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1、敬請參閱最后一頁特別聲明 1 行業觀點 半導體設備是半導體產業鏈的基本支撐，中國半導體設備市場空間廣闊。半導體設備處于產業鏈上游，為半導體支撐產業。半導體設備主要分為前道設備和后道設備，前道設備包括光刻、刻蝕、清洗、離子注入、薄膜生長、化學機械平坦等；后道設備包括減薄、劃片、打線、Bonder、FCB、BGA 植球、檢查、測試設備等。2023 年上半年，受行業去庫及制裁收緊影響，半導體設備銷售額受到明顯影響，出現一定程度下滑。2023 年下半年開始中國大陸半導體設備銷售額出現明顯回暖，4Q23 中國大陸半導體設備銷售額達 121.29 億美元，同比+90.81%，反映出中國大陸半導體設備旺盛需

2、求。與此同時，2023 年中國大陸占全球半導體前道設備市場比例已達 35%，是半導體前道設備中最大的細分市場。投資邏輯 競爭格局競爭格局較為較為集中，國產替代空間遼闊集中，國產替代空間遼闊。薄膜沉積、刻蝕和光刻設備是最重要的三大前道設備，各自所占市場規模達到均接近 20%。目前半導體設備國產替代第一階段已初步完成，但部分環節仍處于“卡脖子”階段。在光刻機、量/檢測設備、涂膠顯影設備、離子注入設備領域，整體國產化率仍然較低，但在清洗設備、部分刻蝕設備、CMP設備及熱處理設備領域已完成基本國產化替代。展望未來，隨先進制程產品逐步成熟以及先進制程持續擴產，國產廠商設備有望在導入窗口內進一步成熟，持續

3、提升整體國產化率。整體來說，看好國產廠商自身產品逐漸突破，隨先進制程持續擴產而迎來國產化率逐步提升。制程逐漸突破，帶動設備投入增加。制程逐漸突破，帶動設備投入增加。隨著先進制程的開發，芯片制程不斷縮小，摩爾定律逐步失效，對晶圓代工廠帶來的建設成本急速上升。5nm 芯片的晶圓廠建設成本高達 54 億美元是 7nm 的 1.8 倍。其中，晶體管結構從平面走向立體，芯片結構走向 3D 化，對刻蝕和薄膜沉積設備“量價齊升”。由于目前先進工藝芯片加工使用的光刻機受到波長限制，14 納米及以下的邏輯器件微觀結構的加工多通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合，使得刻蝕等相關設備的加工步驟增多且 60：1 及以

4、上高深寬比設備使用次數增加，刻蝕設備和薄膜沉積設備越來越成為關鍵核心的設備，在芯片制造環節的使用頻率及設備單價均有顯著提升。光刻機陸續到貨，下游需求持續回暖，看好國內光刻機陸續到貨，下游需求持續回暖，看好國內晶圓廠晶圓廠后續后續下單下單擴產。擴產。根據中國海關總署的數據，1Q24 中國從荷蘭的半導體設備進口額達到 21.67 億美元，同比+290.4%，一季度到貨光刻機共計 54 臺，ASML1Q24 收入中中國大陸地區占比持續提升，已達 49%。根據 IDC 和 Canalys 數據，手機出貨連續三個季度保持正增長，PC 出貨量連續兩個季度同比向上；同時，部分芯片設計公司已從“被動補庫存”階

5、段陸續進入“主動去庫存階段”，22Q4開始已經有部分芯片設計廠商庫存水位下降，大多數芯片設計公司庫存呈企穩態勢。2023 年中芯國際資本開支76.33 億美元，同比+21.9%，根據中芯國際年報，24 年資本開支預計將持平。邏輯類代工大廠維持高資本開支疊加國內存儲大廠年內有望招標擴產，24 年規劃內擴產有望逐步落地，國產半導體設備廠商有望迎來訂單大年。投資建議 國內存儲廠商的招標和設備下單的情況有望得到積極的改善，看好訂單彈性較大的中微公司、拓荊科技；隨著半導體周期走出底部，一些成熟制程大廠的資本開支有望重新啟動，自主可控疊加復蘇預期，看好其中國產化率較低的中科飛測、芯源微；同時 2024 年

6、先進制程設備研發與驗證導入持續推進，看好國產設備平臺公司北方華創。風險提示 晶圓廠資本開支不及預期、行業競爭加劇、海外制裁加劇的風險。行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 2 內容目錄內容目錄 一、半導體設備：電子行業基石產業，國產替代空間廣闊.4 1.1 半導體設備處于產業鏈上游，是整個產業鏈的基本支撐.4 1.2 半導體設備指數受行業政策及行業周期影響較大.5 1.3 競爭格局高度集中，國產替代空間廣闊.7 二、制程突破疊加下游需求復蘇，看好年內晶圓廠持續擴產.9 2.1 制程逐漸突破，制程升級帶動設備投入增加.9 2.2 下游需求持續回暖，國內后續擴產規劃樂觀.11 三、投資建議.17

7、 四、風險提示.21 圖表目錄圖表目錄 圖表 1：半導體設備是整個半導體產業鏈的基本支撐.4 圖表 2：2024 年全球半導體市場有望復蘇至 6300 億美元.4 圖表 3：2024 年中國半導體市場有望復蘇至 1989 億美元.4 圖表 4：2Q23 中國半導體設備銷售額同比轉正，4Q23 中國半導體設備銷售額同比+90.81%.5 圖表 5：中國大陸 2023 年占全球半導體前道設備市場的 35%.5 圖表 6：半導體設備指數受制裁政策及行業周期影響較大.6 圖表 7：美日荷三國針對先進制程所需半導體設備，持續收緊對華政策.7 圖表 8：預計 2024 年前道及后道設備均有望恢復增長態勢(

8、單位：十億美金).8 圖表 9：23 年受 Nand 影響整體資本開支下滑，Logic 設備投資占設備總投入一半以上（單位：十億美金).8 圖表 10：薄膜沉積、刻蝕和光刻設備是最重要的前道設備.8 圖表 11：光刻、量/檢測、涂膠顯影以及離子注入環節國產化率低.9 圖表 12：預計 2025 年全球 300mm（12 英寸）設備支出將首次超過 1000 億美元.9 圖表 13：5nm 芯片的晶圓廠建設成本高達 54 億美元，晶圓廠建設成本急速上升.10 圖表 14：存儲器件從 2D 到 3D 的轉變，等離子體刻蝕成為最關鍵的加工步驟.10 圖表 15：3D NAND 層數增加，對于高深寬比刻

9、蝕設備價值量有明顯提升.10 圖表 16：晶體管結構從平面過渡到復雜三維架構.11 圖表 17：各大 DRAM 廠商研發進展，存儲芯片先進制程迭代帶來設備技術升級需求.11 圖表 18：移動通信和計算機是最大的半導體下游細分市場之一.12 圖表 19：2023 年第三季度后全球智能手機出貨量逐漸復蘇.12 圖表 20：2024 年全球 PC 出貨量呈持續恢復的增長趨勢.13 圖表 21：國內部分模擬芯片設計公司庫存 23 年下半年筑底（單位：億元）.13 圖表 22：國內部分數字芯片設計公司庫存從 22 年下半年進入下降趨勢（單位：億元）.14 eZbUbZfV8XeZcWfVaQbP7NsQ

10、rRnPqMkPmMtOiNpNwO7NoOvMuOsRnOxNnOqP行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 3 圖表 23：24 年全球計劃投入運營新晶圓廠數量達 42 個，較 23 年顯著提升.14 圖表 24：中國半導體產能擴張迅猛，12 寸產能預計新增超 200 萬片/月.15 圖表 25：中芯國際預計 24 年資本開支與 23 年持平，23 年資本開支高達 76.33 億美元.16 圖表 26：ASML2024Q1 收入中中國大陸地區占比快速提升至 49%.16 圖表 27：2024 年第一季度從荷蘭光刻機進口額達到 21.67 億美元，同比增長 290.4%.17 圖表 28：上

11、海、北京、山東等五大省市合計占荷蘭光刻機進口總量的 86.44%.17 圖表 29：中科飛測產品布局廣泛，平臺型量/檢測設備雛形已現.20 圖表 30：半導體設備公司估值對比（股價基準日 2024 年 5 月 24 日）.21 行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 4 一、半導體設備：電子行業基石產業，國產替代空間廣闊 1.11.1 半導體設備處于產業鏈上游，是整個產業鏈的基本支撐半導體設備處于產業鏈上游，是整個產業鏈的基本支撐 半導體產業鏈分為上游支撐產業，中游制造產業，下游應用產業。半導體設備處于產業鏈上游，為半導體支撐產業。半導體設備主要分為前道設備和后道設備，前道設備包括光刻、刻蝕、

12、清洗、離子注入、薄膜生長、化學機械平坦等；后道設備包括減薄、劃片、打線、Bonder、FCB、BGA 植球、檢查、測試設備等。中游涉及 IC 設計、芯片制造、及芯片封測；其中芯片制造及芯片封測需要分別用到半導體前道和后道設備。下游應用市場包括通訊技術、消費電子、汽車電子、工業電子等。圖表圖表1 1：半導體設備是整個半導體設備是整個半導體半導體產業鏈的基本支撐產業鏈的基本支撐 來源：拓荊科技招股書，國金證券研究所 2023 年受下游需求景氣度及經濟環境影響，全球/中國半導體市場均出現一定程度下滑。中微公司 2023 年年報披露，根據 Gartner 數據，2023 年全球半導體市場規模為 533

13、0 億美元，同比下降 11%，受益于需求好轉，預計 2024 年有望達到 6300 億美元，同比+18%。據 Statista 2023 年 8 月發布的中國半導體市場規模預測數據，2023 年中國市場整體規模為 1795 億美元，同比下降 7%；預計 2024 年中國半導體市場有望復蘇至 1989 億美元，同比+11%。圖表圖表2 2：20202 24 4 年全球半導體市場年全球半導體市場有望復蘇至有望復蘇至 63006300 億美元億美元 圖表圖表3 3：20242024 年中國半導體市場有望年中國半導體市場有望復蘇至復蘇至 19891989 億美元億美元 來源：Gartner，中微公司

14、2023 年年報，國金證券研究所 來源：Statista，國金證券研究所 受地緣政治及擴產周期的影響，2023 年全球半導體設備銷售額出現下滑，但在全球半導體設備市場周期性衰退的同時，中國大陸半導體設備市場仍維持強勁增長態勢。23 年上半年，受行業去庫及制裁收緊影響，半導體設備銷售額受到明顯影響，出現一定程度下滑。2023 年下半年開始中國大陸半導體設備銷售額出現明顯回暖，4Q23 中國大陸半導體設備-15%-10%-5%0%5%10%15%20%25%30%010002000300040005000600070002017201820192020202120222023 2024E全球半導體

15、市場規模(億美元，左軸)YoY(%，右軸)-15%-10%-5%0%5%10%15%20%25%30%050010001500200025002017201820192020202120222023 2024E中國半導體市場規模(億美元，左軸)YoY(%，右軸)行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 5 銷售額達 121.29 億美元，同比+90.81%，反映出中國大陸半導體設備旺盛需求。與此同時，2023 年中國大陸占全球半導體前道設備市場比例已達 35%，是目前半導體前道設備中最大的細分市場。圖表圖表4 4：2Q232Q23 中國半導體設備銷售額同比轉正，中國半導體設備銷售額同比轉正，4Q

16、4Q2323 中國半導體設備銷售中國半導體設備銷售額同比額同比+90.81%90.81%來源：Wind，國金證券研究所 圖表圖表5 5：中國大陸中國大陸 20232023 年占全年占全球球半導體前道設備市場的半導體前道設備市場的 35%35%來源：中微公司 2023 年年報，國金證券研究所 1.21.2 半導體設備指數半導體設備指數受行業政策及行業周期影響較大受行業政策及行業周期影響較大 近年來，半導體設備指數受美荷日三國對我國半導體設備企業的管制及國產化率提升影響較大。部分政策限制了我國半導體關鍵設備和技術的突破，但也使得國產化進程和自主研發需求加強，實現進一步持續突破。此外我國在稅收優惠、

17、產業支持以及投資扶持等政策的鼓勵下，半導體設備行業公司競爭力不斷提升，先進制程及低國產化率產品逐步突破，國產化進程穩步推進。-40%-20%0%20%40%60%80%100%120%050100150200250300350全球半導體設備銷售額（億美元，左軸）中國大陸半導體設備銷售額（億美元，左軸）全球半導體設備銷售額YoY（%，右軸）中國大陸半導體設備銷售額YoY（%，右軸）35%19%19%12%7%6%2%中國大陸中國臺灣韓國北美洲日本歐洲其他行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 6 圖表圖表6 6：半導體設備指數受制裁政策及行業周期影響較大半導體設備指數受制裁政策及行業周期影響較大

18、 來源：Wind，國金證券研究所 2022 年我國半導體設備指數出現明顯下滑，2022 年 9 月 1 日至 2022 年 10 月 10 日跌幅達 17.7%。明顯受到 2022 年 10 月美國商務部工業和安全局（BIS）發布的對中國的先進半導體和計算設備的出口管制的影響,對 128 層及以上 3DNAND 芯片、18nm 半間距及以下DRAM 內存芯片、16nm 或 14nm 或以下非平面晶體管結構(即 FinFET 或 GAAFET)邏輯芯片相關設備進一步管控。2023 年一季度半導體設備指數出現明顯上漲，國內半導體企業設備開支預期向好。國內頭部邏輯廠、存儲廠及地方支持產線持續擴產，扭

19、轉 22 年底國內半導體資本開支因受到制裁而下調的趨勢。我國半導體企業在去膠、清洗、CMP、熱處理、刻蝕的國產化率較高，并加深關注薄膜沉積、離子注入、量測等國產化率較低的環節。23 年下半年，受消費電子需求下降影響，全球半導體市場收縮。IDC 數據指出，全球半導體市場出現了同比 12%的萎縮。SEMI 數據表明 2023 年第三季度全球半導體設備出貨金額比去年同期下降 11%。美國于 2023 年 10 月再次出臺的對華半導體限制規定，日本和荷蘭也相繼出臺了針對先進半導體設備的出口管制政策。半導體設備指數出現下滑，但進一步刺激和推動了半導體設備國產化進程的加速。24 年一季度，半導體行業持續觸

20、底，24 年全球半導體市場有望進入上行周期。臺積電一季度法說會指出，在消費電子方面，智能手機需求已逐漸緩慢復蘇，PC 相關行業已觸底反彈，但整體復蘇緩慢。根據 Gartner2023 年底預測，半導體下游去庫已基本進入尾聲階段，2024 年半導體銷售額有望達 6240 億美元，同比+16.8%，重新進入上行區間。需求復蘇疊加國產廠商產品突破、份額提升，半導體設備公司業績持續釋放，國產化進程持續加速推進。行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 7 圖表圖表7 7：美日荷三國針對先進制程所需半導體設備，持續收緊對華政策美日荷三國針對先進制程所需半導體設備，持續收緊對華政策 時間時間 政策和相關事件

21、政策和相關事件 重點內容重點內容 2022.10 美國 BIS 推出芯片法案 對 128 層及以上 3DNAND 芯片、18nm 半間距及以下 DRAM 內存芯片、16nm 或 14nm 或以下非平面晶體管結構(即 FinFET 或 GAAFET)邏輯芯片相關設備進一步管控。此外在沒有獲得美國政府許可的情況下,美國國籍公民禁止在中國從事芯片開發或制造工作。2022.12 美國新增實體清單公司 美國商務部決定將包括長江存儲、寒武紀、上海集成電路研發中心、上海微電子、深圳鵬芯微等在內的 36 家中國實體(包括一家長江存儲日本子公司)加入實體清單。2023.3 日本政府宣布將修訂外匯與外貿法相關法令

22、,5 月正式頒布,7 月施行。清單擬對六大類 23 種先進半導體制造設備追加出口管制,主要包括極紫外線(EUV)相關產品的制造設備和用于存儲元件立體堆疊的刻蝕設備。按線寬來看,均為 10-14nm 以下的先進制程制造設備 2023.5 日本經濟產業省宣布修訂外匯與對外貿易法 將包括先進芯片制造設備在內的 23 類商品列入管制出口清單,23 類設備包括:3 項清洗設備、11 項薄膜沉積設備、1 項熱處理設備、4項光刻設備、3 項刻蝕設備、1 項測試設備。2023.6 荷蘭政府公布了有關半導體設備出口管制的新規定 1)對 DUV 設備(光源波長大于等于 193nm)的限制門檻是同時滿足兩個條件:光

23、源波長 xK/數值孔徑=45nm;套刻精度=1.5nm。根據 ASML官網聲明,對外出口其最先進的浸沒式 DUV 光刻系統(TWINSCAN NXT:2000i和后續的浸沒式系統),需要向荷蘭政府申請出口許可證,而 1980Di 浸潤式光刻系統(套刻精度 1.6nm),以及更低端的光刻設備的出口未受荷蘭政府管控。2)新規還對用于金屬原子層沉積(ALD)的設備、進行無空隙等離子體放大沉積的設備等進行限制。2023.10 美國 BIS 更新芯片法案 半導體設備限制更新:1)新增對于符合特定參數的外延設備、沉積設備、刻蝕設備、清洗設備的管制 2)新增對若干 EUV 相關的設備管制(包括鍍銅、沉積、涂

24、膠顯影等);3)限制 EUV 以及光源波長大于等于193nm,且 MRF 小于 45,且 dedicated chuck overlay2.4nm 的光刻設備 4)當光刻設備用于先進制程生產時,不存在最低美國科技含量要求。來源：前瞻產業研究院，國金證券研究所 1.31.3 競爭格局高度集中，國產替代競爭格局高度集中，國產替代空間空間廣闊廣闊 23 年受行業周期及 Nand 擴產影響，整體資本開支出現下滑。根據 SEMI2023 年 12 月的預測，盡管半導體設備市場 2023 年受到挑戰，Foundry/Logic 領域預計維持 6%的穩健年增長率，銷售額將達到 563 億美元，超過晶圓廠設備

25、總收入的一半。展望未來，2024 年半導體設備市場前道設備與后道設備均實現回暖并持續增長。受益于新晶圓廠項目的啟動和技術升級，預計 2025 年前道設備銷售額有望達到 1100 億美元。在 DRAM 方面，由于對高性能計算和高帶寬存儲器需求的穩步增長，尤其是 HBM 市場的快速興起，DRAM 的資本開支預計在 2023 年和 2024 年將分別實現微幅增長 1%及 3%，有望在 2025 年迎來 20%的顯著增長，有望達到 155 億美元。行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 8 圖表圖表8 8：預計預計 20242024 年前道及后道設備均有望恢復增長態年前道及后道設備均有望恢復增長態勢勢

26、(單位：十億美金單位：十億美金)圖表圖表9 9：2323 年受年受 NandNand 影響整體資本開支下滑，影響整體資本開支下滑，LogicLogic 設設備投資占設備總投入一半以上（備投資占設備總投入一半以上（單位：十億美金單位：十億美金)來源：SEMI,國金證券研究所 來源：SEMI,國金證券研究所 薄膜沉積、刻蝕和光刻設備是最重要的三大前道設備。根據 SEMI 數據，2022 年光刻、薄膜沉積以及刻蝕設備是最重要的三個前道設備，價值量占比分別達 20.2%/21.0%、19.3%，遠超其他設備，各自所占市場規模達到均接近 20%。全球龍頭半導體設備廠商中，有多家通過不斷整合并購，形成平臺

27、型公司，橫跨多個工藝制程。圖表圖表1010：薄膜沉積、刻蝕和光刻設備是最重要的前道設備薄膜沉積、刻蝕和光刻設備是最重要的前道設備 來源：SEMI，國金證券研究所 國產替代第一階段已初步完成，部分環節仍處于“卡脖子”階段。中國半導體產業近年來迎來高速發展期，雖然在高端光刻機和量測/檢測設備方面，國內替代進展相對緩慢，但在清洗、CMP、熱處理等領域的國產化率已超 30%，尤其在成熟制程等領域，憑借成本及效率優勢已展現出國內企業的競爭力。國內企業在提高先進制程相關設備的自主研發能力方面邁出穩健步伐，雖然目前先進制程設備國產廠商覆蓋率仍較低，但展望未來，隨先進制程產品逐步成熟以及先進制程持續擴產，國產

28、廠商設備有望在導入窗口內進一步成熟，持續提升整體國產化率。整體來說，看好國產廠商自身產品逐漸突破，隨先進制程持續擴產而迎來國產化率逐步提升。02040608010012014020222023E2024E2025EAssembly&Packaging EquipmentTest EquipmentWafer Fab Equipment02040608010012020222023E2024E2025EFoundry/logicDRAMNANDOTHER行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 9 圖表圖表1111：光刻、量光刻、量/檢測、涂膠顯影以及離子注入環節國產化率低檢測、涂膠顯影以及離子注

29、入環節國產化率低 設備種類 國產化率 國內企業 薄膜沉積設備 20%北方華創、拓荊科技、中微公司、微導納米等 光刻機 20%中微公司、北方華創等 量/檢測設備 30%盛美上海、北方華創、至純科技、芯源微等 涂膠顯影設備 30%華海清科等 熱處理設備 30%北方華創、屹唐半導體、盛美上海等 離子注入設備 10%萬業企業、中科信 來源：SEMI，中商產業研究院，國金證券研究所 二、制程突破疊加下游需求復蘇，看好年內晶圓廠持續擴產 2.12.1 制程逐漸突破，制程升級帶動設備投入增加制程逐漸突破，制程升級帶動設備投入增加 12 英寸晶圓廠設備支出在未來幾年將有望保持增長，成為擴產主升浪。SEMI 預

30、測 2025 年全球 300nm 設備支出將首次超過 1000 億美元，2027 年將達到 1370 億美元的歷史新高。在政府激勵措施和芯片國產化政策的推動下，中國未來四年將保持每年 300 億美元以上的投資規模，持續擴產 12 英寸晶圓代工產能。圖表圖表1212：預計預計 20252025 年全球年全球 3 30000m mm m（1212 英寸）英寸）設備支出將首次超過設備支出將首次超過 1 1000000 億美元億美元 來源：SEMI，國金證券研究所 半導體設備支出的增加很大程度源于先進制程的突破帶來的建設成本激增。摩爾定律指出集成電路上可以容納的晶體管數目在大約每經過 18 個月到 2

31、4 個月便會增加一倍。隨著先進制程的開發，芯片制程不斷縮小，摩爾定律逐步失效，對晶圓代工廠帶來的建設成本急速上升。5nm 芯片的晶圓廠建設成本高達 54 億美元是 7nm 的 1.8 倍。-10%0%10%20%30%40%50%0204060801001201401602017201820192020202120222023 2024E 2025E 2026E 2027E300mm設備支出（十億美元，左軸）增長率（%，右軸）行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 10 圖表圖表1313：5nm5nm 芯片的晶圓廠建設成本高達芯片的晶圓廠建設成本高達 5454 億美元，億美元，晶圓廠晶圓廠建設

32、成本急速上升建設成本急速上升 來源：SEMI、IBS、國金證券研究所 芯片結構走向 3D 化，刻蝕和薄膜沉積設備“量價齊升”。據中微公司 2023 年年報顯示，集成電路芯片制造工藝進步，芯片結構趨于 3D 化立體結構，在 Nand 存儲器件上率先發展。由于目前先進工藝芯片加工使用的光刻機受到波長限制，14 納米及以下的邏輯器件微觀結構的加工多通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合，使得刻蝕等相關設備的加工步驟增多且 60：1 及以上高深寬比設備使用次數增加。隨著堆疊層數的增加，刻蝕設備和薄膜沉積設備越來越成為關鍵核心的設備，在芯片制造環節的使用頻率及設備單價均有顯著提升。部分領先廠家在其他先進制

33、程邏輯芯片和高密度存儲 DRAM 上也在布局 3D 結構，反應明確產業趨勢。圖表圖表1414：存儲器件從存儲器件從 2 2D D 到到 3 3D D 的轉變，等離子體刻蝕成的轉變，等離子體刻蝕成為最關鍵的加工步驟為最關鍵的加工步驟 圖表圖表1515：3D NAND3D NAND 層數增加，對于高深寬比刻蝕設備價層數增加，對于高深寬比刻蝕設備價值量有明顯提升值量有明顯提升 來源：中微公司 2023 年年報，國金證券研究所 來源：中微公司 2023 年年報，國金證券研究所 晶體管結構從平面走向立體，刻蝕及薄膜沉積設備價值量增加。隨芯片制程的不斷提升，晶體管體積都在不斷縮小，但同時芯片柵極的寬度受光

34、學、物理及工藝限制存在極限尺寸，不能無止境縮小。但晶體管結構從二維走向三維可以提升單位面積內集成的晶體管數量，起到提升晶體管密度的作用。先進芯片從平面結構過渡到復雜的三維架構，晶體管結構的復雜度的提升，對于刻蝕和薄膜沉積技術也提出了更高的要求。010203040506065nm40nm28nm22nm16nm10nm7nm5nm每萬片晶圓廠建設成本（億美元）行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 11 圖表圖表1616：晶體管結構晶體管結構從平面過渡到復雜三維架構從平面過渡到復雜三維架構 來源：中微公司 2023 年年報，國金證券研究所 長鑫在 DRAM 持續突破，看好后續先進制程產品持續擴產

35、。2023 年末，長鑫存儲（CXMT）正式推出了 LPDDR5 系列產品，其中包括了 12Gb 的 LPDDR5 顆粒，POP 封裝的 12GB LPDDR5芯片及 DSC 封裝的 6GB LPDDR5 芯片，是國內首家自主研發并生產 LPDDR5 的廠家。據DigiTimes 報道，長鑫存儲已經開始量產 18.5 納米 DRAM，存儲芯片先進制程持續研發迭代及擴產帶來設備增量需求。圖表圖表1717：各大各大 DRAMDRAM 廠商研發進展，廠商研發進展，存儲芯片先進制程迭代帶來設備技術升級需求存儲芯片先進制程迭代帶來設備技術升級需求 來源：TechInsights，半導體行業觀察，國金證券研

36、究所 2.22.2 下游下游需求需求持續持續回暖，回暖，國內后續國內后續擴產規劃樂觀擴產規劃樂觀 移動通信和計算機是半導體最大的兩大下游市場。根據 SIA 的數據顯示，2023 年半導體下游應用終端市場中，移動通信類占比最大，達 32%；計算機類為第二大下游，占比約為25%。其余汽車類、工業類、消費電子類市場份額分別為 17%、14%以及 11%。政府類約占2%。行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 12 圖表圖表1818：移動通信和計算機是最大的半導體下游細分市場之一移動通信和計算機是最大的半導體下游細分市場之一 來源：SIA，國金證券研究所 全球半導體下游應用終端市場出貨量呈逐漸復蘇跡象

37、，占比最大的手機和筆電出貨量均于2023 年出現拐點，2024 年開年維持同比正增長趨勢，復蘇正在持續向前推進。根據 IDC和 Canalys 數據，全球智能手機出貨量自 2023 第三季度起，連續三季保持同比正增長，呈逐漸復蘇趨勢。2023 年第四季度出貨量同比增長 8.5%，達到 3.26 億部。2024 年第一季度同比繼續維持正增長態勢，同比+7.8%，達到 2.9 億部。圖表圖表1919：20232023 年第三季度后年第三季度后全球智能手機出貨量全球智能手機出貨量逐漸復蘇逐漸復蘇 來源：IDC，Canalys，國金證券研究所 全球 PC 市場也正在復蘇，后續有望受益于 AI PC 等

38、催化拉動，看好 24 年 PC 出貨量保持增長態勢。根據 Canalys 預測，2024 年全年全球 PC 出貨量將增長 8%，達到 2.67 億臺。全球 PC 出貨量連續下滑的趨勢在 2023 年第四季度出現拐點，出現逐漸恢復的增長趨勢，實現同比增長 3.1%，上升至 6525 萬臺。2024 年第一季度全球 PC 出貨量表現良好，第一季度持續恢復增長，實現同比增長 3.2%，出貨量達到 5724 萬臺。32%25%17%11%14%1%移動通信計算機汽車消費電子工業政府-20%-15%-10%-5%0%5%10%0501001502002503003502022Q12022Q22022Q3

39、2022Q42023Q12023Q22023Q32023Q42024Q1出貨量(百萬臺，左軸)YoY(%，右軸)行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 13 圖表圖表2020：2 2024024 年全球年全球 PCPC 出貨量呈持續恢復的增長趨勢出貨量呈持續恢復的增長趨勢 來源：Canalys，國金證券研究所 部分芯片設計公司已從“被動補庫存”階段陸續進入“主動去庫存階段”。當前，行業筑底已初步完成，22Q4 開始已經有部分芯片設計廠商庫存水位下降，大多數芯片設計公司庫存呈企穩態勢。展望未來，芯片設計公司庫存壓力將有望隨下游需求邊際向好及新產品拉貨而繼續改善，看好整體半導體周期復蘇。圖表圖表2

40、121：國內部分模擬芯片設計公司庫存國內部分模擬芯片設計公司庫存 2323 年下半年筑底（單位：億元）年下半年筑底（單位：億元）來源：Wind，國金證券研究所 -35%-30%-25%-20%-15%-10%-5%0%5%01020304050607080902022Q12022Q22022Q32022Q42023Q12023Q22023Q32023Q42024Q1出貨量(百萬臺，左軸)YoY(%，右軸)0246810121416182020Q1 20Q2 20Q3 20Q4 21Q1 21Q2 21Q3 21Q4 22Q1 22Q2 22Q3 22Q4 23Q1 23Q2 23Q3 23Q4

41、 24Q1卓勝微圣邦股份納芯微翱捷科技思瑞浦唯捷創芯匯頂科技杰華特南芯科技電科芯片艾為電子上海貝嶺行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 14 圖表圖表2222：國內部分數字芯片設計公司庫存從國內部分數字芯片設計公司庫存從 2222 年下半年進入下降趨勢（單位：億元）年下半年進入下降趨勢（單位：億元）來源：Wind，國金證券研究所 24 年恢復投產，全球計劃投入運營新晶圓廠數量達 42 個，較 23 年顯著提升。我們預計2024 年全球半導體產能將創下新紀錄，月產達 3000 萬片晶圓。預期的增長將由前沿邏輯和代工推動，特別是隨著生成式人工智能和高性能計算（HPC）的應用產能增長以及芯片終端需

42、求的復蘇。此外，雖然在 2023 年，半導體市場需求的疲軟和由此引發的庫存調整使產能擴張放緩，但 2024 年的市場前景向好，預期將恢復增長態勢。圖表圖表2323：2424 年全球計劃投入運營新晶圓廠數量達年全球計劃投入運營新晶圓廠數量達 4242 個，較個，較 2323 年顯著提升年顯著提升 來源：SEMI，國金證券研究所 中國半導體產能持續擴張，先進制程及存儲廠商擴產拉動設備需求。目前規劃 12 寸新增產能超 200 萬片/月，其中先進制程及存儲廠商擴產較多，在此國產設備導入窗口期，看好國產設備公司隨擴產逐漸落地，產品逐步突破以提升整體市場占有率。0102030405060708020Q1

43、 20Q2 20Q3 20Q4 21Q1 21Q2 21Q3 21Q4 22Q1 22Q2 22Q3 22Q4 23Q1 23Q2 23Q3 23Q4 24Q1紫光國微兆易創新北京君正格科微佰維存儲江波龍復旦微電晶晨股份瑞芯微思特威國科微寒武紀291142051015202530354045202220232024晶圓廠數量（個）行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 15 圖表圖表2424：中國半導體產能擴張迅猛，中國半導體產能擴張迅猛，1212 寸寸產能預計新增超產能預計新增超 200200 萬片萬片/月月 序號序號 狀態狀態 廠商廠商 公司主體名稱公司主體名稱 工廠代碼工廠代碼 地點地點

44、 當前產能當前產能 （萬片（萬片/月）月）規劃產能規劃產能 （萬片（萬片/月）月）1 建成 中芯國際 中芯南方集成電路制造有限公司 SN1 上海 1.5 3.5 2 在建 中芯國際 中芯南方集成電路制造有限公司 SN2 上海 0 3.5 3 建成 中芯國際 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 B1(Fab4、6)北京 5.2 6 4 建成 中芯國際 中芯北方 B2 北京 6.2 10 5 在建 中芯國際 中芯京城 B3P1 北京 0 5 6 計劃 中芯國際 中芯京城 B3P2 北京 0 5 7 計劃 中芯國際 中芯京城 B3P3 北京 0 5 8 計劃 中芯國際 中芯京城 B3P4 北京 0

45、 5 9 建成 中芯國際 中芯國際集成電路制造(深圳)有限公司 Fab16A/B 深圳 0 4 10 建成 華虹集團(上海華力)華力微電子 Fab5 上海 3.5 3.5 11 建成 華虹集團(上海華力)華力集成電路 Fab6 上海 3 4 12 建成 華虹集團(華虹半導體)華虹半導體(無錫)有限公司 Fab7 無錫 2.5 8 13 計劃 華虹集團(上海華力)華力八廠 Fab8 上海 0 4 14 計劃 華虹集團(華虹半導體)華虹九廠 Fab9 無錫 0 8 15 建成 長江存儲 長江存儲科技有限責任公司 Fab1 武漢 5 10 16 在建 長江存儲 長江存儲科技有限責任公司 Fab2 武

46、漢 0 10 17 建成 長江存儲 長江存儲科技有限責任公司 Fab3 武漢 0 10 18 在建 紫光集團 成都紫光國芯存儲科技有限公司 CD 成都 0 30 19 暫停 紫光集團 南京紫光存儲科技控股有限公司-南京 0 30 20 建成 合肥長鑫 長鑫存儲技術有限公司 Fab1 合肥 4 12.5 21 計劃 合肥長鑫 長鑫存儲技術有限公司 Fab2 合肥 0 12.5 22 計劃 合肥長鑫 長鑫存儲技術有限公司 Fab3 合肥 0 12.5 23 建成 晶合集成 合肥晶合集成電路有限公司 N1 合肥 4 4 24 建成 晶合集成 合肥晶合集成電路有限公司 N2 合肥 0 4 25 計劃

47、晶合集成 合肥晶合集成電路有限公司 N3 合肥 0 4 26 計劃 晶合集成 合肥晶合集成電路有限公司 N4 合肥 0 4 27 在建 廣州粵芯 廣州粵芯半導體技術有限公司-廣州 2 4 28 在建 芯恩 芯恩(青島)集成電路有限公司-青島 0.3 4 29 在建 士蘭微(士蘭集昕)杭州士蘭集昕微電子有限公司 Fab2 杭州 3.6 4 30 建成 士蘭微(士蘭集昕)杭州士蘭集昕微電子有限公司 Fab1 杭州 3.5 4 31 建成 士蘭微(士蘭集昕)廈門士蘭集科微電子有限公司 Fab1 廈門 4 8 32 計劃 士蘭微(士蘭集昕)廈門士蘭集科微電子有限公司 Fab2 廈門-8 33 建成 福

48、建晉華 福建省晉華集成電路有限公司 Fab1、2 泉州-6 來源：ITTBANK,芯語,國金證券研究所 國內龍頭晶圓代工廠 24 年維持資本開支，國產設備廠商有望受益先進制程邏輯廠及存儲廠擴產。代工大廠維持高資本開支疊加國內存儲大廠年內有望招標擴產，24 年國產半導體設備廠商有望迎來訂單大年。2023 年中芯國際資本開支 76.33 億美元，同比+21.9%，根據中芯國際年報，24 年資本開支預計將持平。行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 16 圖表圖表2525：中芯國際預計中芯國際預計 2424 年資本開支與年資本開支與 2323 年持平，年持平，2323 年資本開支高達年資本開支高達

49、76.3376.33 億美元億美元 來源：國金證券研究所 ASML2024 年 Q1 中國大陸訂單持續交貨，占比已提升至 49%。主要歸因于 2021-2022 年積壓的中國大陸客戶訂單，光刻機作為卡脖子環節設備，國內晶圓廠會提前下海外光刻機設備訂單，隨著 ASML 設備的交付，其他環節設備需求開始釋放。24Q1ASML 在中國大陸銷售額 25.92 億歐元，中國大陸占比創新高，反應國內逆勢擴產，設備需求強勁。圖表圖表2626：ASMLASML2022024Q14Q1 收入中中國大陸地區占比快速提升至收入中中國大陸地區占比快速提升至 49%49%來源：ASML 公告，國金證券研究所 2024

50、年第一季度中國從荷蘭半導體設備進口金額同比大增，反映了國內半導體產業持續擴張。根據中國海關總署的最新數據，2024 年第一季度，中國從荷蘭的半導體設備進口額達到 21.67 億美元，同比顯著增長 290.4%。2024 第一季度進口光刻機共計 54 臺，顯示出國內半導體制造業對高端設備的強烈需求。其中，1 月份進口額 6.66 億美元，同比增長522%，環比下降 41%，進口數量 20 臺；2 月份進口額 3.9 億美元，同比增長 105.9%，環比下滑 41.4%，進口數量 12 臺；3 月份進口額 11.1 億美元，同比增長 329.1%，環比增長184.3%，進口數量 22 臺。-30%

51、-20%-10%0%10%20%30%40%50%010203040506070809020202021202220232024E資本開支（億美元，左軸）YoY（%，右軸）0%10%20%30%40%50%60%0102030405060708021Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q1ASML營收（億歐元）中國大陸營收（億歐元）中國大陸占比行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 17 圖表圖表2727：20242024 年第一季度從荷蘭光刻機進口額達到年第一季度從荷蘭光刻機進口額達到 21.6721.67 億美元，億美元，同比增長同比增長

52、 290.4%290.4%來源：海關總署，國金證券研究所 24Q1 光刻機到貨主要集中于上海、北京、山東、廣東四大省市。2024 年 1-3 月，我國光刻機的進口數據顯示，全國共有 9 個省市參與進口，總計進口光刻機數量呈現地域性集中趨勢。其中，上海市、北京市、山東省、四川省和廣東省位列進口量前五名。五大省市合計占全國光刻機進口總量的 86.44%，分別和對應的晶圓及半導體企業規模成正比。上海市以 6.17 億美元的進口額占比最高，達 28.49%，北京市以 4.64 億美元緊隨其后，占比21.41%，而山東、廣東和安徽都超過 1 億美元進口量，占比分別達到 15.2%、13.51%和7.83

53、%。圖表圖表2828：上海、北京、山東等五大省市合計占荷蘭光刻機進口總量的上海、北京、山東等五大省市合計占荷蘭光刻機進口總量的 86.44%86.44%數量(臺)金額(億美元)占比 主要晶圓廠 上海市 16 6.17 28.49%中芯國際、積塔、上海臺積電、華虹、鼎泰匠心、上海格科微、Diodes 北京市 14 4.64 21.41%中芯國際、長鑫存儲、賽微電子、燕東微電子 山東省 5 3.29 15.20%青島芯恩、比亞迪濟南 廣東省 8 2.93 13.51%成都德州儀器 安徽省 2 1.70 7.83%中芯國際、廣州粵芯、廣州增芯、潤鵬半導體 四川省 3 1.51 6.95%福建晉華、士

54、蘭微、聯芯集成 福建省 2 1.02 4.72%晶合集成、長鑫存儲 江蘇省 3 0.30 1.37%無錫海力士、華虹、華潤微、無錫海辰、和艦科技、南京臺積電、揚州晶新 陜西省 1 0.11 0.51%西安三星 合計 54 21.66911 100.00%來源：海關總署，集微咨詢，國金證券研究所 三、投資建議 一方面，半導體周期持續觸底，大陸晶圓廠擴產景氣度向上。邏輯端 2023 年中芯國際資本開支達到 75 億美元，同比+18%，并預計 2024 年資本開支同比基本持平。存儲端，兩大存儲廠商持續發力，2024 年有望走出制裁困境，設備國產化率有望提升。另一方面，國產設備廠商產品持續突破，訂單及

55、業績已進入高速增長期，部分領先廠商已進入先進制程供應鏈并獲得海外批量訂單。目前，國內存儲廠商的招標和設備下單的情況有望得到積極的改善，看好訂單彈性較大的中微公司、拓荊科技、華海清科；隨著半導體周期走出底部，051015202530354002468101214金額(億美元 左軸)數量(臺 右軸)行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 18 一些成熟制程大廠的資本開支有望重新啟動，自主可控疊加復蘇預期，看好其中國產化率較低的精測電子、中科飛測、芯源微；同時 2024 年先進制程設備研發與驗證導入持續推進，看好國產設備平臺公司北方華創。北方華創：平臺化龍頭半導體設備公司，受益國內北方華創：平臺化龍

56、頭半導體設備公司，受益國內擴產擴產業績持續高增。業績持續高增。公司半導體設備產品覆蓋刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、外延設備等，持續擴張產品矩陣，工藝覆蓋度不斷提升?？涛g設備：ICP 刻蝕國內領先，12 寸 CCP 晶邊刻蝕機 Accura BE 已經推出并量產，2024 年 3 月已發布 12 英寸雙大馬士革 CCP 刻蝕機。公司 CCP 介質刻蝕設備實現了邏輯、存儲、功率半導體等領域多個關鍵制程的覆蓋，已累計出貨超 100 腔；公司深耕ICP 刻蝕技術二十余年，截至 2023 年底，ICP 刻蝕設備已累計出貨超 3200 腔。薄膜設備：PVD 設備實現了對邏輯芯片和存儲芯片金屬化制程的全覆蓋，截

57、至 2023年底，已推出 40 余款 PVD 設備，累計出貨超 3500 腔；已實現 30 余款 CVD 產品量產應用，累計出貨超 1000 腔；此外，公司具備單晶硅、多晶硅、SiC、GaN 等多種材料外延生長技術能力，已發布 20 余款量產型外延設備，累計出貨超 1000 腔、外延設備國內領先。清洗設備及立式爐：立式爐和清洗設備分別約占集成電路裝備總資本開支的 5%，公司目前已經實現槽式工藝全覆蓋，高端單片工藝實現突破，截至 2023 年底，累計出貨超 1200 臺。立式爐實現邏輯和存儲制程應用全覆蓋，累計出貨超 700 臺。中微公司：中微公司：刻蝕設備龍頭公司，薄膜沉積設備獲持續性訂單?？?/p>

58、蝕設備龍頭公司，薄膜沉積設備獲持續性訂單。公司是國內刻蝕設備龍頭公司，薄膜沉積設備訂單逐步起量，研發持續布局，薄膜沉積設備及光學檢測設備后續有望貢獻第二、第三成長曲線?？涛g設備：ICP 和 CCP 設備正快速突破，在邏輯產線中，公司開發的 12 英寸高端刻蝕設備已經在從 28nm 以下結點大量量產;在 3D NAND 中，公司的等離子體刻蝕設備已應用于 128 層及以上的量產，新開發的用于超高深寬比掩膜刻蝕的 ICP 設備在生產線上驗證順利，用于超高深寬比介質刻蝕的 CCP 設備也進入到良率和可靠性驗證階段，大功率 400kHz 偏壓射頻的 Primo UD-RIE 已經在生產線驗證出具有刻蝕

59、60:1深寬比結構的能力。截至 2023 年底，公司累計生產付運超過 2800 個 CCP 刻蝕反應臺，同時在手訂單充裕。MOCVD：公司在氮化鎵基 MOCVD 設備保持全球領先地位。公司于 2022 年推出了用于氮化鎵功率器件生產的 MOCVD 設備已付運至國內外領先客戶，并取得了重復訂單。此外，公司領先布局 Micro-LED 應用的專用 MOCVD 設備 23 年交付樣機運至國內領先客戶開展生產驗證。薄膜沉積設備：公司的鎢系列薄膜沉積產品已可覆蓋存儲器件所有鎢應用，并成功通過多家邏輯和存儲客戶對 CVD/HAR/ALD W 鎢設備的驗證。此外，公司 EPI 設備已進入工藝驗證和客戶驗證階

60、段，以滿足客戶先進制程中鍺硅外延生長工藝的電性和可靠性需求。拓荊科技：拓荊科技：國內薄膜沉積設備龍頭，混合鍵合設備已量產交付。國內薄膜沉積設備龍頭，混合鍵合設備已量產交付。公司 PECVD 已實現介質材料全覆蓋，ALD、SACVD、HDPCVD 等工藝覆蓋能力不斷提升，薄膜沉積領域競爭力凸顯。此外，公司混合鍵合設備已開始貢獻收入。PECVD：PECVD設備作為主打產品，已實現全系列薄膜材料的覆蓋。23年公司首臺PECVD LokII 工藝設備、ADC II 工藝設備通過驗收，實現了產業化應用；NF-300H 型號設備已實現產業化應用，可以沉積 ThickTEOS 等介質薄膜。目前，公司 PEC

61、VD 通用介質薄膜材料（包括二氧化硅、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG 等）和先進介質薄膜材料（包括 ACHM、LoKI、LoKII、ADCI、ADCII、HTN、a-Si 等）均已實現產業化應用。ALD：公司 ALD 產品系列包括 PE-ALD（等離子體增強原子層沉積）產品和 Thermal-ALD（熱處理原子層沉積）產品。公司 PE-ALD（NF-300H Astra）設備（沉積二氧化硅薄膜）通過客戶驗證，實現了產業化應用，該設備主要應用于沉積較厚的 PE-ALD 薄膜，具有高產能和低成本的優勢。23 年公司首臺 Thermal-ALD（TS-300 Alta

62、ir）設備通過客戶端驗證。該設備可以在同一臺設備中沉積 Thermal-ALD 金屬化合物薄膜及 PECVD、ADCII 薄膜。溝槽沉積設備：公司 SACVD 設備持續拓展應用領域，23 年新推出了等離子體處理優化的 SAF 薄膜工藝應用設備并出貨至客戶端驗證。目前公司 SACVD 設備可實現 SA TEOS、SA ILD、BPSG、SAF 薄膜沉積工藝。HDPCVD 設備方面，沉積 USG 薄膜設備已經行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 19 通過客戶端驗證，當前可以沉積二氧化硅、USG、FSG、PSG 等介質材料薄膜。截至 23年末，公司 HDPCVD 產品已累計出貨超過 40 個反應

63、腔。鍵合設備：公司首臺晶圓對晶圓鍵合產品 Dione 300 順利通過客戶驗證，并獲得批量訂單，為國產首臺應用于量產的混合鍵合設備；芯片對晶圓混合鍵合前表面預處理產品 Propus 已通過客戶端驗證，為國產首臺應用于量產的同類型產品。2023 年混合鍵合設備實現 3 臺銷售，收入為 6430 萬元。華海清科：華海清科：CMPCMP 設備龍頭公司，布局減薄設備龍頭公司，布局減薄/劃切劃切/清洗清洗等等設備設備，晶圓再生業務有望貢獻全新，晶圓再生業務有望貢獻全新增長曲線增長曲線。公司 CMP 及減薄設備持續迭代，產品端持續突破，市占率不斷提升。其他類設備開發與驗證也在持續加速中，產品包括劃切、清洗

64、、供液系統、膜厚測量等。除此之外，公司初步實現了“裝備+服務”的平臺化戰略布局，隨國內晶圓產能持續增加，晶圓再生及 CMP 維保有望持續貢獻收入。CMP 設備：國內 CMP 龍頭公司，23 年實現收入 22.78 億元，同比+59.20%。公司根據客戶需求對部分主流機型進行升級改造，在 WPH（每小時生產片數）、工藝靈活性方面實現更高突破。Universal H300 首臺完成多道工藝小批量驗證，預計 24 年量產；面向第三代半導體客戶的 Universal-150Smart 已小批量出貨且新機型在研，預計 24年發往客戶驗證。減薄設備：Versatile-GP300 減薄拋光一體機取得多領域

65、頭部企業批量訂單，多臺已發往客戶端；12 英寸晶圓減薄貼膜一體機取得 IC 封測龍頭 Demo 訂單；干拋型封裝減薄機預計 24H1 發往客戶端驗證；此外，主軸、多孔吸盤等核心零部件完成國產化開發，部分達量產條件。其他設備：1）劃切設備：12 英寸晶圓邊緣切割設備 24H1 已發往某存儲龍頭廠商驗證。2）清洗設備：首臺 HSC-F3400 發往國內大硅片龍頭企業驗證；12 英寸晶圓正背面及邊緣清洗的清洗機在公司進一步測試；用于 4/6/8 英寸化合物半導體的刷片清洗設備已發往客戶端驗證；用于 4/6/8/12 英寸片盒清洗設備已交付晶圓再生產線驗證。3）供液系統：SDS/CDS 供液系統設備已

66、獲批量采購，新品 CDS 開發完成。4）膜厚測量設備：已發往多家客戶驗證、實現小批量出貨，部分機臺通過驗收。晶圓再生業務：當前晶圓再生產能已經達到 10 萬片/月，采用先進的 CMP 研磨方式，大幅提升再生晶圓的循環使用次數，獲得多家國內知名大廠生產線批量訂單并長期穩定供貨。盛美上海：盛美上海：清洗設備龍頭公司，電鍍設備、清洗設備龍頭公司，電鍍設備、TrackTrack 以及以及 PECVDPECVD 等新產品進展順利。等新產品進展順利。公司先后開發了前道半導體工藝設備，包括清洗設備、半導體電鍍設備、立式爐管系列設備、涂膠顯影 Track 設備、等離子體增強化學氣相沉積 PECVD 設備、無應

67、力拋光設備；后道先進封裝工藝設備以及硅材料襯底制造工藝設備等。清洗設備：公司自主研發 SAPS、TEBO 兆聲波單片清洗設備、單片槽式組合清洗設備、全自動槽式清洗設備等多種半導體清洗設備。目前公司的半導體清洗設備主要應用于 12 英寸的晶圓制造領域的清洗工藝與國際巨頭公司類似產品相比具備競爭力。半導體電鍍設備：公司自主開發針對 28nm 及以下技術節點的 IC 前道銅互連鍍銅技術 UltraECPmap；此外，應用于填充 3d 硅通孔 TSV 和 2.5D 轉接板的三維電鍍設備UltraECP3d，該設備可為高深寬比（深寬比大于 10:1）銅應用提供高性能、無孔洞的鍍銅功能，該設備目前已在客戶

68、端量產并繼續取得批量重復訂單。Track&PECVD 設備：公司 12 寸涂膠顯影設備支持包括 i-line、KrF 和 ArF 系統在內的各種光刻工藝。在 PECVD 設備方面，公司即將向中國的一家集成電路客戶交付其首臺 PECVD 設備，兩個全新的產品系列將使公司全球可服務市場規模翻倍增加。中科飛測：中科飛測：平臺化量平臺化量/檢測設備公司，檢測設備公司，產品逐步突破，產品逐步突破，市占率持續提升市占率持續提升。公司目前產品覆蓋無圖形晶圓缺陷檢測、圖形晶圓缺陷檢測、套刻精度量測、介質薄膜膜厚量測、三維形貌量測、金屬薄膜膜厚量測設備。公司明場納米圖形晶圓缺陷檢測設備已出貨國內頭部客戶開展產線

69、工藝驗證；暗場納米圖形晶圓缺陷檢測設備已完成樣機開發，正在進行客戶樣片的工藝驗證測試。行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 20 圖表圖表2929：中科飛測產品布局廣泛，平臺型量中科飛測產品布局廣泛，平臺型量/檢測設備雛形已現檢測設備雛形已現 來源：中科飛測 23 年報，國金證券研究所 芯源微：芯源微：涂膠顯影設備國內領先廠家，清洗設備、臨時鍵合及解鍵合設備等布局拓寬業務涂膠顯影設備國內領先廠家，清洗設備、臨時鍵合及解鍵合設備等布局拓寬業務范圍。范圍。目前國內前道涂膠顯影設備市場仍被日本東京電子高度壟斷，外部貿易環境變化加速國產替代，公司目前部分型號設備工藝水平已能夠對標國際主流機臺，有望深

70、度受益于國產替代。前道涂膠顯影設備：目前已成功推出包括 offline、I-line、KrF 及 ArF 浸沒式在內的多種型號產品，新簽訂單保持良好增速，浸沒式機臺已獲得國內 5 家重要客戶訂單。此外，公司在高端 NTD 負顯影、SOC 涂布等新機臺銷售方面也取得了良好進展，進一步拓展了公司涂膠顯影設備的工藝應用場景和市場空間。前道清洗設備：前道物理清洗機已成為國內邏輯、功率器件客戶主力量產機型，廣泛應用于中芯國際、上海華力、青島芯恩、廣州粵芯、上海積塔、廈門士蘭等一線大廠。新一代高產能物理清洗機已發往國內重要存儲客戶開展驗證，機臺應用新一代高產能架構，可滿足存儲客戶對產能的更高指標要求，有望

71、在存儲領域打開增量空間。此外，公司前道化學清洗機目前已獲得國內重要客戶的驗證性訂單，未來有望成長為公司新的業績增長點。后道先進封裝設備：后道先進封裝用涂膠顯影設備、單片式濕法設備已連續多年作為主流機型批量應用于臺積電、盛合晶微、長電科技、華天科技、通富微電、珠海天成等海內外一線大廠。此外，公司目前已成功推出了包括臨時鍵合、解鍵合、Frame 清洗等在內的多款新產品，并實現了良好的簽單表現。精測電子：精測電子：布局半導體前道量測設備，增資江城實驗室涉足先進封裝領域。布局半導體前道量測設備，增資江城實驗室涉足先進封裝領域。上海精測膜厚系列產品、OCD 設備、電子束設備已取得國內多家客戶的批量訂單；

72、半導體硅片應力測量設備也取得客戶重復訂單；此外，明場光學缺陷檢測設備已完成首臺套交付及驗收，且已取得更先進制程訂單；有圖形暗場缺陷檢測設備等其余儲備的產品目前正處于研發、認證以及拓展的過程中。目前公司核心產品已覆蓋 1xnm 及以上制程，23 年公司在整個半導體板塊實現銷售收入 3.95 億元，較上年同期增長 116.02%。截至 23 年底，公司在半導體領域在手訂單約 16.02 億元。此外，公司增資了湖北江城實驗室，開始布局先進封裝技術。后續隨數據中心、超算、AI 產業快速發展，有力于促進公司半導體業務協同成長。微導納米：微導納米：ALDALD、CVDCVD 工藝種類覆蓋持續增加，訂單顯著

73、提升。工藝種類覆蓋持續增加，訂單顯著提升。公司是國內首家成功將量產型 High-k 原子層沉積（ALD）設備應用于集成電路制造前道生產線的國產設備廠商。目前，公司進入產業化驗證階段的 ALD 和 CVD 工藝種類不斷增加，目前已開發工藝包括了HKMG 技術、柱狀電容器、金屬化薄膜沉積技術及高深寬比 3D DRAM、TSV 技術等，并還在行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 21 持續開發客戶需求的 IGZO、Nb2O5 等新工藝?？蛻纛愋秃w了邏輯、存儲、化合物半導體、硅基 OLED 等，目前公司超過 75%的增量訂單來自存儲領域，重復訂單合計已超過 5 億元。京儀裝備：京儀裝備：溫控設備持

74、續放量，多元化產品布局貢獻新增長。溫控設備持續放量，多元化產品布局貢獻新增長。公司半導體專用溫控設備產品主要用于 90nm 到 14nm 邏輯芯片以及 64 層到 192 層 3DNAND 等存儲芯片制造中若干關鍵步驟的大規模量產；半導體專用工藝廢氣處理設備產品主要用于 90nm 到 28nm 邏輯芯片以及 64 層到 192 層 3DNAND 等存儲芯片制造中若干關鍵步驟的大規模量產；晶圓傳片設備產品主要用于 90nm 到 28nm 邏輯芯片制造中若干關鍵步驟的大規模量產。公司下游客戶包括長江存儲、中芯國際、華虹集團、大連英特爾、廣州粵芯、睿力集成等國內主流集成電路制造產線。萬業企業：公司旗

75、下凱世通是目前國內實現 28nm 低能離子注入工藝全覆蓋的國產供應商，產品包括面向 CIS 的大束流注入機、中束流離子注入機、氫離子大束流注入機以及面向碳化硅的高溫離子注入機。2024 年一季度，凱世通發布面向 CIS 的大束流離子注入機，該產品于 2023 年第四季度收到客戶訂單，并于 2024 年 3 月向客戶進行交付。嘉芯半導體已形成多個半導體前道核心設備產品線，業務覆蓋刻蝕、薄膜沉積、快速熱處理等多類主制程設備以及尾氣處理等支撐制程設備，2023 年凱世通及嘉芯半導體共獲得集成電路設備訂單約 4 億元 圖表圖表3030：半導體設備公司估值對比（股價基準日半導體設備公司估值對比（股價基準

76、日 20242024 年年 5 5 月月 2424 日）日）證券代碼 公司 市值（億元）歸母凈利潤預測（億元）PE 2024E 2025E 2026E 2024E 2025E 2026E 002371.SZ 北方華創 1524 57.4 77.5 98.3 27 20 16 688012.SH 中微公司 809 20.1 26.4 34.1 40 30 23 688072.SH 拓荊科技 343 8.3 11.4 14.9 40 29 22 688120.SH 華海清科 274 10.0 13.2 16.3 27 21 17 688082.SH 盛美上海 326 10.3 13.8 16.8

77、32 24 19 688361.SH 中科飛測*161 1.8 2.42 2.97 89 66 54 300567.SZ 精測電子 160 2.7 3.8 5.1 59 42 31 688037.SH 芯源微 117 3.4 4.7 5.9 34 25 20 688147.SH 微導納米 129 5.8 7.7 9.8 22 17 13 688652.SH 京儀裝備 63 1.8 2.4 2.9 35 26 22 600641.SH 萬業企業 115 1.8 2.3 2.9 67 52 41 來源：Wind，國金證券研究所（注：標*公司歸母凈利潤預測來自國金證券研究所，其余為 Wind 一致預

78、期）四、風險提示 晶圓廠資本開支不及預期的風險：受下游消費電子景氣度影響，半導體景氣度持續處于底部，若后續半導體需求復蘇不及預期，晶圓廠資本開支不及預期，可能會對半導體設備板塊造成影響。行業競爭加劇的風險：半導體設備公司數量日益增多，且部分公司產品存在交叉，若半導體設備公司不能及時根據市場變化加快技術升級，提高產品及服務質量，可能面臨新產品和前沿技術的替代風險，降低市場競爭力可能導致行業競爭加劇，產生不利影響。海外制裁加劇的風險：光刻機等半導體設備國產化率相對較低，仍依靠海外進口。若后續制裁加劇，會對整體擴產產生不利影響。行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 22 行業投資評級的說明：行業投

79、資評級的說明：買入：預期未來 36 個月內該行業上漲幅度超過大盤在 15%以上；增持：預期未來 36 個月內該行業上漲幅度超過大盤在 5%15%；中性：預期未來 36 個月內該行業變動幅度相對大盤在-5%5%；減持：預期未來 36 個月內該行業下跌幅度超過大盤在 5%以上。行業深度研究 敬請參閱最后一頁特別聲明 23 特別聲明：特別聲明：國金證券股份有限公司經中國證券監督管理委員會批準，已具備證券投資咨詢業務資格。本報告版權歸“國金證券股份有限公司”（以下簡稱“國金證券”）所有，未經事先書面授權，任何機構和個人均不得以任何方式對本報告的任何部分制作任何形式的復制、轉發、轉載、引用、修改、仿制、

80、刊發，或以任何侵犯本公司版權的其他方式使用。經過書面授權的引用、刊發，需注明出處為“國金證券股份有限公司”，且不得對本報告進行任何有悖原意的刪節和修改。本報告的產生基于國金證券及其研究人員認為可信的公開資料或實地調研資料，但國金證券及其研究人員對這些信息的準確性和完整性不作任何保證。本報告反映撰寫研究人員的不同設想、見解及分析方法，故本報告所載觀點可能與其他類似研究報告的觀點及市場實際情況不一致，國金證券不對使用本報告所包含的材料產生的任何直接或間接損失或與此有關的其他任何損失承擔任何責任。且本報告中的資料、意見、預測均反映報告初次公開發布時的判斷，在不作事先通知的情況下，可能會隨時調整，亦可

81、因使用不同假設和標準、采用不同觀點和分析方法而與國金證券其它業務部門、單位或附屬機構在制作類似的其他材料時所給出的意見不同或者相反。本報告僅為參考之用，在任何地區均不應被視為買賣任何證券、金融工具的要約或要約邀請。本報告提及的任何證券或金融工具均可能含有重大的風險，可能不易變賣以及不適合所有投資者。本報告所提及的證券或金融工具的價格、價值及收益可能會受匯率影響而波動。過往的業績并不能代表未來的表現?？蛻魬斂紤]到國金證券存在可能影響本報告客觀性的利益沖突，而不應視本報告為作出投資決策的唯一因素。證券研究報告是用于服務具備專業知識的投資者和投資顧問的專業產品，使用時必須經專業人士進行解讀。國金證

82、券建議獲取報告人員應考慮本報告的任何意見或建議是否符合其特定狀況，以及（若有必要）咨詢獨立投資顧問。報告本身、報告中的信息或所表達意見也不構成投資、法律、會計或稅務的最終操作建議，國金證券不就報告中的內容對最終操作建議做出任何擔保，在任何時候均不構成對任何人的個人推薦。在法律允許的情況下，國金證券的關聯機構可能會持有報告中涉及的公司所發行的證券并進行交易，并可能為這些公司正在提供或爭取提供多種金融服務。本報告并非意圖發送、發布給在當地法律或監管規則下不允許向其發送、發布該研究報告的人員。國金證券并不因收件人收到本報告而視其為國金證券的客戶。本報告對于收件人而言屬高度機密，只有符合條件的收件人才

83、能使用。根據證券期貨投資者適當性管理辦法，本報告僅供國金證券股份有限公司客戶中風險評級高于 C3 級(含 C3 級）的投資者使用；本報告所包含的觀點及建議并未考慮個別客戶的特殊狀況、目標或需要，不應被視為對特定客戶關于特定證券或金融工具的建議或策略。對于本報告中提及的任何證券或金融工具，本報告的收件人須保持自身的獨立判斷。使用國金證券研究報告進行投資，遭受任何損失，國金證券不承擔相關法律責任。若國金證券以外的任何機構或個人發送本報告，則由該機構或個人為此發送行為承擔全部責任。本報告不構成國金證券向發送本報告機構或個人的收件人提供投資建議，國金證券不為此承擔任何責任。此報告僅限于中國境內使用。國金證券版權所有，保留一切權利。上海上海 北京北京 深圳深圳 電話：021-80234211 郵箱： 郵編：201204 地址：上海浦東新區芳甸路 1088 號 紫竹國際大廈 5 樓 電話：010-85950438 郵箱： 郵編：100005 地址：北京市東城區建內大街 26 號 新聞大廈 8 層南側 電話：0755-86695353 郵箱： 郵編：518000 地址：深圳市福田區金田路 2028 號皇崗商務中心 18 樓 1806