《電子行業深度研究報告：光刻膠半導體國產替代核心材料國內廠家有望迎來發展新階段-230628（25頁）.pdf》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《電子行業深度研究報告：光刻膠半導體國產替代核心材料國內廠家有望迎來發展新階段-230628（25頁）.pdf（25頁珍藏版）》請在三個皮匠報告上搜索。

1、 證券研究報證券研究報告告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 未經許可，禁止轉載未經許可，禁止轉載 行業研究行業研究 電子電子 2023 年年 06 月月 28 日日 電子行業深度研究報告 推薦推薦（維持）（維持）光刻膠：光刻膠：半導體國產替代核心材料，國內廠半導體國產替代核心材料，國內廠家有望迎來發展新階段家有望迎來發展新階段 光刻膠為半導體光刻膠為半導體核心核心材料，景氣周期與自主可控共振迎來發展新階段材料，景氣周期與自主可控共振迎來發展新階段。光刻是半導體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的最小特征尺寸。光刻占芯片制造時間的 40-50%，占其總成

2、本的 30%。光刻膠是光刻環節關鍵耗材，其質量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關。根據 SEMI 數據，2021年光刻膠在晶圓制造材料市場中占比 6.1%，而光刻膠基本被日美壟斷，國產化率不足 10%。復盤國內光刻膠上市公司股價走勢，半導體景氣周期與自主可控兩大因素對股價影響大。從當前時點看下游普遍預期23H2迎來復蘇，景氣周期有望筑底回升；年初以來自主可控緊迫性進一步加強，景氣周期與自主可控共振光刻膠有望迎來發展新階段。Fab 廠積極擴產廠積極擴產&制程制程升級重塑光刻膠市場天花板，預計光刻膠市場國內增升級重塑光刻膠市場天花板，預計光刻膠市場國內增速高于全球速高于全球。光刻膠質量

3、性能直接影響芯片性能和良率，為適應集成電路線寬不斷縮小的要求，光刻膠波長也在不斷縮短，按波長劃分可分為 G 線（436nm）I 線（365nm）KrF（248nm）ArF/ArFi（193nm/134nm）EUV（13.5nm）。根據 TECHCET 數據 2020 年全球半導體光刻膠市場中，ArFi 光刻膠占據了 40%，KrF 光刻膠占比 33%。受受下游晶圓廠擴產下游晶圓廠擴產&制程升制程升級驅動全球半導體光刻膠量價齊升級驅動全球半導體光刻膠量價齊升，市場空間，市場空間廣闊廣闊，根據根據 TECHECT 數據數據2021 年光刻膠年光刻膠全球全球市場規模約為市場規模約為 19 億美元，億

4、美元，2026 年有望增長至年有望增長至 28.5 億美億美金，金，20212026 5年年 CAGR 5.9%。量量增增：SEMI預計未來全球晶圓產能將持續擴張，光刻膠作為重要耗材需求同步提高；價價升升：12 英寸晶圓占比持續提升，2021 年已達 68.47%，12 英寸芯片所用制程通常在 130nm 以下，且在持續向先進制程轉移，隨著大硅片趨勢&制程結構升級，高端光刻膠的需求將會進一步提升，帶動單位面積晶圓消耗的光刻膠價值量上升。隨著晶圓產能結構向大陸轉移，預計未來國內半導體光刻膠市場將保持高于全球的增速（2022 年國內光刻膠市場預計 39.3 億元，同比增長 35%，同期全球光刻膠增

5、速 12.32%）。從產業鏈角度從產業鏈角度看光刻膠存在看光刻膠存在上游上游材料材料/中游中游配方配方/下游下游客戶客戶導入導入等多重壁壘等多重壁壘。上游：光刻膠由樹脂、光敏劑、溶劑等組分構成，樹脂、光敏材料等仍依賴進口；中游：光刻膠配方需對成百上千種樹脂、光敏劑等進行排列組合并不斷調整比例才能匹配已有產品的關鍵參數，需要極強的研發積累，此外測試設備光刻機獲取難度大、成本高；下游：光刻膠性能及量產的穩定性直接影響芯片性能和良率，且光刻膠的驗證時間通常在兩年以上，因此下游晶圓廠與供應商粘性較強，導入新供應商意愿不強。高壁壘高壁壘下日美下日美寡頭壟斷市場，自主可控寡頭壟斷市場，自主可控背景背景下國

6、產下國產替代替代加速加速。高壁壘下當前全球半導體光刻膠市場呈現日美壟斷的格局，2020 年全球 ArF 光刻膠市場前四大廠商(TOK、信越化學、JSR、住友化學)均來自日本，CR4 近 80%；KrF日美四大廠商 TOK、信越化學、陶氏化學、JSR 占比近 85%。國內國內企業企業半導體光刻膠主要集中在 g/i線，高端 KrF/ArF光刻膠國產化率極低，EUV光刻膠尚處于研發階段，經過多年積累國內廠家逐漸取得突破：g/i 線光刻膠已有多家企業實現規模量產；KrF 光刻膠北京科華和徐州博康進展較快，2022 年已有多個品種實現銷售，此外晶瑞及上海新陽也有少量銷售；ArF 光刻膠南大光電 2021

7、 年有產品驗證通過，華懋科技、上海新陽也有相關產品進行測試導入；EUV光刻膠：當前國內并無EUV光刻機，各廠商尚處于理論研發階段。投資建議：投資建議：光刻膠是半導體制造的核心材料，其性能直接影響芯片性能和良率。下游擴產預期+制程結構升級驅動光刻膠尤其是高端光刻膠需求提升，隨著國產化率提升國內光刻膠市場增速快于全球。而在半導體光刻膠領域目前我國仍然依賴國外進口，自主可控背景下國產替代加速，看好國內廠家在本輪國產替代浪潮中表現，建議關注國內光刻膠布局領先的標的：華懋科技、彤程新材、晶瑞電材、上海新陽、南大光電、雅克科技。風險提示風險提示：下游客戶驗證不及預期、下游晶圓廠擴產進度不及預期。證券分析師

8、：耿琛證券分析師：耿琛 電話：0755-82755859 郵箱： 執業編號：S0360517100004 證券分析師：岳陽證券分析師：岳陽 郵箱： 執業編號：S0360521120002 聯系人：姚德昌聯系人：姚德昌 郵箱： 行業基本數據行業基本數據 占比%股票家數(只)435 0.06 總市值(億元)72,149.95 7.79 流通市值(億元)51,496.16 7.27 相對指數表現相對指數表現%1M 6M 12M 絕對表現-0.3%7.8%-5.4%相對表現-0.2%8.9%8.0%相關研究報告相關研究報告 MR 行業深度研究報告：蘋果 MR 發布在即，XR賽道風云再起 2023-06

9、-02 電子行業重大事項點評：英偉達財報大超預期，TMT 板塊有望全面受益 2023-05-25 電子行業深度研究報告：人工智能風起云涌，算力芯片需求升溫 2023-05-25 -21%-11%-1%9%22/0622/0922/1123/0223/0423/062022-06-272023-06-27電子滬深300華創證券研究所華創證券研究所 電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 未經許可，禁止轉載未經許可，禁止轉載 投資投資主題主題 報告亮點報告亮點 從產業鏈角度系統從產業鏈角度系統分析了分析了光刻膠行業光刻膠行

10、業概況概況，梳理了國內廠家目前進展情，梳理了國內廠家目前進展情況況。文章對光刻膠的重要性進行了闡述，復盤了國內光刻膠標的股價走勢，給出了景氣周期與自主可控兩大影響因素。從光刻膠的分類、構成、發展歷史及競爭格局對半導體光刻膠進行了系統闡述，最后對國內外廠商最新進展進行梳理，把握行業發展趨勢。投資邏輯投資邏輯 光刻膠為半導體光刻膠為半導體核心核心材料，高壁壘下日美企業壟斷市場材料，高壁壘下日美企業壟斷市場。光刻是半導體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的最小特征尺寸，光刻占芯片制造時間的 40-50%，占其總成本的 30%；光刻膠是光刻環節關鍵耗材，其質量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接

11、相關，根據 SEMI數據2021年光刻膠在晶圓制造材料市場中占比 6.1%，隨著下游晶圓廠擴產+制程升級光刻膠量價齊升成長空間廣闊，根據 TECHECT 數據預計 2022 年全球半導體光刻膠市場將達 21.34 億美元，同比增長 12.32%。而半導體光刻膠基本被日美壟斷，國產化率不足 10%。景氣周期與自主可控共振迎來發展新階段景氣周期與自主可控共振迎來發展新階段。復盤國內光刻膠上市公司股價走勢，半導體景氣周期與自主可控兩大因素影響大，從目前維度看下游普遍預期 23H2 迎來復蘇，景氣周期有望筑底回升，年初以來自主可控需求進一步加強，景氣周期與自主可控共振光刻膠有望迎來發展新階段?？春脟鴥?/p>

12、廠家在本輪國產替代浪潮中表現，建議關注國內光刻膠布局領先的標的：華懋科技、彤程新材、晶瑞電材、上海新陽、南大光電、雅克科技。BXfWuYuYyXnXgVtPtOaQaO7NtRnNnPmPfQqQrPlOoMuN6MmMzRMYqMsNwMoPqQ 電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 3 目目 錄錄 一、一、光刻膠：半導體晶圓制造核心材料光刻膠：半導體晶圓制造核心材料.6 二、二、下游擴產下游擴產+制程升級制程升級+國產化率提升半導體光刻膠市場廣闊國產化率提升半導體光刻膠市場廣闊.7（一）半導體制程升級推動光刻膠技

13、術進步，ArF、KrF 為主要品類.7（二）下游擴產&制程升級驅動光刻膠市場成長，國產替代浪潮下國內增速高于全球.9 三、三、光刻膠高壁壘寡頭壟斷市場，自主可控需求下國產供應商加速突圍光刻膠高壁壘寡頭壟斷市場，自主可控需求下國產供應商加速突圍.12（一）從產業鏈角度看光刻膠核心壁壘.12 1、上游：核心原材料仍依賴進口.13 2、中游制造存工藝、設備壁壘，下游客戶導入意愿較低&驗證周期長.14（二）日美寡頭壟斷市場下國產替代需求緊迫.16 1、全球半導體光刻膠市場由日美廠商壟斷.16 2、自主可控需求緊迫加速下游導入，國內廠商迎突破.18（三）投資建議.19 1、華懋科技：國內汽車被動安全龍頭

14、，打通光刻膠上游材料全產業鏈布局.19 2、彤程新材：國內半導體&面板光刻膠龍頭，光刻膠業務放量.20 3、晶瑞電材：電子材料平臺型公司，三十年光刻膠生產經驗.21 4、上海新陽：電鍍、清洗、光刻、研磨四大工藝材料布局，光刻膠業務進展順利.21 5、南大光電：高純電子材料領軍企業，ArF產業化持續推進.22 6、雅克科技：全球前驅體&LNG 板材頭部廠商，面板&半導體光刻膠逐步推進.22 四、四、風險提示風險提示.23 電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 4 圖表目錄圖表目錄 圖表 1 集成電路光刻和刻蝕工藝流程（

15、以多晶硅刻蝕及離子注入為例）.6 圖表 2 半導體晶圓制造材料工序流程.6 圖表 3 2021年全球晶圓制造材料市場結構.7 圖表 4 半導體光刻膠標的走勢復盤.7 圖表 5 光刻膠分為正性和負性膠.8 圖表 6 正性、負性光刻膠對比.8 圖表 7 半導體光刻膠按曝光波長分類及對應應用.8 圖表 8 全球 28nm制程所用光刻膠結構.9 圖表 9 2020年全球半導體光刻膠市場結構.9 圖表 10 2020年國內半導體光刻膠市場結構.9 圖表 11 2017-2022全球硅晶圓出貨面積及銷售額.10 圖表 12 2017-2022全球半導體材料銷售額（億美元）及同比增速.10 圖表 13 20

16、18-2025F全球 200mm晶圓產能.10 圖表 14 2021-2026F全球 300mm晶圓產能.10 圖表 15 全球不同尺寸半導體硅片出貨面積占比/%.11 圖表 16 邏輯芯片技術節點結構.11 圖表 17 先進制程多重曝光提升光刻膠用量.11 圖表 18 全球半導體光刻膠市場規模及預測（億美元）.12 圖表 19 中國大陸在全球晶圓產能的占比/%.12 圖表 20 國內半導體光刻膠市場規模（億元）.12 圖表 21 半導體光刻膠產業鏈.13 圖表 22 光刻膠構成.13 圖表 23 不同半導體光刻膠組分含量.14 圖表 24 光刻膠生產流程.15 圖表 25 半導體光刻膠生產及

17、檢測設備.15 圖表 26 從產業鏈角度看光刻膠核心壁壘.16 圖表 27 光刻膠產業發展史.16 圖表 28 部分國際半導體光刻膠廠商量產進度.17 圖表 29 2020年全球 G/I線光刻膠市場格局.17 圖表 30 2020年全球 KrF 光刻膠市場格局.17 圖表 31 2020年全球 ArF光刻膠市場格局.18 圖表 32 2020年全球 EUV光刻膠市場格局.18 圖表 33 國內光刻膠行業國產化及進口替代情況.18 電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 5 圖表 34 目前部分國內半導體光刻膠企業進展.

18、19 電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 6 一、一、光刻膠：光刻膠：半導體晶圓制造核心材料半導體晶圓制造核心材料 光刻膠是一種在特定光源照射下發生局部溶解度變化的光敏材料，在集成電路制造中主要用于光刻環節。進行光刻時，在硅片上涂抹光刻膠，掩膜上印有預先設計好的電路圖案，光線透過掩膜照射光刻膠，經顯影液作用后光刻膠會在晶圓上形成與掩模版一致的圖形，再經蝕刻將掩模版上的圖案轉移到晶圓上。圖表圖表 1 集成電路光刻和刻蝕工藝流程（以多晶硅刻蝕及離子注入為例）集成電路光刻和刻蝕工藝流程（以多晶硅刻蝕及離子注入為例）資料來

19、源：集成電路制造工藝，西安電子科技大學，轉引自晶瑞電材招股說明書 光刻膠是半導體制造關鍵材料。光刻膠是半導體制造關鍵材料。光刻是精細線路圖形加工中最重要的工藝，決定著芯片的最小特征尺寸。通常半導體芯片在制造過程中需要進行 10-50 道光刻過程，占芯片制造時間的 40-50%，占制造成本的 30%。光刻膠是光刻工藝中最重要的耗材，其質量和性能與電子器件良品率、器件性能以及器件可靠性直接相關。根據 SEMI 數據，2021 年光刻膠在全球晶圓制造材料市場中占比 6.1%。圖表圖表 2 半導體晶圓制造材料工序流程半導體晶圓制造材料工序流程 資料來源：SEMI，頭豹研究院，ICAC，華創證券 電子行

20、業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 7 圖表圖表 3 2021 年全球晶圓制造材料市場結構年全球晶圓制造材料市場結構 資料來源：SEMI，轉引自有研硅招股說明書，華創證券 復盤光刻膠標的走勢，景氣周期和自主可控共振復盤光刻膠標的走勢，景氣周期和自主可控共振。復盤 2021 年以來國內半導體光刻膠標的股價走勢兩大因素影響較大：（1）半導體）半導體景氣景氣周期：周期：光刻膠是半導體制造中的關鍵耗材，市場需求會隨半導體周期運行而發生波動；（2）自主可控自主可控：當前我國半導體光刻膠大部分依賴進口，國外廠商的供應情況對國內晶圓廠

21、影響大。2021 年初海外光刻膠龍頭部分光刻膠產品斷供&國家大基金對南大光電子公司持股，疊加半導體上行周期驅動了 2021 年光刻膠標股價上行；2021 年下半年開始，隨著半導體上行周期逐步見頂，相關標的股價逐漸回落；2022 年底，周期見底預期+國家大基金增持驅動光刻膠標的走勢再次上行。圖表圖表 4 半導體光刻膠標的走勢復盤半導體光刻膠標的走勢復盤 資料來源：WSTS，wind，南大光電公告，晶瑞電材公告，中國電子報，華創證券 二、二、下游擴產下游擴產+制程升級制程升級+國產化率提升國產化率提升半導體光刻膠市場廣闊半導體光刻膠市場廣闊（一）（一）半導體制程升級推動光刻膠技術半導體制程升級推動

22、光刻膠技術進步，進步，ArF、KrF 為主要品類為主要品類 根據根據顯示效果的不同，顯示效果的不同，光刻膠可分為正性和負性光刻膠可分為正性和負性光刻膠光刻膠。正性光刻膠在特定光線照射下會發生反應并變成溶劑，曝光部分的光刻膠可以被清除。負性光刻膠中聚合物的短鏈分子因光照而交聯成為長鏈分子，曝光部分會因此硬化留在基底上，未曝光的光刻膠被清除。硅材料,33.0%光掩模,12.9%光刻膠,6.1%光刻膠配套試劑,7.1%電子氣體,4.0%工藝化學品,14.0%濺射靶材,2.9%CMP拋光材料,7.1%其他,12.9%電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證

23、監許可（2009）1210號 8 圖表圖表 5 光刻膠分為正性和負性膠光刻膠分為正性和負性膠 資料來源：LAM Research、轉引自電子發燒友 由于負性光刻膠顯影時易變形和膨脹，分辨率通常只能達到 2 微米，因此正性光刻膠的應用更為普及。圖表圖表 6 正性、負性光刻膠對比正性、負性光刻膠對比 光刻膠特性光刻膠特性 正性膠正性膠 負性膠負性膠 與晶圓的附著力 一般 好 靈敏度 較低 高 對比度 高 低 成本 較貴 較便宜 顯影液 水溶性 有機溶劑 受環境中氧氣的影響 無 有 最小可分辨圖形尺寸 0.5微米以下 2 微米左右 抗刻蝕比 高 低 遺留殘膠現象 僅可能發生在小于 1微米的圖形 較普

24、遍 覆蓋晶圓表面臺階能力 好 差 顯影后膨脹 無 有 熱穩定性 好 一般 資料來源：崔錚微納米加工技術及其應用，華創證券 根據曝光波長的不同，目前市場上應用較多的光刻膠可分為根據曝光波長的不同，目前市場上應用較多的光刻膠可分為 G 線、線、I 線、線、KrF、ArF 和和EUV5 種類型。種類型。光刻膠波長越短，加工分辨率越高。為適應集成電路線寬不斷縮小的要求，光刻膠波長也在不斷縮短。g/i 線光刻膠誕生于 20 世紀 80 年代，當時主流制程工藝在 0.8-1.2m，適用于波長 436nm 的光刻光源。到了 90 年代，制程進步到 0.35-0.5m，對應波長更短的 365nm 光源。當制程

25、發展到 0.35m 以下時，g/i 線光刻膠已經無法滿足制程工藝的需求，于是出現了適用于 248 納米波長光源的 KrF 光刻膠，和 193 納米波長光源的 ArF 光刻膠，兩者均是深紫外光刻膠。EUV（極紫外光）是目前最先進的光刻膠技術，適用波長為 13.5nm 的紫外光，可用于 7nm 以下的先進制程，目前僅有 ASML 集團掌握 EUV光刻膠所對應的光刻機技術。圖表圖表 7 半導體光刻膠按曝光波長分類及對應應用半導體光刻膠按曝光波長分類及對應應用 產品類型產品類型 曝光波長曝光波長 光刻機類型光刻機類型 應用集成電路制程應用集成電路制程 主要適用晶圓尺寸主要適用晶圓尺寸 g 線光刻膠 4

26、36nm 接觸接近式光刻機 0.5um以上 6 寸/8寸 電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 9 i 線光刻膠 365nm 0.5um-0.35um 6 寸/8寸/12寸 KrF 光刻膠 248nm 掃描投影式光刻機 250nm-130nm 8 寸/12寸 ArF 光刻膠(干式)193nm 步進投影式光刻機 130nm-65nm 12寸 ArF 光刻膠(浸沒式)193nm 浸沒式光刻機 65nm-14nm,配合雙重及多重顯影技術可達到 7nm 12寸 EUV光刻膠 13.5nm 極紫外式光刻機 7nm以下 12寸

27、資料來源：南大光電公告，中商情報網，華創證券整理 高高階階制程的芯片并不只采用單一品種光刻膠作為主要材料制程的芯片并不只采用單一品種光刻膠作為主要材料；在晶圓上通常需要涂多層光刻膠來完成芯片的電路設計，在部分區域的制程要求相對較低，為降低成本，晶圓廠只會在最重要的區域使用高端光刻膠如 EUV 或 ArF/ArFi 產品，其余部分則采用技術性能要求相對較低的 g/i 線、KrF 光刻膠。2021 年以 28nm 制程為例，全球 28nm 光刻膠產品中，適配 250-130nm制程的 KrF光刻膠占比達到了 31%。圖表圖表 8 2021 年年全球全球 28nm 制程所用光刻膠結構制程所用光刻膠結

28、構 資料來源：芯謀研究，華創證券 ArF(i)、KrF 光刻膠光刻膠占據主要市場占據主要市場。根據 TECHCET 數據，2020 年全球半導體光刻膠市場中占比最大的為 ArFi，達 40%，其次為 KrF 占比 33%，I/G 線、ArF（干式）分別占比 17%、10%。國內方面，根據 SIA 數據，2020 年我國半導體光刻膠市場中 ArF 占比40%，KrF占比 39%。圖表圖表 9 2020 年全球半導體光刻膠市場結構年全球半導體光刻膠市場結構 圖表圖表 10 2020 年國內半導體光刻膠市場結構年國內半導體光刻膠市場結構 資料來源：TECHCET，轉引自前瞻產業研究院，華創證券 資料

29、來源：SIA，轉引自前瞻產業研究院，華創證券（二）（二）下游擴產下游擴產&制程升級驅動光刻膠制程升級驅動光刻膠市場成長市場成長，國產替代浪潮下國產替代浪潮下國內增速高于全球國內增速高于全球 ArF/ArFi,67%KrF,31%I line,2%40%33%17%10%1%ArFiKrFI/g lineArF其他40%39%20%ArFKrFG/I 線 電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 10 下游需求旺盛驅動半導體硅晶圓市場下游需求旺盛驅動半導體硅晶圓市場快速增長快速增長。5G、物聯網、新能源汽車、人工智能等新興

30、領域的高速成長貢獻半導體市場新的需求增長點。據 SEMI 統計，2022 年全球硅晶圓出貨面積達 147.13 億平方英寸，同比增長 3.9%，銷售額達 138 億美元，同比增長9.5%，雙雙創歷史新高。下游晶圓市場快速增長驅動下，半導體材料市場同步保持高速增長。根據 SEMI數據，2022年全球半導體材料市場規模達 727億美元，同比增長 8.9%，其中晶圓制造材料市場達 447億美元，同比增長 10.5%。圖表圖表 11 2017-2022 全球硅晶圓出貨面積及銷售額全球硅晶圓出貨面積及銷售額 圖表圖表 12 2017-2022 全球半導體材料銷售額全球半導體材料銷售額（億美元）（億美元）

31、及及同比增速同比增速 資料來源：SEMI，華創證券 資料來源：SEMI，華創證券 預計晶圓廠產能持續擴張。預計晶圓廠產能持續擴張。受半導體下游市場強勁需求驅動，SEMI 預計未來幾年全球產能將持續擴張，其中全球 200mm 晶圓產能在 2021-2025 年間將增長 20%，2025 年達到每月 700 萬片以上；300mm 晶圓產能預計在 2023 年擴張放緩后繼續保持高速增長，于 2026年達到每月 960萬片的歷史新高。圖表圖表 13 2018-2025F 全球全球 200mm 晶圓產能晶圓產能 圖表圖表 14 2021-2026F 全球全球 300mm 晶圓產能晶圓產能 資料來源：SE

32、MI 資料來源：SEMI 大大硅片硅片占比提高占比提高&制程節點升級，驅動單位面積晶圓所需光刻膠價值量提升。制程節點升級，驅動單位面積晶圓所需光刻膠價值量提升。根據SEMI數據，2000年以來在摩爾定律推動下，12英寸硅片出貨面積持續提升，2021年市場份額已大幅提高至 68.47%，成為半導體硅片市場的主流產品，預計到 2022 年市場份額將接近 70%。12 英寸芯片所用制程通常在 130nm 以下，且在持續向先進制程轉移。另外根據 SUMCO統計，邏輯芯片中 28nm以下先進制程占比由 2012年的不足 10%提高至 2021年的 60%以上。隨著大硅片趨勢&制程結構升級，高端光刻膠的需

33、求將會進一步提升，帶動單位面積晶圓消耗的光刻膠價值量不斷上升。-10%0%10%20%30%40%050100150201720182019202020212022出貨面積/億平方英寸銷售額/億美元出貨面積YoY銷售額YoY-5%0%5%10%15%20%0100200300400500600700800201720182019202020212022E晶圓制造材料封裝材料YoY 電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 11 圖表圖表 15 全球不同尺寸半導體硅片出貨面積占比全球不同尺寸半導體硅片出貨面積占比/%圖表圖

34、表 16 邏輯芯片技術節點結構邏輯芯片技術節點結構 資料來源：SEMI 資料來源：SUMCO 先進制程工藝多次曝光完成一次圖形轉移，提升半導體光刻膠使用量。先進制程工藝多次曝光完成一次圖形轉移，提升半導體光刻膠使用量。集成電路進入14nm 及以下工藝，有些關鍵工藝圖形“線(line)”和“間距(space)”都小到一定程度，“線(line)”和“線(line)”之間由于光線干涉問題，會引起圖形變形，從而導致產品良率問題。在現階段，為了盡可能利用低成本的 193nm 浸沒式曝光機，使用“光刻-刻蝕-光刻-刻蝕(LELE)”方式曝光，如圖 17 通過四次曝光方式完成一次圖形轉移。這種方式成本低于采

35、用 EUV光刻機曝光，但由于曝光次數增多光刻膠使用量大幅增加。圖表圖表 17 先進制程多重曝光提升光刻膠用量先進制程多重曝光提升光刻膠用量 資料來源：三星半導體官網 量價齊升帶動半導體光刻膠規模增長。量價齊升帶動半導體光刻膠規模增長。光刻膠是半導體制造的關鍵材料，在晶圓產能持續擴張、單位面積晶圓耗用光刻膠價值量不斷上升的驅動下，全球半導體光刻膠市場有望保持穩健增長。根據 TECHCET數據，2021年全球光刻膠市場規模約為 21.4億美元，預計 2022 年將達到 23.0 億美元，同比增長 7.5%，2026 年有望增長至 28.5 億美金，電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審

36、核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 12 20212026 5年 CAGR 5.9%。圖表圖表 18 全球半導體光刻膠市場規模及預測全球半導體光刻膠市場規模及預測（億美元）（億美元）資料來源：TECHCET，華創證券 預計國內半導體光刻膠市場增速高于全球。預計國內半導體光刻膠市場增速高于全球。根據 TrendBank數據，2021年國內半導體光刻膠市場規模約 29億元，預計 2022年將同比增長 35%達到 39.3億元。伴隨著第三次半導體產業轉移，晶圓產能向大陸轉移，我國大陸地區在全球半導體材料市場占比同步提升，預計未來國內半導體光刻膠市場將保持高于全球市場的增

37、速持續成長。圖表圖表 19 中國大陸在全球晶圓產能的占比中國大陸在全球晶圓產能的占比/%圖表圖表 20 國內國內半導體半導體光刻膠光刻膠市場規模（億元）市場規模（億元）資料來源：Knometa Research，華創證券 資料來源：Cision，工信部賽博研究院，轉引自南大光電公告，華創證券 三、三、光刻膠高壁壘寡頭壟斷市場，自主可控需求下國產供應商加速突圍光刻膠高壁壘寡頭壟斷市場，自主可控需求下國產供應商加速突圍（一）（一）從產業鏈角度看光刻膠核心壁壘從產業鏈角度看光刻膠核心壁壘 光刻膠產業鏈上游為原樹脂、單體、感光劑、溶劑等光刻膠原材料；中游為基于配方的光刻膠生產合成，下游主要為各芯片應用

38、環節。由于光刻膠本身就是一種配方型的經驗學科，又高度影響光刻環節的精度和良率，因此在光刻膠產業鏈的三個環節都存在較高壁壘。0.05.010.015.020.025.030.020212022E2026E0%5%10%15%20%201120212024E1011.513.616.620.724.8051015202530201520162017201820192020 電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 13 圖表圖表 21 半導體光刻膠產業鏈半導體光刻膠產業鏈 資料來源：中商情報網2021年中國光刻膠產業鏈上中下

39、游市場剖析，各公司官網，華創證券 1、上游：核心原材料上游：核心原材料仍仍依賴進口依賴進口 光刻膠由樹脂、光致產酸劑、溶劑和添加劑等混合而成。光刻膠由樹脂、光致產酸劑、溶劑和添加劑等混合而成。樹脂是光刻膠最核心的部分，是光刻膠的骨架。樹脂是光刻膠最核心的部分，是光刻膠的骨架。光刻膠樹脂是一種惰性聚合物，可以將光刻膠中的不同材料聚合在一起，同時在光照下會與光敏材料發生反應，使光刻膠在顯影液中的溶解度發生變化。光刻膠樹脂決定曝光后光刻膠的基本性能，如能達到的線寬、膠膜厚度、耐刻蝕性、附著力等。光敏材料是光刻膠成分中的光敏感化合物，是光刻膠的重要組成部分。光敏材料是光刻膠成分中的光敏感化合物，是光刻

40、膠的重要組成部分。半導體光刻膠用光敏材料主要分為 PAG（光致產酸劑，簡稱光酸，Photo-Acid Generator）和PAC（感光化合物，Photo-Active Compound）。PAG 在吸收光之后產生酸，因此被稱為“光酸”；在曝光后烘烤(PEB)過程中，這些酸會作為催化劑使樹脂上懸掛的酸不穩定基團脫落，從而改變樹脂的堿溶解性；PAG主要運用于在化學放大型體光刻膠中，包括 KrF、ArF、EUV 光刻膠。PAC 是重氮萘醌酯化合物，在光作用下從溶解抑制劑轉變為溶解促進劑，主要用于線性酚醛樹脂體系光刻膠中，如 g 線/i 線光刻膠。溶劑主要用于將光刻膠的各組分分散其中，使光刻膠具備良

41、好的流動性，目前半導體光刻膠所用的溶劑主要是 PGEMA（丙二醇甲醚醋酸酯，即 PMA）。添加劑包括活性劑、穩定劑等，用于控制和調節光刻膠的性能。圖表圖表 22 光刻膠構成光刻膠構成 光刻膠示意圖光刻膠示意圖 組分組分 含量占比含量占比 作用作用 溶劑 50%-90%使光刻膠具有流動性，易揮發，對于光刻膠化學性質幾乎無影響 樹脂 10%-40%惰性聚合物，用于把光刻膠中的不同材料聚在一起的粘合劑，給予光刻膠其機械和化學性質 光引發劑 1%-6%光刻膠中的光敏成分，對光能產生光化學反應 電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）121

42、0號 14 添加劑 1%控制光刻膠材料特殊方面的化學性質，用來控制和改變光刻膠材料的特定化學性質或光響應特性 資料來源：Trend Bank光刻膠產業研究報告，強力新材可轉債說明書，華創證券 不同波長的半導體光刻膠組分存在較大差異。不同波長的半導體光刻膠組分存在較大差異。波長越短的光刻膠樹脂含量越低，溶劑的含量越高。G/I 線光刻膠中樹脂的含量通常在 10-20%，KrF 光刻膠中為 7-10%，ArF、EUV光刻膠中樹脂含量通常在 5%以下。圖表圖表 23 不同半導體光刻膠組分含量不同半導體光刻膠組分含量 資料來源：TrendBank光刻膠產業研究報告，華創證券 我國半導體光刻膠的上游核心原

43、材料仍被國外廠商壟斷。我國半導體光刻膠的上游核心原材料仍被國外廠商壟斷。半導體光刻膠樹脂通常為電子級樹脂，目前我國半導體光刻膠樹脂特別是高端產品，基本依賴進口。如 KrF 光刻膠所用的聚對羥基苯乙烯類樹脂，國內廠商較少供應生產該類樹脂的單體，同時樹脂本身的合成工藝也具有較大難度；ArF 樹脂定制化程度較高，國際市場上僅能買到部分標準款樹脂，無法買到高端的 ArF 樹脂。另外，由于高端光酸的合成和純化難度較大，國內的光酸廠商在質量穩定性等方面仍與國外存在差距，目前國內主要的光刻膠公司大多還是使用進口的光酸。2、中游中游制造制造存存工藝工藝、設備壁壘，下游客戶、設備壁壘，下游客戶導入意愿導入意愿較

44、低較低&驗證周期長驗證周期長 除上游原材料壁壘外，半導體光刻膠國產化還具有配方、設備、客戶驗證等多重壁壘：1）配方壁壘：配方是光刻膠的核心技術。）配方壁壘：配方是光刻膠的核心技術。各廠商的配方難以通過分析市場上的成品來獲得。為實現與已有供應商產品的性能和參數的完全匹配，光刻膠廠商首先需要對成百上千個樹脂、光酸和添加劑進行排列組合，其次還要不斷對各成分的比例進行調整，以實現和現有產品關鍵參數的完全匹配，這需要足夠的研發資源、經驗積累。10-20%7-10%4-5%3-4%0%20%40%60%80%100%G/I lineKrFArFEUV樹脂溶劑其他 電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告

45、證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 15 圖表圖表 24 光刻膠生產流程光刻膠生產流程 資料來源：容大感光招股說明書，華創證券 2）配套光刻機：）配套光刻機：光刻膠需要通過相應的光刻機進行測試和調整，目前國際光刻機龍頭廠商所在地區對我國實施技術封鎖，國產光刻機產品較少，且技術水準與海外龍頭有較大差距，可供光刻膠廠商測試的資源較少。此外光刻機的購置和測試成本高昂，資金投入要求極高。圖表圖表 25 半導體光刻膠生產及檢測設備半導體光刻膠生產及檢測設備 g/i 線線 KrF ArF 檢測設備 g/i 線 stepper,TEL ACT-clean track 等

46、 ASML KrF scanner 或 Nikon-KrF scanner,TEL ACT-clean track 等 ASML ArF scanner,TEL lithus clean track 或 TEL ACT-clean track 等 生產設備 不銹鋼反應釜 襯氟反應釜 襯氟反應釜 資料來源：晶瑞電材公告，華創證券 3）量產穩定性：）量產穩定性：光刻膠的穩定性對下游晶圓廠極為重要。從實驗室產品到量產，每批次光刻膠產品間金屬離子含量、分子量分布等都必須實現穩定一致。這其中的難點，一是原材料的穩定供應，尤其是對于 KrF、ArF 等高端品種，其所需的單體、樹脂種類較多，并且在國際市場中

47、僅能購買到基礎款，因此能否穩定獲取質量合格的光刻膠樹脂具有較大難度。二是在放大量產過程中金屬離子的控制，由于存在環境控制效果不一樣、樹脂后處理產品量不同、配膠時混合速度不一樣且均勻度也不一樣等問題，需要更高水需要更高水平的提純技術和經驗。平的提純技術和經驗。4）下游客戶認證壁壘：）下游客戶認證壁壘：由于光刻膠的品質會直接影響芯片性能、良率等，試錯成本高，客戶驗證需要經過 PRS（基礎工藝考核）、STR（小批量試產）、MSTR（中批量試產）、RELEASE（量產）四個階段，驗證周期在兩年以上；此外光刻膠廠商的原材料供應商也必須得到下游晶圓廠的認可，因此下游晶圓廠與光刻膠供應廠商的粘性較強，光刻膠

48、產品替代驗證的時間成本極高。電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 16 圖表圖表 26 從產業鏈角度看光刻膠核心壁壘從產業鏈角度看光刻膠核心壁壘 資料來源：華懋科技公眾號，華創證券（二）（二）日美寡頭壟斷市場下國產替代需求緊迫日美寡頭壟斷市場下國產替代需求緊迫 1、全球半導體光刻膠市場由日美廠商壟斷全球半導體光刻膠市場由日美廠商壟斷 半導體產業轉移與光刻機產業崛起，造就日本長期以來的光刻膠霸主地位。半導體產業轉移與光刻機產業崛起，造就日本長期以來的光刻膠霸主地位。1960s 前，半導體產業最先在歐美等國家成熟發展，同

49、時也促成了半導體制造關鍵材料光刻膠在這些國家的繁榮；1995年前美國一直保持著半導體光刻膠市場的龍頭地位，特別是IBM在 1980s 早期就已經突破了 KrF 光刻膠。但由于當時市場的主流制程并非 KrF，IBM 的KrF 光刻膠產品未能大規模量產。同時 1960s 起全球的半導體產業發生了由美國向日本的第一次轉移，現今的日本光刻膠龍頭廠商開始逐步入局。光刻膠的進步需要光刻機的配套，1986 年美國半導體市場滑坡，其光刻機研發也就此停滯；而日本光刻機廠商在半導體產業發展的支撐下持續追趕，1995 年東京應化成功突破了 KrF 光刻膠。盡管 IBM早已研發成功 KrF 光刻膠，但此時的光刻機主導

50、地位已轉移至日本，東京應化實現了KrF 光刻膠的商業化銷售，并標志著日本超越美國成為了光刻膠的龍頭。在之后的第二次、第三次半導體產業鏈轉移中，日本仍保留了光刻膠產業，并一直保持龍頭地位至今。圖表圖表 27 光刻膠產業發展史光刻膠產業發展史 資料來源：未來智庫，華創證券 電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 17 多家國際光刻膠廠商已實現多家國際光刻膠廠商已實現 EUV 光刻膠量產。光刻膠量產。在光刻膠品種的量產進度上，日本東京應化（TOK）、JSR、信越化學等廠商已經實現 EUV 光刻膠的量產。此外，2019 年日本

51、限制對韓國的 EUV 光刻膠出口后，韓國光刻膠廠商東進世美肯開始研發 EUV 光刻膠，并在 2021 年通過了三星電子的可靠性認證；2022 年 12 月三星電子在其一條量產線上使用了東進半導體的 EUV 光刻膠產品，標志著韓國也實現了 EUV 光刻膠的國產化量產突破。圖表圖表 28 部分國際半導體光刻膠廠商量產進度部分國際半導體光刻膠廠商量產進度 公司名稱公司名稱 國家國家/地區地區 g 線線/i 線線 KrF ArF EUV 東京應化（TOK）日本 量產 量產 量產 量產 合成橡膠（JSR）日本 量產 量產 量產 量產 住友化學 日本 量產 量產 量產 量產 信越化學 日本 量產 量產 量

52、產 量產 富士膠片 日本 量產 量產 量產 量產 陶氏杜邦 美國 量產 量產 量產 東進世美肯 韓國 量產 量產 量產 量產 錦湖石化 韓國 量產 量產 量產 默克 德國 量產 量產 量產 永光化工 中國臺灣 量產 量產 資料來源：南大光電公告，36Kr，ETNEWS，TrendBank，華創證券 日美廠商壟斷日美廠商壟斷半導體光刻膠市場。半導體光刻膠市場。根據富士經濟數據，2020年全球KrF光刻膠市場中，東京應化、信越化學、美國陶氏化學、JSR 分別占據了 31.4%、21.9%、10.9%、21%的市場份額，CR4 達 85%；ArF 光刻膠市場則基本由日本廠商占據，前四大廠商 JSR、

53、信越化學、住友化學、東京應化分別占比 25%、21.8%、16.8%、15.8%，CR4 達 80%。EUV光刻膠市場主要由東京應化占據一半份額，其余市場由信越化學、JSR等占據。圖表圖表 29 2020 年全球年全球 G/I 線光刻膠市場格局線光刻膠市場格局 圖表圖表 30 2020 年全球年全球 KrF 光刻膠市場格局光刻膠市場格局 資料來源：富士經濟，東京應化公告，轉引自前瞻產業研究院，華創證券 資料來源：富士經濟，東京應化公告，轉引自前瞻產業研究院，華創證券 東京應化（TOK）,25.2%陶氏化學（Dow）,19.1%住友化學（Sumitomo chem）,15.7%其他,40.0%東

54、京應化（TOK）,31.4%信越化學（Shin Etsu）,21.9%陶氏化學（Dow）,10.9%JSR,21.0%其他,14.9%電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 18 圖表圖表 31 2020 年全球年全球 ArF 光刻膠市場格局光刻膠市場格局 圖表圖表 32 2020 年全球年全球 EUV光刻膠市場格局光刻膠市場格局 資料來源：富士經濟，東京應化公告，轉引自前瞻產業研究院，華創證券 資料來源：富士經濟，東京應化公告，轉引自前瞻產業研究院，華創證券 2、自主可控需求緊迫加速下游導入，國內廠商迎突破自主可控需

55、求緊迫加速下游導入，國內廠商迎突破 國內半導體光刻膠國產化率極低國內半導體光刻膠國產化率極低，供應不穩定性催化供應不穩定性催化半導體光刻膠自主可控需求半導體光刻膠自主可控需求。目前國內實現產業化的光刻膠生產企業主要集中于PCB及面板領域，半導體領域特別是高端品種仍需進口。根據前瞻產業研究院數據，目前從事半導體用光刻膠研發和產業化的企業則多以 i線、g線光刻膠生產為主，2021年國內 G線、I線光刻膠國產化率已達 10%，KrF 以上的高端光刻膠品種基本處于研發狀態，國產化率僅為 1%。2021 年初，日本光刻膠龍頭信越化學工廠遭遇地震產能受限，對國內部分晶圓廠限供/斷供KrF光刻膠，即便其他國

56、外廠商補充了部分產能，但仍存在較大缺口。此外近年來全球地緣政治摩擦加劇，國內半導體產業對于關鍵材料自主可控的需求更加緊迫，國產光刻膠有望加速導入。圖表圖表 33 國內國內光刻膠行業國產化及進口替代情況光刻膠行業國產化及進口替代情況 應用領域應用領域 主要品種主要品種 國產化率國產化率 國內公司國內公司 PCB光刻膠 干膜光刻膠 幾乎全進口-濕膜及阻焊油墨 50%容大感光、東方材料、飛凱科技、北京力拓達等 LCD 光刻膠 彩色光刻膠 5%永太科技、雅克科技、晶瑞電材等 黑色光刻膠 5%上海新陽、江蘇博硯等 TFT-LCD 正性光刻膠 大部分進口 蘇州瑞紅、北京科華、容大感光等 半導體光刻膠 g

57、線 10%蘇州瑞紅、北京科華、容大感光等 i 線 10%KrF 1%上海新陽、南大光電、蘇州瑞紅、北京科華等 ArF 1%EUV 研發階段 北京科華(02專項)資料來源：前瞻產業研究院、轉引自2021年晶瑞電材可轉債募集說明書，華創證券 目前國內半導體光刻膠進展較快的公司包括彤程新材、華懋科技、晶瑞電材、上海新陽等。分產品看：g/i線光刻膠：線光刻膠：國內北京科華、徐州博康、蘇州瑞紅已實現大規模量產，已導入國內頭部半導體企業，市場份額逐漸提升。KrF 光刻膠：光刻膠：北京科華和徐州博康進展較快，2022 年已有多個品種實現銷售；此外蘇州瑞紅及上海新陽也實現了量產突破。ArF 光刻膠：光刻膠：南

58、大光電推出國內通過客戶驗證的第一只國產 ArF 光刻膠，并實現少量銷售，華懋科技、上海新陽也有相關產品進行測試導入。EUV 光刻膠：光刻膠：當前國內并無東京應化（TOK）,15.8%信越化學（Shin Etsu）,21.8%JSR,25.0%住友化學（Sumitomo chem）,16.8%其他,20.7%東京應化（TOK）,52%其他,48%電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 19 EUV光刻機，各廠商 EUV光刻膠尚處于理論研究階段。圖表圖表 34 目前目前部分國內半導體光刻膠企業進展部分國內半導體光刻膠企業進

59、展 公司名稱公司名稱 主體名稱主體名稱 G 線線/I 線線 KrF ArF 干法干法 ArF 濕法濕法 EUV 彤程新材 北京科華 G線光刻膠產品在國內占據較大市場份額，I 線光刻膠產品已接近國際先進水平 量產，2022年 KrF 光刻膠產品收入較上年同期增長 321.85%；DKN 系列 KrF 負性光刻膠取得量產突破，產品性能達到或超過國外同類產品 待客戶驗證 計劃 2023年末建成濕法研發平臺 初級研發階段 華懋科技 徐州博康 2022年以來形成銷售的 I 線光刻膠有 12款。有 30款 KrF光刻膠產品，包括高分辨率、中厚膠、負膠等；有 20余款 KrF 光刻膠正在客戶端進行產品驗證導

60、入量產，產品種類涵蓋 55nm、40nm、28nm及以下的關鍵層工藝等應用領域。2022年以來形成銷售的 KrF 光刻膠有 15款 有 26款產品，其中 ArF-immersion15款，ArF-dry11 款，可應用于 14-90nm制程節點。有 9款 ArF-immersion 及 ArF-dry光刻膠正在客戶端進行產品驗證導入量產 晶瑞電材 蘇州瑞紅 2018年完成國家 02專項后，i 線光刻膠產品向中芯國際、合肥長鑫、華虹半導體、晶合集成等國內半導體企業批量供貨 KrF 光刻膠產品分辨率達到了 0.250.13m的技術要求，已通過部分重要客戶測試，KrF 高端光刻膠部分品種已量產 研發

61、工作已經啟動 南大光電-已有兩款產品分別在下游客戶存儲芯片 50nm和邏輯芯片 55nm技術節點的產品上通過認證 上海新陽-客戶驗證階段 通過認證客戶不斷增加，已在國內主流晶圓制造廠商處實現供貨 研發進展順利，已形成兩個系列實驗產品，樣品進入客戶端進行測試 前期研發階段 資料來源：相關公司公告、年報、半年報、招股說明書，華創證券 （三）（三）投資建議投資建議 光刻膠是半導體制造的核心材料，其性能直接影響芯片性能和良率。下游擴產預期+制程結構升級驅動光刻膠尤其是高端光刻膠需求提升，隨著我國晶圓產能在全球占比的提高國內光刻膠市場增速快于全球。而在半導體光刻膠領域目前我國仍然依賴國外進口，特別是應用

62、于較高制程的 KrF、ArF 光刻膠。自主可控背景下國產替代加速，疊加 Fab廠產能稼動率下行期間認證成本降低國產替代進度進一步加快。國內光刻膠廠商經過多年研發積累，有望迎來量產突破，建議關注國內建議關注國內光刻膠布局光刻膠布局領先的標的：華懋科技、領先的標的：華懋科技、彤彤程新材、程新材、晶瑞電材、上海新陽、南大光電晶瑞電材、上海新陽、南大光電、雅克科技、雅克科技。1、華懋科技華懋科技：國內汽車：國內汽車被動安全被動安全龍頭，龍頭，打通光刻膠上游材料全打通光刻膠上游材料全產業鏈產業鏈布局布局 汽車被動安全業務掌握汽車被動安全業務掌握核心技術核心技術+優質客戶優質客戶深筑護城河，深筑護城河，戰

63、略布局光刻膠業務打開戰略布局光刻膠業務打開新成新成長空間長空間。公司自 2002 年成立起即深耕于汽車被動安全領域，2021 年戰略入股國內光刻膠領先企業徐州博康入局光刻膠。公司汽車產品線覆蓋汽車安全氣囊布、安全氣囊袋以及安全帶等被動安全系統部件。近年來隨著國民汽車安全意識提高和相關法規完善、新能源汽車快速滲透，汽車品牌更為注重安全配置升級，帶動汽車安全氣囊需求大幅增長。安全氣囊生產技術要求高、認證周期長，進入壁壘及市場集中度較高，公司經多年積累已成為國內安全氣囊布和安全氣囊袋的主要供應商，市占率超 35%；旺盛需求下公司業績實現快速增長：2022年實現營收 16.37億元，同比+35.75%

64、，其中高端產品 OPW氣囊袋增速達 94.38%，來自新能源汽車主要主機廠的收入增速達 225.81%。電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 20 攜手國內光刻膠領先企業布局光刻材料攜手國內光刻膠領先企業布局光刻材料，實現光刻膠全產業鏈自主可控，實現光刻膠全產業鏈自主可控。公司戰略入股徐州博康，并與徐州博康共同設立東陽華芯布局光刻材料領域。徐州博康成立于 2010年，專注于光刻膠原材料到成品的自主研發及生產，實現了從光刻膠單體、光刻膠專用樹脂、光酸劑及終產品光刻膠的國產化自主可控供應鏈，是國家 02 重大專項之“先進

65、光刻膠產品開發與產業化”項目中課題“ArF 光刻膠單體產品的開發與產業化”承擔單位。截至 2023 年 3 月末，徐州博康及其子公司擁有發明專利 60 多項，其光刻膠單體已經是日韓知名光刻膠成品公司穩定供應商，研發、生產的光刻膠產品主要包括：研發、生產的光刻膠產品主要包括：ArF 光刻膠 26款，涵蓋 65nm、55nm、40nm、28nm 及以下的關鍵層工藝以及 LOGIC、3D NAND、DRAM 等應用領域；KrF 光刻膠 30 款，涵蓋 55nm、40nm、28nm 及以下的關鍵層工藝以及集成電路、分立器件、傳感器等應用領域；I line 光刻膠 15 款，涵蓋高能注入、抗刻蝕等關鍵層

66、工藝以及PAD、Lift-off等應用領域。目前徐州博康光刻膠產品已經實現向部分國內射頻芯片 IDM 廠商及科研院所量產供貨，有多款高端光刻膠產品獲得國內 12寸晶圓廠的相關訂單。2、彤程新材：國內半導體彤程新材：國內半導體&面板光刻膠龍頭，光刻膠業務放量面板光刻膠龍頭，光刻膠業務放量 全球最大輪胎用特種材料供應商全球最大輪胎用特種材料供應商，半導體半導體&面板光刻膠協同發展面板光刻膠協同發展。公司業務涵蓋電子材料、汽車/輪胎用特種材料和全生物降解材料三大領域。公司是全球最大的輪胎橡膠用特種酚醛樹脂供應商，多年發展與國內外輪胎企業建立了長期穩定的業務合作，客戶覆蓋全球輪胎 75 強，包括普利司

67、通、米其林、固特異、馬牌、倍耐力等國際知名輪胎企業。公司電子材料業務主要涵蓋半導體光刻膠及配套試劑、顯示面板光刻膠和電子酚醛樹脂等產品；2020 年公司戰略收購半導體光刻膠龍頭廠商北京科華和國內首家 TFT-LCD Array 光刻膠生產商北旭電子，同時充分發揮協同效應反溯核心原材料的開發，加快公司電子酚醛樹脂在光刻膠領域的開發及導入，成為國內光刻膠生產領域的龍頭企業。國內半導體光刻膠龍頭生產商，產品性能領先實現業績高增。國內半導體光刻膠龍頭生產商，產品性能領先實現業績高增。公司半導體光刻膠產品種類已涵蓋國內 14nm 以上大部分工藝需求：公司 G 線光刻膠產品在國內占據較大市場份額，I 線光

68、刻膠產品已接近國際先進水平；公司是國內唯一可大量供貨 KrF 光刻膠的生產商，KrF 產品在 Poly、AA、Metal、TM/TV、Thick、Implant、Contact Hole 等工藝的市占率持續攀升，且 DKN 系列 KrF 負性光刻膠取得量產突破，產品性能達到或超過國外同類產品。2022 年公司半導體光刻膠業務實現營業收入 1.77 億元，同比增長 53.48%；半導體用 G/I 線光刻膠產品較上年同期增長 45.45%；KrF 光刻膠產品較上年同期增長321.85%。公司生產的 I 線光刻膠和 KrF 光刻膠是國內 8-12 寸集成電路產線主要的本土供應商，隨著半導體光刻膠國產

69、替代加速，公司光刻膠業務有望迎來快速增長。國內最大液晶正性光刻膠本土供應商。國內最大液晶正性光刻膠本土供應商。2022 年北旭電子實現銷售收入 2.42 億元，國內市占率約為 19%，是國內本土第一大供應商，其中北旭產品在國內最大面板客戶京東方占有率約 45%以上。公司新品 4-Mask 高感度光刻膠產品滿足 Array工藝所有 Layer 適用，突破了原有產品不能適用 Halftone 的瓶頸，新客戶和量產銷售正在不斷擴展；另外針對AMOLED 面板，公司開發的高性能的高分辨率光刻膠也已在客戶端完成階段性批量驗證，各項性能可完全匹配現有國外品牌產品，同時能實現較好的產品良率，正逐漸實現量產。

70、隨著公司潛江工廠產能不斷釋放和國內面板其它頭部客戶逐步導入測試工作，公司市占率有望進一步快速提升。電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 21 3、晶瑞電材：晶瑞電材：電子材料平臺型公司，電子材料平臺型公司，三十年光刻膠三十年光刻膠生產生產經驗經驗 布局布局泛半導體材料及新能源材料兩大方向泛半導體材料及新能源材料兩大方向，多產品線，多產品線突破突破迎產能釋放迎產能釋放。1）泛半導體材）泛半導體材料：料：包括高純化學品、光刻膠及配套材料、醫藥中間體等，其中在半導體用量最大的三個高純濕化學品高純雙氧水、氨水及純硫酸方面，公

71、司產品品質已達到 SEMI 最高等級 G5 水準，獲得中芯國際、華虹宏力、長江存儲、士蘭微等國內知名半導體客戶的采購，成功填補半導體關鍵材料的國內空白。2）新能源材料：）新能源材料：包括鋰電池材料 NMP、鋰電池粘結劑、電解液等。NMP 是鋰電池不可或缺的溶劑材料，占鋰電池制造成本比重通?？蛇_ 3%-6%。公司 NMP 產品已通過多項國際認證，是中國區唯一通過韓國三星集團SDI公司認證合格的產品。隨著新能源車產量持續增長，NMP市場空間廣闊，根據EVTank、高工鋰電（GGII）等數據，2025 年全球鋰電池 NMP 需求量約為 376 萬噸，4年 CAGR41%。2023年 3月公司擬增發募

72、集 7.5億元擴充 NMP等材料產能，以進一步抓住行業發展機遇，擴大各電子材料產品類別市場份額。三十三十年年光刻膠量產光刻膠量產經驗經驗，國內，國內 I 線光刻膠最大廠商之一。線光刻膠最大廠商之一。公司光刻膠產品由子公司蘇州瑞紅生產，蘇州瑞紅自 1993 年開始規?；a光刻膠，是國內少有的既有規模又有利潤的成熟光刻膠企業，其產品主要應用于半導體及顯示面板領域，部分產品已占據國內主要市場份額：公司紫外負型光刻膠和寬譜正膠及部分 G 線等高端產品已規模供應市場數十年；i 線光刻膠已向國內中芯國際、合肥長鑫等知名大尺寸半導體廠商供貨，為我國供應半導體光刻膠出貨量最大的本土企業之一；KrF 高端光刻

73、膠部分品種已量產；同時已啟動 ArF 高端光刻膠研發工作。近年來公司持續加大尖端光刻膠研發投入，斥資數億購入 2 臺 ArF、KrF 光刻機及相關配套設備，牽頭發起相關品種技術攻關及產業化項目；隨著產品序列逐步完善，公司光刻膠業務前景可期。4、上海新陽：上海新陽：電鍍、清洗、光刻、研磨電鍍、清洗、光刻、研磨四大四大工藝材料工藝材料布局布局，光刻膠業務，光刻膠業務進展順利進展順利 電鍍、清洗技術國內電鍍、清洗技術國內領先領先，蝕刻液新品打破國外壟斷蝕刻液新品打破國外壟斷。公司成立于 2004 年，多年發展形成兩大類業務：1）半導體材料：）半導體材料：覆蓋電鍍、清洗、光刻、研磨四大工藝化學材料產品

74、；主要產品包括電鍍液及添加劑、清洗液、光刻膠、封裝材料及配套設備產品。公司電鍍和清洗兩大核心技術已達到國內領先水平，電鍍液及添加劑產品已覆蓋 90-14nm 技術節點；干法蝕刻后清洗液已經實現 14nm 以上技術節點全覆蓋，20-14nm 電鍍液及添加劑已實現銷售；用于存儲器芯片的原創新產品氮化硅蝕刻液打破國外壟斷，并與客戶共同開發、驗證更高層級的產品系列；用于銅拋光后清洗液（PCMP）產品開發完成，已進入到客戶端；公司布局開發的研磨液（CMP）也已有成熟產品成功進入客戶端實現銷售。2）環保功能性氟碳涂料環保功能性氟碳涂料：由子公司江蘇考普樂生產，公司開發的噴涂型 PVDF氟碳涂料國內市場占有

75、率在 15%左右，位居全國前三。2022年公司籌劃將考普樂掛牌新三板，以進一步提升子公司核心競爭力，完善公司治理結構及推動上市公司整體戰略目標落地。光刻膠光刻膠持續突破持續突破，ArF光刻膠進展順利光刻膠進展順利。2022年公司自主研發的 KrF光刻膠產品通過認證客戶不斷增加，已在國內主流晶圓制造廠商處實現供貨；ArF、ArF-i 光刻膠方面研發進展順利，已經形成兩個系列試驗產品，樣品已進入客戶端進行測試；且公司自購ASML1900、1400 光刻機用于光刻膠產品測試。擁有完整自主可控知識產權的光刻膠產品與應用即將形成公司的第三大核心技術，未來發展前景可期。電子行業深度研究報告電子行業深度研究

76、報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 22 5、南大光電：南大光電：高純電子材料領軍企業高純電子材料領軍企業，ArF 產業化持續推進產業化持續推進 高純電子材料領軍企業，多產品線發力實現業績高增。高純電子材料領軍企業，多產品線發力實現業績高增。公司布局先進前驅體材料產品、電子特氣類產品和光刻膠及配套材料三大板塊，產品廣泛應用于集成電路、平板顯示、LED、第三代半導體、光伏和半導體激光器的生產制造。先進前驅體板塊包括 MO 源產品及 ALD/CVD 前驅體材料；電子特氣板塊主要包括氫類電子特氣磷烷、砷烷等及含氟電子特氣三氟化氮、六氟化硫及其副產品；光刻膠

77、及配套材料方面公司正在自主研發和實現 ArF光刻膠（含干式及浸沒式）產業化。2022年公司前驅體產品客戶導入提速，市場份額逐步擴大，成為公司新的業績增長點；銷售、利潤主力氫類特氣產品產能建設加快、規模經濟效益凸顯；推動公司實現業績新突破：營收 15.8 億元，同比+60.62%；歸母凈利潤 1.87億元，同比+37.07%；扣非凈利潤 1.26億元，同比+78.39%。ArF 光刻膠光刻膠產業化持續推進中產業化持續推進中。2017 及 2018 年公司分別獲得國家 02 專項“高分辨率光刻膠與先進封裝光刻膠產品關鍵技術研發項目”和“先進光刻膠開發和產業化項目”的正式立項，并分別于 2020 年

78、和 2021 年通過驗收。公司公司研發的產品成為國內通過客戶驗證研發的產品成為國內通過客戶驗證的第一只國產的第一只國產ArF光刻膠，標志著國產先進光刻膠產業化取得關鍵性的突破。光刻膠，標志著國產先進光刻膠產業化取得關鍵性的突破。目前公司產品已在下游客戶存儲芯片50nm和邏輯芯片55nm技術節點的產品上通過認證，同時多款產品正在多家客戶進行認證，ArF 光刻膠及配套材料項目所需的光刻車間和生產線已建成，其中主要先進光刻設備如 ASML浸沒式光刻機已經完成安裝并投入使用，搭建了專業用于 ArF 光刻膠產品開發的檢測評估平臺，光刻膠及配套材料產品的研發、驗證和產業化持續推動中。此外公司光刻膠技術研發

79、始終堅持完全自主化路線，光刻膠研發中心具備了研制功能單體、功能樹脂、光敏劑等光刻膠材料的能力，能夠實現從光刻膠原材料到光刻膠產品及配套材料的全部自主化。致力推動前驅體材料國產突破，募資助力業績廣闊成長空間。致力推動前驅體材料國產突破，募資助力業績廣闊成長空間。2022 年 11 月公司發行可轉債 9 億元用于先進制程前驅體產品產業化及電子特氣產品擴產。1）先進制程用前驅）先進制程用前驅體：體：作為半導體制造的核心材料之一，先進制程發展對半導體前驅體材料提出更高要求，并推動其市場需求不斷增加。根據日本富士經濟數據，預計 2024 年全球半導體前驅體市場規模將由 2019 年的 12 億美元增長至

80、 20.21 億美元，年復合增速達 11%；當前我國先進制程半導體前驅體材料市場仍由國外企業占據，具備巨大的國產替代空間。本次募投項目實施完畢后，南大光電將建成 4 種半導體先進制程用前驅體產品生產線，實現國產先進制程前驅體材料進口替代。2）氫類電子特氣及三氟化氮：）氫類電子特氣及三氟化氮：公司氫類電子特氣自推出后有效打破國外長期壟斷，在技術、品質、產能和銷售各方面已躍居世界前列；三氟化氮產品是公司目前南大光電收入貢獻占比最多的產品類別，具有較高的毛利水平，仍處于供不應求狀態。本次擴產升級將利于公司進一步擴大業務規模、提升行業競爭力、鞏固電子特氣業務領先地位。6、雅克科技：全球前驅體雅克科技：

81、全球前驅體&LNG 板材頭部廠商，面板板材頭部廠商，面板&半導體光刻膠逐步推進半導體光刻膠逐步推進 公司是全球前驅體領先廠商，國內獨家 LNG 板材廠。公司主營電子材料、LNG 保溫絕熱板材、阻燃劑三大板塊。其中電子材料業務包括半導體前驅體材料/SOD、光刻膠及配套試劑、電子特氣、硅微粉及 LDS 輸送系統等。公司是全球前五大前驅體供應商之一，產品在 DRAM可以滿足全球最先進存儲芯片制程 1b、200X層以上 NAND、邏輯芯片 3 納米的量產供應，客戶包括鎂光、鎧俠、Intel、臺積電、中芯國際、華虹宏力、長江存儲與合肥長鑫等國內外半導體芯片頭部生產商。LNG 船保溫絕熱材料用于-162超

82、低溫條件，是保證液化氣儲運安全性和經濟性的核心技術之一，目前全球僅 3 家公司在生產 LNG 保溫板材，其中 2 家在韓國。公司是目前國內唯一一家通過 GTT 和船級社認 電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 23 證的 LNG 保溫絕熱板材供應商。23年國內新增 LNG船大規模放量，公司第二工廠建設有續推進預計 2023年底投產，LNG 板材業務空間廣闊。開拓高端顯示光刻膠，半導體光刻膠持續推進。公司的光刻膠產品主要包括面板用正性TFT 光刻膠、RGB 彩色光刻膠、CNT 防靜電材料以及光刻膠配套試劑。據勢銀（Tr

83、endBank）統計，2022 年中國大陸 LCD 光刻膠市場規模約 97 億元，國產化率約18.56%，預計隨著面板逐漸恢復增長及產業鏈向我國大陸轉移，國內面板光刻膠廠商將迎快速增長。公司已與三星電子、LG Display、京東方、華星光電、惠科等知名面板供應商建立合作關系；并持續開拓高端產品，2022 年公司自行研發的 OLED 用低溫 RGB光刻膠、CNT 防靜電材料已經正式量產，CMOS 傳感器用 RGB 光刻膠、先進封裝 RDL層用 I-Line 光刻膠等高端產品進行客戶測試導入階段。此外，公司新增布局半導體光刻膠領域，半導體制程光刻膠及SOC材料研發工作正在按計劃推進中，并有產品進

84、入測試導入階段。四、四、風險提示風險提示 下游客戶驗證不及預期：下游客戶驗證不及預期：半導體光刻膠驗證周期較長，客戶驗證進展不及預期會使光刻膠廠商業績和盈利能力存在較大不確定性；下游晶圓廠擴產進度不及預期：下游晶圓廠擴產進度不及預期：晶圓廠的擴產進度及產能利用率會影響對上游材料包括光刻膠在內的半導體材料的需求，晶圓廠擴產進度不及預期將導致全球半導體光刻膠市場需求不及預期。電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 24 電子電子組團隊介紹組團隊介紹 所長助理、前沿科技研究中心負責人：耿琛所長助理、前沿科技研究中心負責人：耿

85、琛 美國新墨西哥大學計算機碩士。曾任新加坡國立大計算機學院研究員，中投證券、中泰證券研究所電子分析師。2019年帶領團隊獲得新財富電子行業第五名，2016 年新財富電子行業第五名團隊核心成員，2017 年加入華創證券研究所。高級分析師：熊翊宇高級分析師：熊翊宇 復旦大學金融學碩士，3年買方研究經驗，曾任西南證券電子行業研究員，2020年加入華創證券研究所。聯席首席研究員：岳陽聯席首席研究員：岳陽 上海交通大學碩士。2019年加入華創證券研究所。研究員：王帥研究員：王帥 西南財經大學碩士。2021年加入華創證券研究所。研究員：姚德昌研究員：姚德昌 同濟大學碩士。2021 年加入華創證券研究所。研

86、究員：吳鑫研究員：吳鑫 復旦大學資產評估碩士，1 年買方研究經驗。2022年加入華創證券研究所。研究員：高遠研究員：高遠 西南財經大學碩士。2022年加入華創證券研究所。高級研究員：馬振國高級研究員：馬振國 河北工業大學碩士，7年半導體晶圓廠和 9年半導體設備工作經驗，2022年加入華創證券研究所。電子行業深度研究報告電子行業深度研究報告 證監會審核華創證券投資咨詢業務資格批文號：證監許可（2009）1210號 26 華創行業公司投資評級體系華創行業公司投資評級體系 基準指數說明：基準指數說明：A股市場基準為滬深 300指數，香港市場基準為恒生指數，美國市場基準為標普 500/納斯達克指數。公

87、司投資評級說明：公司投資評級說明：強推：預期未來 6個月內超越基準指數 20%以上；推薦：預期未來 6個月內超越基準指數 10%20%；中性：預期未來 6個月內相對基準指數變動幅度在-10%10%之間；回避：預期未來 6個月內相對基準指數跌幅在 10%20%之間。行業投資評級說明：行業投資評級說明：推薦：預期未來 3-6個月內該行業指數漲幅超過基準指數 5%以上；中性：預期未來 3-6個月內該行業指數變動幅度相對基準指數-5%5%；回避：預期未來 3-6個月內該行業指數跌幅超過基準指數 5%以上。分析師聲分析師聲明明 每位負責撰寫本研究報告全部或部分內容的分析師在此作以下聲明：分析師在本報告中

88、對所提及的證券或發行人發表的任何建議和觀點均準確地反映了其個人對該證券或發行人的看法和判斷；分析師對任何其他券商發布的所有可能存在雷同的研究報告不負有任何直接或者間接的可能責任。免責聲明免責聲明 本報告僅供華創證券有限責任公司（以下簡稱“本公司”）的客戶使用。本公司不會因接收人收到本報告而視其為客戶。本報告所載資料的來源被認為是可靠的，但本公司不保證其準確性或完整性。本報告所載的資料、意見及推測僅反映本公司于發布本報告當日的判斷。在不同時期，本公司可發出與本報告所載資料、意見及推測不一致的報告。本公司在知曉范圍內履行披露義務。報告中的內容和意見僅供參考，并不構成本公司對具體證券買賣的出價或詢價

89、。本報告所載信息不構成對所涉及證券的個人投資建議，也未考慮到個別客戶特殊的投資目標、財務狀況或需求?？蛻魬紤]本報告中的任何意見或建議是否符合其特定狀況，自主作出投資決策并自行承擔投資風險，任何形式的分享證券投資收益或者分擔證券投資損失的書面或口頭承諾均為無效。本報告中提及的投資價格和價值以及這些投資帶來的預期收入可能會波動。本報告版權僅為本公司所有，本公司對本報告保留一切權利。未經本公司事先書面許可，任何機構和個人不得以任何形式翻版、復制、發表、轉發或引用本報告的任何部分。如征得本公司許可進行引用、刊發的，需在允許的范圍內使用，并注明出處為“華創證券研究”，且不得對本報告進行任何有悖原意的引

90、用、刪節和修改。證券市場是一個風險無時不在的市場，請您務必對盈虧風險有清醒的認識，認真考慮是否進行證券交易。市場有風險，投資需謹慎。華創證券研究所華創證券研究所 北京總部北京總部 廣深分部廣深分部 上海分部上海分部 地址：北京市西城區錦什坊街 26 號 恒奧中心 C 座 3A 地址：深圳市福田區香梅路 1061 號 中投國際商務中心 A 座 19 樓 地址：上海市浦東新區花園石橋路 33 號 花旗大廈 12 層 郵編：100033 郵編：518034 郵編：200120 傳真：010-66500801 傳真：0755-82027731 傳真：021-20572500 會議室：010-66500900 會議室：0755-82828562 會議室：021-20572522