孔徑數的數值（即光刻分辨率）為小于等于45尼康、佳能上海微電子（未上市）2EUV涂膠顯影設備極紫外（EUVEUV）光刻所使用的光刻膠涂膠、成

32、膜、加熱、顯影設備東京電子、迪恩士芯源微、盛美上海、至純科技3EUV光罩護膜極紫外（EUVEUV）光刻設備使用的光罩護膜（PelliclePellicle）框架模組三井化學無4EUV光罩護膜制造設備極紫外（EUVEUV）光刻設備使用的光罩護膜（Pellicle）的制造設備無刻蝕（3種）5干法刻蝕（硅鍺等）各向同性干法刻蝕設備，硅鍺（SiGe）與硅（Si）的刻蝕選擇性之比為100100倍以上東京電子、日立高新中微公司、北方華創、屹唐股份（未上市）各向異性干法刻蝕設備，具有高頻脈沖輸出電源的電源、切換時間小于300ms的高速氣體切換閥、以及靜電卡盤（僅限于具有20個或更多可單獨控制溫度的區域的靜電

33、卡盤）6濕法刻蝕（硅鍺）硅鍺（SiGe）與硅（Si）的蝕刻選擇性之比為100100倍以上東京電子、日立高新盛美上海、芯源微7高深寬比干法刻蝕各向異性刻蝕設備，其中介電材料的刻蝕深度與寬度比值超過3030倍，寬度尺寸小于100nm。且具有高頻脈沖輸出電源的電源、和切換時間小于300ms的高速氣體切換閥東京電子、日立高新中微公司、北方華創熱處理（1種）8退火（銅、鈷、鎢回流）在0.01Pa以下的真空狀態下，進行銅回流，或鈷或鎢回流消除空隙或接縫的退火設備東京電子、日立高新、日立國際電氣北方華創、盛美上海、屹唐股份（未上市）清洗（3種）9清洗在0.01Pa或更小的真空中，去除聚合物殘留物和氧化銅膜，

34、并能夠形成銅膜的設備；迪恩士、東京電子、日立國際電氣盛美上海、至純科技、北方華創、芯源微10干法清洗具有多個腔室或工序間，通過干法工藝進行除去表面氧化物的預處理，或者通過干法工藝除去表面的污染物。迪恩士、東京電子、日立國際電氣盛美上海、至純科技、北方華創、芯源微11單片濕法清洗在晶片表面改性后進行干燥工序的單片式濕式清洗設備迪恩士、東京電子盛美上海、至純科技、北方華創、芯源微檢測（1種）12EUV掩膜版檢測用于檢測“EUVEUV光刻設備”的掩膜坯料或掩膜圖案的設備Lasertec、日立高新精測電子、中科飛測11資料來源：日本經濟產業省網站，中信證券研究部日本日本6 6大類大類2323種半導體設

35、備出口管制清單（種半導體設備出口管制清單（20232023年年5 5月月2323日發布）梳理日發布）梳理（二）（二）外部變化：日本出口管制針對性極強，瞄準先進制程外部變化：日本出口管制針對性極強，瞄準先進制程涉及工序序號細分設備品類具體工藝環節/技術指標日本代表廠商潛在國產替代受益廠商薄膜沉積（11種）13電鍍（鈷）鈷（CoCo）電鍍薄膜設備盛美上海金屬Contact層CVD（鈷或者鎢等）自下而上沉積鈷（CoCo）或鎢（WW）的化學氣相沉積設備，填充的金屬空隙或接縫最大尺寸為3nm或以下東京電子中微公司、拓荊科技、北方華創、微導納米單一腔室（Chamber）多道工序沉積金屬接觸層（Contac

36、t）的設備，使用氫氣（含有氫氣與氮氣或氨的混合物）等離子體，并且在晶片的基板溫度保持在100500的同時，使用有機金屬化合物沉積鎢（WW）層東京電子中微公司、拓荊科技、北方華創、微導納米多個腔室多個步驟形成薄膜，并在多個過程之間保持0.01 Pa或更小的真空狀態或惰性環境，并通過特定基板溫度和特定等離子體的工藝過程形成鎢金屬接觸層（Contact）的東京電子中微公司、拓荊科技、北方華創、微導納米使用遠程等離子體源和離子過濾器進行表面處理的工藝，并使用有機金屬化合物選擇性地在銅上沉積鈷層的工藝；形成金屬接觸層（Contact）的設備東京電子中微公司、拓荊科技、北方華創、微導納米ALD（鈦碳化鋁）

37、為形成鈦碳化鋁薄膜而設計的設備，且功函數大于4.0 eV。東京電子拓荊科技、北方華創、微導納米、中微公司金屬Contact層CVD/PVD（氮化鈦/碳化鎢+鈷等）通過在特定襯底溫度下形成碳化鈦或碳化鎢層、并在特定溫度和壓力下沉積鈷層工藝，從而形成金屬接觸層（Contact）的設備東京電子中微公司CVD/PVD（銅+鈷/釕）在特定溫度和壓力下形成鈷或釕層，并在特定溫度和壓力下通過PVD形成銅層，從而形成銅線路的設備東京電子、愛發科拓荊科技、北方華創、微導納米、中微公司ALD（阻擋層、絕緣層）為使用有機金屬化合物選擇性地形成阻擋層（BarrierBarrier）或者線性層（LinerLiner）的

38、原子層沉積設備東京電子拓荊科技、北方華創、微導納米、中微公司在維持晶圓襯底溫度小于500的同時，在絕緣層與絕緣層的間隙（深度相對于寬度的比率超過5倍且該寬度小于40nm）中填充鎢或鈷以不產生空隙的原子層沉積設備。東京電子拓荊科技、北方華創、微導納米、中微公司14LPCVD（SiNSiN+鎢）在特定低壓條件或惰性氣體環境中，在特定襯底溫度下形成氮化硅，并且沉積鎢層，從而形成金屬層的設備東京電子拓荊科技、北方華創、微導納米、中微公司15LPCVD（鎢、鉬）在特定低壓條件或在惰性氣體環境，不使用阻擋層（Barrier）選擇性生長鎢、鉬金屬層的設備東京電子拓荊科技、北方華創、微導納米、中微公司16釕沉

39、積使用有機金屬化合物沉積釕層的設備，同時將晶圓基板溫度保持在20500之間東京電子中微公司17空間式PEALD通過等離子體形成原子層，或者具有等離子原，或在等離子照射區域設有等離子屏蔽罩或限制等離子的空間原子層沉積設備（僅限于帶有旋轉軸的晶圓支撐臺）東京電子拓荊科技、北方華創、微導納米、中微公司18CVD（Si Si和C C薄膜）在特定溫度下形成含有硅和碳薄膜的設備，其介電常數小于5.3，同時滿足水平開孔尺寸小于70nm，深度相比于該尺寸的比率超過5倍的圖案，圖案間距（Pitch）小于100nm東京電子拓荊科技、北方華創、微導納米、中微公司19PVD（EUVEUV用的多層反射膜）為用于掩膜的多

40、層反射膜通過離子束蒸鍍或物理氣相沉積法形成膜的設備（僅限用于“EUVEUV光刻設備”的掩膜）東京電子、愛發科北方華創20EPI（硅、硅鍺）多腔室多工序、低壓或惰性環境，具有清洗腔、外延生長溫度低于685的，為硅（包括碳摻雜）或硅鍺（包括碳摻雜）的外延生長而設計的設備東京電子中微公司、北方華創21PECVD（碳硬掩膜）為厚度大于100nm和應力小于450MPa的碳硬掩膜的等離子體沉積而設計的設備；東京電子拓荊科技、北方華創、微導納米、中微公司22PEALD/PECVD（鎢）設計為通過利用等離子體的原子層沉積法或化學氣相沉積法沉積鎢薄膜的設備（氟原子數小于1019個/cm2）。東京電子拓荊科技、北

41、方華創、微導納米、中微公司23PECVD（LowLow-k k）金屬配線的間隙（僅限于寬度小于25nm25nm且深度大于50nm50nm的間隙），以不產生空隙的方式使用等離子體成膜相對介電常數小于3.33.3的低介電層的設備。東京電子拓荊科技、北方華創、微導納米、中微公司12外部變化：荷蘭出口管制尚待正式推出外部變化：荷蘭出口管制尚待正式推出2023年年3月月8日日，荷蘭方面稱半導體出口限制將在夏季前推出荷蘭方面稱半導體出口限制將在夏季前推出，細則尚待正式披露細則尚待正式披露。據路透社報道，荷蘭貿易部長Liesje Schreinemacher在致議會函中透露，荷蘭半導體技術出口限制將在夏季之

42、前實施。荷蘭公司ASML與ASMI后續可能需針對先進設備申請出口許可證。2023年年3月月8日日，ASML公告表態稱只影響部分高規格光刻機公告表態稱只影響部分高規格光刻機。當日ASML在官網發布公告，回應稱預計限制僅適用于“最先進”設備，此舉不會對公司2023年或者長期的財務表現產生重大影響。ASML預計荷蘭限制將主要針對TWINSCAN NXT:2000i和后續的高端DUV光刻設備，不影響NXT:1980Di及之前的DUV光刻設備型號，符合我們預期。2021年全球光刻機市場份額（左）及三大廠商各類光刻機銷量（右，單位：臺）年全球光刻機市場份額（左）及三大廠商各類光刻機銷量（右，單位：臺）資料

43、來源：中商產業研究院，中信證券研究部13政策支持：外部限制層層遞進背景下，政策支持力度有望加大政策支持：外部限制層層遞進背景下，政策支持力度有望加大時間時間發布單位發布單位 政策名稱政策名稱政策核心內容政策核心內容2014年 工信部工信部國家集成電路國家集成電路產業發展推進綱產業發展推進綱要要主要目標包括：(1)到2015年，集成電路產業發展體制機制創新取得明顯成效，建立與產業發展規律相適應的融資平臺和政策環境，集成電路產業銷售收入超過3500億元。(2)移動智能終端、網絡通信等部分重點領域集成電路設計技術接近國際一流水平。(3)32/28 nm 制造工藝實現規模量產，中高端封裝測試銷售收入占

44、封裝測試業總收入比例達到30%以上，65-45nm 關鍵設備和12 英寸硅片等關鍵材料在生產線上得到應用。2015年 國務院國務院 中 國 制 造中 國 制 造2025將集成電路及專用裝備作為“新一代信息技術產業”納入大力推動發展的重點領域，著力提升集成電路設計水平，掌握高密度封裝及3D封裝技術，提升封裝產業和測試的自主發展能力，形成關鍵制造設備供貨能力。2020年 國務院國務院新時期促進集新時期促進集成電路產業和軟成電路產業和軟件產業高質量發件產業高質量發展的若干政策展的若干政策制定出臺財稅、投融資、研究開發、進出口、人才、知識產權、市場應用、國際合作等八個方面政策措施；大力培育集成電路領域

45、和軟件領域企業；加快推進集成電路一級學科設置，支持產教融合發展；嚴格落實知識產權保護制度；積極開展國際合作。28nm以下集成電路生產企業“十年免所得稅”，進口設備、材料、零配件免關稅，設備、材料、封測公司明確享受所得稅“兩免三減半”；重點設計公司升級為五年免稅，后續維持10%所得稅率。明確凡在中國境內設立的集成電路企業和軟件企業，不分所有制性質，均可按規定享受相關政策。2021年 國務院國務院橫琴粵澳深度橫琴粵澳深度合作區建設總體合作區建設總體方案方案大力發展集成電路、電子元器件、新材料、新能源、大數據、人工智能、物聯網、生物醫藥產業。加快構建特色芯片設計、測試和檢測的微電子產業鏈。建設人工智

46、能協同創新生態，打造互聯網協議第六版（IPv6）應用示范項目、第五代移動通信（5G）應用示范項目和下一代互聯網產業集群。部分國家級集成電路產業政策梳理部分國家級集成電路產業政策梳理當下產業發展重點關注設備當下產業發展重點關注設備、零部件零部件、材料材料、高端芯片等易高端芯片等易“卡脖子卡脖子”環節環節。過往來看，美國對華半導體限制層層深入，從卡芯片（華為不能買芯片），到卡制造（華為不能找代工），卡設備（中芯國際買不到最先進設備），沿產業鏈條向上。一旦后續日本與荷蘭的設備采購同樣受到限制，我們預計將加速各個領域國產化的過程，當下產業發展重點關注設備、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”環節。在當

47、前外部限制加碼背景之下在當前外部限制加碼背景之下，半導體核心卡脖子環節屬于重點關注領域半導體核心卡脖子環節屬于重點關注領域，政策支持力度有望加大政策支持力度有望加大。2022年9月6日，中央深改委會議指出，“健全關鍵核心技術攻關新型舉國體制，要把政府、市場、社會有機結合起來，科學統籌、集中力量、優化機制、協同攻關?！薄懊闇适玛P我國產業、經濟和國家安全的若干重點領域及重大任務，明確主攻方向和核心技術突破口?！痹诋斍巴獠肯拗萍哟a背景之下，半導體核心卡脖子環節屬于重點關注領域，我們預期后續政策力度有望繼續加大。資料來源：各政府部門網站，中信證券研究部我國半導體產業部分激勵政策我國半導體產業部分激勵政

48、策類型類型細分項目細分項目具體說明具體說明產業投資基金國家級產業基金國家級產業基金首批國家集成電路產業投資基金（“大基金”）2015-2019年共計1387億元，國家集成電路產業投資基金二期（“大基金二期”）20202024年共計約2000億元，重點投資集成電路芯片制造業，兼顧芯片設計、封裝測試、設備和材料、下游新興應用等產業。地方級產業基金地方級產業基金國內各地方積極投身集成電路產業投資，包括上海、北京、天津、安徽、湖北、四川、山東、深圳、南京、廈門、甘肅、江蘇等，地方基金及私募股權投資基金合計已超過6000億元，布局制造、設計、封測、設備、材料等產業鏈各環節。企業稅費優惠重大項目增值稅退稅

49、重大項目增值稅退稅集成電路重大項目企業增值稅留抵稅額退稅承建集成電路重大項目的企業進口新設備可分期繳納進口增值稅減免企業所得稅減免企業所得稅線寬小于0.8微米的集成電路生產企業定期減免企業所得稅線寬小于0.25微米的集成電路生產企業定期減免企業所得稅投資額超過80億元的集成電路生產企業定期減免企業所得稅投資額超過150億元的集成電路生產企業或項目定期減免企業所得稅國家鼓勵的線寬小于28納米的集成電路生產企業或項目定期減免企業所得稅國家鼓勵的線寬小于65納米的集成電路生產企業或項目定期減免企業所得稅國家鼓勵的線寬小于130納米的集成電路生產企業或項目定期減免企業所得稅國家鼓勵的線寬小于130納米

50、的集成電路生產企業延長虧損結轉年限國家鼓勵的集成電路設計、裝備、材料、封裝、測試企業定期減免企業所得稅國家鼓勵的重點集成電路設計企業定期減免企業所得稅其他類型其他類型集成電路企業退還的增值稅期末留抵稅額在城市維護建設稅、教育費附加和地方教育附加的計稅（征）依據中扣除。集成電路生產企業生產設備縮短折舊年限資料來源：前瞻產業研究院，國家稅務總局，中信證券研究部14我們復盤海外半導體產業發展過程中的政策扶持我們復盤海外半導體產業發展過程中的政策扶持，全球主要半導體集聚區的發全球主要半導體集聚區的發展背后均有政府端的政策推動展背后均有政府端的政策推動。美國：通過半導體補貼及貿易保護政策長期保持全球發達

51、半導體產業集聚區地位，并力圖在當前各個環節占據半導體市場領導地位。日本：政府引導集中資源重視研發，大規模投資生產參與全球競爭韓國：政府發展綱領及補貼投入，企業財團持續大量逆周期投入，促成產業實現超越。中國臺灣：政策培植，參與全球分工、商業模式創新，開辟代工模式重塑全球產業鏈制造環節，帶動設計、材料等環節成熟。新能源新能源汽車產業：多年來汽車產業：多年來，通過一系列產業扶持與財稅補貼政策通過一系列產業扶持與財稅補貼政策，我國我國新能源新能源汽車產業經歷了從無到有的飛躍式發展汽車產業經歷了從無到有的飛躍式發展。國家補貼新能源汽車的方式包括“購買單車補貼+充電站補貼+稅收補貼”等方式，其次還積極推進

52、上下游的電力及新能源配套建設，全方位推進國內新能源汽車行業發展。在國家政策的大力支持下，新能源汽車產業發展速度加快，2015年超過美國，成為全球最大的新能源汽車生產國，再到2021年銷量突破350萬輛。我們認為我們認為，參考海外半導體產業扶持政策及國內新能源產業補貼政策參考海外半導體產業扶持政策及國內新能源產業補貼政策，大陸半大陸半導體導體行業扶持政策重點可以放在行業扶持政策重點可以放在財稅財稅、補貼補貼、人才激勵及科研體系人才激勵及科研體系等環節等環節。財稅政策持續發力，多種稅收優惠方式鼓勵行業發展，通過所得稅和增值稅的稅收優惠帶動整個產業鏈發展。通過補貼政策，鼓勵采購國產設備/材料/EDA

53、等，積極打造全國產化產業鏈。強化頂層設計，加強外部合作，完善教育體系、科研體系。實施人才激勵政策，吸引人才回流及更多人才進入半導體產業。資料來源：新能源汽車財政補貼政策的演變與啟示胡紹雨、梁智宇，中信證券研究部海外半導體產業發展啟示海外半導體產業發展啟示我國部分新能源汽車財政補貼政策梳理我國部分新能源汽車財政補貼政策梳理政策支持：關注財稅政策支持：關注財稅+補貼補貼+人才激勵人才激勵+科研體系等激勵措施科研體系等激勵措施資料來源：中信證券研究部出臺時間出臺時間政策名稱政策名稱出臺時間出臺時間政策名稱政策名稱2009.3汽車產業調整和振興規劃2014.7 國 務 院 辦 公 廳 關 于 加 快

54、新 能 源 汽 車 推 廣 應 用 的 指 導意見2009.1財政部、科技部關于開展節能與新能源汽車示范推廣試點工作的通知2015.4財政部、科技部、工業和信息化部、國家發展改革委關于2016一2020年新能源汽車推廣應用財政支持政策的通知2010.6財政部、科技部、工業和信息化部、國家發展改革委關于開展私人購買新能源汽車補貼試點的通知2016.12財政部、科技部、工業和信息化部、國家發展改革委關于調整新能源汽車推廣應用財政補貼政策的通知2012.6節能與新能源汽車產業發展規劃（2012-2020年）2016.12“十三五”國家戰略性新興產業發展規劃2012.9新能源汽車產業技術創新工程財政獎

55、勵資金管理暫行辦法2017.9 乘 用 車 企 業 平 均 燃 料 消 耗 量 與 新 能 源 汽 車 積 分 并 行管理辦法2013.9財政部、科技部、工業和信息化部、國家發展改革委關于繼續開展新能源汽車推廣應用工作的通知2018.2財政部、科技部、工業和信息化部、國家發展改革委關于調整完善新能源汽車推廣應用財政補貼政策的通知2014.7國家發展改革委關于電動汽車用電價格政策有關問題的通知2019.3財政部、科技部、工業和信息化部、國家發展改革委關于進一步完善新能源汽車推廣應用財政補貼政策的15從歷史經驗來看從歷史經驗來看，全球半導體產業規模長期穩步向上增長的同時全球半導體產業規模長期穩步向

56、上增長的同時，一定程度上存在周期屬性一定程度上存在周期屬性，每個完整周期一般持續每個完整周期一般持續35年左右年左右。本輪產業周期目前正處探底階段本輪產業周期目前正處探底階段，我們結合需求復蘇趨勢我們結合需求復蘇趨勢、庫存消化節奏庫存消化節奏、成本改善節奏的綜合觀察成本改善節奏的綜合觀察，半導體銷售額有半導體銷售額有望于望于2023H1見底見底,2023H2恢復增長恢復增長。需求：展望2023年，我們看好需求回暖拉動半導體產業周期觸底反轉。1）手機：2023年大盤平穩，看好安卓端需求底部復蘇反彈。2）電動車：補貼退出不改長期發展趨勢，混動進程明顯加速。3）VR：多品牌迭代新品，硬件持續升級，我

57、們預計2023年出貨增速達50%，蘋果MR新品推出。4）AI：ChipGPT引爆增量行業需求，帶動云端和邊緣段創新加速。資料來源：Wind，IC Insights（預測后續趨勢），中信證券研究部 注：其中紅色虛線框部分為中信證券研究部根據IC Insight預測走勢繪制，不代表實際數據資料來源：SIA，WTST，Wind，中信證券研究部 注：其中黃色塊表示上行區間，藍色塊表示下行區間2020年年3月后全球半導體銷售額及費城半導體指數的走勢月后全球半導體銷售額及費城半導體指數的走勢1994年以來費城半導體指數及全球半導體銷售額變化年以來費城半導體指數及全球半導體銷售額變化周期維度：產業景氣度周期

58、維度：產業景氣度2023年有望觸底反轉，設計、封測、制造、設備料年有望觸底反轉，設計、封測、制造、設備料將將依次依次回溫回溫16重資產端（重資產端（1）設備）設備/零部件：制造短期擾動，長期拉動，國內份額提升空間大零部件：制造短期擾動，長期拉動，國內份額提升空間大國內資本開支方面國內資本開支方面，長江存儲采購受限短期擾動影響長江存儲采購受限短期擾動影響23年新增訂單年新增訂單，我們測算長江存儲和長鑫存儲的2021/22年合計CAPEX占比分別為16.5%/22.4%。長期而言擴產預計將持續，但增速料低于但增速料低于22年年。擴產廠商如中芯京城、中芯東方、中芯天津、華虹九廠、福建晉華、青島芯恩、

59、深圳華潤微、士蘭集科、上海積塔等項目有望帶動更多產能增量，拉動資本開支?？紤]國內企業普遍處于追趕投入期，中國大陸晶中國大陸晶圓廠在全球市場份額總計僅圓廠在全球市場份額總計僅8.5%（IC Insights數據），但半導體需求占全球市場超30%（WSTS數據），長期產能提升空間大。設備板塊而言設備板塊而言，長期長期趨勢明確趨勢明確，短期業績分化短期業績分化，當前更建議關注企業份額提升和橫向拓展能力當前更建議關注企業份額提升和橫向拓展能力，自下而上選股自下而上選股，關注業績確定性關注業績確定性高的個高的個股股，期待國產化加速或政策催化彈性期待國產化加速或政策催化彈性。國產化空間國產化空間來看，根據

60、中國招標網披露的設備采購情況測算，當前設備國產率不足15%（200多億國產設備產值除以1500億左右內資Fab廠設備需求，2021年），單從份額來看，若實現國產替代達到45成（我們預期35年完成），約有三倍空間，若實現全國產，有67倍空間。中國半導體設備市場規模及在全球市場占比資料來源：SEMI，中信證券研究部82.3131.1134.5187.2296.214.5%20.3%22.5%26.3%28.9%0%5%10%15%20%25%30%35%05010015020025030035020172018201920202021中國半導體設備市場規模(億美元)中國市場占比長江存儲、長鑫存儲2

61、021/22年CAPEX及國內晶圓廠總額（億美元）資料來源：SEMI，集微網中國晶圓代工行業研究報告，各公司公告，中信證券研究部預測05010015020025030035020212022E國內晶圓廠長江存儲長鑫存儲1769.09%39.76%27.45%26.22%21.87%17.32%6.04%3.51%1.74%1.09%1.06%0%10%20%30%40%50%60%70%80%國產化率顯著提升國產化率顯著提升，美系設備占比下降美系設備占比下降。以長江存儲為例，過去五年間中國大陸廠商中標項目數量占比呈上升趨勢，美國廠商占比呈下降趨勢。國產化率計算：國產化率計算：2014-2022

62、年長江存儲、上海華力、華虹無錫累計設備國產化率（按照設備臺數占比）分別為18.3%、13.6%、18.1%。從各類型設備來看：從各類型設備來看：去膠、清洗、氧化擴散/熱處理、刻蝕、化學機械拋光領域國產化率均可達到20%以上，而涂膠顯影涂膠顯影、光刻光刻、離子注離子注入入、過程控制過程控制（量測檢測量測檢測）、薄膜沉積薄膜沉積等設備國產化率尚低國產化率尚低。后續國產設備份額有望迅速提升后續國產設備份額有望迅速提升。貿易摩擦加劇背景下，晶圓廠制定國產化計劃，加快國產化驗證工作。重資產端（重資產端（1）設備）設備/零部件：關注國產化率提升有彈性的細分零部件：關注國產化率提升有彈性的細分資料來源：中國

63、國際招標網，中信證券研究部三座晶圓廠招投標設備合計國產化率排序（三座晶圓廠招投標設備合計國產化率排序（20142022年）年）資料來源：中國國際招標網，中信證券研究部 注：數據范圍為相關網站公布的長江存儲20172022年招標數據，數據截至2021年10月18日長江存儲近五年歷年部分設備招標數量占比長江存儲近五年歷年部分設備招標數量占比國產持續提升國產持續提升59.32%47.79%49.71%43.19%40.48%46.82%29.66%27.21%28.16%34.17%30.29%30.64%4.24%11.03%15.23%15.72%21.72%14.90%0%20%40%60%8

64、0%100%120%20172018201920202021總計美國日本中國大陸荷蘭韓國中國臺灣47.5%36.0%5.9%0.9%9.7%美國日本韓國中國其他44.9%29.1%13.4%12.6%美國日本中國大陸其他長鑫集電（北京）長鑫集電（北京）12英寸英寸17nm項目新增設備項目新增設備來源占比來源占比華力微電子華力微電子2015-2022年采購制造設備國年采購制造設備國產化率產化率資料來源：集成電路示范線項目（一期）項目環評報告，中信證券研究部資料來源：中國國際招標網，中信證券研究部18重資產端（重資產端（1）設備）設備/零部件：估值回歸低位，產業鏈安全重點零部件：估值回歸低位，產業

65、鏈安全重點公司名稱公司名稱市值（億市值（億元）元）2023E凈利潤凈利潤（億元）（億元）2023E凈利凈利潤潤YoY2023E營收營收（億元）（億元）2023E營收營收YoY2023 PE 2023 PS主要產品主要產品覆蓋市場空間（億覆蓋市場空間（億美元，美元，2021年）年）設備國產化率設備國產化率布局產品布局產品拓展后的市場空間拓展后的市場空間（億美元）（億美元）北方華創1,571 32.65 39%200.41 36%48 8 熱處理、PVD、清洗30/49/4929%/12%/37%ALD、PECVD、刻蝕467中微公司1,059 14.26 22%62.42 32%74 17 刻蝕

66、19827.50%LPCVD、ALD、EPI221盛美上海512 7.78 16%38.62 34%66 13 清洗、鍍銅、氧化49/6/3037%/5%/29%ALD、涂膠顯影147拓荊科技-U522 5.37 46%28.52 67%97 18 CVD11812%ALD141華海清科370 7.43 48%26.93 63%50 14 化學機械拋光1828%量測設備、晶圓減薄、供液系統103芯源微251 2.71 35%20.12 45%93 12 涂膠顯影、物理清洗39/4916%/37%化學清洗設備88微導納米218 1.28 136%14.18 107%170 15 ALD22.82

67、%左右PECVD82至純科技130 5.16 83%41.80 37%25 3 清洗4937%涂膠顯影、爐管118萬業企業176 4.89 15%16.25 40%36 11 離子注入設備253.80%刻蝕、CVD、熱處理271華峰測控233 5.98 14%12.44 16%39 19 測試設備78不足10%測試設備78長川科技305 7.80 69%38.65 50%39 8 測試設備78不足10%前道光學檢測118精測電子264 3.52 29%34.19 25%75 8 過程控制1089.40%過程控制108富創精密230 3.30 34%21.91 42%70 10 金屬零部件及模組

68、產品23030%左右其他零部件品類230江豐電子181 3.86 45%31.58 36%47 6 金屬零部件及模組產品23030%左右其他零部件品類230新萊應材125 4.48 30%32.42 24%28 4 氣柜及氣體管路6010%左右其他零部件品類60華亞智能43 1.37-9%6.71 8%31 6 工藝和結構零部件12130%左右其他零部件品類121半導體設備半導體設備/零部件板塊各公司估值及產品布局情況零部件板塊各公司估值及產品布局情況資料來源：Wind（含營收、凈利潤預測），SEMI，Gartner，各公司公告，各公司官網，中國國際招標采購，中信證券研究部預測（市場空間和國產

69、化率部分）注：股價為2023年6月1日收盤價19重資產端（重資產端（1）設備）設備/零部件：估值回歸低位，產業鏈安全重點零部件：估值回歸低位，產業鏈安全重點資料來源：Wind，中信證券研究部部分半導體設備公司部分半導體設備公司PS-Band（總市值對應當年收入）（總市值對應當年收入）參考設備企業近三年的估值參考設備企業近三年的估值PS-band，當前估值處于歷史中低水準當前估值處于歷史中低水準。截至2023年6月1日，北方華創PS（23E）7.8倍，中微公司（23E）17倍，芯源微（23E）12.5倍；其過去三年平均分別13.2/24.9/16.7倍；過去一年平均分別為9.7/15.2/11.

70、5倍。建議標的：建議標的：（1）設備：關注北方華創、芯源微、拓荊科技、中微公司、至純科技、盛美上海、華海清科；同時關注精測電子、長川科技、華峰測控、光力科技等。（2）零部件：關注行業龍頭企業富創精密，關注新萊應材、江豐電子等。0.05.010.015.020.025.030.035.040.045.050.0北方華創中微公司盛美上海拓荊科技華海清科芯源微20重資產端（重資產端（2）制造：景氣周期下行已體現至報表端，市場）制造：景氣周期下行已體現至報表端，市場price-in資料來源：Wind，中信證券研究部制造景氣度下行顯著表現制造景氣度下行顯著表現，1Q23、2Q23壓力集中呈現至報表端壓力

71、集中呈現至報表端。中芯國際1Q23銷售收入環比回落11.6%、毛利率回落11pcts，華虹半導體1Q23收入基本持平，毛利率回落6.1pcts。二季度指引來看，中芯國際收入環比回歸小幅增長，毛利率基本持平，華虹半導體收入基本環比持平，毛利率中值環比回落6.1pcts。中芯國際產能利用率在4Q22回落至79.5%，1Q23回落至68%。我們預計23年上半年報表壓力仍較大，若上半年觀察到需求復蘇和庫存去化，從3Q23開始，制造企業收入及毛利率有望重回環比增長通道。中芯國際產能利用率和晶圓平均售價中芯國際產能利用率和晶圓平均售價中芯國際季度銷售收入、中芯國際季度銷售收入、EBITDA及毛利率（含季度

72、指引中值）及毛利率（含季度指引中值）華虹半導體產能利用率和晶圓平均售價華虹半導體產能利用率和晶圓平均售價華虹半導體季度銷售收入、華虹半導體季度銷售收入、EBITDA及毛利率（含季度指引中值）及毛利率（含季度指引中值）0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%35.00%40.00%45.00%0100200300400500600700銷售收入（百萬美元）EBITDA（息稅折舊及攤銷前利潤）毛利率0%20%40%60%80%100%120%01002003004005006007002015Q12015Q22015Q32015Q42016Q12016Q22

73、016Q32016Q42017Q12017Q22017Q32017Q42018Q12018Q22018Q32018Q4 2019Q1 2019Q2 2019Q3 2019Q4 2020Q1 2020Q2 2020Q3 2020Q4 2021Q1 2021Q2 2021Q3 2021Q4 2022Q1 2022Q2 2022Q3 2022Q4 2023Q1整體ASP（美元）產能利用率0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%35.00%40.00%45.00%05001000150020002500銷售收入（百萬美元）EBITDA（息稅折舊及攤銷前利潤）毛利

74、率50%60%70%80%90%100%110%400500600700800900100011001200ASP（美元/wafer）產能利用率（右軸）資料來源：中芯國際公告（含預測），中信證券研究部資料來源：華虹半導體公告（含預測），中信證券研究部資料來源：Wind，中信證券研究部21重資產端（重資產端（2）制造：估值歷史低位，基本面底部確立，考慮左側布局）制造：估值歷史低位，基本面底部確立，考慮左側布局資料來源：Wind，中信證券研究部部分半導體制造公司港股部分半導體制造公司港股PE-Band參考制造企業的歷史估值參考制造企業的歷史估值PE-band和和PB-band，當前估值處于歷史低位

75、當前估值處于歷史低位。截至2023年6月1日，中芯國際港股PE（TTM）為12.6倍，PB（MRQ）為1.04倍；其過去三年平均分別為33/1.7倍；過去一年平均分別為9.6/1.0倍。華虹半導體港股PE（TTM）8.6倍，PB（MRQ）1.34倍；其過去三年平均分別為39/2.1倍；過去一年平均分別為17/1.6倍，接近歷史低位。關注標的：關注標的：中芯國際（A/H股）、華虹半導體（H股，擬IPO回歸科創板）。部分半導體制造公司港股部分半導體制造公司港股PB-Band資料來源：Wind，中信證券研究部020406080100120中芯國際華虹半導體0123456中芯國際華虹半導體22摩爾定律

76、迭代速度放緩摩爾定律迭代速度放緩，從系統應用出發從系統應用出發，整體性能提升依靠先進封裝技術整體性能提升依靠先進封裝技術。在硅基半導體的技術演進上，每18-24個月晶體管的數量每年翻倍，帶來芯片性能提升一倍，或成本下降一半，這一規律稱為“摩爾定律”。先進制程帶來的成本優勢和先發優勢，使得半導體廠商一直致力于實現特征尺寸的縮小，而如今，隨著延續摩爾定律所需新技術研發門檻提高、研發周期拉長，制程工藝迭代需花費更長時間，且成本提升明顯。業界認為業界認為，系統異質整合是提升系統性能系統異質整合是提升系統性能，降低成本的關鍵技術之一降低成本的關鍵技術之一，需要依賴先進封裝技術需要依賴先進封裝技術。封裝朝

77、小型化封裝朝小型化、多引腳多引腳、高集成目標持續演進高集成目標持續演進。封裝歷史發展大概分為五階段，目前市場主流封裝形式仍以第三階段為主流，BGA和CSP等主要封裝形式進入大規模生產階段。封裝演變歷史朝小型化小型化、I/O數量增加數量增加（多引腳多引腳）、集成化集成化三向發展。以小型化為例，過去DIP封裝后的體積是芯片的100倍大，發展至CSP僅芯片的1.2倍或更??；I/O數量也從過去6個引腳增加到數千個以上。先進封裝位于整個封裝技術發展的第四階段及第五階段先進封裝位于整個封裝技術發展的第四階段及第五階段，I/O數量多數量多、芯片相對小芯片相對小、高度集成化為先進封裝特色高度集成化為先進封裝特

78、色。資料來源：IRDS（International Roadmap for Devices and Systems）網站,中信證券研究部資料來源：Yole（轉引自長電科技微信公眾號）,中信證券研究部制程節點遇瓶頸，性能提升可透過堆疊芯片增加數量制程節點遇瓶頸，性能提升可透過堆疊芯片增加數量集成電路封裝發展歷程圖集成電路封裝發展歷程圖重資產端（重資產端（3）先進封裝：后摩爾時代提升系統性能的重要路徑）先進封裝：后摩爾時代提升系統性能的重要路徑232020年全球年全球/中國封測市場規模分別約中國封測市場規模分別約660億美元億美元/2510億元億元，預計預計20202025年年CAGR分別約分別約

79、5%、10%。Yole統計（轉引自天天IC微信公眾號），全球封裝市場規模穩步增長，2020年全球市場規模660億美元，Yole料2025年將提升到850億美元左右，對應CAGR達5.2%。中國作為全球最大的芯片消費國，對于封測的需求也日益增加，據中國半導體行業協會，2020/2021年市場規模分別為2510/2763億元，2013-2021年CAGR為12.2%；據前瞻產業研究院預測，2026年有望提升至4419億元，2021-2026年CAGR約9.9%，增速遠快于全球。Yole預計先進封裝預計先進封裝2027年市場規模有望達年市場規模有望達572億美元億美元，帶動封測市場發展帶動封測市場發

80、展。在封測市場中，先進封裝為主要成長動能，市場規模每年都在快速增長。根據Yole數據（轉引自QYResearch微信公眾號），2016-2021年全球先進封裝市場CAGR達7.9%，2021年市場規模為321億美元，Yole預計在預計在2027年達到年達到572億美元的規模億美元的規模，對應對應2021-2027年年CAGR高達高達10.1%，高于傳統封裝市場增速。此外，Yole預計預計（轉引自天天IC微信公眾號）到到2026年年，先進封裝市場將會追趕上傳統封裝的規模先進封裝市場將會追趕上傳統封裝的規模，占整體規模比例的50%，先進封裝的市場應用規模不斷擴大。資料來源：Yole（含預測，轉引自

81、天天IC微信公眾號），中信證券研究部資料來源：Yole（含預測，轉引自天天IC微信公眾號），中信證券研究部全球封測市場全球封測市場2020-2025整體整體CAGR為為5.2%先進封裝占封裝行業規模逐年提升先進封裝占封裝行業規模逐年提升,預計預計2025將達將達49%重資產端（重資產端（3）先進封裝：預計）先進封裝：預計2027年市場規模有望達年市場規模有望達572億美元，億美元，CAGR高達高達10.1%-10%-5%0%5%10%15%20%25%30%35%40%0100200300400500600700800201620172018201920202025E傳統封測市場規模(億美元)

82、先進封測市場規模(億美元)整體封測市場同比成長0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%201920202021E2022E2023E2024E2025E先進封裝傳統封裝資料來源：Yole（含預測，轉引自QYResearch微信公眾號），中信證券研究部0%3%6%9%12%15%0100200300400500600202020212022E 2023E 2024E 2025E 2026E 2027E先進封裝市場規模（億美元）YoY全球先進封裝市場全球先進封裝市場2021-2027年年CAGR達達10.1%24公司公司地區地區定位定位先進封裝先進封裝日月光中國臺灣封測廠

83、(OSAT)SiP、2.5D/3D、晶圓級封裝等均有涵蓋，具量產能力，為封測廠中技術涵蓋最全且能力最強的廠商安靠美國封測廠(OSAT)SiP、2.5D/3D、晶圓級封裝等均有涵蓋，具量產能力，SiP封裝在消費及汽車電子大放異彩長電科技中國大陸封測廠(OSAT)SiP、2.5D/3D、晶圓級封裝等均有涵蓋，具量產能力，SiP封裝及2.5/3D為其重點發展目標力成科技中國臺灣封測廠(OSAT)SiP、2.5D/3D、晶圓級封裝等均有涵蓋，具量產能力，以存儲器封裝為主通富微電中國大陸封測廠(OSAT)SiP、2.5D/3D、晶圓級封裝等均有涵蓋，以CPU/GPU/服務器等為主華天科技中國大陸封測廠(

84、OSAT)SiP、2.5D/3D、晶圓級封裝等均有涵蓋，以SiP、Fan-Out、Flip-Chip技術為主晶方科技中國大陸封測廠(OSAT)SiP、2.5D/3D、晶圓級封裝等均有涵蓋，以TSV技術為基礎的CIS封裝為主甬矽電子中國大陸封測廠(OSAT)SiP、2.5D/3D、晶圓級封裝等均有涵蓋，RDL、TSV、Bumping等工藝均有布局臺積電中國臺灣晶圓代工廠(Foundry)以2.5D、3D、晶圓級封裝為主，對3D IC技術平臺進行整合成3D Fabric，有全球最頂尖立體結構封測技術資料來源：各公司公告，中信證券研究部資料來源：Wind，中信證券研究部全球先進封裝主要玩家全球先進封

85、裝主要玩家重資產端（重資產端（3）先進封裝：國內企業具有較強技術實力，逐步走向市場）先進封裝：國內企業具有較強技術實力，逐步走向市場前沿前沿國內先進封裝行業發展較成熟國內先進封裝行業發展較成熟，市場需求及國產替代空間巨大市場需求及國產替代空間巨大，技術涵蓋及性能表現是核心邏輯技術涵蓋及性能表現是核心邏輯。建議精選技術領先建議精選技術領先、業績增長高確定性個股業績增長高確定性個股，綜合梳理兩條投資主線：綜合梳理兩條投資主線：技術實力為核心技術實力為核心，關注龍頭標的關注龍頭標的。封測類公司重資產屬性強，企業往往需要長期資金投入，因此聚焦大型企業。以國內先進封裝技術完整性及能力來看，長電科技、通富

86、微電位于國內前列，華天科技等亦具有較強技術實力。半導體封測板塊：半導體封測板塊：PE為主為主，未盈利階段參考未盈利階段參考PS。1）封測企業通?？碢E估值，我們選取部分代表性公司長電科技、通富微電、華天科技、甬矽電子、晶方科技，截至2023年6月1日，半導體封測板塊PE-TTM約為71倍，近三年估值區間為17.5204倍，平均值為58.1倍，中值40.4倍，目前估值水平低于最近三年平均值；2）對于未盈利狀態公司可考慮采用PS估值，對于上述五家封測公司的PS估值，截至2023年6月1日，半導體封測板塊PS-TTM約為5.6倍，近三年估值區間為2.512.0倍，平均值為5.3倍，中值4.8倍，目前

87、估值水平接近最近三年平均值。建議關注國內先進封裝測試平臺公司長電科技建議關注國內先進封裝測試平臺公司長電科技、通富微電通富微電、甬矽電子甬矽電子、華天科技華天科技、匯成股份匯成股份、頎中科技頎中科技、晶方科技晶方科技、環旭電子環旭電子。部分典型半導體封測公司部分典型半導體封測公司PE-TTM部分典型半導體封測公司部分典型半導體封測公司PS-TTM資料來源：Wind，中信證券研究部0501001502002503003502020-06-022021-06-022022-06-02長電科技通富微電華天科技甬矽電子晶方科技01020304050602020-06-022021-06-022022-

88、06-02長電科技通富微電華天科技甬矽電子晶方科技25信創驅動：預計國內信創信創驅動：預計國內信創CPU未來未來5年市場空間超千億元年市場空間超千億元，包括黨政包括黨政/教育教育/金融金融/電信電信/交通交通/電力電力/航空航天航空航天/醫療等行業的需求醫療等行業的需求。2022年，信創市場處于前一期收尾但下一期尚未啟動的過渡階段，近期國務院頒布對高校、醫院、中小微企業等九大領域更換設備的財政貼息等政策指導文件。我們預計新一輪信創周期有望迎來實際推進。橫向拓寬:信創核心品類有望從黨政公文向電子政務、事業單位及其他行業加速滲透。參考國家統計局數據，我們將黨政事業單位信創市場分為三層口徑：截至20

89、20年，小口徑：政府機關人員1957萬，中口徑：政府機關人員+事業單位人員（不含教育、衛生）3032萬人，大口徑：整體政府機關+事業單位人員5563萬人。參考國家統計局對政府機關、事業單位及各行業就業人員數量統計數據以及國內PC、服務器銷量情況，按照PC CPU單價900元/顆及服務器CPU單價5000元/顆計算，我們預計20232027年信創CPU市場總空間約1014.3億元（包括PC CPU市場383.3億元，服務器CPU市場631億元），其中包括黨政/教育/金融/電信/交通/電力/航空航天/醫療等行業的需求。資料來源：國家統計局，Wind，中信證券研究部測算 備注：PC CPU 價格中包

90、含橋片價格中國大陸信創中國大陸信創CPU市場空間測算（市場空間測算（20222027年）年）輕資產端（輕資產端（1）CPU國產化：預計未來國產化：預計未來5年信創年信創CPU市場空間超千億元市場空間超千億元行業行業PC CPU服務器服務器 CPU需求數量需求數量（萬顆萬顆）市場規模市場規模（億元億元）需求數量需求數量（萬顆萬顆）市場規模市場規模（億元億元）黨政黨政2000180.0260130.0教育教育86077.411457.0金融金融43839.4292146.0電信電信958.6380190.0交通交通26824.110854.0電力電力1069.54221.0航空航天航空航天222.

91、042.0醫療醫療47042.36231.0匯總匯總4259383.31262631.0中國大陸信創中國大陸信創CPU市場空間測算（市場空間測算（20222027年）年）資料來源：國家統計局，中信證券研究部測算26信創行業的硬件產品包括信創行業的硬件產品包括PC和服務器的和服務器的CPU、GPU、存儲芯片及打印機等產品存儲芯片及打印機等產品，我們預期隨著二期信創的推進我們預期隨著二期信創的推進，相關廠商相關廠商將持續受益將持續受益。信創板塊：研發投入較大信創板塊：研發投入較大，盈利能力較弱盈利能力較弱，估值以估值以PS為主為主。信創公司可考慮采用PS估值，上述龍芯中科、海光信息、江波龍及納思達

92、四家企業的PS估值，截至2023年6月1日，信創板塊PS-TTM約為35倍，2022年6月以來估值區間為1537倍，平均值為18倍，中值17倍，目前處于歷史較高位置，但是考慮到二期信創市場空間大，相關公司還有較大的成長空間。重點關注：龍芯中科重點關注：龍芯中科（信創信創PC CPU高自主度龍頭高自主度龍頭，拓展工控拓展工控、服務器領域服務器領域）、海光信息海光信息（信創服務器信創服務器CPU龍頭龍頭）、江波龍江波龍（信創存儲信創存儲）、納思達納思達（信創打印機信創打印機+耗材耗材+芯片芯片）等等。輕資產端（輕資產端（1）CPU國產化：重點關注具備自主能力的企業國產化：重點關注具備自主能力的企業

93、廠商廠商指令集指令集成立時間成立時間 主要產品主要產品覆蓋領域覆蓋領域搭載產品搭載產品應用場景應用場景營收規模營收規模（億元）（億元）自主自主化化程度程度龍芯龍芯LoongArch2009龍芯龍芯1/2/3號系號系列列桌面、服務器、桌面、服務器、嵌入式嵌入式航天龍夢航天龍夢/浪浪潮潮/同方同方/方正方正黨政、工控黨政、工控12.01（2021年）年）高高飛騰SPARC/ARM v82014騰云S/騰銳D/騰瓏E系列桌面、服務器、嵌入式天河一/二/三號黨政、商用22.18（2021年）較高海思ARM v82004鯤鵬系列桌面、服務器、嵌入式華為服務器黨政、商用-較高海光海光X862014海光海光

94、1/2/3號號服務器服務器曙光服務器曙光服務器黨政、商用黨政、商用23.10（2021年）年）較高較高申威Alpha2016SW26010桌面、服務器、嵌入式神威藍光、神威太湖之光黨政3.23（2020年）高兆芯X86/ARM2013開先/開勝系列桌面、服務器、嵌入式聯想/同方黨政、商用-較高中國大陸本土中國大陸本土CPU廠商對比廠商對比資料來源：各公司官網，Wind，中信證券研究部資料來源：Wind，中信證券研究部信創行業重點公司信創行業重點公司PS-TTM0.000020.000040.000060.000080.0000100.0000120.0000龍芯中科海光信息江波龍納思達均值27

95、根據路透社報道根據路透社報道，2022年年8月月31日日，美國政府要求通用計算的高端美國政府要求通用計算的高端GPGPU(英偉達的英偉達的A100、H100系列和系列和AMD的的MI 250系列系列）及未來的高端及未來的高端GPU產品產品，售賣給中國客戶售賣給中國客戶，需要獲得美國政府的許可需要獲得美國政府的許可。2022年年10月月，美國商務部在出口管制條例美國商務部在出口管制條例（EAR）中規定了對華出口算力中規定了對華出口算力“天花板天花板”。2018年以來年以來，國內外超大規模預訓練模型參數指標不斷創出新高國內外超大規模預訓練模型參數指標不斷創出新高，“大模型大模型”已成為行業巨頭發力

96、的一個方向已成為行業巨頭發力的一個方向。谷歌谷歌、百度百度、微軟等國內外科微軟等國內外科技巨頭紛紛投入大量人力技巨頭紛紛投入大量人力、財力財力，相繼推出各自的巨量模型相繼推出各自的巨量模型。國外廠商已經開始進入國外廠商已經開始進入“軍備競賽軍備競賽”階段階段。2018年，谷歌提出3億參數BERT模型；2019年，OpenAI推出15億參數的GPT-2，英偉達推出83億參數的Megatron-LM，谷歌推出110億參數的T5，微軟推出170億參數的圖靈Turing-NLG；2020年，OpenAI以1750億參數的GPT-3；2021年1月，谷歌推出1.6 萬億參數量的SwitchTransfo

97、rmer模型。ChatGPT（Chat Generative Pre-trained Transformer，聊天生成式預訓練器）是OpenAI在GPT-3.5版本深度學習模型基礎上開發的聊天機器人，于2022年11月推出。2022年12月4日，OpenAI估計ChatGPT用戶超過100萬；2023年1月，ChatGPT用戶超過1億，成為迄今增長最快的消費應用程序。資料來源：The GPT-3 language model,revolution or evolution?Hello Future，中信證券研究部資料來源：6個問題，用專業視角帶你全方位了解ChatGPT甲子光年微信公眾號GPT

98、系列模型的數據集訓練規模系列模型的數據集訓練規模ChatGPT與與GPT 1-3的技術對比的技術對比輕資產端（輕資產端（2）算力國產化：新應用打開）算力國產化：新應用打開AI市場空間，美國對華限制算力市場空間，美國對華限制算力28輕資產端（輕資產端（2）算力國產化：算力應用普及帶動）算力國產化：算力應用普及帶動GPU需求測算需求測算核心觀點：核心觀點：1.短期內短期內GPU增量與市場規模：增量與市場規模：參考OpenAI算法，假設每日1億用戶，每人進行10條交互，每個問題的回答長度為30詞，算力利用率30%，則單個大語言模型（LLM）的日常需求有望帶來2.13萬片A100的增量，對應市場規模2

99、.13億美元。假設有假設有5家大企業推出此類家大企業推出此類LLM，則總增量為，則總增量為10.7萬片萬片A100，我們預計對應市場規模，我們預計對應市場規模10.7億美元。億美元。2.短期服務器增量與市場規模：短期服務器增量與市場規模：單個服務器包含8個GPU，因此單個LLM帶來2669臺服務器需求，對應市場規模3.39億美元，5家大企業共需要家大企業共需要13345臺，料對應市場規模臺，料對應市場規模20億美元。億美元。3.長期市場空間：長期市場空間：參考谷歌，若每日搜訪問30億次，需要需要106.74萬張萬張A100，對應，對應13.3萬臺萬臺服務器服務器DGX A100，我們預計帶來市

100、場空間，我們預計帶來市場空間200億美元。億美元。資料來源：Raconteur，OpenAI：Language Models are Few-Shot Learners，NVIDIA官網，Amazon，中信證券研究部預測市場規模相關參數市場規模相關參數/假設假設A100單卡算力：19.5TFLOPS/s日常算力利用率：30%（依據經驗）GPU單價：1萬美元（A100）服務器單價：15萬美元（DGX Station A100）做LLM模型的企業數量：5（BAT、華為、字節）每臺服務器搭載GPU數量：81億用戶所需GPU數量：21348（A100）近期單日交互+訓練總算力1.08E+10TFLOP

101、SA100單卡算力19.5T/s算力利用率30%關鍵中間變量：關鍵中間變量：GPU與服務器增量與服務器增量一個LLM模型所需GPU數量：21348（A100）1億用戶所需服務器數量：2669（DGX A100）每臺服務器搭載GPU數量：85家企業對應10.7萬片A100、1.33萬臺服務器短期國內短期國內GPU/服務器增量市場規模服務器增量市場規模一個LLM模型所需GPU數量：21348（A100）GPU單價：1萬美元（A100）1億用戶帶來國內GPU總市場規模：2.13億美元一個LLM所需服務器數量：2669服務器單價：15萬美元（A100）1億用戶帶來國內服務器市場規模：3.39億美元遠期

102、遠期GPU增量空間增量空間谷歌+LLM所需GPU數量：1067415（A100）遠期總算力需求：5.4 E+11 TFLOPSA100單卡算力：19.5TFLOPS/s算力利用率：30%5家企業對應10.7億美元GPU、20億美元服務器谷歌+LLM所需服務器數量：133427（GPU/8）注：遠期由于更高算力的注：遠期由于更高算力的GPU出現或更高效的計算出現或更高效的計算方式，對應市場空間可能變化。方式，對應市場空間可能變化。29ChatGPT相關上市公司及近期漲跌幅（截至相關上市公司及近期漲跌幅（截至20232023年年6 6月月1 1日）日）輕資產端（輕資產端（2 2）算力國產化：）算力

103、國產化：算力需求普及情形下，主題相關上市公司算力需求普及情形下，主題相關上市公司分類公司名代碼市值（億元人民幣）ChatGPT 2022年11月30日上線至今漲跌幅2023年初至今漲跌幅CPU龍芯中科688047.SH628 92.67%83.22%海光信息688041.SH2,029 107.26%117.60%中科曙光603019.SH771 124.69%137.99%英特爾INTC.O1,298 9.48%19.71%AMDAMD.O1,924 62.79%84.45%GPU景嘉微300474.SZ486 87.07%95.78%英偉達NVDA.O9,823 154.41%172.18

104、%AI芯片寒武紀-U688256.SH986 269.23%334.40%瀾起科技688008.SH706-11.27%-0.80%MobileyeMBLY.O359 63.05%27.61%FPGA紫光國微002049.SZ790-29.38%-29.44%復旦微電688385.SH352-24.30%-19.35%安路科技-U688107.SH228-9.45%-11.15%DPU左江科技300799.SZ256 95.25%92.16%IP芯原股份-U688521.SH447 84.26%103.20%AI SoC瑞芯微603893.SH364 11.56%26.78%晶晨股份68809

105、9.SH375 20.06%27.68%富瀚微300613.SZ140 6.93%20.89%PCB興森科技002436.SZ250 22.50%53.00%勝宏科技300476.SZ241 99.77%118.14%生益電子688183.SH101 19.47%32.56%滬電股份002463.SZ402 66.78%78.41%先進封裝長電科技600584.SH544 22.29%32.58%通富微電002156.SZ369 39.41%48.55%甬矽電子688362.SH162 45.13%82.56%華峰測控688200.SH233 1.83%-6.90%長川科技300604.SZ3

106、05-13.55%12.38%存儲美光MU.O756 25.88%38.51%資料來源：Wind，中信證券研究部建議關注：國內布局建議關注：國內布局AI芯片及配套芯片的相關企業芯片及配套芯片的相關企業，包括龍芯中科包括龍芯中科（國內國內PC CPU龍頭龍頭，自主研發自主研發GPGPU產品產品）、海光信息海光信息（國內服務器國內服務器CPU龍頭龍頭，推出推出深度計算處理器深度計算處理器DCU）、寒武紀寒武紀（國內國內ASIC芯片龍頭芯片龍頭）、景嘉微景嘉微（國內圖形渲染國內圖形渲染GPU龍頭龍頭）、瀾起科技瀾起科技（國內服務器內存接口芯片龍頭國內服務器內存接口芯片龍頭）。30半導體產業鏈安全關注

107、標的半導體產業鏈安全關注標的芯源微芯源微主營涂膠顯影設備目前國產化率不足10%，公司可實現28nm及以上節點設備國產替代化學清洗新品有望推出，擴大覆蓋市場規模富創精密富創精密主營為半導體設備、泛半導體設備及其他領域的精密零部件國內供應鏈國產化帶動國產設備需求，相應半導體設備零部件行業有望保持高景氣度北方華創北方華創主營為電子制造裝備及電子元器件，其中PVD設備、硅刻蝕機、氧化擴散設備處于國內第一后續將持續受益于國內半導體、新材料、新能源領域的下游需求增加中芯國際中芯國際晶圓代工企業龍頭，是中國大陸第一家實現14納米FinFET量產的晶圓代工企業若上半年觀察到需求復蘇和庫存去化，從3Q23開始，

108、制造企業收入及毛利率有望重回環比增長長電科技長電科技全球領先的集成電路封測供應商，重要領域擁有行業領先的半導體先進封裝技術持續研發先進封裝技術，Chiplet有望帶來新市場增量龍芯中科龍芯中科在黨政信創市場中龍芯約占據PC端CPU芯片超30%市場份額在千億級別的二期信創市場有望保持30%以上份額的領先地位海光信息海光信息國內領先的服務器CPU廠商，同時布局GPGPU產品實現國產替代后續將持續受益于信創服務器需求增長，以及大模型帶來的AI算力需求的增長寒武紀寒武紀國內領先的AI芯片廠商，提供云邊端一體的智能芯片產品和基礎系統軟件后續將持續受益于國內智算中心建設及大模型帶來的AI算力需求的增長瀾起

109、科技瀾起科技公司是國內稀缺、行業領先的云計算“互連+計算”芯片公司23H2需求景氣有望回暖同時DDR5加速，有望帶動公司內存接口芯片及配套芯片上量杰華特杰華特采用虛擬IDM模式的模擬芯片設計企業，實現多款高端模擬芯片國產突破后續將持續受益于服務器及新能源汽車對于模擬芯片的需求提升資料來源：各公司官網，中信證券研究部31半導體板塊投資策略：安全、復蘇、創新半導體板塊投資策略：安全、復蘇、創新2023年半導體板塊整體投資思路是年半導體板塊整體投資思路是“安全安全、復蘇復蘇、創新創新”。安全是基礎安全是基礎，復蘇是趨勢復蘇是趨勢，創新打開空間創新打開空間。我們整體看好半導體板塊在安全和創新帶動下我們

110、整體看好半導體板塊在安全和創新帶動下以及行業整體估值修復帶來的投資機會以及行業整體估值修復帶來的投資機會。整體來看整體來看，行業需求行業需求Q1仍然呈現終端逐步去庫存及需求弱復蘇的狀態仍然呈現終端逐步去庫存及需求弱復蘇的狀態，板塊公司業績表現仍相對較弱板塊公司業績表現仍相對較弱，Q2開始開始，隨著終端需求逐步開啟拉貨有望帶動相關公司業績逐季度改善隨著終端需求逐步開啟拉貨有望帶動相關公司業績逐季度改善。估值角度估值角度，目前半導體目前半導體PE-TTM為為62倍倍（過去三年中樞為過去三年中樞為76倍倍），伴隨著行業伴隨著行業創新打開產業鏈公司長期成長空間創新打開產業鏈公司長期成長空間，板塊估值亦

111、有望進一步修復板塊估值亦有望進一步修復。建議投資人重點關注三條投資思路：建議投資人重點關注三條投資思路：一一、安全維度安全維度外部限制不斷加碼，倒逼國產化加速，芯片制造戰略地位顯著，本土化趨勢明確，建議關注半導體制造-設備-零部件全產業鏈自主化。重資產端：重資產端：（1）設備設備/零部件：零部件：長期擴產持續，當前設備國產率不足15%，從份額來看，我們預計35年維度實現國產替代達到45成，約有三倍空間，關注國產化率提升有彈性的細分領域，建議關注北方華創、拓荊科技、芯源微、中微公司、富創精密等；（2）制造：制造：景氣周期下行體現至報表，市場已price-in，目前估值低位，關注中芯國際（A/H）

112、等。（3）先進封裝：先進封裝：國內發展較成熟，市場需求及國產替代空間巨大，技術涵蓋及性能表現是核心邏輯，建議關注技術領先、業績增長高確定性的長電科技、甬矽電子等。輕資產端：輕資產端：預計未來5年信創CPU市場空間超千億元，重點關注具備自主能力的企業，建議關注龍芯中科、海光信息等。二二、創新維度創新維度AI躍升至躍升至2.0時代時代，ChatGPT帶來的云端與終端增量趨勢帶來的云端與終端增量趨勢。ChatGPT成為迄今增長最快的消費應用程序，多模態拓展應用外延，單位算力成本降低推動場景泛化與落地。（1）云端：云端：結合中國信息通信研究院、IDC、Gartner等機構預測，ChatGPT類應用驅動

113、全球算力規模2021-2030年CAGR65%高速增長，底層硬件AI芯片及配套CPU、元器件亦同頻發展，且國產化需求旺盛利好本土廠商崛起，建議關注受益于算力需求提升的相關環節公司，包括英偉達、AMD、寒武紀、龍芯中科、海光信息、瀾起科技、江波龍、杰華特、通富微電、長電科技、裕太微等。（2）終端；終端；智能交互升級或成為終端出貨成長新動能，關注平臺型主芯片企業以及有望與大模型合作的品牌/ODM，包括恒玄科技、晶晨股份、全志科技、北京君正等。三三、復蘇維度復蘇維度手機手機/AIoT：預計：預計23年需求端年需求端“前低后高前低后高”，24年年“L”型回暖型回暖。2023年開始行業處于弱復蘇+渠道庫

114、存去化階段，2023Q2有望逐步開啟拉貨。率先關注庫存拐點、估值低位的IC設計公司和終端品牌，如唯捷創芯、恒玄科技、晶晨股份、卓勝微、思特威等。重點關注：重點關注：北方華創、龍芯中科、芯源微、富創精密、中微公司、晶晨股份、恒玄科技、唯捷創芯北方華創、龍芯中科、芯源微、富創精密、中微公司、晶晨股份、恒玄科技、唯捷創芯等。風險因素：風險因素：全球宏觀經濟低迷風險，全球疫情持續，下游需求不及預期，創新不及預期，國際產業環境變化和貿易摩擦加劇風險，匯率波動等。感謝您的信任與支持！感謝您的信任與支持！THANK YOU32徐濤徐濤（科技產業聯席首席分析師科技產業聯席首席分析師/電子行業首席分析師電子行業

115、首席分析師）執業證書編號：S1010517080003王子源王子源（半導體分析師半導體分析師）執業證書編號：S1010521090002免責聲明免責聲明33分析師聲明分析師聲明主要負責撰寫本研究報告全部或部分內容的分析師在此聲明：（i）本研究報告所表述的任何觀點均精準地反映了上述每位分析師個人對標的證券和發行人的看法；（ii）該分析師所得報酬的任何組成部分無論是在過去、現在及將來均不會直接或間接地與研究報告所表述的具體建議或觀點相聯系。一般性聲明一般性聲明本研究報告由中信證券股份有限公司或其附屬機構制作。中信證券股份有限公司及其全球的附屬機構、分支機構及聯營機構（僅就本研究報告免責條款而言，不

116、含CLSAgroup of companies），統稱為“中信證券”。本研究報告對于收件人而言屬高度機密，只有收件人才能使用。本研究報告并非意圖發送、發布給在當地法律或監管規則下不允許向其發送、發布該研究報告的人員。本研究報告僅為參考之用，在任何地區均不應被視為買賣任何證券、金融工具的要約或要約邀請。中信證券并不因收件人收到本報告而視其為中信證券的客戶。本報告所包含的觀點及建議并未考慮個別客戶的特殊狀況、目標或需要，不應被視為對特定客戶關于特定證券或金融工具的建議或策略。對于本報告中提及的任何證券或金融工具，本報告的收件人須保持自身的獨立判斷并自行承擔投資風險。本報告所載資料的來源被認為是可靠

117、的，但中信證券不保證其準確性或完整性。中信證券并不對使用本報告或其所包含的內容產生的任何直接或間接損失或與此有關的其他損失承擔任何責任。本報告提及的任何證券或金融工具均可能含有重大的風險，可能不易變賣以及不適合所有投資者。本報告所提及的證券或金融工具的價格、價值及收益可跌可升。過往的業績并不能代表未來的表現。本報告所載的資料、觀點及預測均反映了中信證券在最初發布該報告日期當日分析師的判斷，可以在不發出通知的情況下做出更改，亦可因使用不同假設和標準、采用不同觀點和分析方法而與中信證券其它業務部門、單位或附屬機構在制作類似的其他材料時所給出的意見不同或者相反。中信證券并不承擔提示本報告的收件人注意

118、該等材料的責任。中信證券通過信息隔離墻控制中信證券內部一個或多個領域的信息向中信證券其他領域、單位、集團及其他附屬機構的流動。負責撰寫本報告的分析師的薪酬由研究部門管理層和中信證券高級管理層全權決定。分析師的薪酬不是基于中信證券投資銀行收入而定，但是，分析師的薪酬可能與投行整體收入有關，其中包括投資銀行、銷售與交易業務。若中信證券以外的金融機構發送本報告，則由該金融機構為此發送行為承擔全部責任。該機構的客戶應聯系該機構以交易本報告中提及的證券或要求獲悉更詳細信息。本報告不構成中信證券向發送本報告金融機構之客戶提供的投資建議，中信證券以及中信證券的各個高級職員、董事和員工亦不為（前述金融機構之客

119、戶）因使用本報告或報告載明的內容產生的直接或間接損失承擔任何責任。評級說明評級說明投資建議的評級標準投資建議的評級標準評級評級說明說明報告中投資建議所涉及的評級分為股票評級和行業評級（另有說明的除外）。評級標準為報告發布日后6到12個月內的相對市場表現，也即：以報告發布日后的6到12個月內的公司股價（或行業指數）相對同期相關證券市場代表性指數的漲跌幅作為基準。其中：A股市場以滬深300指數為基準，新三板市場以三板成指（針對協議轉讓標的）或三板做市指數（針對做市轉讓標的）為基準；香港市場以摩根士丹利中國指數為基準；美國市場以納斯達克綜合指數或標普500指數為基準；韓國市場以科斯達克指數或韓國綜合

120、股價指數為基準。股票評級買入相對同期相關證券市場代表性指數漲幅20%以上增持相對同期相關證券市場代表性指數漲幅介于5%20%之間持有相對同期相關證券市場代表性指數漲幅介于-10%5%之間賣出相對同期相關證券市場代表性指數跌幅10%以上行業評級強于大市相對同期相關證券市場代表性指數漲幅10%以上中性相對同期相關證券市場代表性指數漲幅介于-10%10%之間弱于大市相對同期相關證券市場代表性指數跌幅10%以上證券研究報告證券研究報告2023年年6月月2日日免責聲明免責聲明34特別聲明特別聲明在法律許可的情況下，中信證券可能（1）與本研究報告所提到的公司建立或保持顧問、投資銀行或證券服務關系，（2）參

121、與或投資本報告所提到的公司的金融交易，及/或持有其證券或其衍生品或進行證券或其衍生品交易，因此，投資者應考慮到中信證券可能存在與本研究報告有潛在利益沖突的風險。本研究報告涉及具體公司的披露信息，請訪問https:/ Limited（于中國香港注冊成立的有限公司）分發；在中國臺灣由CL Securities Taiwan Co.,Ltd.分發；在澳大利亞由CLSA Australia Pty Ltd.（商業編號：53 139 992 331/金融服務牌照編號：350159）分發；在美國由CLSA（CLSA Americas,LLC除外）分發；在新加坡由CLSA Singapore Pte Ltd

122、.（公司注冊編號：198703750W）分發；在歐洲經濟區由CLSA Europe BV分發；在英國由CLSA（UK）分發；在印度由CLSA India Private Limited分發（地址：8/F,Dalamal House,Nariman Point,Mumbai 400021；電話：+91-22-66505050；傳真：+91-22-22840271；公司識別號：U67120MH1994PLC083118）；在印度尼西亞由PT CLSA Sekuritas Indonesia分發；在日本由CLSA Securities Japan Co.,Ltd.分發；在韓國由CLSA Securi

123、ties Korea Ltd.分發；在馬來西亞由CLSASecurities Malaysia Sdn Bhd分發；在菲律賓由CLSA Philippines Inc.（菲律賓證券交易所及證券投資者保護基金會員）分發；在泰國由CLSA Securities(Thailand)Limited分發。針對不同司法管轄區的聲明針對不同司法管轄區的聲明中國大陸：中國大陸：根據中國證券監督管理委員會核發的經營證券業務許可，中信證券股份有限公司的經營范圍包括證券投資咨詢業務。中國香港：中國香港：本研究報告由CLSA Limited分發。本研究報告在香港僅分發給專業投資者（證券及期貨條例（香港法例第571 章

124、）及其下頒布的任何規則界定的），不得分發給零售投資者。就分析或報告引起的或與分析或報告有關的任何事宜，CLSA客戶應聯系CLSA Limited的羅鼎，電話：+852 2600 7233。美國：美國：本研究報告由中信證券制作。本研究報告在美國由CLSA（CLSA Americas,LLC除外）僅向符合美國1934年證券交易法下15a-6規則界定且CLSA Americas,LLC提供服務的“主要美國機構投資者”分發。對身在美國的任何人士發送本研究報告將不被視為對本報告中所評論的證券進行交易的建議或對本報告中所述任何觀點的背書。任何從中信證券與CLSA獲得本研究報告的接收者如果希望在美國交易本報

125、告中提及的任何證券應當聯系CLSA Americas,LLC（在美國證券交易委員會注冊的經紀交易商），以及 CLSA 的附屬公司。新加坡：新加坡：本研究報告在新加坡由CLSA Singapore Pte Ltd.，僅向（新加坡財務顧問規例界定的）“機構投資者、認可投資者及專業投資者”分發。就分析或報告引起的或與分析或報告有關的任何事宜，新加坡的報告收件人應聯系CLSA Singapore Pte Ltd，地址：80 Raffles Place,#18-01,UOB Plaza 1,Singapore 048624，電話：+65 6416 7888。因您作為機構投資者、認可投資者或專業投資者的身

126、份，就CLSA Singapore Pte Ltd.可能向您提供的任何財務顧問服務，CLSA Singapore Pte Ltd豁免遵守財務顧問法（第110章）、財務顧問規例以及其下的相關通知和指引（CLSA業務條款的新加坡附件中證券交易服務C部分所披露）的某些要求。MCI（P）085/11/2021。加拿大：加拿大：本研究報告由中信證券制作。對身在加拿大的任何人士發送本研究報告將不被視為對本報告中所評論的證券進行交易的建議或對本報告中所載任何觀點的背書。英國：英國：本研究報告歸屬于營銷文件，其不是按照旨在提升研究報告獨立性的法律要件而撰寫，亦不受任何禁止在投資研究報告發布前進行交易的限制。本

127、研究報告在英國由CLSA（UK）分發，且針對由相應本地監管規定所界定的在投資方面具有專業經驗的人士。涉及到的任何投資活動僅針對此類人士。若您不具備投資的專業經驗，請勿依賴本研究報告。對于英國分析員編纂的研究資料，其由CLSA（UK）制作并發布。就英國的金融行業準則，該資料被制作并意圖作為實質性研究資料。CLSA（UK）由（英國）金融行為管理局授權并接受其管理。歐洲經濟區：歐洲經濟區：本研究報告由荷蘭金融市場管理局授權并管理的CLSA Europe BV 分發。澳大利亞：澳大利亞：CLSA Australia Pty Ltd(“CAPL”)(商業編號：53 139 992 331/金融服務牌照編

128、號：350159)受澳大利亞證券與投資委員會監管，且為澳大利亞證券交易所及CHI-X的市場參與主體。本研究報告在澳大利亞由CAPL僅向“批發客戶”發布及分發。本研究報告未考慮收件人的具體投資目標、財務狀況或特定需求。未經CAPL事先書面同意，本研究報告的收件人不得將其分發給任何第三方。本段所稱的“批發客戶”適用于公司法（2001）第761G條的規定。CAPL研究覆蓋范圍包括研究部門管理層不時認為與投資者相關的ASX All Ordinaries 指數成分股、離岸市場上市證券、未上市發行人及投資產品。CAPL尋求覆蓋各個行業中與其國內及國際投資者相關的公司。印度：印度：CLSA India Pr

129、ivate Limited，成立于 1994 年 11 月，為全球機構投資者、養老基金和企業提供股票經紀服務（印度證券交易委員會注冊編號：INZ000001735）、研究服務（印度證券交易委員會注冊編號：INH000001113）和商人銀行服務（印度證券交易委員會注冊編號：INM000010619）。CLSA 及其關聯方可能持有標的公司的債務。此外，CLSA及其關聯方在過去 12 個月內可能已從標的公司收取了非投資銀行服務和/或非證券相關服務的報酬。如需了解CLSA India“關聯方”的更多詳情，請聯系Compliance-I。未經中信證券事先書面授權，任何人不得以任何目的復制、發送或銷售本報告。未經中信證券事先書面授權，任何人不得以任何目的復制、發送或銷售本報告。中信證券中信證券2023版權所有，保留一切權利。版權所有，保留一切權利。