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1、 1/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 行業研究報告 慧博智能投研 光芯片行業深度：光芯片行業深度：驅動因素、市場前景、產驅動因素、市場前景、產業鏈及業鏈及相關相關企業深度梳理企業深度梳理 當前 AI 正快速發展，有望成為數十年來最有前途的技術領域之一，并將驅動算力、網絡設備和光模塊等領域的極大發展。作為 AI 算力的核心器件，光模塊及其配套芯片持續迭代：一方面，CPO、LPO 等先進封裝技術在降低光模塊成本及功耗上作用顯著，中際旭創、新易盛等光模塊廠商率先布局；另一方面，EML、硅光和薄膜鈮酸鋰等光芯片不斷升級來適配高速率場景應用，源杰科技、長光

2、華芯和光庫科技等廠商不斷突破芯片技術瓶頸。AI 芯片的不斷升級，又進一步促進了 LLM 發展及相關算力需求的增長，算力產業鏈有望持續獲得高景氣度發展，各環節需求有望形成共鳴共振。其中光芯片作為光模塊上游及產品核心元件，隨著高速率光模塊放量在即，自研高速率光芯片有望成為關注重點，以源杰科技為代表的國產替代不斷加速推進，整體市場前景廣闊。以下我們就將聚焦光芯片行業，對國內光芯片行業的當下發展和未來走向進行具體分析。當下光芯片行業發展現況如何？驅動行業發展的有利因素有哪些？國內市場呈現怎樣的產業格局？其國產替代進程如何？行業相關產業鏈及其重點布局企業情況如何？市場整體呈現怎樣的發展前景？循著該邏輯，

3、我們逐一分析論述這些問題。目錄目錄 一、行業概況.1 二、驅動因素.7 三、市場現狀.12 四、產業格局.14 五、國產替代.15 六、產業鏈分析.18 七、相關企業.20 八、市場前景.23 九、參考研報.24 一、行業概況一、行業概況 1、基本概念基本概念 光芯片系實現光電信號轉換的基礎元件，其性能直接決定了光通信系統的傳輸效率光芯片系實現光電信號轉換的基礎元件，其性能直接決定了光通信系統的傳輸效率。光通信是以光信號為信息載體，以光纖作為傳輸介質，通過電光轉換，以光信號進行傳輸信息的系統。光通信系統傳輸信號過程中，發射端通過激光器芯片進行電光轉換，將電信號轉換為光信號，經過光纖傳輸至接收端

4、，接 2/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 收端通過探測器芯片進行光電轉換，將光信號轉換為電信號。光纖接入、4G/5G 移動通信網絡和數據中心等網絡系統里，光芯片都是決定信息傳輸速度和網絡可靠性的關鍵。光芯片按功能分類光芯片按功能分類：分為激光器芯片和探測器芯片，其中激光器芯片主要用于發射信號，將電信號轉化為光信號，探測器芯片主要用于接收信號，將光信號轉化為電信號。激光器芯片，按出光結構可進一步分為面發射芯片和邊發射芯片，面發射芯片包括 VCSEL 芯片，邊發射芯片包括 FP、DFB 和 EML 芯片；探測器芯片，主要有 PIN 和 APD 兩類。

5、2、技術原理技術原理 激光器芯片：電轉光激光器芯片：電轉光。原理是以電激勵源方式，以半導體材料為增益介質，將注入電流的電能激發，通過光學諧振放大選模，從而輸出激光，實現電光轉換。增益介質與襯底主要為摻雜 III-V 族化合物的半導體材料，如 GaAs（砷化鎵）、InP（磷化銦）、Si（硅基）等。按按諧振腔制造工藝差異諧振腔制造工藝差異，激光器光芯片可分為邊發射激光器芯片（EEL）與面發射激光器芯片（VCSEL）兩類。EEL 在芯片兩側鍍光學膜形成諧振腔，光子經諧振腔選模放大后，將沿平行于襯底表面的方向形成激光；VCSEL 在芯片上下兩面鍍光學膜形成諧振腔，由于諧振腔與襯底垂直，光子經選模放大后

6、將垂直于芯片表面形成激光。EEL 又細分為又細分為 FP、DFB 和和 EML。FP、DFB 為獨立器件，通過控制電流的有無來調制信息輸出激光，被稱為直接調制激光器芯片（DML）。FP 激光器誕生較早，主要用于低速率短距離傳輸；DFB 在 FP激光器的基礎上采用光柵濾光器件實現單縱模輸出，主要用于高速中長距離傳輸。DML 通過調制注入電流來實現信號調制，注入電流的大小會改變激光器有源區的折射率，造成波長漂移從而產生色散，限制了傳輸距離；同時 DML 帶寬有限，調制電流大時激光器容易飽和，難以實現較高的消光比。EML 緩解了色散問題，由 EAM 電吸收調制器與 DFB 激光器集成，信號傳輸質量高

7、，易實現高速率長距離的傳輸。EZkXqWhVlYfWpNsQnO8O9R6MtRrRtRtQiNnNwOiNqQrO8OqRoOwMpMrMNZtRpM 3/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 探測器芯片：光轉電探測器芯片：光轉電。原理是通過光電效應識別光信號，轉化為電信號。光電效應是指在光照下，材料中的電子吸收光子的能量，若吸收的能量超過材料的逸出功，電子將逸出材料形成光電子，同時產生一個帶正電的空穴。探測器芯片又主要分為探測器芯片又主要分為 PIN 和和 APD。PIN 主要工作原理分為兩個步驟：光子照射在半導體材料上產生光生載流子、光電流在外部

8、電路作用下形成電信號并輸出。APD 光電二極管與 PIN 的區別在于在基礎結構中增加了雪崩區，使得光生載流子在雪崩區內的碰撞電離效應激發出新的電子空穴對，新產生的載流子通過電場加速，導致更多的碰撞電離產生，從而獲得光生電流的雪崩倍增。因此 APD 具有功率大、效率高的優點，缺點在于噪聲較大。3、制備難點制備難點 光芯片工藝流程復雜，外延生長為技術壁壘最高的環節光芯片工藝流程復雜，外延生長為技術壁壘最高的環節。以激光器芯片為例，光芯片的工藝流程可分為芯片設計、外延生長、晶圓制造、芯片加工與測試。區別于集成電路 IC 芯片，光芯片在芯片設計環節的附加值較低，核心技術集中于生產制造環節。在制造工藝上

9、，與電芯片側重于光刻工藝追求先進制程不同，光芯片性能的提升不完全依靠尺寸的減小，更注重外延結構設計與生長。襯底襯底：InP/GaAs 材料經提純、拉晶、切割、拋光、研磨制成單晶體襯底，用于外延生長。我國在 InP和 GaAs 襯底方面已基本具備進口替代的能力，根據 Yole，國產廠商北京通美北京通美在 2020 年已成為全球InP 襯底第二大供應商，市占率高達 35%，僅次于住友電工；在 2019 年全球 GaAs 襯底市場中占據 13%的市場份額，位居行業第三。4/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 外延生長外延生長：外延生長是指在襯底片表面生長單

10、晶多層二維狀結構，最終生長成 PN 結結構的過程。目前常用的外延生長工藝包括有機金屬化學氣相沉積 MOCVD、分子束外延 MBE。外延層的厚度、比例、缺陷控制等參數直接決定了光芯片的發射波長、效率、可靠性、老化等性能指標和良率，因此外延生長是光芯片制備過程中最重要的一環。外延工藝的核心壁壘在于外延工藝的核心壁壘在于：對材料的理解對材料的理解：外延片采用多層堆疊結構，各層材料的生長需受限于外延層和襯底材料晶格常數、熱膨脹系數等匹配要求，控制材料應變問題，這對外延層材料的選擇提出了較高的要求；工程制造能力工程制造能力：外延片對多層堆疊結構每層厚度的精準控制能力要求較高，通常需要在 1m以下且均勻；

11、對光電特性的理解對光電特性的理解：對激光的橫模與縱模、有源區量子阱等光特性的理解，以及對等效的電阻、寄生的電容電感等電特性的理解，均直接影響外延片的設計效率，及最終光芯片的電光轉換效率等核心性能；對設備的理解對設備的理解：外延開發需廠商投入大量時間調試機臺的條件參數，對時間成本和設備工程師的 Know-how 積累有較高的要求。5/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 晶圓制造晶圓制造：晶圓制造包括光柵制作、波導光刻、氧化物沉積、刻蝕等工序；其中，光柵工藝是在涂有光刻膠的基板上定義出光柵結構對應的掩膜圖形，再利用刻蝕技術將掩膜上的圖形轉移至襯底上形成最

12、終的光柵結構，會影響光芯片產品的出光功率、可靠性、極限工作溫度等性能參數，是光芯片晶圓制造的關鍵步驟之一。目前光柵工藝主要分為全息光柵工藝和電子束光柵工藝兩種。芯片加工與測試芯片加工與測試：包括解理鍍膜、封測分選、自動化芯片測試、芯片高頻測試、可靠性測試驗證測試等環節。光芯片的制備難度隨調制速率提升、特殊波長的選擇而增加光芯片的制備難度隨調制速率提升、特殊波長的選擇而增加。通過對比源杰科技源杰科技 25G DFB 和 2.5G DFB的生產工藝，可發現具有更高調制速率的光芯片制備難度更高。對設計和制造精度要求更高對設計和制造精度要求更高：25G DFB量子阱有源區堆疊層數更多，在保證芯片尺寸的

13、前提下對每一層外延生長參數精準控制的要求進一步提升，以及對諧振腔的幾何形狀、折射率分布等參數均需精準把控；對材料和設備的要求更高對材料和設備的要求更高：25G DFB必須使用電子束光柵設備進行光柵制作，對刻蝕、光刻機等設備性能要求更高；質量控制要求更嚴格質量控制要求更嚴格：25G DFB 的測試條件更加多維，整套生產工序超過 280 道，較中低速產品多出 50-70 道。從發射波長從發射波長看看，同一速率下不同波長光芯片的色散和光衰減速度并不相同。相較于 1310nm 和 1550nm 波長，10GPON 數據下傳和上傳所需的 1577nm 和 1270nm 波長光芯片的光信號色散代價大、光纜

14、損耗高，導致內部結構設計和生產難度加大。因此，要實現光通信芯片速率升級和多波長產品覆蓋，需要長期的研發投入和生產工藝經驗的積累。6/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 光芯片工藝層面標準化程度較低，光芯片工藝層面標準化程度較低，IDM 模式為主流模式為主流。光芯片側重于生產制造環節，其性能依賴于具體的制造工藝，這就決定了 IDM 模式（芯片設計-制造-封測全鏈條布局）在光芯片生產過程中優勢突出：IDM 模式使得光芯片設計與晶圓制造環節能夠相互反饋驗證、靈活調整參數，精準觸達產品設計、生產、測試中的任何問題；形成完整的閉環流程，保證工藝穩定性并有效防止

15、工藝 Know-how 外流。海外頭部廠商如 II-IV、Lumentum、住友電工等多均采用 IDM 模式，覆蓋芯片設計、外延生長、晶圓制造、芯片加工與測試全流程。4、未來技術方向未來技術方向（1）硅光技術硅光技術 傳統光模塊傳統光模塊：可調制、接收光信號，包含光發射組件、光接受組件、光芯片等器件，在磷化銦基底上利用封裝技術進行集成。硅光光模硅光光模塊塊：采用硅光子技術的光模塊。硅光技術是在硅和硅基襯底材料（如 Si,SiGe,SOI 等）上，利用 CMOS 工藝進行光器件開發和集成的新一代技術，其核心理念用激光束代替電子信號進行數據傳輸。逐漸從光子集成向光電集成發展，目前通信領域主要是光子

16、集成的硅光模塊。硅光模塊最大特點高度集成硅光模塊最大特點高度集成。硅光芯片通過硅晶圓技術，在硅基上制備調制器、接收器等器件，從而實現調制器、接收器、無源光學器件的高度集成。與傳統光模塊相比，硅光模塊存在成本低、工藝精度高、產業鏈成熟三大優勢與傳統光模塊相比，硅光模塊存在成本低、工藝精度高、產業鏈成熟三大優勢。成本低成本低：硅光芯片的襯底價格更低，其中 Si 襯底價格最低，為 0.2$/2，而 InP 襯底價格為 4.55$/2，是 Si 襯底價格的20 多倍。在功能晶圓價格方面，硅光芯片價格下降更為明顯。另外，傳統 InP 光模塊由于良率低、固定開支成本等原因導致其成本進一步上升。工藝精度高、

17、良率高工藝精度高、良率高：硅光芯片工藝精度可達 65-250nm，傳統光模塊工藝精度最多達到 300nm。硅光芯片良率大于 80%，而傳統光芯片良率不足 40%。產業鏈產業鏈成熟成熟：硅光模塊可使用目前較為成熟的 CMOS 集成電路產業，量大成本低。7/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告（2）薄膜鈮酸鋰薄膜鈮酸鋰 鈮酸鋰材料主要用于制作電光調制器，電光調制器可以將電信號轉化為光信號，并在光信號傳輸中實現鈮酸鋰材料主要用于制作電光調制器，電光調制器可以將電信號轉化為光信號，并在光信號傳輸中實現信號的調制，其他傳統的電光調制器還包括硅基電光調制信號的調制

18、，其他傳統的電光調制器還包括硅基電光調制器和磷化銦（器和磷化銦（InP）電光調制器，其中鈮酸鋰）電光調制器，其中鈮酸鋰性能優勢最為顯著，并在光通信等領域已被廣泛的應用和驗證性能優勢最為顯著，并在光通信等領域已被廣泛的應用和驗證。然而，鈮酸鋰電光調制器存在尺寸大、難以集成和驅動電壓高等缺點，薄膜鈮酸鋰便可以很好的解決這些缺點，通過將鈮酸鋰體材料薄膜化并鍵合到硅襯底上制備出絕緣體上薄膜鈮酸鋰（LNOI）材料，即通過“離子切片”的方式，從塊狀的鈮酸鋰晶體上剝離出鈮酸鋰薄膜，并鍵合到帶有二氧化硅緩沖層的硅晶片上。相比之下，薄膜鈮酸鋰調制器的相比之下，薄膜鈮酸鋰調制器的尺寸更小，帶寬更高，而薄膜鈮酸鋰材

19、料也有望使用于大規模的光子集成尺寸更小，帶寬更高，而薄膜鈮酸鋰材料也有望使用于大規模的光子集成。二二、驅動因素、驅動因素 當前新一輪以 AI 為代表的科技革命正席卷全球，OpenAI 開發的 ChatGPT 使得 AIGC 備受關注。而在AIGC 商業化應用加速落地的背景下，算力基礎設施的海量增長和升級換代將成為必然趨勢。算力基礎設施建設背景下，光芯片投資機會凸顯：首先，AIGC 等技術應用的背后是龐大的算力支撐，光纖接入、數據通訊等數據流量的高速增長將直接拉動光模塊增量，光芯片作為光模塊中最核心的器件將深度受益；其次，AIGC 的算力要求催生高速率、大帶寬的網絡需求，光模塊向更高速率演進，將

20、有力推動光芯片的技術升級和更新換代；再次，激光雷達等應用的快速落地也將有力推升光芯片的需求。1、光模塊市場規模穩步增長，光芯片深度受益光模塊市場規模穩步增長，光芯片深度受益 光模塊現階段主要應用于光通訊領域，根據光模塊現階段主要應用于光通訊領域，根據 LightCounting 數據測算，數據測算，2022 年全球光模塊市場規模年全球光模塊市場規模同比增長同比增長 14%，預計，預計 2022-2027 年全球光模塊市場年全球光模塊市場 CAGR 為為 10%，在，在 2027 年超過年超過 200 億美元億美元。整體來看在光通訊市場蓬勃發展的背景下，光模塊市場規模將穩步增長整體來看在光通訊市

21、場蓬勃發展的背景下，光模塊市場規模將穩步增長。按應用領域拆分后的數據，光模塊市場主要驅動因素為占比最高的兩塊，即以太網和 WDM。在數據中心內部業務中主要用以太網來承載通用計算業務，而 CWDM 與 DWDM 都是目前解決日益增長的信息傳輸帶寬容量的有效手段。LightCounting 預測光互聯將憑借有源光纜的發展在未來五年保持約 10%的復合增速，亦為整體光模塊市場貢獻一定增量。8/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 根據根據 LightCounting 數據測算，全球光芯片市場規模將從數據測算，全球光芯片市場規模將從 2022 年的年的 27

22、億美元增長至億美元增長至 2027 年的年的 56億美元，億美元，CAGR 為為 16%。從高速光模塊的發展趨勢來看，用于 PAM4 以太網和相干 DWDM 傳輸的DSP 尤為重要，并將持續助力光芯片市場增長。PAM4 光模塊的優勢在于可以直接用于嵌入式 DWDM網絡的交換機中，這對具有構建嵌入式 DWDM 數據網絡意義重大。光芯光芯片是光模塊的核心部件，根據片是光模塊的核心部件，根據 LightCounting 數據測算，光芯片占光模塊市場比重從數據測算，光芯片占光模塊市場比重從 2018 年約年約15%的水平到的水平到 2025 以后超過以后超過 25%的水平，呈上升趨勢的水平，呈上升趨勢

23、。光電子器件是光模塊的重要組成部分，光芯片的成本占比分布在低端器件、中端器件、高端器件上的數據大約分別為 20%、50%、70%。隨著通訊、AI 等產業對高性能光模塊的需求快速增長，光芯片將呈現量價齊升的增長趨勢。9/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 2、“寬帶中國寬帶中國”推動光纖網絡建設，高速寬帶開啟推動光纖網絡建設，高速寬帶開啟 10GPON 升級升級，拉動光拉動光芯片需求芯片需求 2021 年 11 月，工信部發布“十四五”信息通信行業發展規劃要求全面部署新一代通信網絡基礎設施，全面推進 5G 移動通信網絡、千兆光纖網絡、骨干網、IPv6、

24、移動物聯網、衛星通信網絡等的建設或升級；統籌優化數據中心布局，構建綠色智能、互通共享的數據與算力設施；積極發展工業互聯網和車聯網等融合基礎設施?！笆奈濉毙畔⑼ㄐ判袠I發展規劃指明信息基礎設施建設的目標，在規劃目標落地的過程中，光芯片需求量也將不斷增長。FTTx 光纖接入是全球光模塊用量最多的場景之一，而我國是光纖接入是全球光模塊用量最多的場景之一，而我國是 FTTx 市場的主要推動者市場的主要推動者。受制于電通信電子器件的帶寬限制、損耗較大、功耗較高等，運營商逐步替換銅線網絡為光纖網絡。目前，全球運營商骨干網和城域網已實現光纖化，部分地區接入網已逐漸向全網光纖化演進。PON（無源光網絡）技術是

25、實現 FTTx 的最佳技術方案之一，PON 是指 OLT（光線路終端，用于數據下傳）和 ONU（光網絡單元，用于數據上傳）之間的 ODN（光分配網絡）全部采用無源設備的光接入網絡，是點到多點結構的無源光網絡。PON 技術傳輸容量大，相對成本低，維護簡單，有很好的可靠性、穩定性、保密性，已被證明是當前光纖接入中非常經濟有效的方式，成為光纖接入技術主流。目前 PON 技術主要包括 APON/BPON、EPON、GPON 和 10G-PON 幾類，當前主流的 EPON/GPON 技術采用 1.25G/2.5G 光芯片，并向 10G 光芯片過渡。10G-PON 技術支持數據上下傳速率對稱 10Gbps

26、，能夠更好地滿足各類高速寬帶業務應用的接入網絡需求。10/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 3、車載激光雷達高增車載激光雷達高增，推動光芯片需求提升推動光芯片需求提升 激光雷達硬件可分為四大模塊激光雷達硬件可分為四大模塊。完整的激光雷達硬件包括掃描、發射、接收和控制四大模塊，掃描模塊控制光的傳播方向，掃描形式影響探測范圍和穩定性；發射模塊負責發射激光，光源及發射形式影響探測范圍深度；接收模塊探測器影響靈敏度，進而影響探測范圍；控制模塊進行算法處理，生成模型，輔助自動駕駛決策算法。輔助駕駛功能對更高感知精度的要求助推車載激光雷達市場發展輔助駕駛功能對

27、更高感知精度的要求助推車載激光雷達市場發展。激光雷達探測原理分為飛行時間（ToF）及調頻連續波（FMCW）方式。ToF 成熟度高，除激光器外主要部件采用 CMOS 工藝，成本可快速下降；而 FMCW 探測方式雖在性能上有一定優勢，但商用成本仍偏高。11/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 1550nm 激光器搭配激光器搭配 FMCW 信噪比更高，為未來發展方向信噪比更高，為未來發展方向。目前使用 905nm 光源的激光雷達最大探測距離集中在 150-200 米，接近人眼安全限制功率下極限測試距離。要實現更遠的探測距離需換成對人眼更安全的 1550nm

28、 光源，其使用的是價格較高的磷化銦材料，與砷化鎵探測器配對使用，其成本較高。FMCW 激光雷達能夠較好適配 1550nm 光源，其信噪比與傳輸光子總數成正比，而不依賴峰值功率，所需光源功率將大幅降至 100-150mW。在模擬霧氣中，FMCW 信噪比優于脈沖激光，體現了更好的探測性能與穩定性。激光雷達應用加速應用，推升光芯片巨量需求激光雷達應用加速應用，推升光芯片巨量需求。根據 LightCounting 數據，2021 年全球車載激光雷達市場規模僅為 1 億美元，而 2030 年將達到 156 億美元，期間 CAGR 高達 66%。近年來，搭載激光雷達的車型明顯增多，2021 年本田的 Va

29、leo 車型甚至搭載了 5 顆激光雷達，極大催生了激光雷達中光芯片的用量。12/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 三三、市場現狀市場現狀 1、光模塊企業眾多，光模塊企業眾多，利于光芯片產品的迭代升級和產品導入利于光芯片產品的迭代升級和產品導入 光芯片的下游客戶主要是光模塊、光傳輸系統設備廠商。最終客戶以電信運營商和互聯網、云計算廠商為主。光芯片產品的導入需要和光模塊廠商緊密配合。根據 LightCounting 報告，從 2010 年到 2021 年，國產光模塊全球市場份額持續提升，到 2021 年國產光模塊全球份額超過 50%。根據 LightC

30、ounting 發布的 2021 年全球 TOP10 光模塊供應商名單，前 7 名中有 5 家中國企業。在OFC2023 展會上，中際旭創中際旭創、新易盛新易盛、聯特科技聯特科技等國內廠商均推出了 800G 和 1.6T 光模塊。國內豐富的下游客戶資源，有利于我國光芯片產品的迭代升級和產品導入。2、國內光芯片產品開始向高端市場進階國內光芯片產品開始向高端市場進階（1）國產占優勢的國產占優勢的 PON 市場增速放緩，需要繼續深耕高價值產品市場增速放緩，需要繼續深耕高價值產品 目前國產光芯片 10G1270/1310/1490DFB 光芯片已經確立競爭優勢，但相關高價值產品卻仍需持續深耕。根據源杰

31、科技源杰科技招股說明書，10GPON 下行 1577EML 光芯片，由于需要提供更大的傳輸功率、更遠的傳輸距離、更小的信號噪聲，使得光信號傳輸質量更高，相關芯片設計與工藝開發復雜，國產化率低，僅博通博通、住友電工住友電工、三菱電機三菱電機等國際少數頭部廠商能夠批量供貨，國內光芯片廠商中海信寬帶海信寬帶等可以部分實現自產自用。（2）25G 光芯片是國產光芯片進入數通市場的關鍵光芯片是國產光芯片進入數通市場的關鍵 根據 ICC 預測，2019-2024 年，中國光芯片廠商銷售規模占全球光芯片市場的比例將不斷提升，且產品結構不斷升級。10G、25G 及以上光芯片有較大的提升空間。13/24 2023

32、 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 25G 及以上光芯片方面，隨著 5G 建設推進，我國光芯片廠商在應用于 5G 基站前傳光模塊的 25G DFB激光器芯片有所突破，數據中心市場光模塊企業開始逐步使用國產廠商的 25G DFB 激光器芯片，2021年 25G 光芯片的國產化率約 20%，但 25G 及以上光芯片的國產化率仍較低約 5%，目前仍以海外光芯片廠商為主。目前國內光芯片企業積極開發 25G 光芯片產品，源杰科技源杰科技、光迅科技光迅科技、仕佳光子仕佳光子、海信寬帶海信寬帶等企業都有相關業務布局。其中源杰科技在其招股說明書中指出，公司的 25G CWDM4/

33、LWDM4 波段 DFB 激光器芯片，基本優于或達到同行業先進競品水平，能夠滿足下游客戶的需求。25G 是數通市場破局抓手，是數通市場破局抓手，50G EML 是未來市場份額提升關鍵是未來市場份額提升關鍵。因為 400G 和 800G 光模塊相繼進入規模部署期，50G PAM EML 廣泛用于單通道 100G 的 100G/200G/400G 光模塊，目前主流的800G 光模塊也采用了 8 100G 的架構。14/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 四四、產業格局、產業格局 1、低速率國內占優低速率國內占優，高速率海外主導高速率海外主導 2.5G/1

34、0G 芯片：國產化水平較高，但部分型號產品仍存在較高技術門檻芯片：國產化水平較高，但部分型號產品仍存在較高技術門檻。2021 年 2.5G 國產光芯片占全球比重超過 90%，其中源杰科技源杰科技市占率 7%；2021 年 10G 國產光芯片占全球比重約 60%，其中 2021年全球 10G DFB 激光器芯片市場中，源杰科技發貨量占比為 20%。但是部分型號國產化率依然較低（10G VCSEL/EML 激光器芯片等，國產化率不到 40%）25G 及以上光芯片：目前主要依賴海外，未來國內滲透率有望快速增長及以上光芯片：目前主要依賴海外，未來國內滲透率有望快速增長。受到工藝穩定性、可靠性、供貨能力

35、及下游客戶認證等因素影響，我國的光模塊或光器件廠商仍然是優先采購海外的高速率光芯片。根據 ICC 統計，25G 光芯片的國產化率約 20%，但 25G 以上光芯片的國產化率仍較低約 5%。15/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 2、國內廠商快速崛起，不斷提升全球份額國內廠商快速崛起，不斷提升全球份額 在中美貿易關系存在較大不確定因素的背景下，目前國內企業已經開始測試并驗證國內的光芯片產品?；A電子元器件產業發展行動計劃（2021-2023 年）等一系列產業政策，要求提升光通信器件的供給保障能力，提高核心光電子芯片國產化，降低對進口芯片的依賴。我國光

36、芯片產業正在快速崛起我國光芯片產業正在快速崛起。從 2019 年至 2021 年，我國 2.5G 及/10G/25G/25G 以上速率光芯片占全球光芯片市場比例已經從 89%/46%/7%/0%提升到 94%/57%/22%/4%。五、國產替代五、國產替代 1、政策加碼，行業國產替代迎重要發展機遇政策加碼，行業國產替代迎重要發展機遇 近年來相關政策頻出，國產替代迎來重要發近年來相關政策頻出，國產替代迎來重要發展機遇展機遇。伴隨近年來中美貿易摩擦等因素影響，國家層面聚。伴隨近年來中美貿易摩擦等因素影響，國家層面聚焦于加強光電子技術產業布局焦于加強光電子技術產業布局：2017 年 12 月，中國電

37、子元件行業協會發布了中國光電子器件產業技術發展路線圖（2018-2022 年），在分析產業發展現狀的基礎上，提出了發展思路與發展目標，并明確了光芯片領域的重點發展產品，為行業發展定下了重要基調，行業由此開啟迎來了重要發展期，國產替代開始全速推進。2021 年 3 月，工信部發布基礎電子元器件產業發展行動計劃（2021-2023 年，對于光通信領域，強調了要重點發展高速光通信芯片、高速高精度光探測器、高速直調和外調制激光器、高速調制器芯片、高功率激光器、光傳輸用數字信號處理器芯片、高速驅動器和跨阻抗放大器芯片。2022 年 6 月，在中國光電子器件產業技術發展路線圖（2018-2022 年）的基

38、礎上，工信部進一步開啟編制中國光電子器件產業技術發展路線圖（2023-2027 年），行業加速邁入下一個高速發展期。16/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 2、中低端產品國產替代持續深入，高端替代加速啟動，頭部中低端產品國產替代持續深入，高端替代加速啟動，頭部 廠商發展動廠商發展動力足力足 2017 年 12 月發布的中國光電子器件產業技術發展路線圖（2018-2022 年）中針對部分中高端激光器芯片給出了 2020 年及 2022 年的發展目標，雖然當前整體進度與目標有一定差距，但近年來國內廠商仍持續取得突破。整體來看，從產品的角度，當前 10G

39、 及以下的中低端產品國產程度已經較高，25G 已有少部分廠商能批量發貨，25G 以上處于研究或小規模試產階段，近年來頭部廠商在高端產品領域的進展加速明顯。從應用領域的角度，當前國內廠商在電信市場的光纖接入和無線接入領域參與程度較高，同時在以中高端需求為主的數通市場也開始加速推進。從外延能力角度，雖然國內廠商激光器芯片核心的外延技術整體仍 17/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 有較大提升空間，高端的外延片仍需要向國際外延廠采購，但同時也可以看到越來越多的光芯片廠商開始強化自身的外延能力，開始向 IDM 模式發展。因而，技術能力突出聚焦高端產品國產替

40、代，具備自主外延設計和制備能力以 IDM 模式發展的國內廠商競爭優勢顯著，有望迎來重要發展機遇。伴隨高端產品開啟國產替代&數通領域滲透啟動，行業有望充分打開未來成長空間。首先，從產品角度，首先，從產品角度，10G 及以下的中低端芯片國產替代持續深入，國產化程及以下的中低端芯片國產替代持續深入，國產化程 度已經較高度已經較高。國內廠商基本掌握了 2.5G 和 10G 產品的核心技術，除了部分型號產品（如 10G EML 激光器芯片）國產化率相對較低，大部分產品已基本實現國產化替代。具體來看根據 ICC 咨詢統計，中低端中低端 2.5G 及以下及以下 DFB/FP：基本全由國內廠商主導，市場份額相

41、對分散整體競爭激烈，國外廠商出于成本等因素的考慮已基本退出了相關市場，2021 年國產的相關產品占全球市場比重超 90%；10G DFB：國內廠商同樣份額居前，2020 年源杰科技源杰科技以 20%的市占率居首，云嶺光電云嶺光電/中電中電 13 所所/中科光芯中科光芯分居 35 位，國產占全球市場比重約 60%。從高端的激光器芯片（如 25G DFB，10G/25G/50G EML 等）情況來看，雖然根據 ICC 統計，2020 年，25G 光芯片的國產化率約 20%，25G 以上光芯片的國產化率仍較低約 5%。但可以明顯看到，近年來技術實力相對強勁的國內頭部廠商進展明顯迅速，用于 5G 前傳

42、的 25G DFB、用于光纖接入的 10G EML 國產替代進程加速度明顯，同時 50G EML 也開始推進。光迅科技光迅科技：光芯片領域積淀深厚，2016 年增資大連藏龍并與法方合資成立 almae（專注高端 EML 芯片研發），同時與 2017 年公司牽頭成立的國家級光電子創新中心緊密合作，目前創新中心已擁有高端芯片技術研發平臺和集成光電研發平臺，是國內最具產業化實力的 InP、GaAs 以及硅光等光通信光電芯片的設計和工藝平臺，在-族高端光電芯片技術和工藝、硅光集成芯片設計和測試、高速光系統設計和驗證等方面擁有強大的創新能力。根據公司公告，當前 25G DFB 芯片七成自供。25G EM

43、L 內部測試通過，下一步將商用。50G EML 內部研發基本完成，測試指已達預期目標，正在推進商業化進度。仕佳光子仕佳光子：根據公司公告，2.5G/10G DFB 處于可量產階段，部分產品通過了大客戶多批次 5000 小時的可靠性驗證，開始批量交付，2021 年累計出貨超千萬顆。25G DFB 已處于客戶認證中。源杰科技源杰科技：公司在 DFB 激光器芯片領域整體居國內領先地位，25G DFB 業務加速推進，根據公司公告，25G DFB 在 2020 年和 2021 年分別實現 1.01 億元和 0.36 億元營業收入，營收占比 43.1%和 15.6%。其次，從應用領域的角度，國內廠商的產品

44、當前主要集中在電信市場的光纖接其次，從應用領域的角度，國內廠商的產品當前主要集中在電信市場的光纖接 入和無線接入領域，并入和無線接入領域，并開始嘗試突破以高端產品需求為主導的數通市場開始嘗試突破以高端產品需求為主導的數通市場。數通市場數通市場：迭代速度更快，對產品性能要求相對更高，25G 及以上的高端激光器芯片需求占比較高，相關產品國產化率相對不高，同時考慮到工藝穩定性、可靠性、供貨能力及下游客戶認證等因素，下游最 18/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 終客戶 海外云巨頭當前主要指定光模塊廠商采購海外激光器芯片。伴隨未來國內廠商高端產品領域實力強

45、化&國內云巨頭需求的進一步提升，國內廠商的國產替代空間大。電信市場電信市場：應用場景較多集中在光纖接入和無線接入領域，光纖接入下游 PON 光模塊，以博創科技博創科技、光迅科技光迅科技、華工科技華工科技等為代表的國內光模塊廠商為主導，當前市場競爭激烈，價格敏感。需求以 10G 及以下的激光器芯片為主，相關產品大多國內已能自給自足，國外廠商出于成本等因素逐漸退出相關市場。無線接入領域，需求則以 10G 和 25G 的激光器芯片為主導。再者，外延作為光芯片最為核心的環節，雖然國內廠商外延技術相對仍不成熟，再者，外延作為光芯片最為核心的環節，雖然國內廠商外延技術相對仍不成熟，但當前正加速強化自但當前

46、正加速強化自身外延能力身外延能力。一方面，較之海外以 II-VI、Lumentum、Avago、住友、MACOM 等為代表的海外頭部廠商，國內廠商普遍具有除晶圓外延環節以外的后端加工能力，而最核心的外延技術相對仍不成熟，高端外延片目前仍主要外采。另一方面，當前國內廠商正加速強化自身的外延能力，除了一些原本外延能力就較強的廠商外，一些傳統聚焦于芯片后段工藝的廠商近年來也開始完善自身的外延能力，在一些低端芯片領域實現完全的 IDM 模式生產。六、產業鏈分析六、產業鏈分析 光芯片產業鏈大致分為襯底、光通信激光器芯片（外延/芯片設計/芯片制造）、有源器件、光模塊、下游最終客戶等幾大環節。光芯片行業上游

47、主要為原材料和生產設備供應商，光芯片行業中游主要為下游光模塊廠商提供有源光芯片和無源光芯片。隨著光電半導體產業的蓬勃發展，光芯片已經廣泛應用于通信、工業、消費等眾多領域。19/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 光芯片的生產工藝包括芯片設計、基板制造、磊晶成長、晶粒制造、封裝測試共五個主要環節光芯片的生產工藝包括芯片設計、基板制造、磊晶成長、晶粒制造、封裝測試共五個主要環節。多數中國企業主要集中在芯片設計環節，而全球能夠實現高純度單晶體襯底批量生產的企業主要為海外企業。磊晶生長/外延片是光芯片行業技術壁壘最高的環節，成熟技術工藝主要集中于中國臺灣以及

48、美日企業。晶粒制造和封裝測試環節主要集中在中國臺灣。光芯片生產采用的各工藝綜合性更強，龍頭廠商多采用光芯片生產采用的各工藝綜合性更強，龍頭廠商多采用 IDM 經營模式經營模式。邏輯芯片廠商中，新進入的企業多采用 Fabless 模式，以此減少資本投入，將更多資源集中投入研發。光芯片行業廠商多采用 IDM 模式，因為光電子器件遵循特色工藝，器件價值提升不完全依靠尺寸縮小，而有賴于功能增加。IDM 模式更有利于各環節自主可控，能及時響應各類市場需求，靈活調整生產計劃，高效排查問題原因，從而提升芯片性能，滿足下游客戶需求。磊晶生成的外延片質量是決定光芯片性能的關鍵因素，是廠商競爭優勢及技術實力的核心

49、體現磊晶生成的外延片質量是決定光芯片性能的關鍵因素，是廠商競爭優勢及技術實力的核心體現。MOCVD 和 MBE 是兩種主要的磊晶生長方式，其中 MOCVD 是以有機化合物作為晶體生長原材料，在襯底上進行氣相外延；而 MBE 是將需要生長的單晶物質按元素的不同分別放在噴射爐中，通過加熱使元素噴射的分子流在襯底上長出晶格結構，技術難度較高。20/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 光芯片制造準入門檻高光芯片制造準入門檻高。光芯片使用的 III-V 族半導體材料要求芯片設計與晶圓制造環節相互反饋與驗證，需要獨特的設計結構并優化制造工藝。光芯片制造涉及的流程

50、長，需要長時間積累相關技術、經驗與管理制度。因此，對光芯片商用化制造能力提出嚴苛的要求，提高了制造準入門檻。激光芯片廠商持續提升產品輸出功率，鞏固競爭實力激光芯片廠商持續提升產品輸出功率，鞏固競爭實力。以國產高功率半導體激光芯片廠商長光華芯長光華芯為例，2012 年成立以來，不斷推出高亮度單管芯片，2019 年推出 15W 單管芯片，2020 年推出 18W、25W 單管芯片，2021 年實現 30W 單管芯片量產，產品持續向更高功率段迭代。七七、相關相關企業企業 1、源杰科技源杰科技：國產光芯片領先廠商，數通和電信市場雙輪驅動：國產光芯片領先廠商，數通和電信市場雙輪驅動 持續深耕光芯片領域，

51、多年積累建立持續深耕光芯片領域，多年積累建立 IDM 全流程業務體系全流程業務體系。源杰科技成立于 2013 年，公司自成立以來始終聚焦于光芯片行業，主營業務為光芯片的研發、設計、生產與銷售，目前公司產品涵蓋從 2.5G到 100G 磷化銦激光器芯片。公司產品廣泛應用于光纖到戶、數據中心與云計算、4G/5G 移動通信網絡、通信骨干網絡和工業物聯網等終端賽道。公司產品已實現向海信寬帶、中際旭創、博創科技、銘普光磁等國際前十大及國內主流光模塊廠商批量供貨，產品用于中興通訊、諾基亞等國內外大型通訊設備商，并最終應用于中國移動、中國聯通、中國電信、AT&T 等國內外知名運營商網絡中。經過多年研發與產業

52、化積累，公司已建立了包含芯片設計、晶圓制造、芯片加工和測試的 IDM 全流程業務體系。目前公司的主要產品為光芯片，主要應用于電信市場、數據中心市場、車載激光雷達市場等領域目前公司的主要產品為光芯片，主要應用于電信市場、數據中心市場、車載激光雷達市場等領域。在電信市場中，光纖接入主要應用 2.5G/10G 的激光器芯片。移動通信網絡主要用 10G/25G 激光器芯片。數據中心類主要用 25G/50G 的激光器系列產品和大功率硅光光源產品，100G EML 芯片已給下游終端客戶送樣。在車載激光雷達領域，產品涵蓋 1550 波段車載激光雷達激光器芯片等產品。2022 年公司實現營業收入年公司實現營業

53、收入 2.83 億，同比增長億，同比增長 21.89%。公司實現歸母凈利潤 1.00 億元，同比增長5.28%。電信市場營收為 2.37 億，占營收比例為 83.73%，同比增長 19.26%。數據中心及其他業務營收為 0.45 億，占總營收比例為 16.28%，較上年同期增長 33.69%。增長的主要原因是 25G DFB 激光器芯片逐漸得到下游客戶的認可，實現批量出貨。2023 年一季度營收為 0.35 億，同比下降 40.6%，歸母凈利潤為 0.12 億，同比下降 49.68%，主要原因是光纖接入、數據中心等市場的光芯片需求表現不佳，下游客戶減少采購，且高毛利產品銷售占比減少。21/24

54、 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 2、長光華芯：國產激光芯片龍頭，布局數據中心光芯片長光華芯：國產激光芯片龍頭，布局數據中心光芯片 長光華芯專注于半導體激光芯片的研發、設計及制造，主要產品包括高功率單管系列產品、高功率巴條系列產品、高效率 VCSEL 系列產品及光通信芯片系列產品等，逐步實現高功率半導體激光芯片的國產化。公司產品可廣泛應用于：光纖激光器、固體激光器及超快激光器等光泵浦激光器、直接半導體激光輸出加工應用、激光智能制造裝備、國家戰略高技術、科學研究、醫學美容、激光雷達、機器視覺定位、智能安防、消費電子、3D 傳感與攝像、人臉識別與生物傳感等

55、領域。2023 年 5 月，公司發布了單波 100Gbps（56Gbaud 四電平脈沖幅度調制(PAM4)）電吸收調制器激光二極管（EML）芯片，支持四個波長的粗波分復用（CWDM），達到了使用 4 顆芯片實現 400Gbps 傳輸速率，或 8 顆芯片實現 800Gbps 傳輸速率的應用目標，產品可用于 400G/800G 超算數據中心互連光模塊。2022 年受到全球經濟增速放緩等宏觀因素影響，激光器下游行業資本開支放緩，激光器市場需求較為疲軟，公司實現營收 3.86 億，同比下降 10.13%。雖然公司營收略有下降，但總體保持較好的產品結構和毛利水平，高功率單管系列實現毛利率 48.80%，

56、同比+0.64pct；高功率巴條系列實現毛利率 79.92%，同比+0.55pct。但 VCSEL 芯片系列毛利降幅較大，為 26.75%，同比-35.73pct，主要由于產品處于小批量導入階段，毛利受相應的產品結構構成影響。2023 年一季度公司實現營收 0.9 億元，同比下降 19.3%。3、仕佳光子：無源強者，有源仕佳光子：無源強者，有源 25G 光芯片在驗證光芯片在驗證 22/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 公司聚焦光通信行業，主營業務覆蓋光芯片及器件、室內光纜、線纜材料三大板塊公司聚焦光通信行業，主營業務覆蓋光芯片及器件、室內光纜、線纜

57、材料三大板塊。公司系統建立了覆蓋芯片設計、晶圓制造、芯片加工、封裝測試的 IDM 全流程業務體系。光芯片及器件產品包括 PLC 分路器芯片系列產品、AWG 芯片系列產品、DFB 激光器芯片系列產品、光纖連接器、隔離器和平行光組件系列產品。數據中心 AWG 系列有 100G/200G/400G/800G 高速光模塊的 AWG 組件和平行光組件；用于數據中心之間互聯的 400GZR 相干傳輸的 DWDMAWG 模塊。400GAWG 已有小批量應用，800GAWG 組件及平行光組件正在送樣驗證。激光器芯片產品有 2.5G DFB 和 10G DFB，CWDFB（硅光用大功率），特殊波長光源等。2.5

58、G、10G激光器芯片處于可量產階段，截止到 22 年 6 月 25G 激光器芯片正在客戶的驗證中。4、光迅科技：光芯片光模塊一體化光迅科技：光芯片光模塊一體化 公司主要產品有光電子器件、模塊和子系統產品，按應用領域可分為傳輸類、接入類、數據通信類公司主要產品有光電子器件、模塊和子系統產品，按應用領域可分為傳輸類、接入類、數據通信類。公司擁有從芯片、器件、模塊到子系統的垂直集成能力，擁有光芯片、耦合封裝、硬件、軟件、測試、結構和可靠性七大技術平臺，支撐公司有源器件和模塊、無源器件和模塊產品。截至 2022 年 8 月 DFB 低速率芯片全部自供；25G DFB 大概 70%可以自供，20%+外購

59、，但有些特殊波長、功率還需要外購；25G EML 內部測試通過，在做商業化和良率提升；25G vcsel 芯片已量產。有源光芯片的研發方向包括 25G/50G 的 DFB/EML 以及高端探測器。23/24 2023 年年 8 月月 4 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 5、光庫科技：鈮酸鋰調制器有望份額提升光庫科技：鈮酸鋰調制器有望份額提升 公司專業從事光纖器件、鈮酸鋰調制器件及光子集成器件的設計、研發、生產、銷售公司專業從事光纖器件、鈮酸鋰調制器件及光子集成器件的設計、研發、生產、銷售。包括三大產品系列：光纖激光器件主要產品包括隔離器、合束器、光纖光柵、激光輸出頭等，主要應用于光

60、纖激光器、激光雷達、無人駕駛等領域。光通訊器件包含兩個部分，隔離器、波分復用器等用于密集波分，跳線、尾纖、MPO 連接器等用于數通。鈮酸鋰調制器件主要產品包括 400/600Gbps、100/200Gbps 鈮酸鋰相干調制器、10Gbps 零啁啾強度調制器等，主要應用于超高速干線光通信網、超高速數據中心等。鈮酸鋰電光調制器主要用在 100Gbps 以上直至 1.2Tbps 的長距骨干網相干通訊和單波 100/200Gbps 的超高速數據中心上。公司在建 8 萬件鈮酸鋰調制器芯片及器件產能。八、八、市場前景市場前景 1、低速率光芯片市場接近飽和，高速率光芯片前景廣闊低速率光芯片市場接近飽和，高速

61、率光芯片前景廣闊 目前國內低速率光芯片市場呈現高度競爭的格局，已有 30 多家企業實現了 10G 及以下光芯片的銷售，市場價格戰激烈，頭部廠商有明顯規模優勢和優質客戶資源優勢，低速率芯片市場趨近飽和。在這樣的市場環境下，低速芯片價格每年下降 15%-20%的趨勢，導致企業利潤空間逐漸收縮，因此中小企業或初創企業難以存活。而高速率光芯片市場來看，對外依存度較高高速率光芯片市場來看，對外依存度較高。25G 及以上速率屬于高速率光芯片，目前由歐美日領先企業占主導，Oclaro、Avago、NeoPhotonics 等具備 50G EML 芯片能力，DFB 和 VCSEL 激光器芯片大規模商用的 x

62、高速率已達到 50G，Finisar、AAOI、Oclaro 具備 50G PAM4 DML 芯片的能力。國內與海外產業領先水平存在一定差距?？紤]到當前光芯片主要應用場景包括光纖接入、4G/5G 移動通信網絡、數據中心等，都處于速率升、代際更迭的關鍵窗口期，在對高速傳輸需求不斷提升背景下，未來 25G 以上速率光模塊所使用的光芯片占比將逐漸擴大，到 2025 年，整體市場空間將達 43.40 億美元，年均復合增長率將達到 21.40%。2、政策引導及信息應用推動需求快速增長、政策引導及信息應用推動需求快速增長 光芯片目前已廣泛應用于通信、工業、消費、照明等領域，下游市場不斷拓展光芯片目前已廣泛

63、應用于通信、工業、消費、照明等領域，下游市場不斷拓展。受益于信息應用流量需求的增長和光通信技術的升級，光模塊作為光通信產業鏈最為重要的器件保持持續增長，光芯片作為光 24/24 2023 年年 8 月月 4 日日行業行業|深度深度|研究報告研究報告 模塊核心元件有望持續受益。2021 年 11 月，工信部發布”十四五”信息通信行業發展規劃要求全面部署新一代通信網絡基礎設施，全面推進 5G 移動通信網絡千兆光纖網絡、骨千網、IPv6、移動物聯網、衛星通信網絡等的建設或升級；統籌優化數據中心布局，構建綠色智能、互通共享的數據與算力設施；積極發展工業互聯網和車聯網等融合基礎設施。在規劃目標落地的過程

64、中，光芯片需求量也將不斷增長。3、光芯片行業將深度受益于國產化替代機遇、光芯片行業將深度受益于國產化替代機遇光芯片下游直接客戶為光模塊廠商，近年來，我國光模塊廠商在技術、成本、市場、運營等方面的優勢逐漸凸顯，占全球光模塊市場的份額逐步提升。根據 LightCounting 的統計，2020 年我國廠商中已有中際旭創中際旭創、華為華為、海信寬帶海信寬帶、光迅科技光迅科技、新易盛新易盛、華工正源華工正源進入全球前十大光模塊廠，光通信產業鏈逐步向國內轉移，同時中美貿易摩擦及芯片國產化趨勢，將促進產業鏈上游國內光芯片的市場需求。九、參考研報九、參考研報 1.東方證券-電子行業深度報告：算力需求提升，光

65、芯片正揚帆2.國金證券-電子行業深度研究：人工智能加速落地，光芯片與光模塊開啟高景氣周期3.國聯證券-通信行業：國產光芯片進入高端市場，開啟廣闊增長空間4.中信證券-通信行業深度報告：從安全視角看運營商云計算及光芯片產業機遇5.國泰君安-通信設備及服務行業光芯片系列專題一：流量爆發時代瑰寶，光芯片高成長賽道6.西南證券-人工智能行業專題：光芯片，AI 時代“芯”核心7.中金公司-科技行業硬科技前沿系列：“芯”光璀璨，光芯片點亮未來高速連接與計算8.天風證券-半導體行業：AI 算力系列之光通信用光芯片，受益流量增長和全球份額提升9.中銀國際-通信行業周報：國產替代推進，光芯片迎發展機遇10.民生證券-光芯片行業系列深度一：臥薪嘗膽國產光芯片持續滲透，厚積薄發中高端產品替代加速啟動11.東方證券-電子行業動態跟蹤：多重邏輯共振，光芯片高增長可期免責聲明：以上內容僅供學習交流，不構成投資建議。