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1、 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 證券研究報告 存儲行業已處周期底部，新需求加速拐點到來 Table_IndNameRptType 半導體半導體 行業研究/深度報告 行業評級：增持行業評級：增持 報告日期：2023-09-16 Table_Chart 行業指數與滬深行業指數與滬深 300 走勢比較走勢比較 Table_Author 分析師：分析師：陳耀波陳耀波 執業證書號：S0010523060001 電話：13560087214 郵箱： Table_Report 主要觀點：主要觀點：Table_Summary 存儲廠商盈利能力揭示當前存儲行業處于周期底部位置存儲廠商盈利能力揭示當前存儲行業處

2、于周期底部位置 由于庫存水位升高，許多廠商通過產品降價刺激庫存消耗。根據美光近期盈利狀況，CY23Q1 毛利率為-32.66%，近年來首次為負值，CY23Q2 毛利率為-17.8%，環比上升 14.86pct。根據三星披露的二季度財報，其 DS 部門第二季度營業虧損 4.36 萬億韓元，一季度虧損4.58 萬億韓元，多家機構預計三星 DS 部門全年營業虧損將超過 10 萬億韓元。龍頭廠商龍頭廠商減產與削減投資減產與削減投資，供給端供給端實現邊際改善實現邊際改善，有望夯實周期底部，有望夯實周期底部 由于 2022 年下游市場需求疲軟，美光與 SK 海力士計劃削減 2023 年資本支出 40%50

3、%不等，并對存儲芯片進行減產。2023 年 6 月，美光宣布將 DRAM 和 NAND 晶圓開工率進一步減少至近 30%；SK 海力士于 2023 年 7 月宣布擴大減產 NAND Flash；三星已在 2023 年 4 月宣布對存儲芯片減產，并在 7 月宣布決定延長減產計劃。手機手機市場逐步復蘇市場逐步復蘇，AI 服務器帶來全新服務器帶來全新價值價值增量增量 2023 年，隨著手機庫存去化逐漸成效，并受益于下一代 iPhone 容量規格提高，TrendForce 預測 2023 年手機 DRAM 平均用量同比增長6.7%，優于 2022 年的 3.9%，同時 2023 年智能手機 NAND

4、搭載容量年成長仍能維持 22.1%的高水位。據 TrendForce 數據，AI 服務器平均容量可達 1.21.7TB，預估 2023 年 AI 服務器出貨量近 120 萬臺，年增率近 38%。AI 服務器除原有 DRAM 外還會用到 HBM，因此帶來全新價值增量。DRAM 價格跌幅收窄，部分存儲產品有望于價格跌幅收窄，部分存儲產品有望于 23Q3 漲價漲價 受益于 DRAM 廠商的減產以及季節性需求支撐，存儲廠商庫存壓力得到減輕，TrendForce 預估第三季度 DRAM 均價跌幅將收斂至 05%。從價格走勢來看，DRAM 現貨價格走勢與存儲廠商股價呈現一定關聯性，兩者走勢相似。當現貨價格

5、跌幅開始收窄時，股價便開始筑底反彈。此外，DRAM/NAND 廠商的價格走勢與 NOR 廠商方向一致，但幅度會有所差異。根據 TrendForce 數據，7 月 DRAM 平均固定交易價格環比下跌 1.47%，降幅較 6 月份的下跌 2.86%進一步收窄，并且在現貨市場，有部分 DRAM 產品已經止跌，連續兩個月持平。因此，隨著 DRAM 現貨價格跌幅收窄，預計存儲板塊也將逐步復蘇，迎來投資機會。建議關注建議關注 兆易創新、北京君正、普冉股份、東芯股份、聚辰股份等。風險提示風險提示 下游復蘇不及預期風險、存儲價格反彈不及預期風險、龍頭減產不及預期風險。-29%-19%-8%3%13%24%9/

6、2212/223/236/23半導體滬深300Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 2/21 證券研究報告 正文正文目錄目錄 1.存儲芯片市場空間廣闊，發展前景良好存儲芯片市場空間廣闊，發展前景良好.4 2 存儲已處于周期底部，有望迎來拐點存儲已處于周期底部，有望迎來拐點.5 2.1 供給端：廠商減產與削減投資帶來供給端邊際改善供給端：廠商減產與削減投資帶來供給端邊際改善.5 2.2 需求端：手機單機容量提升，需求端：手機單機容量提升，AI 服務器帶來全新增量服務器帶來全新增量.6 2.3 價格端：價格端：DRAM 價格跌幅收窄，部分存儲產

7、品有望于價格跌幅收窄，部分存儲產品有望于 23Q3 實現漲價實現漲價.9 3 國內廠商聚焦利基存儲，國產替代空間廣闊國內廠商聚焦利基存儲，國產替代空間廣闊.10 3.1 存儲行業國產替代空間廣闊存儲行業國產替代空間廣闊.10 3.2 國內部分領先存儲廠商介紹國內部分領先存儲廠商介紹.12 風險提示：風險提示：.20 fYmNyRvMpMbUaQdN6MpNqQnPsRfQqQyRlOqRzR9PrQrQuOrRsQuOmNsQTable_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 3/21 證券研究報告 圖表目錄圖表目錄 圖表圖表 1 全球半導體細分行業市場

8、規模占比全球半導體細分行業市場規模占比.4 圖表圖表 2 全球半導體與存儲芯片市場增速變化全球半導體與存儲芯片市場增速變化.4 圖表圖表 3 DRAM/NAND/NOR 市場規模與發展趨勢市場規模與發展趨勢.5 圖表圖表 4 三星三星/SK 海力士海力士/美光占據存儲主要市場美光占據存儲主要市場.6 圖表圖表 5 存儲廠商毛利率走勢與存儲周期同步存儲廠商毛利率走勢與存儲周期同步.6 圖表圖表 6 龍頭廠商減產與削減投資計劃龍頭廠商減產與削減投資計劃.6 圖表圖表 7 DRAM 下游應用領域占比下游應用領域占比.7 圖表圖表 8 NAND 下游應用領域占比下游應用領域占比.7 圖表圖表 9 全球

9、智能手機單季度出貨量全球智能手機單季度出貨量.7 圖表圖表 10 全球智能手機全球智能手機 DRAM 平均單機容量平均單機容量.7 圖表圖表 11 全球半導體與存儲芯片市場增速變化全球半導體與存儲芯片市場增速變化.8 圖表圖表 12 HBM 是是 AI 服務器所帶來的全新增量服務器所帶來的全新增量.8 圖表圖表 13 HBM 通過中介層（通過中介層（INTERPOSER）與）與 GPU 連接連接.8 圖表圖表 14 全球全球 HBM 市場規模市場規模.9 圖表圖表 15 TRENDFORCE預計部分存儲產品將于預計部分存儲產品將于 2023Q3 漲價漲價.9 圖表圖表 16 DRAM 現貨價格

10、與廠商股價走勢相似現貨價格與廠商股價走勢相似.10 圖表圖表 17 三類存儲芯片全球主要廠商三類存儲芯片全球主要廠商.11 圖表圖表 18 主要存儲廠商產品布局情況主要存儲廠商產品布局情況.11 圖表圖表 19 兆易創新產品營收結構兆易創新產品營收結構.12 圖表圖表 20 兆易創新營業收入及增速兆易創新營業收入及增速.12 圖表圖表 21 兆易創新歸母凈利潤及增速兆易創新歸母凈利潤及增速.14 圖表圖表 22 兆易創新產品進展兆易創新產品進展.14 圖表圖表 23 北京君正產品營收結構北京君正產品營收結構.16 圖表圖表 24 北京君正營業收入及增速北京君正營業收入及增速.16 圖表圖表 2

11、5 北京君正歸母凈利潤及增速北京君正歸母凈利潤及增速.17 圖表圖表 26 北京君正產品進展北京君正產品進展.17 圖表圖表 27 東芯股份產品營收結構東芯股份產品營收結構.19 圖表圖表 28 東芯股份營業收入及增速東芯股份營業收入及增速.19 圖表圖表 29 東芯股份歸母凈利潤及增速東芯股份歸母凈利潤及增速.12 圖表圖表 30 東芯股份產品進展東芯股份產品進展.12 圖表圖表 31 普冉股份普冉股份 2022 年產品營收結構年產品營收結構.14 圖表圖表 32 普冉股份營業收入及增速普冉股份營業收入及增速.14 圖表圖表 33 普冉股份歸母凈利潤及增速普冉股份歸母凈利潤及增速.16 圖表

12、圖表 34 普冉股份產品進展普冉股份產品進展.16 圖表圖表 35 聚辰股份產品營收結構聚辰股份產品營收結構.17 圖表圖表 36 聚辰股份營業收入及增速聚辰股份營業收入及增速.17 圖表圖表 37 聚辰股份歸母凈利潤及增速聚辰股份歸母凈利潤及增速.19 圖表圖表 38 聚辰股份產品進展聚辰股份產品進展.20 Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 4/21 證券研究報告 1.存儲芯片市場空間廣闊，發展前景良好存儲芯片市場空間廣闊，發展前景良好 存儲行業市場空間巨大，存儲行業市場空間巨大，是最大的細分半導體市場是最大的細分半導體市場。存儲芯片

13、又叫做半導體存儲器，是以半導體電路作為存儲媒介的存儲器，通過對存儲介質進行電子或電荷的充放電標記不同的存儲狀態，從而實現數據存儲功能。存儲器市場空間巨大，據WSTS 預測，2023 年全球存儲芯片市場規模將達到 1675 億美元，其中中國存儲芯片市場規模將達 6492 億元（約 942 億美元）。同時，存儲器也是半導體各類細分行業中最大的部分，其市場規模約占整個半導體行業的 26%。存儲芯片是半導體存儲芯片是半導體產業的產業的風向標風向標。存儲芯片由于具有以下特征，常被視作半導體行業發展狀況的風向標。首先，存儲芯片市場規模巨大，是半導體業內最大的細分市場，占據近 30%的份額。同時，存儲芯片應

14、用領域廣闊，覆蓋消費電子、工業、醫療、汽車、航空航天等各個領域，并且新興應用領域的涌現也在不斷刺激存儲芯片的市場需求。此外，存儲芯片標準化程度高，可替代性強，具備大宗商品屬性。存儲芯片產品已經基本商品化，其價格受下游需求影響較為敏感，行業景氣度受供需關系影響較大，呈現出較強的周期性。從市場增速來看，存儲芯片與半導體走勢基本一致，且周期性波動高于半導體行業整體波動。圖表圖表 1 全球半導體細分行業市場規模占比全球半導體細分行業市場規模占比 資料來源：WSTS，華安證券研究所 圖表圖表 2 全球半導體與存儲芯片市場增速變化全球半導體與存儲芯片市場增速變化 資料來源：WSTS，華安證券研究所-40%

15、-20%0%20%40%60%80%20152016201720182019202020212022半導體市場增速存儲芯片市場增速Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 5/21 證券研究報告 DRAM、NAND、NOR 是三大主流存儲。是三大主流存儲。存儲芯片按照斷電后數據是否丟失，可分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。易失性存儲器斷電后會丟失數據，主要包括DRAM，非易失性存儲器斷電后能保留數據，主要包括NAND、NOR FLASH。根據 Digitimes 統計，在 2022 年全球存儲芯片市場中，DRAM、NAND、NOR 分別占據

16、了 57%、40%、2%的份額。目前在 DRAM 產品中，DDR4 仍然是市場主流，其具有良好的性價比和廣泛的適配性，但在容量、功耗等方面存在劣勢，未來在服務器等需求帶動下，DDR5 和 HBM 滲透率將會不斷提升。在 NAND 產品中，TLC占據了主要市場，是使用最廣泛的閃存。3D 堆疊是 NAND 的主流工藝，堆疊的層數將會持續增加，向高密度、大容量方向不斷發展。相比于 DRAM 和 NAND，NOR Flash 的制程演進較為緩慢，目前主流制程在 5xnm 和 4xnm。隨著物聯網、消費類電子、汽車電子的快速發展，NOR 產品需求將不斷增加，旺宏、華邦電子等頭部廠商已投入 3D NOR

17、的研發，未來 NOR Flash 產品將不斷向中大容量邁進。圖表圖表 3 DRAM/NAND/NOR 市場規模與發展趨勢市場規模與發展趨勢 產品種類產品種類 2022 年市場規模年市場規模 發展趨勢發展趨勢 DRAM 791 億美元 當前 DDR4 是市面上主流內存，而 DDR5 與 HBM 滲透率將會持續提升。同時 DRAM 工藝制程將不斷向 10nm 逼近 NAND Flash 601 億美元 目前 TLC NAND 占據主要市場，3D NAND 堆疊技術是主流工藝，未來堆疊層數將會不斷提升 NOR Flash 37 億美元 主流工藝制程在 5xnm 和 4xnm，制程演進緩慢。SPI 接

18、口技術優化NOR Flash 效率，NOR 產品將向中大容量發展 資料來源：CFM 閃存市場，CINNO Research，華安證券研究所 2 存儲已存儲已處于處于周期底部周期底部，有望迎來拐點，有望迎來拐點 2.1 供給端供給端：廠商減產與削減投資帶來供給端邊際改善：廠商減產與削減投資帶來供給端邊際改善 存儲廠商盈利能力揭示當前存儲行業處于周期底部位置。存儲廠商盈利能力揭示當前存儲行業處于周期底部位置。在全球存儲芯片市場中，三星電子、SK 海力士、美光科技占據了主要份額。根據 TrendForce 數據，2022年第四季度，三者在全球 DRAM 市場合計占據 95.8%的份額，在全球 NAN

19、D 市場合計占有 62.2%的份額。通過對比存儲芯片廠商的毛利率變化與全球存儲芯片市場增速變化，可以發現主要存儲廠商的毛利率與全球存儲芯片周期波動基本一致，因此存儲廠商的盈利能力在一定程度上可以揭示存儲行業周期位置。2022 年，存儲芯片廠商的庫存水位由于下游需求疲軟而逐漸升高，許多廠商通過將存儲產品降價來刺激庫存消耗。根據美光近期盈利狀況，其 CY23Q1 毛利率為-32.66%，是近年來首次為負值，達到歷史低位，CY23Q2 毛利率為-17.8%，環比上升 14.86pct，同時美光表示其 CY23Q1 的庫存達到峰值。根據三星披露的第二季度財報，其 DS 部門第二季度營業虧損 4.36

20、萬億韓元，而其一季度虧損 4.58 萬億韓元，多家機構預計三星 DS 部門全年營業虧損將超過 10 萬億韓元。主要存儲廠商的盈利狀況揭示，當前存儲行業處于周期相對底部位置。Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 6/21 證券研究報告 圖表圖表 4 三星三星/SK 海力士海力士/美光占據存儲主要市場美光占據存儲主要市場 圖表圖表 5 存儲廠商毛利率走勢與存儲周期同步存儲廠商毛利率走勢與存儲周期同步 資料來源：TrendForce，華安證券研究所 資料來源：Wind，WSTS，華安證券研究所 龍頭廠商龍頭廠商擴大減產擴大減產與與削減投資削減投資

21、，供給端供給端實現邊際改善實現邊際改善。2022 年，由于下游市場需求疲軟，美光與 SK 海力士紛紛計劃削減 2023 年資本支出 40%50%不等，并對存儲芯片產品進行減產。據最新消息，SK 海力士于 2023 年 7 月宣布擴大減產 NAND Flash，美光于 6 月宣布將 DRAM 和 NAND 晶圓開工率進一步減少至近 30%。三星方面雖未宣布削減 2023 年資本支出，但已在 2023 年 4 月宣布對存儲芯片減產，并在 7 月決定延長減產計劃。龍頭存儲廠商的削減投資與減產計劃，將在供給端實現邊際改善，有望為夯實存儲周期底部、減緩存儲價格降低提供必要條件。圖表圖表 6 龍頭廠商減產

22、與削減投資計劃龍頭廠商減產與削減投資計劃 廠商廠商 減少產出減少產出 降低投資降低投資 三星 2023 年 4 月宣布對存儲芯片減產，7 月宣布決定延長減產計劃，調整包括 NAND Flash 在內的特定產品產出 降低生產設備投資，調整產能利用率，二季度資本支出中 90%以上用于芯片，將專注高附加值/高密度產品 SK 海力士 為加速 NAND Flash 庫存去化，于 7 月宣布擴大減產 NAND Flash，此前已對部分收益性較低的產品進行減產 2023 年全公司投資規模同比減少 50%以上，對高容量 DDR5、HBM3 DRAM 持續投資 美光 2023 年 6 月宣布近期將 DRAM 和

23、 NAND晶圓開工率進一步減少至近 30%，預計減產將持續到 2024 年 2023 年資本支出進一步削減，預期投資約 70 億美元，較去年縮減超 40%，晶圓廠設備資本支出削減超 50%，2024 年預估將進一步縮減 資料來源：各公司公告，華安證券研究所 2.2 需求需求端：手機單機容量提升，端：手機單機容量提升，AI 服務器帶來全新增量服務器帶來全新增量 手機和服務器是對存儲市場影響最大的下游應用。手機和服務器是對存儲市場影響最大的下游應用。從下游應用來看，手機和服務器是 DRAM 和 NAND 市場中占比最大的應用領域。2022 年第四季度，手機和服務器分別占 DRAM 終端應用的 39

24、%、34%，以及 NAND 應用的 37%、28%。因此，智能手機與服務器的需求恢復情況對存儲芯片的景氣度有著較大的影響，同時 AI 服務器對存儲的新需求也會對整體需求改善有邊際貢獻。0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%DRAM競爭格局NAND競爭格局其他美光科技SK海力士三星電子Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 7/21 證券研究報告 圖表圖表 7 DRAM 下游應用領域占比下游應用領域占比 圖表圖表 8 NAND 下游應用領域占比下游應用領域占比 資料來源：TrendForce，華安證券研究所 資料來源

25、：華經產業研究院，閃存市場，華安證券研究所 手機出貨量未見明顯復蘇，單機容量提升是主要驅動因素手機出貨量未見明顯復蘇，單機容量提升是主要驅動因素。根據 Canalys 數據，2023Q2 全球智能手機出貨量達 2.58 億部，雖然同比下降 10%，但同比跌幅環比略有收窄，市場衰退有所放緩。隨著經濟逐漸復蘇，手機需求將會逐步好轉。同時手機單機 DRAM 和 NAND 容量不斷增長，也在一定程度上能夠沖抵手機的疲軟需求。據TrendForce 數據，手機 DRAM 單機容量近年來持續增長，2022 年手機 DRAM 容量增長放緩的主要原因在于手機品牌廠背負巨大的庫存壓力，導致新產品導入偏向延用既有

26、庫存規格，限制手機 DRAM 用量增長。2023 年，隨著手機庫存去化逐漸成效，以及受益于下一代 iPhone 容量規格提高帶動，TrendForce 預測 2023 年手機DRAM 平均用量將同比增長 6.7%，優于 2022 年 3.9%的同比增長率。在 NAND 方面，為滿足用戶的高像素拍攝需求，需要配置更大的儲存容量，這為智能手機 NAND平均搭載量提升帶來了基本動能。具體來看，iPhone產品組合全線往更高容量靠攏，Android 高端機種也跟進將 512GB 做為標配，中低端手機儲存空間也隨硬件規格的升級而提高，因此單機容量仍存在增長空間。據 TrendForce 預估，2023

27、年智能手機 NAND 單機搭載容量年成長仍能維持 22.1%的高水位。圖表圖表 9 全球智能手機單季度出貨量全球智能手機單季度出貨量 圖表圖表 10 全球智能手機全球智能手機 DRAM 平均單機容量平均單機容量 資料來源：Canalys，華安證券研究所 資料來源：TrendForce，華安證券研究所 普通服務器需求平穩，普通服務器需求平穩，AI 服務器有望帶來價值增量服務器有望帶來價值增量。根據 TrendForce 調查數據，現階段普通服務器 DRAM（不含 HBM）平均容量約為 500600GB，而 AI 服務器平均容量可達 1.21.7TB，所需 DRAM 容量遠高于普通服務器。據 Tr

28、endForce數據，目前 AI 服務器成長需求較為強勁，預估 2023 年 AI 服務器出貨量近 120 萬0%20%40%60%80%100%2019202020212022手機服務器PC其他0%20%40%60%80%100%202020212022手機服務器PC其他-30%-20%-10%0%10%20%30%00.511.522.533.5420Q120Q220Q320Q421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q2出貨量（億部）同比01234567201820192020202120222023DRAM平均單機容量（GB）Table_Compan

29、yRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 8/21 證券研究報告 臺，年增率近 38%，AI 服務器的大幅增長有望帶來價值增量。與普通服務器相比與普通服務器相比，AI 服務器服務器除原有除原有 DRAM 外外還會用到還會用到 HBM。AI 服務器由于需要在短時間內處理大量數據，追求的速度更高，對高帶寬的需求大幅提升。HBM即高帶寬存儲器，基于 3D 堆疊工藝，其通過中介層（Interposer）連接至 GPU 而非直接與 GPU 集成。HBM 是當前數據處理速度最快的 DRAM 產品，能為 AI 服務器帶來更高的效率以及更高的傳輸帶寬，已成為高端 GPU 的標配，是

30、AI 服務器帶來的全新增量。圖表圖表 12 HBM 是是 AI 服務器所帶來的全新增量服務器所帶來的全新增量 圖表圖表 113 HBM 通過中介層通過中介層（Interposer）與）與 GPU 連接連接 資料來源：Canalys，華安證券研究所 資料來源：TrendForce，華安證券研究所 受益于受益于 AI 服務器需求帶動，服務器需求帶動，HBM 市場規模持續增長。市場規模持續增長。據 TrendForce 數據，目前高端 AI 服務器 GPU 搭載 HBM 已成為主流，預計 2023 年全球 HBM 需求量達 2.9億 GB，年增長近六成，且 2024 年將再增長三成。市場規模來看，根

31、據 Omdia 數據，2020 年全球 HBM 市場規模為 4.58 億美元，預計 2025 年將達到 25 億美元，年復合增長率為 40.38%。320640GB5121024GBServerAI ServerFuture AI Server服務器HBM用量圖表圖表 11 全球半導體與存儲芯片市場增速變化全球半導體與存儲芯片市場增速變化 資料來源：TrendForce，華安證券研究所 500600GB1.21.7TB2.22.7TBServerAI ServerFuture AI Server服務器DRAM容量Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及

32、評級說明 9/21 證券研究報告 2.3 價格端：價格端：DRAM 價格跌幅收窄，部分存儲產品有望于價格跌幅收窄，部分存儲產品有望于23Q3 實現漲價實現漲價 AI 服務器帶來的新增量服務器帶來的新增量疊加疊加廠商減產廠商減產有望進一步促進供需平衡。有望進一步促進供需平衡。2023 年，隨著經濟的復蘇，下游需求有望逐漸恢復。同時，ChatGPT 的出現催生出對于 HBM 的全新需求，并帶動了 HBM 報價上漲。自 2023 年初以來，三星與 SK 海力士的 HBM訂單快速增加，HBM3 規格 DRAM 價格也上漲了 5 倍。疊加三星 4 月宣布減產以及7 月決定延長減產計劃的消息，我們認為需求

33、端的增長與供給端的減產將進一步造成供需差縮窄，進而強化促使存儲芯片景氣度拐點到來的確定性。根據 TrendForce研究，受益于DRAM廠商的減產以及季節性需求支撐，存儲廠商庫存壓力得到減輕，預期第三季度 DRAM 均價跌幅將收斂至 05%。圖表圖表 15 TrendForce 預計部分存儲產品將于預計部分存儲產品將于 2023Q3 漲價漲價 23Q2E 23Q3F PC DRAM DDR4:down 1520%DDR4:down 38%DDR5:down 1318%DDR5:down 05%Blended ASP:down 1520%Blended ASP:down 05%Server DR

34、AM DDR4:down 1823%DDR4:down 38%DDR5:down 1318%DDR5:down 05%Blended ASP:down 1520%Blended ASP:down 05%Mobile DRAM down 1318%LPDDR4X:down 05%LPDDR5X with HKMG:up 05%合計合計 DRAM down 1318%down 05%eMMC consumer:down 813%consumer:mostly flat UFS mobile:down 1520%mobile:down 813%Enterprise SSD down 1318%dow

35、n 510%Client SSD down 1520%down 813%3D NAND Wafers（TLC&QLC)down 813%up 05%圖表圖表 14 全球全球 HBM 市場規模市場規模 資料來源：TrendForce，華安證券研究所 05101520253020202025EHBM市場規模（億美元）CAGR=40.38Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 10/21 證券研究報告 合計合計 NAND down 1015%down 38%資料來源：TrendForce，華安證券研究所 DRAM 現貨現貨價格與股價走勢相似價格與股

36、價走勢相似，價格跌幅收窄價格跌幅收窄有望有望迎來投資機會。迎來投資機會。從價格走勢來看，DRAM 現貨價格走勢與存儲廠商股價呈現一定關聯性，兩者走勢相似。當現貨價格跌幅開始收窄時，股價便開始筑底反彈；當現貨價格上漲時，股價也會同步上漲；在現貨價格漲幅邊際弱化時股價開始見頂。此外，DRAM/NAND 廠商的價格走勢與 NOR 廠商方向一致，但幅度會有所差異。根據 TrendForce 數據，7 月DRAM 平均固定交易價格環比下跌 1.47%，降幅較 6 月份的下跌 2.86%進一步收窄，并且在現貨市場，有部分 DRAM 產品已經止跌，連續兩個月持平。因此，隨著DRAM 現貨價格跌幅收窄，預計存

37、儲板塊也將逐步復蘇，迎來投資機會。3 國內廠商聚焦利基存儲，國產替代空間廣闊國內廠商聚焦利基存儲，國產替代空間廣闊 3.1 存儲行業國產替代空間廣闊存儲行業國產替代空間廣闊 我國存儲行業國產替代空間廣闊我國存儲行業國產替代空間廣闊。目前，DRAM 和 NAND 主要由三星、SK 海力士、美光等海外廠商掌控，國內廠商市占率較低，國產替代空間廣闊。在 NOR 方面，我國本土企業已占據一定的市場份額。圖表圖表 16 DRAM 現貨價格與廠商股價走勢相似現貨價格與廠商股價走勢相似 資料來源：TrendForce，華安證券研究所 Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重

38、要聲明及評級說明 11/21 證券研究報告 國內廠商多集中于利基型國內廠商多集中于利基型存儲。存儲。從存儲芯片的產品布局來看，海外巨頭多聚焦于 DRAM、NAND 主要領域等高端市場，業務重心在大容量存儲產品。而國內存儲廠商則主要布局于利基型存儲，包括利基 DRAM、SLC NAND、NOR Flash 等中小容量產品，代表廠商有華邦電子、旺宏電子、兆易創新、北京君正、東芯股份等。利基 DRAM 方面，華邦、兆易創新、北京君正規模較大；SLC NAND 領域，東芯股份為本土 SLC NAND 龍頭，；NOR 方面，領先廠商包括華邦、旺宏、兆易創新等。目前，由于利基型存儲競爭格局較為分散，且海外

39、巨頭正逐漸淡出利基型存儲市場，隨著國產化需求提升，具備研發能力的國內存儲廠商將迎來良好的替代機遇。圖表圖表 17 三類存儲芯片全球主要廠商三類存儲芯片全球主要廠商 資料來源：樂晴智庫，華安證券研究所 圖表圖表 18 主要存儲廠商產品布局情況主要存儲廠商產品布局情況 DDRDDR2DDR3DDR4DDR5LPDDRLPDDR2LPDDR3LPDDR4LPDDR5美光256Mb1Gb512Mb4Gb 1Gb8Gb 4Gb32Gb 高至24Gb 512Mb2Gb 512Mb2Gb 8Gb32Gb 4Gb128Gb 6Gb128Gb南亞512Mb1Gb 1Gb8Gb4Gb8Gb16Gb1Gb8Gb4G

40、b32Gb 2Gb32Gb旺宏華邦64Mb256Mb 128Mb2Gb 1Gb8Gb128Mb1Gb 256Mb2Gb1Gb1Gb4Gb兆易創新1Gb4Gb4Gb8Gb北京君正 64Mb512Mb 256Mb2Gb 1Gb16Gb 4Gb16Gb32Mb2Gb 256Mb4Gb2Gb8Gb普冉股份東芯股份1Gb4Gb512Mb2Gb1Gb4Gb1Gb2Gb廠商DRAM1.8V3.3V1.8V3.3V美光1Gb16Gb1Gb256Gb512Kb2Gb512Kb2Gb南亞旺宏1Gb8Gb1Gb8Gb512Kb2Gb512Kb2Gb華邦1Gb8Gb1Gb8Gb1Mb2Gb512Kb2Gb兆易創新1G

41、b8Gb1Gb8Gb512Kb2Gb512Kb2Gb北京君正1Gb8Gb1Gb8Gb2Mb2Gb512Kb2Gb普冉股份512Kb256Mb512Kb256Mb東芯股份512Mb16Gb512Mb16Gb64Mb1Gb聚辰股份512Kb32Mb512Kb32MbNOR Flash廠商SLC NANDTable_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 12/21 證券研究報告 3.2 國內部分領先存儲廠商介紹國內部分領先存儲廠商介紹 3.2.1 兆易創新：兆易創新：多產品線賽道布局多產品線賽道布局，存儲、，存儲、MCU 穩健發展穩健發展 公司業務結構多元，

42、產品矩陣豐富。公司業務結構多元，產品矩陣豐富。兆易創新是全球領先的 Fabless 芯片供應商，成立于 2005 年 4 月，總部位于北京。公司核心產品包括存儲器、MCU、傳感器等，以高性能和低功耗為特點，廣泛應用于工業、消費類電子、汽車、物聯網、移動應用、網絡通信等各個領域。在 2022 年，公司保持業務穩健發展，存儲、MCU產品持續發力，傳感器產品維持前列，PMIC 產品開始拓展，進一步夯實了公司多元的業務結構。營收體量不斷擴大，營收體量不斷擴大，22 年維持高水位。年維持高水位。公司近年來營業收入和歸母凈利潤穩步增長，2022 年面對諸多外部因素影響，公司業績仍保持高水位。2022 年，

43、公司實現營業收入 81.3 億元，同比小幅下降 4.47%，實現歸母凈利潤 20.53 億元，同比下降12.16%。2023 年上半年，公司營業收入與歸母凈利潤分別為 29.66 億元、3.36 億元，同比 2022 年 H1 分別下降 38%、78%，短期來看盈利承壓。隨著下游市場需求不斷復蘇，公司在汽車、工業等領域的耕耘不斷深化，業績有望回歸上升軌道。圖表圖表 20 兆易創新營業收入及增速兆易創新營業收入及增速 圖表圖表 21 兆易創新歸母凈利潤及增速兆易創新歸母凈利潤及增速 資料來源：Wind，華安證券研究所 資料來源：Wind，華安證券研究所 NOR 與與 SLC NAND 不斷穩固，

44、不斷穩固，DRAM 產品產品積極拓展。積極拓展。公司存儲器產品覆蓋NOR Flash、SLC NAND、利基型 DRAM 三大領域，是全球排名第一的無晶圓廠-60%-40%-20%0%20%40%60%80%100%0102030405060708090201820192020202120222023H1營業收入（億元）同比-100%-50%0%50%100%150%200%0510152025201820192020202120222023H1歸母凈利潤（億元）同比資料來源：各公司官網，華安證券研究所 圖表圖表 119 兆易創新產品營收結構兆易創新產品營收結構 資料來源：Wind，華安證券研

45、究所 0%20%40%60%80%100%20182019202020212022存儲芯片MCU傳感器其他Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 13/21 證券研究報告 Flash 供應商。在 NOR Flash 領域，公司產品市占率全球第三、國內第一，累計出貨量近 212 億顆。公司 NOR 產品容量覆蓋 512Kb2Gb，可提供 3V、1.8V、1.2V、以及 1.65V3.6V 寬壓共四種電壓范圍，目前主要工藝節點在 55nm 制程。從下游客戶來看，公司 NOR 產品在消費市場以中高端客戶為主，并在工業、汽車領域穩步提升，2022 年

46、車規產品銷售額同比增長 80%，累計出貨量達 1 億顆；SLC NAND 領域，公司產品在 38nm、24nm 工藝節點均實現量產，容量覆蓋 1Gb8Gb，其中 GD5F全系列產品已通過 AEC-Q100 車規級認證，實現了從 SPI NOR 到 SPI NAND 車規級產品的全面布局；DRAM 領域，公司產品不斷拓展，在已有 DDR4、DDR3L 的基礎上，推進 DDR4 8Gb 容量新產品的研發，不僅能滿足消費市場需求，也能兼顧工業、汽車市場；MCU 產品，公司已成功量產 41 大產品系列、超過 500 款 MCU 產品，GD32A503 系列車規級 MCU 市場拓展穩步推進，正式推出中國

47、首款基于 Arm Cortex-M7 內核的 GD32H 系列超高性能微控制器，同時適用于多種無線連接場景的、基于 RISC-V 內核的全新雙頻雙模無線 GD32VW553 系列 MCU 有序推進；公司傳感器業務目前在 LCD 觸控、電容指紋、光學指紋市場應用廣泛，觸控芯片年出貨近億顆。圖表圖表 22 兆易創新產品進展兆易創新產品進展 產品類型產品類型 產品進展產品進展 NOR Flash 主要工藝節點在 55nm 制程，容量覆蓋 512Kb2Gb，可提供 3V、1.8V、1.2V、以及1.65V3.6V 寬壓四種電壓范圍。2022 年推出了尺寸 1.2mmx1.2mm 的 USON6 超小型

48、塑封封裝產品，以及 GD25UF 系列 1.2V 低電壓超低耗 SPI NOR SLC NAND 在 38nm、24nm 工藝節點均實現量產，容量覆蓋 1Gb8Gb，其中 GD5F 全系列產品已通過 AEC-Q100 車規級認證，實現了從 SPI NOR 到 SPI NAND 車規產品全面布局 DRAM 產品組合不斷豐富，在已有 DDR4 產品基礎上，推出了 DDR3L 產品，兩種產品目前均已量產，DDR4 8Gb 容量新產品正在按研發節奏推進中。MCU 已成功量產 41 大產品系列、超過 500 款 MCU 產品供市場選擇，GD32W515 系列 Wi-Fi 產品全面量產，GD32A503

49、系列車規級 MCU 產品市場拓展穩步推進，MCU 產品工藝制程集中在 55nm 及 40nm，推出中國首款基于 Arm Cortex-M7 內核的 GD32H系列超高性能微控制器 傳感器 提供嵌入式傳感芯片，電容、光學模式指紋識別芯片，以及自容、互容觸控屏控制芯片，觸控芯片年出貨近億顆 資料來源：公司公告，華安證券研究所 3.2.2 北京君正：業務覆蓋計算、存儲、模擬三大領域北京君正：業務覆蓋計算、存儲、模擬三大領域 業務范圍不斷拓寬，擁有四大芯片產品線業務范圍不斷拓寬，擁有四大芯片產品線。北京君正成立于 2005 年，2011 年在創業板上市。通過在處理器、多媒體、AI 技術等計算技術領域持

50、續投入，公司芯片在智能視頻監控、AIoT、消費、工業、生物識別等領域打開了廣闊市場。2020 年，公司完成對 ISSI 的收購，整合了 ISSI 三十多年的存儲及模擬互聯技術，大幅拓寬了公司業務范圍。目前，公司芯片產品根據功能與應用領域可分為四類，包括微處理器芯片、智能視頻芯片、存儲芯片、模擬與互聯芯片，2022 年營收占比分別為2.35%、11.88%、74.92%、8.85%。隨著市場需求變化，公司產品逐漸走向更高性能、更低功耗和更高集成度。Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 14/21 證券研究報告 營業收入逐年增長，營業收入逐年增

51、長，上半年上半年業績短期下滑業績短期下滑。2022 年，公司實現營業收入 54.12億元，同比增長 2.61%，實現歸母凈利潤 7.89 億元，同比下降 14.79%。2023 上半年實現營收22.21億元，同比下降20.8%，歸母凈利潤為2.22億元，同比下降56.5%。長期來看，公司業務范圍和產品布局不斷拓展，涉及眾多重點應用領域，營業收入有望維持上升趨勢。圖表圖表 24 北京君正營業收入及增速北京君正營業收入及增速 圖表圖表 25 北京君正北京君正歸母凈利潤及增速歸母凈利潤及增速 資料來源：Wind，華安證券研究所 資料來源：Wind，華安證券研究所 存儲芯片存儲芯片品類品類豐富，收入位

52、居全球前列。豐富，收入位居全球前列。公司存儲芯片可分為 SRAM、DRAM、Flash 三類，具有高集成密度、高性能品質、高經濟價值等特點，主要面向汽車、工業、醫療以及高端消費類市場。SRAM 領域，公司產品類別豐富，包括同步 SRAM、異步 SRAM、高速 QDR SRAM 等產品；DRAM 方面，公司產品針對具有較高技術壁壘的專業級應用領域，容量規格涵蓋 16M16G。公司積極推廣 DDR4、LPDDR4等產品，2G LPDDR2、4G LPDDR4、8Gb LPDDR4 等新規格產品實現量產，在汽車、工業領域不斷有客戶完成產品導入；Flash 領域，公司產品包括 NOR Flash 和N

53、AND Flash，NOR 具有 256Kb1Gb 多種容量規格，NAND 容量覆蓋 1Gb8Gb。從下游市場來看，汽車、工業、醫療市場需求強勁，高密度 NOR Flash 需求旺盛，車規 Flash 產品市場銷售也不斷增長。據 Omdia 統計，2022 年公司 SRAM、DRAM、NOR 產品收入分別位居全球第二、第七、第六位；微處理器芯片領域，公司完成了X2600 的各項功能和性能測試，并進行了量產測試相關準備，并開發 Halley 平臺的-100%0%100%200%300%400%500%600%010203040506020182019202020212022 2023H1營業收入

54、（億元）同比-200%0%200%400%600%800%1000%1200%1400%012345678910201820192020202120222023H1歸母凈利潤（億元）同比圖表圖表 23 北京君正產品營收結構北京君正產品營收結構 資料來源：Wind，華安證券研究所 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20182019202020212022存儲芯片智能視頻芯片模擬與互聯芯片微處理器芯片其他Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 15/21 證券研究報告 研發，對重點客戶進行技術支持；智能視頻芯片產品

55、線不斷拓展，目前有 T 系列芯片、A1 芯片、C100 芯片；模擬與互聯產品線包括 LED 驅動芯片、觸控傳感芯片、DC/DC 芯片、車用微處理器芯片、LIN、CAN、GreenPHY、G.vn 等網絡傳輸芯片。圖表圖表 26 北京君正產品進展北京君正產品進展 產品類型產品類型 產品進展產品進展 SRAM 包括不同容量的同步 SRAM、異步 SRAM、高速 QDR SRAM 等產品，22 年公司進行了不同種類和容量 SRAM 的研發，部分產品已完成投片、工程樣片的生產 DRAM 8G LPDDR4、新規格的 2G LPDDR2、4G LPDDR4 等產品完成了量產工作 Flash 涵蓋主流 N

56、OR Flash 和 NAND Flash，對量產產品進行持續的良率提升，NOR 具有256Kb1Gb 多種容量規格，NAND 容量覆蓋 1Gb8Gb 微處理器芯片 完成了 X2600 的各項功能和性能測試，并進行了量產測試相關準備，并開發 Halley 平臺的研發，對重點客戶進行技術支持 智能視頻芯片 現有 T 系列芯片、A1 芯片、C100 芯片產品，完成了面向 H.264 雙攝平臺的升級產品T23 的投片，規劃并進行面向雙攝市場的普惠型新產品的研發，并進行 C 系列下一代產品研發 模擬與互聯芯片 涵蓋 LED 驅動芯片、觸控傳感芯片、DC/DC 芯片、車用微處理器芯片、LIN、CAN、G

57、reenPHY、G.vn 等網絡傳輸芯片，部分客戶已進行了 GreenPHY 的導入與落地 資料來源：公司公告，華安證券研究所 3.2.3 東芯股份：本土東芯股份：本土 SLC NAND 龍頭，深耕中小容量存儲芯片龍頭，深耕中小容量存儲芯片 深耕中小容量存儲芯片領域。深耕中小容量存儲芯片領域。東芯股份成立于 2014 年，是一家專注于中小容量通用型存儲芯片的研發、設計和銷售的公司，總部位于上海，在深圳、南京、香港、韓國等地設有分公司或子公司。公司擁有獨立自主的知識產權、穩定的供應鏈體系和高可靠性的產品，可以同時提供 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存儲芯片完整解決方案，并

58、能根據客戶需求提供存儲芯片定制化設計服務。公司產品具有低功耗、高可靠性等特點，廣泛應用于通訊設備、安防監控、可穿戴設備、移動終端、工業、醫療等領域。2021 年，公司于科創板上市，力爭成為領先的存儲芯片設計公司，立足中國服務全球客戶。營業收入營業收入穩步增長，盈利穩步增長，盈利短期承壓。短期承壓。隨著產品線逐步擴大，公司營收穩步增長，從 2018 年的 5.1 億元增至 2022 年的 11.46 億元。歸母凈利潤在 20182021 年實現扭虧為盈與快速增長，2022 年歸母凈利潤為 1.85 億元，同比下降 29.4%。2023圖表圖表 27 東芯股份東芯股份產品營收結構產品營收結構 資料

59、來源：Wind，華安證券研究所 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20182019202020212022NANDMCPDRAMNOR其他Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 16/21 證券研究報告 年上半年，公司產生虧損，歸母凈利潤為-0.75 億元，同比下降 135%，公司凈利潤下滑的原因可能是下游需求疲軟以及存貨跌價準備增長等。長期來看，公司具有較強研發實力，產品實現主流存儲全覆蓋，隨著下游需求復蘇，盈利有望得到改善。圖表圖表 28 東芯股份營業收入及增速東芯股份營業收入及增速 圖表圖表 29 東芯股

60、份歸母凈利潤及增速東芯股份歸母凈利潤及增速 資料來源：Wind，華安證券研究所 資料來源：Wind，華安證券研究所 產品產品覆蓋覆蓋 DRAM、NAND、NOR 三大主流存儲芯片三大主流存儲芯片。公司積極擴大產品布局，形成了完整的 SLC NAND、NOR Flash、DRAM 以及 MCP 產品供應鏈，產品 2022年營收占比分別為 61.84%、6.31%、7.13%、19.69%。SLC NAND 方面，公司產品核心技術優勢明顯，采用業內領先的單顆集成技術，能同時滿足數據傳輸效率和節約芯片面積。公司 SLC NAND 量產產品以中芯國際 38nm、24nm，力積電 28nm 制程為主，并

61、在 28nm 及 24nm 制程上持續開發新產品；NOR Flash 方面，公司可量產 ETOX 技術中大容量的 NOR 產品，容量覆蓋 64Mb1Gb，目前在力積電 48nm線量產 1.8V 低功耗產品，之后將在中芯國際 55nm 線推出 3.3V 的 NOR 產品，逐步導入高可靠性應用市場；DRAM 方面，公司產品包括 DDR3（L)、LPDDR 及一些定制化產品，具有高帶寬、低延時、低功耗、高傳輸速度等特點，主要出售給海外客戶；公司的 MCP 產品是由 SLC NAND 和 LPDDR 系列進行合封的產品，主要涉及工業模塊和物聯網模塊類的應用；車規產品方面，公司基于中芯國際 38nm 工

62、藝的SLC NAND 以及力積電 48nm 工藝的 NOR 均有產品通過 AEC-Q100 測試。圖表圖表 30 東芯股份東芯股份產品進展產品進展 產品類型產品類型 產品進展產品進展 SLC NAND 存儲容量覆蓋 512Mb 至 32Gb，量產產品以中芯國際 38nm、24nm，力積電 28nm 制程為主，并在 28nm 及 24nm 制程上持續開發新產品，先進制程的 1xnm NAND Flash產品已完成晶圓制造，并已完成功能性驗證，正進行晶圓測試及工藝調整 NOR Flash 容量覆蓋 64Mb 至 1Gb，力積電的 48nm 制程上已有 512Mb、1Gb 大容量 NOR 的樣品可提

63、供給客戶，同時中芯國際 NOR 制程從 65nm 推進至 55nm，55nm 制程產線的各項新產品陸續進入研發設計、晶圓制造、樣片驗證等階段 DRAM 包括 DDR3（L)、LPDDR1、LPDDR2 及一些定制化產品，設計研發的 LPDDR4x 及PSRAM 產品均已完成工程樣片并通過客戶驗證 MCP 集成自主研發的低功耗 1.8v SLC NAND 與低功耗設計的 DRAM，憑借設計優勢已在紫光展銳、高通、聯發科等平臺通過認證 資料來源：公司公告，華安證券研究所 -40%-20%0%20%40%60%80%100%120%02468101220182019202020212022 2023

64、H1營業收入（億元）同比-200%-100%0%100%200%300%400%-1-0.500.511.522.533.5201820192020202120222023H1歸母凈利潤（億元）同比Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 17/21 證券研究報告 3.2.4 普冉股份：普冉股份：NOR Flash 和和 EEPROM 為核心，專注科技創新為核心，專注科技創新 專注專注科技創新發展迅速?？萍紕撔掳l展迅速。普冉股份成立于 2016 年，是一家低功耗 NOR Flash存儲芯片和高可靠性 IIC EEPROM 存儲芯片的技術創新型半

65、導體設計公司，總部位于上海，2021 年 8 月于科創板上市。公司以先進制程低功耗 NOR Flash 和高可靠性 EEPROM 為核心，不斷完善和優化產品，滿足客戶對高性能存儲芯片需求?；谧陨泶鎯ζ鲀瀯?，公司實施“存儲+”戰略，積極拓展微控制器和存儲結合模擬的全新產品線。圖表圖表 31 普冉股份普冉股份 2022 年年產品營收結構產品營收結構 資料來源：公司 2022 年報，華安證券研究所 公司業績短期承壓，公司業績短期承壓，23 上半年上半年產生虧損。產生虧損。2022 年公司實現營業收入 9.25 億元，同比下降 16.15%，實現歸母凈利潤 0.83 億元，同比下降 71.44%。2

66、023 上半年，公司實現營業收入 4.69 億元、歸母凈利潤-0.78 億元，同比 2022 上半年分別下降17.7%、175.7%。公司業績短期下滑主要受電子行業周期下行、市場需求疲軟、全球經濟增速放緩等影響，隨著公司技術創新驅動以及產品線的不斷拓新，業績有望迎來改善。圖表圖表 32 普冉股份營業收入及增速普冉股份營業收入及增速 圖表圖表 33 普冉股份歸母凈利潤及增速普冉股份歸母凈利潤及增速 資料來源：Wind，華安證券研究所 資料來源：Wind，華安證券研究所 NOR 和和 EEPROM 持續持續發力發力，“存儲存儲+”實現突破。實現突破。公司 NOR Flash 產品包括SONOS 和

67、 ETOX 工藝結構，容量覆蓋 512Kb128Mb，具備低功耗、高可靠性、快速擦除和快速讀取的優異性能，在藍牙、IOT、TDDI、AMOLED、工業控制等領域應用廣泛。公司 NOR Flash 工藝制程處于行業領先水平，40nm 制程下 4Mb128Mb的全系列產品均已實現量產，其中 SONOS 結構主要工藝節點為 40nm，ETOX 結構達到 50nm 先進制程，512Mb1Gb 容量產品正按照規劃逐步推出；EEPROM 方存儲芯片微控制器及其他-80%-60%-40%-20%0%20%40%60%0246810121420182019202020212022 2023H1營業收入（億元）

68、同比-400%-200%0%200%400%600%800%1000%1200%1400%-1-0.500.511.522.53201820192020202120222023H1歸母凈利潤（億元）同比Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 18/21 證券研究報告 面，公司產品容量覆蓋 2Kb4Mb，主要采用 130nm 工藝制程，具有面積小、高可靠性、高性價比等優勢，目前部分中大容量產品 95nm 及以下工藝制程已實現量產。車規產品方面，公司中小容量 NOR Flash 車載產品和 EEPROM 車載產品已獲得AEC-Q100 A1 證書

69、；MCU 產品方面，公司 MCU M0+系列產品已大規模量產出貨，共計 120 余顆料號，基于 ARM 內核的 M4 MCU 原型產品也進展順利；VCM Driver即音圈馬達驅動芯片，公司內置非易失存儲器的 PE 系列 VCM Driver 芯片多顆產品進入大批量供貨，并結合行業發展趨勢，與終端配合開發新一代 VOIS 芯片。圖表圖表 34 普冉股份產品進展普冉股份產品進展 產品類型 產品進展 NOR Flash 容量覆蓋 512Kb128Mb，40nm 制程下 4Mb128Mb 的全系列均已量產。SONOS工藝主要節點為 40nm，1.1V 超低電壓超低功耗 Flash 產品完成研發和流片

70、。ETOX工藝達到 50nm 制程，目前 4Mbit 到 256Mbit 已實現量產 EEPROM 容量覆蓋 2Kb4Mb，主要采用 130nm 制程，部分中大容量產品 95nm 及以下制程已實現量產。車載 EEPROM 產品完成了 AEC-Q100 全面考核，2Mb 大容量 SPI 及 I C EEPROM 產品順利量產出貨 MCU 基于 ARM 內核的 32 位 M0+MCU 產品已完成研發并順利量產出貨，M0+系列已推出 120 余顆產品，出貨量累計超過 1 億顆，基于 ARM 內核的 M4 MCU 產品處于客戶送樣階段 VCM Driver 芯片 內置非易失存儲器的 PE 系列音圈馬達

71、驅動芯片多顆產品進入大批量供貨，支持下一代主控平臺的 1.2V PD 系列音圈馬達驅動芯片產品也已進入量產。資料來源：公司 2022 年報，華安證券研究所 3.2.5 聚辰股份聚辰股份：存儲芯片存儲芯片+音圈馬達驅動芯片音圈馬達驅動芯片+智能卡芯片智能卡芯片三輪驅動三輪驅動 三大產品線共同發力三大產品線共同發力，持續進行完善升級。，持續進行完善升級。聚辰股份成立于 2009 年，是一家全球化的集成電路設計高新技術企業，總部位于上海，在美國硅谷、香港、臺灣、深圳等地設有子公司、辦事處或銷售機構。公司目前擁有非易失性存儲芯片、音圈馬達驅動芯片和智能卡芯片三條產品線，三類產品2022年營收占比分別為

72、87.2%、5.8%、7.1%，在智能手機、液晶面板、藍牙模塊、汽車電子、工業控制、醫療儀器、計算機等領域應用廣泛。公司以市場需求為導向，以自主創新為驅動，持續對產品線完善和升級，積極開拓 NOR Flash、電機驅動芯片等領域。Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 19/21 證券研究報告 圖表圖表 35 聚辰股份產品營收結構聚辰股份產品營收結構 資料來源：Wind，華安證券研究所 營業收入逐年擴大，營業收入逐年擴大，上半年上半年業績承壓。業績承壓。2022 年公司業績表現亮眼，實現了大幅增長，營業收入為 9.8 億元，同比增長 80.2

73、1%，歸母凈利潤為 3.54 億元，同比增長 226.81%。2023 上半年，公司實現營收 3.17 億元，同比下降 28.3%，實現歸母凈利潤0.64億元，同比下降57.2%。公司上半年業績承壓可能是由于市場需求疲軟、部分業務受到下游模組廠商去庫存的壓力，未來隨著市場逐漸復蘇，內存模組廠商庫存水位逐漸改善，公司業績有望回歸增長。圖表圖表 36 聚辰股份營業收入及增速聚辰股份營業收入及增速 圖表圖表 37 聚辰股份歸母凈利潤及增速聚辰股份歸母凈利潤及增速 資料來源：Wind，華安證券研究所 資料來源：Wind，華安證券研究所 EEPROM 產品產品市場份額領先，市場份額領先，NOR Flas

74、h 產品性能優異。產品性能優異。EEPROM 方面，公司產品線包括 IC、SPI 和 Microwire 等標準接口的系列 EEPROM 產品，以及應用于計算機和服務器內存條的 SPD 產品。公司產品具有高可靠性、寬電壓、高兼容性、低功耗等特點，常溫條件下耐擦寫次數最高可達 400 萬次。2022 年，公司推出全球首款 1.2V 智能手機攝像頭 EEPROM 產品，率先通過高通平臺測試認證，成功導入多個終端并實現量產。根據 web-feet 統計，2019 年公司 EEPROM 產品市場份額排名為國內第一、全球第三；NOR Flash 方面，公司產品全面依照車規標準設計，具有更可靠的性能和更強

75、的溫度適應能力，產品耐擦寫次數達 20 萬次以上，適應溫度-40125，并在功耗、數據傳輸速度、ESD 及 LU 等關鍵指標方面達到業界領先水平。2022 年四季度，公司首批 512Kb4Mb 的 NOR 產品通過 AEC-Q100 Grade 1 車規電子可靠性試驗。未來公司將進一步開發更高容量的 NOR Flash 產品，不斷0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20182019202020212022音圈馬達驅動芯片智能卡芯片EEPROM其他-40%-20%0%20%40%60%80%100%024681012201820192020202120222023H

76、1營業收入（億元）同比-100%-50%0%50%100%150%200%250%00.511.522.533.54201820192020202120222023H1歸母凈利潤（億元）同比Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 20/21 證券研究報告 完善產品布局；音圈馬達驅動芯片領域，公司開環式音圈馬達驅動芯片具有聚焦時間短、體積小、誤差率低等優點，并基于 EEPROM 的技術優勢，自主研發了集成音圈馬達驅動芯片與 EEPROM 二合一產品，未來將實現向閉環和光學防抖音圈馬達驅動芯片等更高附加值領域拓展；智能卡芯片領域，公司產品是將 E

77、EPROM 技術與下游特定應用相結合的專用芯片，包括 CPU 卡系列、邏輯卡系列、高頻 RFID 系列、NFC Tag 系列和 Reader 系列。面對不斷變化的下游市場，公司將重點開發新一代非接觸邏輯加密卡芯片、新一代 RFID 標簽芯片以及超高頻 RFID 標簽芯片產品。圖表圖表 38 聚辰股份產品進展聚辰股份產品進展 產品類型 產品進展 EEPROM 2022 年推出全球首款 1.2V 智能手機攝像頭 EEPROM 產品，率先通過高通認證并導入多個終端項目、實現量產；與瀾起合作開發配套新一代 DDR5 內存條的 SPD 產品，內置 SPD EEPROM；目前擁有 A1 及以下等級的全系列

78、汽車級 EEPROM 產品 NOR Flash 全面依照車規標準設計，具有更可靠的性能和更強的溫度適應能力，首批 512Kb-4Mb 容量的 NOR Flash 產品已于 2022Q4 通過權威機構的 AEC-Q100 Grade 1 車規電子可靠性試驗驗證 音圈馬達驅動芯片 基于在 EEPROM 領域的技術優勢，自主研發了集成音圈馬達驅動芯片與 EEPROM二合一產品，并與頭部手機廠商合作開發了整體控制性能更佳的閉環式和光學防抖音圈馬達驅動芯片產品，部分產品已小批量向目標客戶送樣測試 智能卡芯片 積極推廣芯片面積更小、讀寫性能更優、靈敏度更高的新一代智能卡芯片產品，主要產品包括雙界面 CPU

79、 卡芯片、非接觸式/接觸式 CPU 卡芯片、非接觸式/接觸式邏輯卡芯片、RFID 芯片、讀卡器芯片等 資料來源：公司 2022 年報，華安證券研究所 風險提示：風險提示：下游復蘇不及預期風險、存儲價格反彈不及預期風險、龍頭減產不及預期風險。Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 21/21 證券研究報告 Table_Introduction 分析師與研究助理簡介分析師與研究助理簡介 分析師：分析師：陳耀波，華安證券電子行業首席分析師。北京大學金融管理雙碩士，有工科交叉學科背景。曾就職于廣發資管，博時基金投資部等，具有 8 年買方投研經驗 Ta

80、ble_Reputation 重要聲明重要聲明 分析師聲明分析師聲明 本報告署名分析師具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格，以勤勉的執業態度、專業審慎的研究方法，使用合法合規的信息，獨立、客觀地出具本報告，本報告所采用的數據和信息均來自市場公開信息，本人對這些信息的準確性或完整性不做任何保證，也不保證所包含的信息和建議不會發生任何變更。報告中的信息和意見僅供參考。本人過去不曾與、現在不與、未來也將不會因本報告中的具體推薦意見或觀點而直接或間接收任何形式的補償，分析結論不受任何第三方的授意或影響，特此聲明。免責聲明免責聲明 華安證券股份有限公司經中國證券監督管理委員會批準，已具備證券投資

81、咨詢業務資格。本報告由華安證券股份有限公司在中華人民共和國（不包括香港、澳門、臺灣）提供。本報告中的信息均來源于合規渠道，華安證券研究所力求準確、可靠，但對這些信息的準確性及完整性均不做任何保證。在任何情況下，本報告中的信息或表述的意見均不構成對任何人的投資建議。在任何情況下，本公司、本公司員工或者關聯機構不承諾投資者一定獲利，不與投資者分享投資收益，也不對任何人因使用本報告中的任何內容所引致的任何損失負任何責任。投資者務必注意，其據此做出的任何投資決策與本公司、本公司員工或者關聯機構無關。華安證券及其所屬關聯機構可能會持有報告中提到的公司所發行的證券并進行交易，還可能為這些公司提供投資銀行服

82、務或其他服務。本報告僅向特定客戶傳送，未經華安證券研究所書面授權，本研究報告的任何部分均不得以任何方式制作任何形式的拷貝、復印件或復制品，或再次分發給任何其他人，或以任何侵犯本公司版權的其他方式使用。如欲引用或轉載本文內容，務必聯絡華安證券研究所并獲得許可，并需注明出處為華安證券研究所，且不得對本文進行有悖原意的引用和刪改。如未經本公司授權，私自轉載或者轉發本報告，所引起的一切后果及法律責任由私自轉載或轉發者承擔。本公司并保留追究其法律責任的權利。Table_RankIntroduction 投資評級說明投資評級說明 以本報告發布之日起 6 個月內，證券（或行業指數）相對于同期相關證券市場代表

83、性指數的漲跌幅作為基準，A股以滬深 300 指數為基準；新三板市場以三板成指（針對協議轉讓標的）或三板做市指數（針對做市轉讓標的）為基準；香港市場以恒生指數為基準；美國市場以納斯達克指數或標普 500 指數為基準。定義如下：行業評級體系行業評級體系 增持未來 6 個月的投資收益率領先市場基準指數 5%以上;中性未來 6 個月的投資收益率與市場基準指數的變動幅度相差-5%至 5%;減持未來 6 個月的投資收益率落后市場基準指數 5%以上;公司評級體系公司評級體系 買入未來 6-12 個月的投資收益率領先市場基準指數 15%以上；增持未來 6-12 個月的投資收益率領先市場基準指數 5%至 15%；中性未來 6-12 個月的投資收益率與市場基準指數的變動幅度相差-5%至 5%；減持未來 6-12 個月的投資收益率落后市場基準指數 5%至 15%；賣出未來 6-12 個月的投資收益率落后市場基準指數 15%以上；無評級因無法獲取必要的資料，或者公司面臨無法預見結果的重大不確定性事件，或者其他原因，致使無法給出明確的投資評級。