半導體行業深度報告：封測·價值重啟（一）Chiplet與周期共振-230603（17頁）.pdf

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1、證券研究報告|行業深度|半導體1/17請務必閱讀正文之后的免責條款部分半導體報告日期：2023 年 06 月 03 日封測封測價值重啟（一）：價值重啟（一）：Chiplet 與周期共振與周期共振行業深度報告行業深度報告投資要點投資要點Chiplet 憑借設計靈活憑借設計靈活、上市周期短上市周期短、成本低等優勢成本低等優勢，成為全球延續成為全球延續“摩爾定律摩爾定律”重要路徑之一重要路徑之一，也是我國破解海外技術封鎖的關鍵也是我國破解海外技術封鎖的關鍵。近年來國際廠商積極推出相近年來國際廠商積極推出相關產品關產品，比比如如 AMD Milan-X、英偉英偉達達 H100、蘋蘋果果M1M1 Ult

2、raUltra、英特英特爾爾SapphireSapphire RapidsRapids、華為鯤鵬華為鯤鵬 920 等。目前，國際等。目前，國際 Intel、TSMC Chiplet 技術相對成熟，國內長電技術相對成熟，國內長電、通富已具備量產能力。未來，隨著算力需求增加催化通富已具備量產能力。未來，隨著算力需求增加催化 Chiplet 提速滲透，疊加國提速滲透，疊加國內安全自主可控需求，將內安全自主可控需求，將加速加速推動我國推動我國 IC 載板、封測、設備等相關產業鏈環節載板、封測、設備等相關產業鏈環節革新與國產化進程。革新與國產化進程。終端產品：終端產品：Chiplet 破解后摩爾時代的算

3、力焦慮破解后摩爾時代的算力焦慮后摩爾時代先進制程開發難度和成本不斷攀升，Chiplet 工藝能避開先進制程提升障礙和解決 SoC 研發問題，具備設計靈活、上市周期短、成本低等優勢，已成為全球半導體產業重點關注的賽道之一。1）海外：）海外：AMD、英偉達、蘋果、英特爾等巨頭已紛紛入局，并已取得顯著成果。其中，Intel 依靠 Chiplet 技術研發推出Sapphire Rapids 處理器，包含 52 款 CPU，最多支持 60 核，算力比上一代芯片提高 53%。2）國內國內：目前國內華為、北極雄芯等廠商也在不斷加速 Chiplet 產品研發。其中，華為在 2019 年 1 月研發推出鯤鵬 9

4、20 處理器，采用 7nm 制造工藝，基于 ARM 架構授權，典型主頻下 SPECint Benchmark 評分超過 930，超出業界標桿 25%，能效比優于業界標桿 30%。技術布局：龍頭強勢入局把握技術布局：龍頭強勢入局把握 Chiplet 時代機遇時代機遇Chiplet 不僅可滿足不斷增長的芯片性能需求和功能多樣化需求，還有望為我國爭取芯片發展戰略緩沖期。1）國際國際：國際先進封裝巨頭 Intel、TSMC 已擁有相對成熟的 Chiplet 產能布局，技術領先引領發展。其中，TSMC 已推出 InFO、CoWoS、SoIC 等先進封裝技術；Intel 已推出 EMIB、Foveros、

5、Co-EMIB 等。2）國內：）國內：長電科技、通富微電等前瞻布局奮力追趕，已具備 Chiplet 量產能力。其中，長電XDFOI Chiplet 高密度多維異構集成系列工藝已進入穩定量產階段，實現國際客戶4nm 節點多芯片系統集成封裝產品出貨。通富可為客戶提供晶圓級和基板級Chiplet 封測解決方案，已為 AMD 大規模量產 Chiplet 產品。產業升級：產業升級：Chiplet 加速催化產業鏈革新加速催化產業鏈革新隨著 Chiplet 技術生態逐漸成熟，國內廠商通過自重用及自迭代利用技術的多項優勢，推動各環節價值重塑。1）IC 載板：載板：Chiplet 應用將增加芯片封裝面積，同時下

6、游高性能、高算力芯片需求增加，均將帶動 ABF 載板用量增加。根據華經產業研究院數據，2019 年國產化率約為 4%，國產化空間大。國內鵬鼎控股、東山精密、深南電路、興森科技等紛紛布局載板賽道，同時上游廠商生益科技、華正新材、方邦股份等積極研發推動載板原材料國產化發展。據 Prismark 數據，2026年全球 IC 封裝基板行業規模為 214 億美元，2021-2026E CAGR 為 8.6%。2）封測封測技術技術：Chiplet 對封裝工藝提出更高要求，將推動先進封裝技術整合和芯片測試需求，先進封裝將成為未來封測市場的主要增長點。據 Yole 數據，2026 年先進封裝全球市場規模為 4

7、75 億美元，占比達 50%，2020-2026E CAGR 約為 7.7%。3）封）封測設備測設備：Chiplet 技術為保證最后芯片良率，對檢測設備的需求將大幅增加。我國大陸測試設備增速高于全球，MIR DATABANK 數據顯示 2021 年半導體封裝設備國產化率 10%，國產替代空間大。據 SEMI 數據，我國大陸集成電路測試設備市場規模自 2015 年穩步上升，2020 年市場規模為 91.35 億元，2015-2020 CAGR達 29.32%，增速高于全球。風險提示風險提示科技領域制裁加劇、先進封裝進展不及預期、下游需求不及預期等風險。行業評級行業評級:看好看好(維持維持)分析師

8、：蔣高振分析師：蔣高振執業證書號：S研究助理：褚旭研究助理：褚旭相關報告相關報告1 強國補鏈系列：ABF 載板與材料國產化提速2022.12.212 長電科技：先進封裝助力新成長 復蘇系列之封測產業研究 2022.12.273 復蘇之封測行業：周期底部，復蘇可期2023.02.064 通富微電：高性能計算賦能未來成長 2023.02.18行業深度2/17請務必閱讀正文之后的免責條款部分正文目錄正文目錄1 終端產品：Chiplet 破解后摩爾時代的算力焦慮.42 技術布局：龍頭強勢入局把握 Chiplet 時代機遇.62.1 國際：技術領先引領發展國際：技術領先引領發展.62.2 國內：前瞻布局

9、奮力追趕國內：前瞻布局奮力追趕.93 3 產業升級：Chiplet 加速催化產業鏈革新.103.1ABF 載板：打破壟斷強化自主可控載板：打破壟斷強化自主可控.103.2 封測技術：先進工藝升級注入活力封測技術：先進工藝升級注入活力.123.3 封測設備：國產化滲透有望提速封測設備：國產化滲透有望提速.13XYkZvX8XiW9YgYmWnXfW9YnP8O9R6MoMqQoMmPfQmMrPjMnNqNbRmMzRuOoNyQMYmMmM行業深度3/17請務必閱讀正文之后的免責條款部分圖表目錄圖表目錄圖 1：2022 通富微電研發技術成果.10圖 2：2023 年 ABF 載板下游市場占比.

10、10圖 3：2021-2026 年全球 IC 載板產值（億美元）.10圖 4：2020 年全球 IC 載板市場 CR10 高達 83%.11圖 5：2019 年中國大陸 IC 載板產能占全球產能 16%.11圖 6：IC 載板中基材成本占比最高達 35%.11圖 7：帶載體可剝離超薄銅箔結構.11圖 8：基于 Chiplet 的異構架構應用處理器示意圖.12圖 9：Chiplet 方案下芯片良率顯著提升.12圖 10：2020-2026 年全球封裝規模及結構.13圖 11：2025 年先進封裝預計占整個封裝市場近 50%.13圖 12：封測設備部分主要產品.14圖 13：2019-2022 年

11、全球封測設備規模呈上升趨勢.15圖 14：中國大陸半導體檢測設備規模穩步上升.15表 1：海外 Chiplet 部分產品推出情況（截至 2023 年 3 月）.4表 2：國內 Chiplet 部分產品推出情況（截至 2023 年 3 月）.5表 3：2D、2D+、2.5D、3D 封裝技術對比.7表 4：臺積電和英特爾系統級先進封裝技術平臺.7表 5：長電科技產品聚焦領域.9表 6：國內重點公司 IC 載板相關投資項目.12表 7：國內面向 Chiplet 的先進封裝方案（截至 2023 年 3 月）.13表 8：國內封測設備供應商（截至 2023 年 5 月 31 日）.14表 9：中國大陸封

12、裝測試設備國產化率總體呈上升趨勢.15行業深度4/17請務必閱讀正文之后的免責條款部分1 終端產品：終端產品：Chiplet 破解后摩爾時代的算力焦慮破解后摩爾時代的算力焦慮ChipletChiplet 已成為全球半導體產業重點關注的賽道之一已成為全球半導體產業重點關注的賽道之一。后摩爾時代 3nm 以下制程推進難度陡升，先進制程幾乎達到物理極限，繼續縮進制程需付出極大成本。目前 SoC 架構存在靈活性低、成本高、上市周期長等缺陷。而 Chiplet 可將不同工藝節點、材質、功能、供應商的具有特定功能的商業化裸片集中封裝，以解 7nm、5nm 及以下工藝節點中性能與成本的平衡，并有效縮短芯片的

13、設計時間并降低風險，具備開發周期短、設計靈活性強、設計成本低等優勢。ChipleChiplet t能夠避開先進制程提升障礙及解能夠避開先進制程提升障礙及解決決SoSoC C研發問題研發問題，已成為各大廠商追逐的焦點已成為各大廠商追逐的焦點。目前，海外的半導體巨頭蘋果、AMD、英偉達、英特爾等開始紛紛入局 Chiplet，希望以更小的成本來追求更佳的性能。其中，2022 年 3 月蘋果發布的 M1 Ultra 芯片采用臺積電CoWos-S 橋接工藝，通過 UltraFusion 封裝架構實現核心傳輸速率 3200M，算力大幅提升；2023 年 1 月，Intel 官宣推出依靠 Chiplet 技

14、術研發的 Sapphire Rapids 處理器，包含 52款 CPU，最多支持 60 核，計算能力比上一代芯片提高 53%。表表 1：海外 Chiplet 部分產品推出情況（截至 2023 年 3 月）企業名稱企業名稱產品產品推出時間推出時間技術技術成果成果蘋果M1 Ultra 芯片2022/03采用臺積電 CoWos-S 橋接工藝，UltraFusion 封裝架構，將兩枚 M1 Max 晶粒內部互連利用硅中介層來連接多枚芯片，可同時傳輸超過 10,000個信號，從而實現高達 2.5TB/s 低延遲處理器互聯帶寬。M1Ultra 內 部 集 成 內 存128GB，內 存 帶 寬 提 升 至8

15、00GB/s，達到最新型號的臺式個人電腦芯片的 10 倍以上，最高更可選擇配置總計 128GB 的統一內存AMDInstinctMI300（計劃推出）2023H2采用 Chiplet 技術，Zen 4CPU 內核，在 4 塊 6 納米芯片上，堆疊 9 塊 5 納米的計算芯片，以及 8 顆共 128GB的 HBM3 顯存芯片相較于上一代的 Instinct MI250，提升了 8 倍的 AI 訓練算力和 5 倍的 AI 能效第四代 EYPC 處理器2022/11使用 Zen 4 核心，5nm 技術，3D V-Cache 堆疊技術每核 1MB L2 高速緩存，每 CCD 32MB L3 高速緩存，

16、12 個DDR5 通道支持高達 12TB 內存、CXL 內存擴展和PCIe 5.0，多達 128 個高帶寬通道支持最新的圖形和存儲技術。與上一代 AMD EPYC（霄龍）處理器及行業基準相比，基于第四代 AMD EPYC（霄龍）9654 處理器的服務器帶來高達 3 倍的云性能優勢、2.5 倍的高性能計算性能優勢和 2.9 倍的企業應用性能優勢GPU RX7000 系列2022/11基于 RDNA 3 架構，使用小芯片設計，5nm 工藝提供多達 32 個新的統一計算單元、32MB 第二代 AMDInfinity Cache 技術、8GB 高速 GDDR6 內存以及高達128 位內存接口，以及專用

17、 AI 和光線追蹤硬件，預計每瓦性能提升超 50%NVIDIAH1002022/03基于 Hopper 架構,采用第四代 Tensor Core 和具有FP8 精度的Transformer引擎以及臺積電 4nm 工藝最多可以連接 256 個 H100 以加速百億億次級工作負載，以及專用的 Transformer Engine 來解決萬億參數的語言模型。H100 的綜合技術創新可以將大型語言模型的速度比上一代提高 30 倍。H100 將雙精度 Tensor Core的每秒浮點運算(FLOPS)提高了三倍，為 HPC 提供了60 teraFLOPS 的 FP64 計算BlueField-32021

18、/04通 過400Gb/s 以太 網或提高數據中心的性能、效率和安全性，相比上一代產品，行業深度5/17請務必閱讀正文之后的免責條款部分DPUNDR400Gb/sInfiniBand網絡連接，通過NVIDIADOCA 軟件框架實現完全的軟件向后兼容性BlueField-3 具有 10 倍加速計算能力、16 個 Arm A78 CPU核，和 4 倍的加密速度；也是首款支持第五代 PCIe 總線并提供數據中心時間同步加速的 DPUAtlan SoC2021/04CPU 使用 ARM 針對服務器領域 的 Zeus 架 構，增 加Bluefield 部分單顆 SoC 的算力能夠達到 1000TOPS，

19、相比上一代 Orin SoC算力提升接近 4 倍（上代為 254TOPS）IntelPonte Vecchio（計劃推出）2023采用 3D 封裝的 Chiplet 技術，英特爾 7nm 工藝、臺積電 7nm 工藝在單個產品上整合 47 個小芯片，綜合實現計算、存儲、網絡多項功能，將異構集成的技術提升至新水平SapphireRapids2023/01采用“Intel 7”工藝制造、2.5D 嵌入式橋接解決方案包含 52 款 CPU，最多支持 60 核，可以提供最多 80 個 PCIe5.0 通道、最高支持 1.5TBDDR5-4800 內存，計算能力比上一代芯片提高 53%資料來源：蘋果官網，

20、AMD 官網，英偉達官網，英特爾官網，IT 之家網站，浙商證券研究所國內廠商抓住當前機遇國內廠商抓住當前機遇，不斷推進基于不斷推進基于 Chiplet 技術的產品布局技術的產品布局。由于我國半導體行業起步較晚，尚與國外存在一定差距。近年來，我國已實施“十四五”在內等一系列政策，不斷推動半導體產業發展，加快科技自立自強步伐。加之，美國目前仍在加大對于我國半導體產業的封鎖力度，國內亟需建立起安全自主可控的半導體產業生態。Chiplet 能夠緩解設備和材料受限的壓力，一定程度上解決國內高端芯片難題，是破解海外技術封鎖的關鍵。Chiplet作為提升算力密度的重要路徑，有望成為我國縮小與國外差距、解決“

21、卡脖子”問題的重要機會，目前國內相關廠商大力布局中。其中，華為 2019 年 1 月研發推出鯤鵬 920 處理器，采用7nm制造工藝，基于 ARM 架構授權，典型主頻下，SPECint Benchmark 評分超過 930，超出業界標桿 25%，能效比優于業界標桿 30%；國產 GPU 廠商壁仞科技 2022 年 8 月發布運用 Chiplet 工藝的 BR100 系列 GPU，包含 2 顆計算芯粒，采用 7nm 制程，實現高達2048TOPS INT8 算力。表 2：國內 Chiplet 部分產品推出情況（截至 2023 年 3 月）企業名稱企業名稱產品產品推出時間推出時間技術技術成果成果北

22、極雄芯AI 芯片“啟明930”2023/02芯 片 中 央 控 制 芯 粒 采 用RISC-V CPU 核心，同時可通過高速接口搭載多個功能型芯粒，基于全國產基板材料以及 2.5D 封裝采用 12nm 工藝生產，HUB Chiplet 采用 RISC-V CPU 核心，可通過靈活搭載多個 NPU Side Die 提供 8-20TOPS（INT8）稠密算力壁仞科技BR1002022/08包含 2 顆計算芯粒，通過臺積電 CoWoS-S 工藝 die todie 互連采用 7nm 制程，實現了高達 2048TOPS INT8 算力寒武紀AI 芯片思元3702021/11采用 Chiplet 技術

23、將 2 顆 AI計算芯粒（MLU-Die）封裝為一顆 AI 芯片基于 7nm 制程工藝，集成了 390 億個晶體管，最大算力高達 256TOPS(INT8)，是寒武紀第二代產品思元 270 算力的 2倍。芯動科技風華一號2021/11采 用 中 國 自 主 標 準 的Innolink Chiplet 多晶粒技術通過 Innolink Chiplet 擴展，“風華 1 號”GPU 顯卡服務器用 B 卡，在 A 卡基礎上直接性能翻倍，渲染能力達到320GPixel/秒，FP32 浮點性能達到 10T FLOPS華為鯤鵬920處理器2019/01采用 Chiplet 技術，通過采用 Chiplet

24、技術，將 7nm 邏采用 7nm 制造工藝，基于 ARM 架構授權，由華為公司自主設計完成，通過優化分支預測算法、提升運算單元數量、行業深度6/17請務必閱讀正文之后的免責條款部分輯芯片與 16nm I/O芯片等集成在 SoC 中改進內存子系統架構等一系列微架構設計，大幅提高處理器性能。典型主頻下，SPECint Benchmark 評分超過 930，超出業界標桿 25%。同時，能效比優于業界標桿 30%資料來源：北極雄芯官網，壁仞科技官網，寒武紀官網，芯動科技官網，華為海思官網，浙商證券研究所2 技術布局：龍頭強勢入局把握技術布局：龍頭強勢入局把握 Chiplet 時代機遇時代機遇Chipl

25、et 有望有望滿足不斷增長的芯片性能需求和功能多樣化需求。滿足不斷增長的芯片性能需求和功能多樣化需求。國外巨頭 Intel、AMD、蘋果、SAMSUNG、臺積電等已積極布局 Chiplet 領域。2022 年 3 月，Intel、AMD 等十大芯片行業巨頭聯合組建“UCle 聯盟”，推出全新的通用芯片互聯標準，使市場上不同 IP 芯粒之間實現高速互聯，旨在打造開放性的 Chiplet 生態系統，有望推動解決 Chiplet 標準化問題，有望帶動全球 Chiplet 產業鏈快速發展。在在 EUV 光刻機技術落后光刻機技術落后情況情況下下，Chiplet 有望有望為為我國我國爭取芯片發展戰略緩沖期

26、。爭取芯片發展戰略緩沖期。目前國內 Chiplet 產業鏈還存在許多挑戰，從芯片 IP 到封裝封測環節，相對依賴海外制程和工藝，距離全面自主可控任重道遠。國內長電科技、通富微電等封測公司已具備 Chiplet 量產能力。2022 年 4 月芯源微電子加入 UCle 聯盟；2023 年 2 月存儲制造商華邦電子宣布加入 UCle，有望推動國內 Chiplet 產業鏈實現進一步突破。2.1 國際：技術領先引領發展國際：技術領先引領發展目前目前國際國際先進封裝巨頭先進封裝巨頭 Intel、臺積電臺積電已擁有相對成熟的已擁有相對成熟的 Chiplet 產能布局。產能布局。1）臺積電開發的 InFO、C

27、oWoS 以及 SoIC 先進封裝技術現已應用于智能手機、5G 網絡、AI、電子穿戴設備等多個領域。2）Intel 開發的 EMIB、Foveros 以及基于以上二者開發的 Co-EMIB 先進封裝技術，開拓了全新的 3D+2D 封裝設計思路。臺積電臺積電：1）INFO 屬于 2D 封裝技術，可應用于射頻、無線芯片、處理器、基帶芯片、圖形處理器和網絡芯片的封裝。TSMC 依靠 INFO 取代三星成為蘋果 iPhone 處理器的生產廠商。2）CoWoS 屬于 2.5D 封裝技術，于 2012 年開始量產，是將芯片封裝到硅轉接板（中介層）上，使用硅轉接板上的高密度布線進行互連，再安裝在封裝基板上。

28、CoWoS 與 InFO 的區別是，前者通過硅轉接板互連，主要針對高端市場，連線數量和封裝尺寸相對較大；后者通過基板互連，主要針對性價比市場，封裝尺寸和連線數量相對較少。3）SoIC 技術采用創新的多芯片堆棧技術，包含 CoW（Chip-on-wafer）和 WoW（Wafer-on-wafer）兩種技術，屬于 3D 封裝。SoIC 沒有凸點的接合結構，因而擁有更高的集成密度和更好的性能。Intel：1）EMIB 是 Intel 提出的 2D 封裝技術，屬于有基板類封裝。因為沒有 TSV，EMIB與 2.5D 封裝相比工藝和設計更加簡單，封裝良率更高。同時相比于傳統的 SoC 芯片，EMIB可

29、以把 10nm 工藝（CPU、GPU）、14nm 工藝（IO 單元、通訊單元）和 22nm 工藝（內存）整合到一起。2）Foveros 是 Intel 推出的 3D 堆疊封裝技術，與 EMIB 相比，Foveros 在性能和功能方面差異不大，但在體積、功耗方面占優勢，更適用于小尺寸產品。3）Co-EMIB 是EMIB 和 Foveros 的結合體，其中 EMIB 主要負責橫向連接，Foveros 負責縱向堆棧。通過Co-EMIB 可將多個 3D Foveros 芯片進行拼接以制造更大的芯片系統，提供堪比單片的性能。行業深度7/17請務必閱讀正文之后的免責條款部分表 3：2D、2D+、2.5D、

30、3D 封裝技術對比類型類型定義定義物理結構物理結構電氣互連方式電氣互連方式特點特點代表技術代表技術2D 封裝芯片平鋪安裝在基板上平鋪通過基板扇出型晶圓級封裝屬于 2D封裝的創新技術，具有高密度 RDL 和 TIV，可用于高密度互連MCM、臺積電 InfO、日月光 eWLB2D+封裝芯片堆疊在基板上，通過鍵合線連接到基板堆疊通過基板保留基板電氣連接，結構上采用堆疊，可節省封裝空間2.5D 封裝通過硅中介層TSV 連接到基板堆疊硅中介層技術相對 3D 成熟，系統散熱性能較好，支持多 die 高速互連，適用于大面積芯片，適合移動設備、筆記本電腦、可穿戴電子設備等應用英特爾 EMIB、臺積電CoWoS

31、、三星 I-Cube3D 封裝芯片直接通過TSV 電氣連接堆疊芯片直連高密度、高帶寬、低延遲，可支持數據中心、服務器的高性能計算臺積電 SoIC、英特爾Foveros、三星 X-cube資料來源：SiP 與先進封裝技術公眾號，CSDN，浙商證券研究所表 4：臺積電和英特爾系統級先進封裝技術平臺廠商廠商封裝技術封裝技術特點特點結構圖示例結構圖示例凸點間距凸點間距應用領域應用領域臺積電3D-Fabric平臺InFO一種創新的晶圓級扇出型封裝平臺，具有高密度 RDL和 TIV 的。主要針對性價比市場，封裝尺寸較小，外形輕薄，連線數量也比較少90m智能手機、5G、AICoWoSCoWos_S高性能2.

32、5D封裝實際行業標準之一，具有高帶寬、低延遲、高成本特征。適用于大尺寸芯片，其中CoWoS_S 以硅襯底作為中介層50mHPC,AICoWos_R使用 RDL 作為中介層，RDL中介層由聚合物和銅走線組成，在機械方面相對靈活行業深度8/17請務必閱讀正文之后的免責條款部分CoWos_L使用帶有 LSI（本地硅互連）芯片的中介層提供靈活高密度的芯片互聯；能夠在 SoC 裸片下方集成其他元件，例如獨立 IPDSoIC3D 封裝，可實現具有不同芯片尺寸、功能和晶圓節點技術的芯片異構集成，具備尺寸小、高性能、低功耗優勢。采用混合鍵合技術可以達到無凸起的鍵合結構,實現小芯片高密度互連，將同質和異質小芯片

33、集成到單個類似 SoC的芯片，并使用 CoWoS 或InFO 再次和內存或邏輯模塊封裝。10m數據中心、云計算IntelCo-EMIB 平臺EMIB基于 MCM 的優化封裝，是2.5D 實際行業標準之一。嵌入式硅橋在基板上集成了小的薄層硅橋用于芯片間的互連，并將硅橋嵌入封裝基板中。區別于傳統 2.5D 封裝,具備良率高、設計簡單、經濟效益高等優勢36-55mHPCFoveros3D 封裝，封裝基板的底層芯片起到主動中介層作用，中介層大量 TSV 實現上層芯片和其他系統模塊通信，進一步縮短連線，降低時延25-50mHybridBonding服務于英特爾 FOVEROSDirect 平臺，該技術去

34、除了焊料凸點，進一步縮小了凸點間距和總體厚度，具備更高的電流負載能力和熱性能，技術門檻非常高10m資料來源：臺積電官網，英特爾官網，浙商證券研究所行業深度9/17請務必閱讀正文之后的免責條款部分2.2 國內：前瞻布局奮力追趕國內：前瞻布局奮力追趕根據芯思想研究院數據根據芯思想研究院數據，20222022 年長電科技是全球第三年長電科技是全球第三，中國大陸第一中國大陸第一 OSATOSAT 廠商廠商，全球市占全球市占率率 10.71%10.71%。2023 年，公司將主要投資的重點放在汽車電子專業封測基地，2.5D Chiplet，新一代功率器件封裝產能規劃等未來發展項目。Chiplet 小芯片

35、解決方案的多樣化研發、PLP 面板級封裝實用技術研發、碳化硅，氮化鎵等新一代功率器件模組的研發將是 2023 年的重點推進方向。2023 年 1 月，公司宣布 XDFOI Chiplet 高密度多維異構集成系列工藝進入穩定量產階段，同步實現國際客戶 4nm 節點多芯片系統集成封裝產品出貨。表 5：長電科技產品聚焦領域領域領域產品覆蓋領域產品覆蓋領域長電優勢長電優勢部分進展情況部分進展情況汽車電子智能座艙、ADAS、傳感器和功率器件等通過 ISO9001，IATF16949 認證；零缺陷質量守則；大功率分立器件封裝；系統級封裝；經量產驗證的 ADAS 封裝方案應用于智能車 77Ghz Radar

36、 系統的 eWLB 方案已驗證通過并證明為性能最佳的封裝方案；應用于車載安全系統（安全氣囊）、駕駛穩定檢測系統的傳感器的 SOIC 方案已驗證通過并量產；應用于 LiDAR 的 LGA 封裝方案也通過車規認證并量產，此外多個 LiDAR 相關封裝(QFN 等)在開發驗證中；星科金朋韓國廠獲得了多款歐美韓車載大客戶的汽車產品模組開發項目，主要應用為智能座艙和 ADAS；中國大陸的廠區已完成 IGBT 封裝業務布局，同時具備碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）芯片封裝和測試能力，目前已在車用充電樁出貨第三代半導體封測產品。通信射頻前段模組（RFFE）、毫米波天線 AiP 模組等產品射頻系統協同設計與

37、仿真；低介質損耗物料清單選配服務；RFFE SiP 和 5G AiP 工具箱；高速 EMI 屏蔽技術實現；一站式、全方位 5G 測試服務5G5G 通訊應用市場領域通訊應用市場領域星科金朋在大顆 fcBGA 封裝測試技術上累積有十多年經驗，得到客戶廣泛認同，具備從 12x12mm 到67.5x67.5mm 全尺寸 fcBGA 產品工程與量產能力，同時認證通過77.5x77.5mm 的 fcBGA 測試產品，目前正在與客戶共同開發更大尺寸的封裝產品，如接近 100 x100mm 的技術；星科金朋與客戶共同開發了基于高密度 Fan out 封裝技術的 2.5D fcBGA產品，同時認證通過 TSV

38、異質鍵合 3DSoC 的 fcBGA，為進一步全面開發Chiplet 所需高密度高性能封裝技術奠定了堅實的基礎。5G5G 移動終端領域移動終端領域完成多項 5G 射頻模組的開發和量產，已應用于多款高端 5G 移動終端；移動終端的主要元件上，基本實現了所需封裝類型的全覆蓋；移動終端用毫米波天線 AiP 產品等已驗證通過并進入量產階段；星科金朋新加坡廠擁有可應用于高性能高像素攝像模組的 CIS 工藝產線。高性能計算在對集成度和算力有較高要求的FPGA、CPU、GPU、AI 和 5G 網絡芯片等高性價比 2.5D 封裝；超高密度凸塊封裝技術；完整的芯片倒裝產品線；經量產驗證的 WLP 解決方案；豐富

39、的區塊鏈芯片封裝經驗已推出 XDFOI全系列產品，為全球客戶提供業界領先的超高密度異構集成解決方案。存儲DRAM，Flash 等豐富的閃存和 DRAM 產品經驗；擁有領先的芯片堆疊技術；完整的銀線引線類封裝產品線；與全球前三大存儲器制造商密切合作；星科金朋廠擁有 20 多年 memory 封裝量產經驗，16 層 NAND flash 堆疊、35um 超薄芯片制程能力、Hybrid 異型堆疊等，均處于國內行業領先的地位。資料來源：長電科技官網、長電科技 2021 年年報、浙商證券研究所行業深度10/17請務必閱讀正文之后的免責條款部分根據芯思想研究院數據，根據芯思想研究院數據，20222022

40、年年通富微電是全球第四，中國大陸第二通富微電是全球第四，中國大陸第二 OSAT 廠商，全球廠商，全球市占率市占率 6.51%。公司收購 AMD 蘇州及 AMD 檳城各 85%股權，是 AMD 最大的封測供應商，占其訂單總數 80%以上，已為其大規模量產 Chiplet 產品。目前，公司自建 2.5D/3D 產線全線通線，1+4 產品及 4 層/8 層堆疊產品研發穩步推進；基于 Chip Last 工藝的 Fan-out 技術，實現 5 層 RDL 超大尺寸封裝（6565mm）；基于超大多芯片 FCBGA MCM 技術，實現最高 13 顆芯片集成及 100100mm 以上超大封裝；完成高層數再布

41、線技術開發，可為客戶提供晶圓級和基板級 Chiplet 封測解決方案，并充分利用其 CPU、GPU 量產封測平臺，深度參與國產半導體高端芯片產業化過程。圖 1：2022 通富微電研發技術成果資料來源：通富微電定期公告，浙商證券研究所3 產業升級：產業升級：Chiplet 加速催化產業鏈革新加速催化產業鏈革新3.1 ABF 載板：打破壟斷強化自主可控載板：打破壟斷強化自主可控Chiplet 應用增加芯片封裝面積應用增加芯片封裝面積，同時下游高性能同時下游高性能、高算力芯片需求增加高算力芯片需求增加，均將帶動均將帶動 ABF載板用量增加載板用量增加。受益于云技術、AI 等新應用領域蓬勃發展，AI

42、芯片需求激增，ABF 載板需求量大幅提升。據 WSTS 預測，2025 年全球 AI 芯片市場規模將達到 726 億美元，2021-2025ECAGR 約為 29%。據 Prismark 數據，2021 年全球 IC 封裝基板行業規模達到 142億美元，同比增長近 40%，預計 2026 年將達到 214 億美元，2021-2026E CAGR 為 8.6%。圖 2：2023 年 ABF 載板下游市場占比圖 3：2021-2026 年全球 IC 載板產值（億美元）資料來源：立鼎產業研究網，浙商證券研究所資料來源：Prismark，興森科技公告，浙商證券研究所行業深度11/17請務必閱讀正文之后

43、的免責條款部分全球全球 IC 載板產能集中于日載板產能集中于日、韓韓、中國臺灣中國臺灣。根據華經產業研究院數據，2019 年按制造地劃分統計，日、韓、中國臺灣 IC 載板產能合計約占全球產能的 79%，中國大陸占 16%，其中內資為 4%。根據華經產業研究院數據，其中，IC 載板原材料樹脂基板材料成本占比最高，超過 30%。ABF 堆積膜為 ABF 載板核心基材，其發明者日本味之素公司占據絕大多數市場份額。目前，上游廠商生益科技、華正新材、方邦股份等公司均在積極研發推動載板原材料國產化發展。其中，華正新材 2022 年 7 月與深圳先進電子材料國際創新研究院設立合資公司，開展 CBF 積層絕緣

44、膜開發、生產和銷售。圖 4：2020 年全球 IC 載板市場 CR10 高達 83%圖 5：2019 年中國大陸 IC 載板產能占全球產能 16%資料來源：IC Insights，浙商證券研究資料來源：華經產業研究院，浙商證券研究所圖 6：IC 載板中基材成本占比最高達 35%圖 7：帶載體可剝離超薄銅箔結構資料來源：華經產業研究院，浙商證券研究所資料來源：方邦股份定期公告，浙商證券研究所IC 載板加速國產化載板加速國產化，國內鵬鼎控股國內鵬鼎控股、東山精密東山精密、興森科技積極投資擴產興森科技積極投資擴產。2023 年 1 月，鵬鼎控股宣布投資禮鼎半導體，布局高階半導體封裝載板賽道。興森科技

45、 2022 年 2 月宣布規劃投資 60 億元分兩期建設廣州 FCBGA 封裝基板項目，完產可新增產能 24000 萬顆FC-BGA/年；2022 年 6 月，投資 12 億元用于珠海 FCBGA 封裝基板項目，預計完產可新增產能 2400 萬顆 FC-BGA/年。行業深度12/17請務必閱讀正文之后的免責條款部分表 6：國內重點公司 IC 載板相關投資項目公司名稱公司名稱公告日期公告日期公司公司 ICIC 載板相關投資項目載板相關投資項目鵬鼎控股2023/1/13公司公告表示向禮鼎半導體增資 1.36 億美元，禮鼎半導體專注于高階半導體封裝載板的研發、生產和銷售。通過投資禮鼎半導體有助于公司

46、借此加大半導體領域的戰略布局，充分把握電子行業的技術發展趨勢。深南電路2022/8/19定期公告顯示，新項目建設方面，面向高端存儲與 FC-CSP 封裝基板的無錫基板二期項目建設推進順利，預計2022 年第四季度連線投產；面向 FC-BGA、RF 及 FC-CSP 等封裝基板的廣州封裝基板項目有序推進建設中。興森科技2022/2/9、2022/6/22022 年 2 月 9 日，公司公告稱已通過在中新廣州知識城內設立全資子公司建設廣州 FCBGA 封裝基板生產和研發基地項目，分兩期建設月產能為 2,000 萬顆的 FCBGA 封裝基板智能化工廠，為芯片國產化解決卡脖子技術及產品難題，項目總投資

47、額預計約人民幣 60 億元。2022 年 6 月 2 日，公司發布公告稱全資子公司珠海興森半導體有限公司擬投資 12 億元投資建設 FCBGA 封裝基板項目，配套國內 CPU/GPU/FPGA 等高端芯片產業的發展。東山精密2021/7/29作為全球領先的電子電路研發、設計、生產、銷售企業，為進一步鞏固和提升行業地位，拓寬高端電子電路產品體系，更好的服務全球優質客戶，公司擬投資設立全資子公司專業從事 IC 載板的研發、設計、生產和銷售，投資總額不超過人民幣 150,000 萬元。資料來源：興森科技公告、深南電路定期報告、東山精密公告、鵬鼎控股公告，浙商證券研究所3.2 封測技術：先進工藝升級注

48、入活力封測技術：先進工藝升級注入活力Chiplet 推動封裝技術升級，帶動測試需求同步增長。推動封裝技術升級，帶動測試需求同步增長。1）Chiplet 對封裝工藝提出更高要求。Chiplet 與 SiP 相似，都是進行不同元件間的整合與封裝，而 Chiplet 的各裸芯片之間是彼此獨立的，整合層次更高。Chiplet 方案需要減少 die-to-die 互連時延同時保證信號傳輸質量，要求實現更高的芯片布線密度，進一步催化先進封裝向高集成、高 I/O 密度的路線發展。2）Chiplet 將推動芯片測試需求增長。相比 SoC 封裝，基于 Chiplet 架構的芯片制作需要多個裸芯片，單個裸芯片失效

49、會導致整個芯片失效，需要進行更多測試以減少失效芯片帶來的損失，帶動芯片測試業務需求增加。圖 8：基于 Chiplet 的異構架構應用處理器示意圖圖 9：Chiplet 方案下芯片良率顯著提升資料來源：芯原股份年報，浙商證券研究所資料來源：WikiChip，浙商證券研究所先進封裝是未來封測市場主要增長點，在整體封測市場中所占份額將持續增加。先進封裝是未來封測市場主要增長點，在整體封測市場中所占份額將持續增加。隨著電子產品進一步朝向小型化與多功能的發展，芯片尺寸越來越小，芯片種類越來越多，其中輸出入腳數大幅增加，使得 3D 封裝、扇形封裝(FOWLP/PLP)、微間距焊線技術，以及系統封裝(SiP

50、)等技術的發展成為延續摩爾定律的最佳選擇之一，先進封裝技術在整個封裝市場的占比正在逐步提升。據 Yole 數據，2020 年先進封裝全球市場規模為 304 億美元，占比為 45%；預計 2026 年市場規模增至 475 億美元，占比達 50%，2020-2026E CAGR 約為 7.7%，優于整體封裝市場和傳統封裝市場成長性。行業深度13/17請務必閱讀正文之后的免責條款部分圖 10：2020-2026 年全球封裝規模及結構圖 11：2025 年先進封裝預計占整個封裝市場近 50%資料來源：Yole，長電科技定期公告，浙商證券研究所資料來源：Yole，甬矽電子招股說明書，浙商證券研究所國內領

51、先封測企業順應趨勢國內領先封測企業順應趨勢，在支持在支持 Chiplet 方案的先進封裝布局已初顯成果方案的先進封裝布局已初顯成果。長電科技 XDFOI Chiplet 高密度多維異構集成系列工藝已進入穩定量產階段，實現國際客戶 4nm節點多芯片系統集成封裝產品出貨。XDFOI 可將有機重布線堆疊中介層厚度控制在 50m以內，微凸點(Bump)中心距為 40m，實現在更薄和更小單位面積內進行各種高密度工藝集成，最大封裝體面積約為 1500mm系統級封裝。通富微電是 AMD 重要封測代工廠，在Chiplet、WLP、SiP、Fanout、2.5D、3D 堆疊等方面均有布局和儲備。公司開啟“立足

52、7nm、進階 5nm”的戰略，已具備 7nm Chiplet 先進封裝技術大規模生產能力，深入開展 5nm 新品研發，全力支持客戶 5nm 產品導入，現已完成研發逐步量產，助力大客戶高端進階。表 7：國內面向 Chiplet 的先進封裝方案（截至 2023 年 3 月）公司名稱公司名稱方案方案技術類型技術類型現有特點現有特點凸點密度凸點密度工藝節點工藝節點項目進展項目進展長電科技XDFOI2.5D1.平臺靈活支持 TSV 和無 TSV 方案2.利用有機重布線堆疊中介層（RSI）最小線寬線距 2m及多層再布線的優勢，縮小芯片互連間距，具備性能和成本雙重優勢，涵蓋 2D、2.5D、3D Chipl

53、et 集成3.在封裝體背面進行金屬沉積，有效提高散熱效率40m4nm穩定量產通富微電-2.5D1.高密度扇出型封裝平臺支持 6 層 RDL2.2.2.5D/3D 先進封裝平臺BVR 技術實現通線并完成客戶首批產品驗證，2 層芯片堆疊的 CoW 技術完成技術驗證-7nm7nm 量產、5nm 預計 2022H2 小規模試產資料來源：長電科技官網，通富微電公告，浙商證券研究所3.3 封測設備：國產化滲透有望提速封測設備：國產化滲透有望提速Chiplet 提高封測設備要求，市場需求大幅增加。提高封測設備要求，市場需求大幅增加。1）Chiplet 實施關鍵之一在于先進封裝技術的實現，因此對封裝設備提高了

54、要求及需求。封裝設備需求增加：例如研磨設備增加（晶圓需要做的更?。?、切割設備需求增加、固晶設備增加（DieBond 要求更高）；新設備需求：如凸塊（bump）工藝涉及到曝光、回流焊等設備等。先進封裝設備包括刻蝕機、光刻機、PVD/CVD、涂膠顯影設備、清洗設備等。2）Chiplet 技術為保證芯片良率，購置檢測設備的數量將大幅增加。Chiplet 需要的測試機數量將遠高于 Soc 芯片測試機。目前 Soc芯片測試對于可能數?；旌系牡统杀敬鎯π酒炔捎贸闄z方式，而 Chiplet 技術為保證最后芯片的良率，需保證每個 Chiplet 的 die 有效，將對每個 die 進行全檢。行業深度14/1

55、7請務必閱讀正文之后的免責條款部分圖 12：封測設備部分主要產品資料來源：長川科技官網，華興源創官網，和林微納官網，新益昌官網，浙商證券研究所表 8：國內封測設備供應商（截至 2023 年 5 月 31 日）公司名稱公司名稱市值（億）市值（億）主要產品類型主要產品類型主要客戶主要客戶深科達18平板顯示器件生產設備、半導體類設備、攝像頭模組類設備、智能裝備關鍵零部件等京東方、群創光電、清越科技、高視科技、振力達科技等長川科技307測試機、分選機、自動化設備及 AOI 光學檢測設備等-華峰測控238模擬、數?；旌?、分立器件和功率器件等半導體的測試設備長電科技、通富微電、承歐科技、杰群電子、華天科技

56、等華興源創172平板顯示檢測設備、微顯示檢測設備、消費電子檢測設備、半導體檢測設備、新能源汽車電子檢測設備等-新益昌135LED 固晶機、半導體設備、電容器老化測試設備和鋰電池設備兆馳股份、三安半導體、艾華集團、鴻利智匯、鑫鋒旺五金等和林微納88半導體芯片測試探針、精微屏蔽罩等法迪特精密等北方華創1607電子工藝裝備和電子元器件，電子工藝裝備主要包括半導體裝備、真空裝備和新能源鋰電裝備-金海通83測試機、分選機和探針臺等通富微電、偉測科技、矽佳測試、國芯科技、UTACHoldings LTD.等資料來源：深科達、長川科技、華峰測控、華興源創、新益昌、林微納、北方華創定期報告，金海通招股說明書，

57、Choice，浙商證券研究所封測設備市場規模持續增長。封測設備市場規模持續增長。據 SEMI、KLA、Gartner 數據，2020 年全球半導體設備市場規模約 712 億美元，同比增長 19.2%，2015-2020 CAGR 為 14.3%。全球后道封測設備市場規模約為 98.6 億美元，同比增長 24.9%，占半導體設備市場約 14%；其中，封裝設備38.5 億美元，后道測試設備 60.1 億美元。據 SEMI 數據，2021 年全球半導體設備銷售額首次突破千億達到 1,026.4 億美元，其中封測設備市場約占半導體設備市場 14%。中國大陸測試設備市場規模整體保持快速增長。中國大陸測試

58、設備市場規模整體保持快速增長。據 SEMI 數據，我國大陸集成電路測試設備市場規模自 2015 年穩步上升，2020 年市場規模為 91.35 億元，2015-2020 CAGR 達29.32%，高于同期全球半導體測試設備市場規模增速。2022 年，全球晶圓制造設備市場規模有望達 988.8 億美元，同比增長 12.35%；封裝設備市場規模有望達 72.9 億美元，同比增長 4.29%；測試設備市場規模有望達 81.7 億美元，同比增長 4.88%，三者在全球半導體設備市場的占比分別為 86.48%、7.15%和 6.38%。行業深度15/17請務必閱讀正文之后的免責條款部分圖 13：2019

59、-2022 年全球封測設備規模呈上升趨勢圖 14：中國大陸半導體檢測設備規模穩步上升資料來源：Omdia，Semiconductor-Digest，浙商證券研究所資料來源：SEMI，金海通招股說明書，浙商證券研究所半導體封測設備國產化率僅半導體封測設備國產化率僅 10%，國產替代空間大。，國產替代空間大。大量核心半導體設備長期依賴進口，封測設備基本被國外廠商壟斷，目前國產化率整體僅 10%，在最為核心的 IC 固晶機、焊線機、磨片機等封裝設備領域國產化率更低。據 MIR DATABANK 數據表明，2021 年中國大陸各類封裝測試設備的市場規模均有高速增長，探針臺、引線鍵合、貼片機設備甚至接近

60、翻倍增長，增速均超 85%。表 9：中國大陸封裝測試設備國產化率總體呈上升趨勢設備類型設備類型國產化率國產化率外資廠商外資廠商國產廠商國產廠商20172017202120212025E2025E引線鍵合1%3%10%ASM、K&S、Besi、Shinkawa中電科 45 所、深圳翠濤貼片機1%3%12%ASM、Besi、Canon、Shinkawa艾科瑞思、大連佳峰劃片機1%3%10%Disco、Accretech中電科 45 所測試機5%15%25%Teradyne、Advantest、Cohu長川科技、華峰測控分選機10%21%35%Advantest、Cohu長川科技探針臺4%9%20%

61、TEL、Accretech、Formfactor深圳矽電綜合國產化率4%10%18%資料來源：MIR DATABANK，浙商證券研究所4 風險提示風險提示1、科技領域制裁加劇風險?？萍碱I域制裁加劇風險。我國半導體產業的集成電路裝備制造業規模小、技術水平落后、創新能力不足，尚不具備被為集成電路制造、封裝及測試產業提供充分配套設備的能力。國產集成電路部分設備主要集中在中低端領域，高端設備主要依賴于進口，若海外科技制裁加劇，一定程度上會限制國內半導體行業的發展。行業深度16/17請務必閱讀正文之后的免責條款部分2、先進封裝研發進展不及預期風險。先進封裝研發進展不及預期風險。封測是較為典型的技術密集型

62、行業，技術和工藝更新迭代速度較快。目前已發展到以先進封裝為主的第五階段，為了保持工藝和技術先進性，封測企業必須持續進行技術研發和生產設備投入，對資金、技術等實力具有較高要求。若無法準確把握市場需求或研發進展不及預期，或將失去市場競爭中的優勢地位。3 3、下游需求不及預期。下游需求不及預期。集成電路行業具有周期性波動的特點，且半導體行業周期的頻率要遠高于經濟周期，在經濟周期的上行或下行過程，都可能出現完全相反的半導體周期，進而半導體行業能否持續回暖具有不確定性，或對下游需求復蘇節奏和強度有所擾動。行業深度17/17請務必閱讀正文之后的免責條款部分股票投資評級說明股票投資評級說明以報告日后的 6

63、個月內，證券相對于滬深 300 指數的漲跌幅為標準，定義如下：1.買 入：相對于滬深 300 指數表現20以上；2.增 持：相對于滬深 300 指數表現1020；3.中 性：相對于滬深 300 指數表現1010之間波動；4.減 持：相對于滬深 300 指數表現10以下。行業的投資評級：行業的投資評級：以報告日后的 6 個月內，行業指數相對于滬深 300 指數的漲跌幅為標準，定義如下：1.看 好：行業指數相對于滬深 300 指數表現10%以上；2.中 性：行業指數相對于滬深 300 指數表現10%10%以上；3.看 淡：行業指數相對于滬深 300 指數表現10%以下。我們在此提醒您，不同證券研究

64、機構采用不同的評級術語及評級標準。我們采用的是相對評級體系，表示投資的相對比重。建議：投資者買入或者賣出證券的決定取決于個人的實際情況，比如當前的持倉結構以及其他需要考慮的因素。投資者不應僅僅依靠投資評級來推斷結論。法律聲明及風險提示法律聲明及風險提示本報告由浙商證券股份有限公司（已具備中國證監會批復的證券投資咨詢業務資格，經營許可證編號為：Z39833000）制作。本報告中的信息均來源于我們認為可靠的已公開資料，但浙商證券股份有限公司及其關聯機構（以下統稱“本公司”）對這些信息的真實性、準確性及完整性不作任何保證，也不保證所包含的信息和建議不發生任何變更。本公司沒有將變更的信息和建議向報告所

65、有接收者進行更新的義務。本報告僅供本公司的客戶作參考之用。本公司不會因接收人收到本報告而視其為本公司的當然客戶。本報告僅反映報告作者的出具日的觀點和判斷，在任何情況下，本報告中的信息或所表述的意見均不構成對任何人的投資建議，投資者應當對本報告中的信息和意見進行獨立評估，并應同時考量各自的投資目的、財務狀況和特定需求。對依據或者使用本報告所造成的一切后果，本公司及/或其關聯人員均不承擔任何法律責任。本公司的交易人員以及其他專業人士可能會依據不同假設和標準、采用不同的分析方法而口頭或書面發表與本報告意見及建議不一致的市場評論和/或交易觀點。本公司沒有將此意見及建議向報告所有接收者進行更新的義務。本

66、公司的資產管理公司、自營部門以及其他投資業務部門可能獨立做出與本報告中的意見或建議不一致的投資決策。本報告版權均歸本公司所有，未經本公司事先書面授權，任何機構或個人不得以任何形式復制、發布、傳播本報告的全部或部分內容。經授權刊載、轉發本報告或者摘要的，應當注明本報告發布人和發布日期，并提示使用本報告的風險。未經授權或未按要求刊載、轉發本報告的，應當承擔相應的法律責任。本公司將保留向其追究法律責任的權利。浙商證券研究所浙商證券研究所上?？偛康刂罚簵罡吣下?729 號陸家嘴世紀金融廣場 1 號樓 25 層北京地址：北京市東城區朝陽門北大街 8 號富華大廈 E 座 4 層深圳地址：廣東省深圳市福田區廣電金融中心 33 層上?？偛苦]政編碼：200127上?？偛侩娫挘?8621)80108518上?？偛總髡妫?8621)80106010