《華特氣體-公司研究報告-半導體特氣龍頭聚焦高端品類國產化-240528（35頁）.pdf》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《華特氣體-公司研究報告-半導體特氣龍頭聚焦高端品類國產化-240528（35頁）.pdf（35頁珍藏版）》請在三個皮匠報告上搜索。

1、 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 證券研究報告|首次覆蓋報告 2024 年 05 月 28 日 華特氣體華特氣體（688268.SH）半導體特氣龍頭，半導體特氣龍頭，聚焦聚焦高端品類國產化高端品類國產化 深耕半導體賽道，打造一站式特氣供應平臺深耕半導體賽道，打造一站式特氣供應平臺。公司是我國特種氣體龍頭企業，深耕電子級氣品近 20 年，踐行高端小品類國產化戰略。公司產品包括氟碳類、光刻稀混氣、氫化物、氮氧化合物、碳氧化合物等系列，實現光刻氣、高純二氧化碳、高純一氧化碳、鍺烷、乙硅烷、高純六氟丁二烯等諸多高附加值產品進口替代。公司產品以半導體級別為主，對國內 8 寸以上集成電路

2、制造廠商覆蓋率超 90%，12 英寸客戶覆蓋率行業領先，多項產品導入 7nm以內先進制程，2023 年特種氣體營收占比高達 68%。半導體景氣復蘇，特氣國產化醞釀半導體景氣復蘇，特氣國產化醞釀結構性結構性機遇機遇。電子特氣是半導體的“血液”，應用于光刻、刻蝕、成膜、清洗、摻雜、沉積等多項工藝環節。特氣是除晶圓外第一大半導體耗材，成本占比高達 14%，2023 年全球市場規模達 51.2億美元。半導體特氣具有極高的技術、客戶、資質壁壘，目前除三氟化氮、六氟化鎢等大單品基本實現國產化外，性能重要同時價值量高的中小單品如六氟丁二烯、乙硅烷、鍺烷等仍主要依賴進口，其中乙硅烷、鍺烷噸價高達2000 萬以

3、上。站在當下，伴隨全球半導體景氣復蘇、大基金三期成立、國內存儲廠進入擴產大年，高端特氣品類醞釀結構性國產化機遇。傳統業務增長穩健，高端傳統業務增長穩健，高端新品新品放量可期。放量可期。存量業務：公司傳統主業包括氟碳類、氫化物、光刻氣、氮氧化合物、碳氧化合物 5 大系列，其中氟碳類、氫化物高端產品比例提升，光刻氣獲得頭部企業 ASML、GIGAPHOTON 認證，處于國內領先。排除 2022 年稀有氣體價格波動影響，公司各項業務營收體量、噸價、毛利率穩重有升；高端新品：六氟丁二烯是最主流新型含氟特氣，GWP 值極低且刻蝕性能優異，持續替代傳統四氟化碳，公司自研產線順利推進；乙硅烷在先進制程替代傳

4、統甲硅烷應用于薄膜沉積環節，價值量極高，公司布局 15 噸產能放量可期；鍺烷作為半導體制程鍺源，長期被法液空等外企壟斷，公司 10 噸產能獲韓國頭部存儲客戶 5nm 制程認證且產生訂單。研發、生產項目研發、生產項目儲備儲備豐富，豐富，打開打開成長空間。成長空間。研發：公司是研發型創新企業，2023 年在研項目 57 項，聚焦先進制程半導體特氣品類；產能：公司上市以來通過募投及與地方政府合作等方式布局多個產能項目，打造九江、南通、西南等核心生產基地，為日后產能擴張以及高端產品落地提供堅實保障。盈利預測與估值建議盈利預測與估值建議。我們預計公司 2024-2026 年營業收入分別為19.47/23

5、.01/26.78 億元；歸母凈利潤 2.31/3.00/3.71 億元；對應 PE 分別為25.7/19.8/16.0 倍。公司是國內電子特氣龍頭，產品布局及客戶資源行業領先，聚焦高端半導體級產品引領國產化。首次覆蓋，給予“買入”評級。風險提示風險提示：下游需求低于預期，新項目建設進度不及預期，假設和測算誤差風險。財務財務指標指標 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 營業收入（百萬元）1,803 1,500 1,947 2,301 2,678 增長率 yoy（%）33.8-16.8 29.8 18.2 16.4 歸母凈利潤（百萬元）207 171 231 300 37

6、1 增長率 yoy（%）59.8-17.2 35.1 29.9 23.6 EPS 最新攤?。ㄔ?股）1.71 1.42 1.92 2.49 3.08 凈資產收益率（%）13.1 9.2 11.3 13.1 14.2 P/E（倍）28.7 34.7 25.7 19.8 16.0 P/B（倍）3.8 3.6 3.2 2.8 2.5 資料來源：Wind，國盛證券研究所 注：股價為 2024 年 5 月 27 日收盤價 買入買入（首次首次）股票信息股票信息 行業 電子化學品 5 月 27 日收盤價(元)49.24 總市值(百萬元)5,933.08 總股本(百萬股)120.49 其中自由流通股(%)99

7、.78 30 日日均成交量(百萬股)1.05 股價走勢股價走勢 作者作者 分析師分析師 楊義韜楊義韜 執業證書編號：S0680522080002 郵箱： 分析師分析師 王席鑫王席鑫 執業證書編號：S0680518020002 郵箱： 分析師分析師 尹樂川尹樂川 執業證書編號：S0680523110002 郵箱： 相關研究相關研究 -57%-46%-34%-23%-11%0%11%2023-052023-092024-012024-05華特氣體滬深300 2024 年 05 月 28 日 P.2 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 財務報表和主要財務比率財務報表和主要財務比率 資產

8、負債表（資產負債表（百萬元）利潤表利潤表（百萬元）會計會計年度年度 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 會計年度會計年度 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 流動資產流動資產 1247 1722 1922 1876 2466 營業收入營業收入 1803 1500 1947 2301 2678 現金 479 872 618 731 851 營業成本 1318 1041 1347 1569 1801 應收票據及應收賬款 379 379 604 558 795 營業稅金及附加 9 9 9 11 14 其他應收款 21 17 33 26 42 營業費用

9、84 87 117 138 161 預付賬款 32 24 49 37 63 管理費用 92 89 117 138 161 存貨 249 192 378 286 477 研發費用 60 50 70 81 94 其他流動資產 86 239 239 239 239 財務費用-7 24 18 13 10 非流動資產非流動資產 1163 1440 1582 1674 1763 資產減值損失-11-13 0 0 0 長期投資 21 36 54 72 90 其他收益 7 16 0 0 0 固定資產 485 546 676 755 821 公允價值變動收益 0 0 0 0 0 無形資產 60 68 74 81

10、 90 投資凈收益 3 6 7 6 6 其他非流動資產 597 790 778 766 762 資產處置收益 1 2 0 0 0 資產資產總計總計 2410 3162 3504 3550 4229 營業利潤營業利潤 244 206 276 357 443 流動負債流動負債 487 425 727 658 1155 營業外收入 1 1 2 2 2 短期借款 20 0 13 15 316 營業外支出 2 1 2 1 2 應付票據及應付賬款 171 95 249 151 308 利潤總額利潤總額 243 207 276 358 443 其他流動負債 296 331 464 492 531 所得稅 3

11、5 35 44 57 71 非流動非流動負債負債 337 867 736 596 455 凈利潤凈利潤 207 172 232 301 372 長期借款 202 733 602 463 322 少數股東損益 0 1 0 1 1 其他非流動負債 135 134 134 134 134 歸屬母公司凈利潤歸屬母公司凈利潤 207 171 231 300 371 負債合計負債合計 824 1292 1462 1255 1611 EBITDA 307 309 362 466 574 少數股東權益 44 45 46 46 47 EPS（元/股）1.71 1.42 1.92 2.49 3.08 股本 120

12、 120 120 120 120 資本公積 792 789 789 789 789 主要主要財務比率財務比率 留存收益 639 762 922 1131 1391 會計會計年度年度 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 歸屬母公司股東權益 1542 1825 1996 2249 2571 成長能力成長能力 負債負債和股東權益和股東權益 2410 3162 3504 3550 4229 營業收入（%）33.8-16.8 29.8 18.2 16.4 營業利潤（%）69.0-15.5 33.8 29.6 23.9 歸屬母公司凈利潤（%）59.8-17.2 35.1 29.9

13、23.6 獲利獲利能力能力 毛利率（%）26.9 30.6 30.8 31.8 32.7 現金現金流量流量表表（百萬元）凈利率（%）11.5 11.4 11.9 13.1 13.9 會計年度會計年度 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E ROE（%）13.1 9.2 11.3 13.1 14.2 經營活動現金流經營活動現金流 322 170 63 502 230 ROIC（%）10.8 7.0 8.1 10.0 10.7 凈利潤 207 172 232 301 372 償債償債能力能力 折舊攤銷 64 80 86 109 132 資產負債率（%）34.2 40.9 41.

14、7 35.3 38.1 財務費用-7 24 18 13 10 凈負債比率（%）-7.1 0.9 12.4 0.2 1.9 投資損失-3-6-7-6-6 流動比率 2.6 4.0 2.6 2.9 2.1 營運資金變動 5-129-266 86-278 速動比率 1.8 3.1 1.8 2.1 1.5 其他經營現金流 57 29 0 0 0 營運能力營運能力 投資活動投資活動現金流現金流-304-365-221-195-215 總資產周轉率 0.9 0.5 0.6 0.7 0.7 資本支出 230 236 124 74 71 應收賬款周轉率 5.1 4.0 4.0 4.0 4.0 長期投資 46-

15、106-18-18-18 應付賬款周轉率 10.1 7.8 7.8 7.8 7.8 其他投資現金流-28-235-115-140-163 每股指標（元）每股指標（元）籌資籌資活動現金流活動現金流 92 593-109-196-197 每股收益（最新攤?。?.71 1.42 1.92 2.49 3.08 短期借款-20-20 0 0 0 每股經營現金流（最新攤?。?.68 1.41 0.52 4.17 1.91 長期借款 173 532-131-140-141 每股凈資產（最新攤?。?2.80 13.79 15.21 17.32 19.99 普通股增加 0 0 0 0 0 估值估值比率比率 資本

16、公積增加 25-3 0 0 0 P/E 28.7 34.7 25.7 19.8 16.0 其他籌資現金流-87 83 22-57-56 P/B 3.8 3.6 3.2 2.8 2.5 現金凈增加額現金凈增加額 123 400-267 111-182 EV/EBITDA 19.1 19.2 17.0 12.7 10.4 資料來源：Wind，國盛證券研究所 注：股價為 2024 年 5 月 27 日收盤價 bUfYbZcWeZbUfVfV9P9RaQtRmMsQnRfQmMrMeRsQzQ6MnNwPvPpOsOvPqNsQ 2024 年 05 月 28 日 P.3 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細

17、閱讀本報告末頁聲明 內容目錄內容目錄 1.華特氣體：電子特氣國產化領軍者.5 1.1.深耕半導體賽道，打造一站式特氣供應平臺.5 1.2.高附加值產品放量，盈利能力持續提升.7 2.半導體景氣復蘇，特氣國產化醞釀結構性機遇.9 2.1.電子特氣市場空間廣闊.9 2.2.特氣是半導體第二大耗材，聚焦核心品類.11 2.3.行業壁壘高企，半導體特氣國產化大有可為.17 3.以半導體特氣為核心，打造一站式氣體供應商.22 3.1.布局高附加值單品，領跑半導體特氣國產化.22 3.1.1.存量產品結構：.22 3.1.2.高附加值新品布局：.24 3.2.打通海外直銷，夯實客戶資源優勢.27 3.3.

18、研發驅動成長，先進制程打開成長空間.28 3.4.多基地產線布局，高端品類持續擴充.29 4.盈利預測與估值建議.33 4.1.關鍵假設.33 4.2.盈利預測.33 4.3.估值分析與投資建議.33 5.風險提示.34 圖表目錄圖表目錄 圖表 1：公司發展歷程.5 圖表 2：公司主要產品及應用場景.6 圖表 3：公司股權結構（截至 2024Q1）.7 圖表 4：公司營業總收入（百萬元）.7 圖表 5：公司歸母凈利潤（百萬元）.7 圖表 6：公司毛利率、凈利率.8 圖表 7：公司費用率.8 圖表 8：2023 年公司各業務營收占比.8 圖表 9：公司電子特氣營收及占比（百萬元）.8 圖表 10

19、：工業氣體及電子氣體產業鏈.9 圖表 11：電子大宗氣體與電子特氣對比.10 圖表 12：全球電子氣體市場規模（億美元）.10 圖表 13：中國電子氣體市場規模（億元）.10 圖表 14：中國在全球電子特氣市場占比持續提升（億元，7 匯率假設）.11 圖表 15：全球電子特氣下游半導體占比高達 71%.11 圖表 16：中國電子特氣下游半導體占比僅 42%.11 圖表 17：全球/我國半導體材料市場空間.12 圖表 18：特氣是除晶圓外第一大半導體材料（2022 年數據）.12 圖表 19：2021 年特氣在半導體不同制程中應用比例.12 圖表 20：半導體級特氣種類及應用制程（按化學式字母排

20、列）.13 2024 年 05 月 28 日 P.4 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 21：電子特氣在半導體制程中的應用.14 圖表 22：2021 年全球電子特氣市場規模占比.15 圖表 23：2021 年全球半導體氣體市場規模占比.15 圖表 24：2012 年單位平米存儲晶圓、邏輯晶圓對應氣體用量及 8 英寸晶圓廠每年電子氣體用量（克）.16 圖表 25：SK 海力士 12 寸晶圓廠每萬片對應氣體耗量（kg）.17 圖表 26：工業氣體不同供應模式.18 圖表 27：零售供氣、現場制氣模式對比.18 圖表 28：電子氣體核心工藝流程（合成、純化、混配）.19 圖表

21、 29：電子特氣在生產環節以外仍有諸多技術壁壘.20 圖表 30：2021 年全球電子氣體競爭格局.21 圖表 31：2021 年中國電子氣體競爭格局.21 圖表 32：國內各大廠商半導體特氣產品梳理（藍色為量產階段，紅色為布局階段）.21 圖表 33：公司特氣產品及競爭格局.22 圖表 34：公司各特氣品種銷量（噸）.23 圖表 35：公司各特氣品種銷售額（萬元）.23 圖表 36：公司各特氣品種噸價（萬/噸）.24 圖表 37：公司各特氣品種毛利率.24 圖表 38：公司細分產品銷量/銷售額（噸、萬元，截至招股書財報季）.24 圖表 39：電子氣體的環境性能參數和用途.25 圖表 40：六

22、氟丁二烯需求量（噸）.26 圖表 41：六氟丁二烯價格（萬元/噸）.26 圖表 42：公司主要直銷客戶.27 圖表 43：公司國內核心客戶營收（萬元）.28 圖表 44：公司前五大客戶營收體量及占比（萬元）.28 圖表 45：公司研發投入及研發費用率（萬元）.28 圖表 46：公司半導體特氣相關在研項目（截至 2023 年報，萬元）.29 圖表 47：公司 2018 年特氣產品產能.30 圖表 48：氣體中心建設及倉儲經營項目產能布局.30 圖表 49：電子氣體生產純化及工業氣體充裝項目產能布局（一期）.31 圖表 50：1764 噸半導體材料建設項目.31 圖表 51：華特氣體電子化學品生產

23、基地項目產能布局.32 圖表 52：公司板塊收入拆分表（百萬元）.33 圖表 53：可比估值分析（鼎龍股份采用最新報告數據，中船特氣、廣鋼氣體采用 Wind 一致預期數據）.34 2024 年 05 月 28 日 P.5 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 1.華特氣體：電子特氣國產化領軍者華特氣體：電子特氣國產化領軍者 1.1.深耕深耕半導體半導體賽道，打造一站式特氣供應平臺賽道，打造一站式特氣供應平臺 公司是一家致力于特種氣體國產化，并率先打破大規模集成電路、新型顯示面板、高端公司是一家致力于特種氣體國產化，并率先打破大規模集成電路、新型顯示面板、高端裝備制造、新能源等尖端領

24、域氣體材料進口制約的國內領先氣體廠商。裝備制造、新能源等尖端領域氣體材料進口制約的國內領先氣體廠商。公司前身成立于1993 年，早期主要生產普通工業氣體。2005 年起持續投入特種氣體研發，并于 2011年陸續實現高純六氟乙烷、高純一氧化氮、高純氨等產品的突破，將半導體特種氣體作為公司的主攻方向。2013 年公司獲得了業內技術要求最高的集成電路終端客戶的第一個認證，正式進入國內集成電路產業，后期陸續獲得了中芯國際、華虹宏力、臺積電、華潤微電子等國內知名客戶的多個產品的認證，并進一步打入國際領先的半導體企業供應鏈，確立了公司在國產特種氣體領域的地位和優勢。經過多年的技術深耕以及客戶開拓，公司建立

25、了以特種氣體研發生產及銷售為核心，輔以普通工業氣體和相關氣體設備與工程業務，提供氣體一站式綜合應用解決方案的業務模式，產品廣泛應用于集成電路、液晶面板、LED、光纖通信、光伏、醫療健康、節能環保、新材料、新能源、航天航空、高端裝備制造、食品、冶金、化工、機械制造、人工智能制造等眾多行業。圖表 1：公司發展歷程 資料來源：公司公告，國盛證券研究所 特氣品類領先，主要產品應用于高附加值半導體特氣品類領先，主要產品應用于高附加值半導體領域領域。公司集成電路領域電子特種氣體產品實現了高純四氟化碳、高純六氟乙烷、光刻氣、高純二氧化碳、高純一氧化碳、高純氨、高純一氧化氮、高純三氟甲烷、高純八氟丙烷、鍺烷、

26、高純乙烯、高純甲烷、高純六氟丁二烯等眾多產品的進口替代。公司自主研發的氟碳類、光刻稀混氣類、氫化物、氮氧化合物、硅系前驅體等系列產品主要應用在半導體制程工藝中的刻蝕、清洗、光刻、外延、沉積/成膜、離子注入等核心環節，對最終元器件的性能起到關鍵決定性作用。公司拳頭產品光刻氣（Ar/Ne/Xe、Kr/Ne、F2/Kr/Ne、F2/Ar/Ne）通過了荷蘭 ASML 和日本GIGAPHOTON 株式會社的認證，是國內唯一一家通過兩家認證的氣體公司。12 寸晶圓廠覆蓋率行業領先：寸晶圓廠覆蓋率行業領先：依托強大的研發能力，公司實現了高純四氟化碳、高純六氟乙烷、高純二氧化碳、高純一氧化碳、高純八氟環丁烷、

27、高純三氟甲烷、稀混光刻氣等超55個產品進口替代，對12寸芯片廠商的覆蓋率處于行業領先地位，對國內 8 寸以上集成電路制造廠商超過 90%的客戶覆蓋率；產品導入產品導入 5nm 先進制程：先進制程：截至 2023 年報季，公司不少于 20 個產品已經批量供應 2024 年 05 月 28 日 P.6 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 14 納米先進工藝，不少于 13 個產品供應到 7 納米先進工藝，2 個產品進入到 5 納米先進工藝。第三代功率器件半導體方面，公司產品滿足碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）等生產需求，并成功進入到全國最大的氮化鎵廠和碳化硅廠供應鏈。圖表 2：公司主

28、要產品及應用場景 業務類型業務類型 主要產品及應用場景主要產品及應用場景 特種氣體 清洗、蝕刻氣：清洗、蝕刻氣：高純四氟化碳、高純六氟乙烷、高純八氟丙烷、高純二氧化碳、高純三氟甲烷、高純一氟甲烷、高純二氟甲烷、高純乙烯、高純六氟丙烷、溴化氫、三氯化硼等；光刻氣：光刻氣：氪氖混合氣、氟氖混合氣等；外延氣體、沉積外延氣體、沉積/成膜氣體（亦可稱為前驅體）：成膜氣體（亦可稱為前驅體）：高純氨、硅烷、乙硅烷等；摻雜氣體：摻雜氣體：乙硼烷、三氯化硼、磷烷、鍺烷等；其他：其他：氮氣（6N）、氫氣（6N）、氬氣（5.5N）等；醫療氣體：醫療氣體：醫用氧、血氣測定混合氣、環氧乙烷、消毒氣等，用于診斷、手術、醫

29、學研究等；標準氣體：標準氣體：由高純碳氫氣體配制，在物理、化學、生物工程等領域中用于校準測量儀器和測量過程，評價準確度和檢測能力，確定材料的特性量值；激光氣體：激光氣體：氦氖激光氣、密封束激光氣等，用于國防建設、激光加工等，準分子激光氣體可廣泛應用于醫療、光刻、OLED 顯示等行業，在眼科 LASIK 手術，矯治屈光不正（近視、遠視、散光）、白癜風、銀屑病、過敏性皮炎、以及在心血管疾病中如冠心病、周圍血管疾病、心臟瓣膜病、先天性心臟病和肥厚性心肌病等均有應用；食品氣體：食品氣體：二氧化碳、乙炔、氬等，用于飲料氣體、蔬菜/水果保鮮等；電光源氣體：電光源氣體：氬、氪、氖、氙及其混合氣，用于電器、燈

30、具生產。普通工業氣體 氧氣氧氣：主要用作金屬冶煉等行業的助燃劑、化肥等化工行業的氧化劑；氮氣氮氣：主要用作化工、機械制造、家電等行業的保護氣、金屬冶煉等行業的爐溫退火；氬氣氬氣：主要用作電弧焊接的保護氣、填充光電管以及光伏行業單晶硅/多晶硅生產過程保護氣等；工業氨氣工業氨氣：主要用作電廠環保脫硝處理、味精生產、金屬加工等，以及進一步純化得到高純氨產品。氣體設備與工程 特易冷：特易冷：應用于天然氣存儲、激光切割、水產養殖、醫院供氧、金屬焊接、食品速凍等領域；撬裝產品：撬裝產品：主要為工業用氣單位、天然氣場站、燃氣鍋爐、工業爐窯等供氣；氣體容器：氣體容器：主要用于 LO2、LAr、LN2、LCO2

31、、LNG、N2O 等低溫液體的盛裝與運輸。資料來源：公司公告，國盛證券研究所 截至 2024Q1，石平湘直接持有公司 9.84%的股份，并通過華特投資、華弘投資、華和投資和華進投資間接持有公司 20.20%的股份，石思慧直接持有公司 4.48%的股份。石平湘、石思慧直接與間接合計持有公司 34.52%的股份，為公司共同實際控制人。截至2023 年報，公司控股子公司共 24 家，其中核心子公司包括江西華特（特氣生產銷售）、綏寧聯合化工（特氣生產銷售）、華南特氣研究所（工程技術研究和安裝、生產銷售特種氣瓶）、亞洲國際氣體（氣體進出口、批發與零售）、亞洲工業氣體 AIG（氧氣、氮氣、氬氣和二氧化碳等

32、工業氣體的乙炔氣制造商、供應商和分銷商）、佛山華普（工業氣體生產）等。2024 年 05 月 28 日 P.7 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 3：公司股權結構（截至 2024Q1）資料來源：公司公告，Wind，國盛證券研究所 1.2.高附加值產品放量，盈利能力持續提升高附加值產品放量，盈利能力持續提升 主業長期主業長期增長穩健增長穩健，2024 一季度凈利潤同比正增長一季度凈利潤同比正增長。受益于下游高景氣以及半導體特氣放量，2016-2022 年公司營收體量、歸母凈利潤快速增長。2023 年公司實現營收 15.0億元，同比-16.8%；實現歸母凈利潤 1.71 億元

33、，同比-17.18%，主要系以下原因所致：1）稀有氣體價格回歸正常水平，導致產品銷售價格和收入下降；2）消費電子等需求不振、下游半導體廠稼動率下降；3）報告期內因可轉債發行完成，增加可轉債利息費用。2024 年一季度公司實現營收 3.33 億元，同比-7.3%；實現歸母凈利潤 0.45 億元，同比+12.7%，利潤端實現正增長。圖表 4：公司營業總收入（百萬元）圖表 5：公司歸母凈利潤（百萬元）資料來源：Wind，國盛證券研究所 資料來源：Wind，國盛證券研究所 盈利能力持續提升，費用控制穩定。盈利能力持續提升，費用控制穩定。受益于高端半導體級產品的放量，以及規模效應，2016 年起公司凈利

34、率呈現持續增長態勢。2024 年一季度公司毛利率、凈利率分別為33.04%、13.62%，其中毛利率為 2020 年以來最高值，凈利率為近 10 年以來最高值。費用率方面，2024 年一季度公司銷售費用率、管理費用率、研發費用率、財務費用率分別為 7.11%、5.99%、3.45%、1.74%。-30%-20%-10%0%10%20%30%40%50%0200400600800100012001400160018002000201420162018202020222024Q1營業總收入（百萬元）YOY-30%-20%-10%0%10%20%30%40%50%60%70%050100150200

35、250201420162018202020222024Q1歸母凈利潤（百萬元）YOY 2024 年 05 月 28 日 P.8 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 6：公司毛利率、凈利率 圖表 7：公司費用率 資料來源：Wind，國盛證券研究所 資料來源：Wind，國盛證券研究所 電子特氣營收占比達電子特氣營收占比達 68%。公司專注半導體特氣產品，排除 2022 年稀有氣體大幅漲價影響，近 5 年其余年份電子特氣營收占比持續提升，2023 年公司電子特氣實現營收 10.2億元，營收占比 68.2%。具體來看，2023 年公司光刻氣、氫化物、工業氣體、氟碳類氣體、設備、氮氧

36、化合物、碳氧化合物營收占比分別為 17%/16%/15%/14%/10%/7%/7%。圖表 8：2023 年公司各業務營收占比 圖表 9：公司電子特氣營收及占比（百萬元）資料來源：Wind，國盛證券研究所 資料來源：Wind，國盛證券研究所 0%5%10%15%20%25%30%35%40%201420162018202020222024Q1毛利率凈利率0%5%10%15%20%25%30%20162018202020222024Q1財務費用率研發費用率管理費用率銷售費用率0%10%20%30%40%50%60%70%80%02004006008001000120014002019202020

37、2120222023電子特氣營收電子特氣營收占比 2024 年 05 月 28 日 P.9 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 2.半導體景氣復蘇，特氣國產化醞釀半導體景氣復蘇，特氣國產化醞釀結構性結構性機遇機遇 2.1.電子特氣電子特氣市場空間廣闊市場空間廣闊 氣體是工業的血液，向下可劃分為大宗氣體與特種氣體。氣體是工業的血液，向下可劃分為大宗氣體與特種氣體。氣體（工業氣體）是工業生產的重要基礎性原材料，被喻為“工業的血液”，廣泛應用于半導體、面板、LED、光纖通信、光伏、醫療健康、新材料、新能源、高端裝備制造、食品、冶金、化工、機械制造等新興行業。按工業氣體分類：按工業氣體分

38、類：氣體可分為氣體可分為大宗氣體與特種氣體大宗氣體與特種氣體。其中大宗氣體純度低于 5N，產銷量較大，包括氧氣、氮氣、氬氣、氨氣等通用型產品，主要應用于煉鋼、石化、機械等工業領域；特種氣體指應用于特定領域且純度高于 5N 的精細化氣體，廣泛應用于電子、醫療、激光、食品等高附加值領域。根據不同的應用領域，電子特氣又包括了半導體級、光伏級、面板級、LED 級，其中半導體特氣對于純度要求高，國產化率較低，在成膜、光刻、刻蝕、摻雜等制程環節廣泛應用。圖表 10：工業氣體及電子氣體產業鏈 資料來源：億渡數據，中船特氣招股書，國盛證券研究所繪制 按電子氣體分類：主要包括電子特氣與電子大宗氣體。按電子氣體分

39、類：主要包括電子特氣與電子大宗氣體。電子氣體是集成電路制造、半導體顯示、半導體器件制造過程中不可缺少的關鍵材料，被稱為電子工業的“血液”和“糧食”，主要分為電子大宗氣體和電子特種氣體。電子大宗氣體：包括氮氣、氦氣、氧氣、氬氣、氫氣、二氧化碳等六大品種，特點為單一品種用量大，以現場制氣模式為主。其中氮氣作為環境氣、保護氣、清潔氣和運載氣，貫穿半導體的整個工藝流程，為用量最大的電子大宗氣體；電子特氣：應用于芯片制程的精細產品，包括氟碳類、硅烷類、氟氮類、氫化物等，特點為品種多樣，單一用量較小，以氣瓶零售模式為主。2024 年 05 月 28 日 P.10 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末

40、頁聲明 圖表 11：電子大宗氣體與電子特氣對比 項目項目 電子大宗氣體電子大宗氣體 電子特種氣體電子特種氣體 氣體品種 氮氣、氦氣、氧氣、氫氣、氬氣、二氧化碳等，單一品種用量較大 現有特種氣體達數百種，單一品種用量較小 應用環節 作為環境氣、保護氣、清潔氣和運載氣等應用在電子半導體生產的各個環節 單一品種僅在電子半導體生產的部分特定環節使用 供應模式 現場制氣（On-site）為主，通過在客戶現場建設制氣裝置，集中、大規模、不間斷供應，對供應安全性、穩定性、可靠性要求極高 零售供氣（Merchant）為主，通過氣瓶運送至客戶現場 合作期限 下游客戶單個工廠/產線一般僅有一個電子大宗氣體現場制氣

41、供應商，合同期通常為 15 年甚至更長，合同存續期內基本無法更換 一般情況下，單一供應商僅能供應數種至數十種特種氣體，合同期限通常為 3-5 年，下游客戶需面對眾多特種氣體供應商 純度要求 9N，甚至更高 6N 競爭格局 全球市場基本由林德氣體、液化空氣、空氣化工三大外資氣體公司壟斷，由于技術和資本壁壘，參與者較少，行業集中度較高 由于氣體品種較多，單一公司無法供應全部氣體，因此參與者較多，行業集中度相對較低 資料來源：廣鋼氣體招股說明書，國盛證券研究所 電子氣體全球電子氣體全球 70 億美元市場，億美元市場，電子特氣占據主要市場份額。電子特氣占據主要市場份額。全球市場：根據 TECHCET，

42、2023 年全球電子氣體市場規模約 69.5 億美元，其中電子特氣 51.2 億美元，電子大宗氣18.4 億美元。特氣市場份額占比 74%，是電子氣體中價值量最高的類別；中國市場：2023年中國電子氣體市場規模約352億元，其中電子特氣249億元，電子大宗氣體103億元。受益于國內 fabless 廠商的產能擴張以及行業稼動率的提升，未來國內電子特氣行業增速有望維持高速增長。圖表 12：全球電子氣體市場規模（億美元）圖表 13：中國電子氣體市場規模（億元）資料來源：TECHCET，中船特氣招股書，國盛證券研究所 資料來源：SEMI，中船特氣招股書，廣鋼氣體招股書，中商產業研究院，卓創資訊，國盛

43、證券研究所 整體規模上看，中國電子特氣體量已占全球整體規模上看，中國電子特氣體量已占全球 6 成以上。成以上。受益于六氟化鎢、三氟化氮等大單品的產能擴張，以及國內半導體、光伏、面板等下游產業的快速發展，我國電子特氣市場規?？焖偬嵘?。以人民幣美元匯率 7 測算，2017-2022 年，我國電子特氣全球市場規模占比已由 42%提升至 63%，中國成為全球特氣生產、消費的核心國。01020304050607080902017201820192020 2021E 2022E 2023E 2024E 2025E電子大宗電子特氣050100150200250300350400450500201720182

44、0192020 2021E 2022E 2023E 2024E 2025E電子大宗電子特氣 2024 年 05 月 28 日 P.11 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 14：中國在全球電子特氣市場占比持續提升（億元，7 匯率假設）資料來源：SEMI，ECHCET，中船特氣招股書，廣鋼氣體招股書，卓創資訊，中商產業研究院，國盛證券研究所 從產品結構看，高端半導體級特氣比重仍低于海外平均水平。從產品結構看，高端半導體級特氣比重仍低于海外平均水平。根據中船特氣招股書，半導體是全球電子特氣第一大下游領域，占比高達 71%。而國內特氣產品結構仍以中低端面板、光伏、LED 為主。根

45、據億渡數據，2021 年國內特氣需求結構中，電子特氣占比43%，化工、醫療及環保占比分別為 38%、9%。根據前瞻產業研究院，電子特氣當中，國內半導體需求占比僅 42%。因此從產品結構角度看，國內特氣行業存在中低端產品過剩，高端半導體級氣體生產能力有限的問題，產品結構高端化轉型是行業未來發展的長期課題。圖表 15：全球電子特氣下游半導體占比高達 71%圖表 16：中國電子特氣下游半導體占比僅 42%資料來源：中船特氣招股書，國盛證券研究所 資料來源：中船特氣招股書，國盛證券研究所 2.2.特氣是半導體第二大耗材，聚焦核心品類特氣是半導體第二大耗材，聚焦核心品類 晶圓產能持續擴張晶圓產能持續擴張

46、。據 SEMI，全球半導體產能繼 2023 年以 5.5%成長至每月 2960 萬片之后，預計 2024 年將突破 3000 萬片大關。根據 SEMI 最新季度全球晶圓廠預測報告顯示，2022 年至 2024 年，全球半導體行業計劃新建 82 座晶圓廠投產，其中 2023 年投產 11 個項目，2024 年投產 42 個項目，全球半導體晶圓產能持續創歷史新高，預計2024 年還將開設 42 座新晶圓廠，其中近半（18 個項目）位于我國。預期 2023 年全球產能將同比增長 12%至 760 萬片/月，2024 年產能同比增長 13%至 860 萬片/月。全球全球半導體材料市場延續增長半導體材料

47、市場延續增長。根據 SEMI，全球半導體材料市場規模突破 700 億美元，0%10%20%30%40%50%60%70%050100150200250300350400201720182019202020212022全球中國占比 2024 年 05 月 28 日 P.12 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 我國市場規模也突破千億元關卡。全球半導體材料的產業規模將持續增長趨勢較為明確，SEMI 預測的全球晶圓面積將在 2024 年實現強勢反彈。受益于 AI 產業等快速增長下游的驅動，半導體材料市場仍將延續高速增長。圖表 17：全球/我國半導體材料市場空間 資料來源：SEMI，觀知

48、海內信息網，國盛證券研究所（注：按照美元兌人民幣匯率為 7 計算）特氣是除晶圓特氣是除晶圓外外第一大半導體第一大半導體耗材耗材，成本占比，成本占比 14%。電子特氣是半導體和微電子工業的“血液”，貫穿于晶圓制造中的多個環節，也是半導體制程的核心成本來源。根據 SEMI，2022 年特氣占半導體晶圓制造成本約 14%，僅次于晶圓（33%），是第二大半導體耗材。其余半導體材料成本占比分別為：掩膜板 13%、光刻膠及配套試劑 13%、CMP 材料 7%、濕電子化學品 4%、靶材 3%。圖表 18：特氣是除晶圓外第一大半導體材料（2022 年數據）圖表 19：2021 年特氣在半導體不同制程中應用比例

49、 資料來源：SEMI，觀研天下，國盛證券研究所 資料來源：億渡數據，國盛證券研究所 電子氣體種類繁多，對應制程環節復雜。電子氣體種類繁多，對應制程環節復雜。根據林德，主流的電子氣體種類就高達 71 種，針對不同氣體品種，我們對其半導體應用制程進行詳細梳理：01000200030004000500060002017201820192020202120222023E全球（億元）我國（億元）0%5%10%15%20%25%30%35%40%刻蝕氣摻雜氣沉積氣光刻氣其他重復項 2024 年 05 月 28 日 P.13 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 20：半導體級特氣種類及應

50、用制程（按化學式字母排列）資料來源：林德，國盛證券研究所 氣體化學式及英文名稱氣體化學式及英文名稱氣體中文名稱氣體中文名稱清洗清洗沉積沉積摻雜摻雜刻蝕刻蝕退火退火光刻光刻純化純化Ar(Argon)氬氣Ar/F2/Ne(Argon/Fluorine/Neon-ArF laser)氟氬氖混合氣Ar/Xe/Ne(Argon/Xenon/Neon-ArF laser)氙氬氖混合氣AsH3(Arsine)砷烷BF3(Boron trifluoride)氟化硼11BF3(Boron-11 trifluoride)3M 11B濃縮三氟化硼11B2H6(Enriched diborane）高濃度乙硼烷B2H6

51、(Diborane)乙硼烷BCI3(Boron tricholoride)三氯化硼C2F6(Hexafluoroethane)Halocarbon 116六氟乙烷C2H2(Acetylene)乙炔C3F8(Octafluoropropane)Halocarbon 218全氟丙烷C3H6(Propylene)丙烯C4F6(Hexafluoro-3 butadiene)Halocarbon 2316全氟丁二烯C4F8(Octofluorocyclo butane)Halocarbon 318八氟環丁烷C5F8(Octofluorocyclo pentene)Halocarbon c1418八氟環戊

52、烯CF4(Carbon tetrafluoride)Halocarbon 14四氟化碳CH2F2(Difluoromethane)Halocarbon 32二氟甲烷C2HF5(Pentafluoroethane)五氟乙烷CH3F(Fluoromethane)Halocarbon 41氟甲烷CH4(Methane)甲烷CHF3(Trifluoromethane)Halocarbon 23三氟甲烷CI2(Chlorine)氯氣ClF3(Chlorine trifluoride)三氟化氯CO(Carbon monoxide)一氧化碳CO2(Carbon dioxide)二氧化碳COS(Carbony

53、l sulfide)硫化羰D2(Deuterium)氘氣DEZ(Diethylzinc)二乙基鋅F2(Fluorine)氟氣F2/N2(Fluorine/Nitrogen)氟氮混合氣GeCl4(Germanium tetrachloride)四氯化鍺GeH4(Germane）氫化鍺He(Helium）氦氣H2(Hydrogen)氫氣H2S(Hydrogen sulfide)硫化氫H2Se(Hydrogen selenide)硒化氫HBr(Hydrogen bromide)溴化氫HCDS(Hexachlorodisilane)六氯乙硅烷HCl(Hydrogen chloride)氯化氫HF(Hy

54、drogen fluoride)氟化氫Kr(Krypton)氪氣Kr/F2/Ne(Krypton/Fluorine/Neon-KrF laser)氟氪氖混合氣Kr/Ne(Krypton/Neon-KrF laser)氪氖混合氣N2(Nitrogen)氮氣N2O(Nitrous oxide)笑氣ND3(Deuterated ammonia)氘代氨Ne(Neon)氖氣Ne/HCl/H2 mixture(Neon/Hydrogen chloride/Hydrogen)Ne/HCl/H2混合氣NF3(Nitrogen trifluoride)三氟化氮NH3(Ammonia)氨氣NO(Nitric ox

55、ide）一氧化氮O2(Oxygen）氧氣PH3(Phosphine)磷化氫SF6(Sulfur hexafluoride)六氟化硫Si2Cl6(HCDS-Hexachlorodisilane)六氯乙硅烷Si2H6(Disilane)乙硅烷SiCl4(Tetrachlorosilane silicon tetrachloride)四氯化硅SiD4(Deuterated silane)氘代硅烷SiF4(Tetrafluorosilane-also know as silicon tetrafluoride)四氟化硅SiH2Cl2(Dichlorosilane）二氯二氫硅SiH4(Silane)甲硅

56、烷SiHCl3(TCS-Trichlorosilane)氯硅烷SO2(Sulfur dioxide)二氧化硫TEA(Triethylaluminum)三乙胺TMA(Trimethylaluminum)三甲胺TMB(Trimethylboron)三甲基硼TMS(3MS-Trimethylsilane)四甲基硅烷WF6(Tungsten hexafluoride)六氟化鎢Xe(Xenon）氙氣XeF2(Xenon difluoride)二氟化氙 2024 年 05 月 28 日 P.14 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 電子特氣主要應用于刻蝕、摻雜、薄膜沉積、光刻四大環節。電子特

57、氣主要應用于刻蝕、摻雜、薄膜沉積、光刻四大環節。電子特氣在半導體制程中應用領域廣泛，應用場景包括光刻、刻蝕、成膜、清洗、摻雜、沉積等工藝環節。從不同制程對材料需求量角度看，刻蝕、摻雜、薄膜沉積、光刻為前四大應用場景，占比分刻蝕、摻雜、薄膜沉積、光刻為前四大應用場景，占比分別為別為 36%、34%、24%、18%（部分氣體同時應用于多種制程，因此有重復計算）。特氣在環節中具體作用包括：刻蝕：有選擇的從硅片中去除不需要的材料；摻雜：引入硼、砷、磷等元素，使得晶圓具備 p 型、n 型結構；薄膜沉積：使得晶圓表面形成氧化硅、氮化硅等薄膜；光刻：光刻氣是光刻機產生深紫外激光的氣體，不同的光刻氣和電壓可產

58、生不同波長的光。圖表 21：電子特氣在半導體制程中的應用 資料來源：Linde，中船特氣招股書，國盛證券研究所 鑒于電子氣體存在品類、對應制程復雜繁多的特性，我們從三個維度對半導體制程中的鑒于電子氣體存在品類、對應制程復雜繁多的特性，我們從三個維度對半導體制程中的細分細分氣體材料進行梳理，聚焦核心產品品類：氣體材料進行梳理，聚焦核心產品品類：a）市場規模排序）市場規模排序 我們從整體電子特氣行業，以及半導體特氣細分領域對于不同氣體材料市場占比進行梳理。整體來看，三氟化氮、六氟化鎢、六氟丁二烯份額最高；半導體領域硅烷、三氟化氮、摻雜氣（砷烷、硼烷等）占比最高：整體整體電子電子特氣行業：特氣行業：

59、根據 Linx Consulting，三氟化氮、六氟化鎢、六氟丁二烯是規模最大的三大電子特氣單品，市場份額分別為 20%、8%、7%，2021 年市場規模分別為 8.8、3.4、3.1 億美元。具體來看，三氟化氮：具有良好的刻蝕速率與選擇性，廣泛應用于半導體刻蝕及清洗環節；六氟化鎢：主要用于薄膜沉積環節形成鎢導體膜，具有低電阻、高熔點等特點；六氟丁二烯：是一種新型高性能刻蝕氣，相比傳統刻蝕氣具有更高的刻蝕速率、選擇性，適用于高深寬比的先進制程，同時 GWP值極低，屬于環境友好型材料；半導體特氣行業：半導體特氣行業：根據 TECHCET，在半導體制程中，用量最大的特氣材料包括硅烷、三氟化氮、摻雜

60、氣、氟碳類氣體，市場份額分別為 22%、13%、10%、6%。具體來看，硅烷：主要指甲硅烷 SiH4（高端產品乙硅烷也在持續滲透），作為最主要的成膜特氣，主要用于在晶圓表面形成氧化硅、氮化硅等薄膜，作為絕緣層材料；三 2024 年 05 月 28 日 P.15 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 氟化氮：同上，用于半導體的刻蝕與清洗；摻雜氣：摻雜氣主要包括硼烷、砷烷、磷烷等，作為離子注入氣體，使得晶圓形成 p 型、n 型結構；氟碳類氣體：包括六氟丁二烯、八氟環丁烷、四氟甲烷、六氟乙烷等，主要用于刻蝕環節。圖表 22：2021 年全球電子特氣市場規模占比 圖表 23：2021 年全

61、球半導體氣體市場規模占比 資料來源：Linx Consulting，中船特氣招股書，國盛證券研究所 資料來源：TECHCET，華特氣體，國盛證券研究所 b）每平米存儲、邏輯晶圓耗量）每平米存儲、邏輯晶圓耗量 根據Life cycle assessment of silicon wafer processing for microelectronic chips and solar cells（Mario Schmidt 等），我們統計出每平米 DRAM 存儲晶圓、邏輯晶圓對于電子氣體的耗量（該論文發表于 2012 年，部分數據可能與當前制程存在差別，但仍可提供方向性參考）。具體結論包括：邏輯制

62、程單位氣體耗量是存儲制程的邏輯制程單位氣體耗量是存儲制程的 3 倍：倍：根據數據統計，每平米存儲芯片氣體耗量約 1813kg，而每平米邏輯芯片氣體耗量高達 5642kg，約是存儲芯片的 3.1 倍；電子大宗氣用量比特種氣體高三個量級：電子大宗氣用量比特種氣體高三個量級：根據數據統計，每平米邏輯芯片電子大宗氣體耗量約 5639kg，其中普通級氣體 2305kg，高純/超高純級氣體 3334kg，而特種氣體耗量僅為 2.6kg；耗量較高的特氣主要包括六氟化硫、三氟化氮及耗量較高的特氣主要包括六氟化硫、三氟化氮及其他其他氟碳類氣體：氟碳類氣體：每平米邏輯芯片對應六氟化硫耗量約 725g（如今耗量下降

63、，因為該產品為超級溫室氣體，正不斷被替代），三氟化氮、甲硅烷耗量分別為 161、73g，氟碳類當中六氟乙烷、四氟化碳耗量分別為 601、268g。2024 年 05 月 28 日 P.16 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 24：2012 年單位平米存儲晶圓、邏輯晶圓對應氣體用量及 8 英寸晶圓廠每年電子氣體用量（克）資料來源：Life cycle assessment of silicon wafer processing for microelectronic chips and solar cells（Mario Schmidt 等），國盛證券研究所 c）12 寸晶

64、圓廠每萬片氣體耗量寸晶圓廠每萬片氣體耗量 根據 SK 海力士 12 英寸晶圓廠技改環評，20nm 級存量產能每萬片對應氣體耗量由大到小排序包括三氟化氮（每萬片 2607kg，應用于刻蝕、清洗環節）、笑氣（每萬片 552kg，與硅烷搭配應用于薄膜沉積環節）、硼烷/氫氣混合氣（每萬片 383kg，應用于摻雜環節）、氨氣（每萬片 352kg，與硅烷配合應用于薄膜沉積環節）、四氟甲烷（每萬片 279kg，作為氟碳類氣體用于刻蝕環節）、甲硅烷（每萬片 193kg，應用于薄膜沉積環節）。電子特氣電子特氣電子大宗電子大宗每平米存儲晶圓用量（g）每平米存儲晶圓用量（g）每平米邏輯晶圓用量（g）每平米邏輯晶圓用

65、量（g）Pure N2高純氮氣10600003300000N2氮氣（普通）6560002040000O2氧氣（普通）71400222000Ar氬氣（普通）1330041400UHP-N2超高純氮氣722022400UHP-O2超高純氧氣19606080UHP-Ar超高純氬氣12003720H2氫氣（普通）6381980SF6六氟化硫233725C2F6六氟乙烷193601UHP-H2超高純氫氣130405N2O笑氣118365WF6六氟化鎢111345HF氟化氫98.9307CF4四氟化碳86.3268UHP-He超高純氦氣72.6226HCl氯化氫69.6216NF3三氟化氮51.7161S

66、i(OC2H5)4正硅酸乙酯48.8152SiH4甲硅烷23.572.9C4F8八氟環丁烷18.557.4Trimethylvinylsilane乙烯基三甲基硅烷17.153.3SiH2Cl2二氯二氫硅1752.9C5F8八氟環戊烯16.952.7HBr溴化氫16.651.7NH3氨氣16.350.6Cl2氯氣13.241.1BCl3三氯化硼7.7424CH2F2二氟甲烷6.1719.2CHF3三氟甲烷2.226.9PH3 30%in SiH4磷化氫 30%in 硅烷1.675.19AsH3砷烷1.34.03CO一氧化碳1.193.68PH3磷化氫1.143.53B2H6 5%in N2硼烷5

67、%in 氮氣1.093.4CH3F一氟甲烷1.083.35SiF4四氟化硅0.5331.661%F2 in Kr1%氟氣 in 氪氣0.3931.22SiCl4四氯化硅0.2780.865Kr/Ne氪氖混合氣0.1960.608He氦氣（普通）0.1780.553Si2H6乙硅烷0.1610.5AsH3 0.7%in H2砷烷0.7%in 氫氣0.03040.0945PH3 1%in H2磷化氫1%in 氫氣0.02350.0731每平米存儲晶圓用量（kg）每平米存儲晶圓用量（kg）每平米邏輯晶圓用量（kg）每平米邏輯晶圓用量（kg）741.32305.41070.93333.91812.31

68、812.35639.25639.20.80.82.62.61813.11813.15641.95641.9氣體名稱氣體名稱合計合計普通-電子大宗氣體合計電子特氣總計電子特氣總計電子氣體總計電子氣體總計高純/超高純-電子大宗氣體合計電子大宗氣體總計電子大宗氣體總計 2024 年 05 月 28 日 P.17 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 25：SK 海力士 12 寸晶圓廠每萬片對應氣體耗量（kg）資料來源：SK 海力士環評，國盛證券研究所 2.3.行業壁壘高企，半導體特氣國產化大有可為行業壁壘高企，半導體特氣國產化大有可為 工業氣體供應模式主要包括零售與現場制氣，特氣產

69、品以零售為主。工業氣體供應模式主要包括零售與現場制氣，特氣產品以零售為主。工業氣體供應模式與產品供應體量以及產品品類復雜度相關，大宗工業氣體品類少、單一品類供應量大，通常采用現場制氣模式，忽略運輸半徑的影響；而半導體特氣等產品，因為品類多樣且單一產品供應量較小，因此以零售供應為主，包括瓶裝氣、儲槽氣兩種形式：現場制氣現場制氣：該模式下供應商在客戶現場或鄰近場地建設大宗氣站，氣站由公司擁有電子大宗電子大宗電子特氣電子特氣54/44nm級54/44nm級20nm級20nm級20nm級20nm級10nm級10nm級NF3 三氟化氮薄膜1833.942606.982149.972579.96N2O一氧

70、化二氮薄膜387.88551.98485.43582.5315%B2H6/H2(L)乙硼烷/氫氣擴散269.70383.001517.211820.65NH3 氨氣薄膜274.55351.98607.80729.37CF4 四氟甲烷蝕刻196.36278.99185.59222.71SIH4 硅烷薄膜136.36193.02191.39229.67丙烯薄膜109.09133.73131.15157.39CL2氯氣蝕刻90.91128.9982.6499.18丙烯蝕刻90.30128.99131.15157.39SF6 六氟化硫蝕刻87.27124.97115.03138.03CHF3 三氟甲烷

71、蝕刻59.3983.9993.38112.05BCL3 三氯化硼蝕刻53.9477.0133.3540.02HBR溴化氫蝕刻32.1244.9968.1481.78八氟環丁烷蝕刻27.8839.0054.5265.42CO2 二氧化碳清洗27.2739.0078.1793.81SIH2CL2 二氯硅烷蝕刻23.0332.0260.9073.07Ar/Xe/Ne氬/氙/氖光刻21.8232.0234.8941.86六氟丁二烯蝕刻21.2129.9734.7941.76全氟丙烷蝕刻16.9723.9825.1130.13XE氙氣擴散15.1521.0121.9226.31CLF3 三氟化氯薄膜12

72、.7318.9718.1721.81C2F6 六氟乙烷蝕刻10.3014.034.875.84HE/N2 氦氣/氮氣蝕刻7.2710.0115.5118.62C2H2 乙炔薄膜6.069.0338.0645.67乙硼烷銅制程4.857.978.139.75CO一氧化碳蝕刻4.856.981.752.10HF氟化氫蝕刻4.856.9812.6115.14CH2F2 二氟甲烷蝕刻4.245.997.138.55氬氖混合氣光刻3.585.865.486.58鍺烷氫混合氣擴散3.995.675.676.82N2 氮氣通用4.245.011.792.160.5%O2/HE氦擴散1.823.032.402

73、.89BF3 三氟化硼擴散1.823.030.160.19KR/NE氪氣/氖氣光刻1.823.030.560.67PH3/HE磷化氫/氦氣薄膜1.211.981.631.96三氯化硼氮氣混合氣擴散1.331.902.042.45COS硫氧化碳蝕刻1.210.993.864.64F2/KR/NE氟氣/氪氣/氖氣光刻1.210.994.185.03HE氦氣通用1.210.991.471.77AsH3 砷化氫擴散0.610.460.400.47CH4 甲烷蝕刻0.610.460.640.77PH3 磷化氫擴散0.180.260.270.32AR(L)氬氣擴散0.060.130.160.19氫氦混合氣

74、銅制程0.060.120.110.14四氟化鍺擴散0.040.050.050.05乙硅烷擴散0.070.010.100.12氫氣二氧化碳混合氣擴散0.000.010.000.01氣體名稱氣體名稱所屬工序所屬工序存量項目存量項目技改項目技改項目氣體類型氣體類型 2024 年 05 月 28 日 P.18 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 并負責運營，通過管道直接向客戶工廠供氣。同時結合周邊市場需求，部分現場利用制氣裝置的富余產能生產氣體，經液化后向周邊客戶零售；零售供氣零售供氣：該模式下供應商將自建工廠生產的氣體經過液化或充裝后，通過液體槽車、氣體管束車或氣瓶向客戶運送。對于用氣

75、穩定性高的客戶，還可提供現場儲存、氣化、調壓、純化、過濾等整體供氣解決方案。圖表 26：工業氣體不同供應模式 資料來源：金宏氣體招股書，國盛證券研究所 圖表 27：零售供氣、現場制氣模式對比 業務模式業務模式 盈利模式盈利模式 規模規模 半徑半徑 合同期合同期 特點特點 客戶群客戶群 零售供氣 瓶裝氣 根據需要隨時送達客戶端 限于小批量氣體用戶 特種氣體不受運輸半徑限制；大宗氣體覆蓋充氣站半徑50km 左右 1-3 年 客戶分布廣泛；高度網絡密集型；看重配送和交付能力 行業不限 儲槽氣 通過低溫槽車送達客戶端，將低溫液體產品儲存在客戶現場的儲槽中，供客戶規模要求自行氣化使用 滿足中等規模 20

76、0km 左右 3-5 年 要求客戶關系和配送能力，易受市場影響 電子半導體、化工、機械制造、食品、醫療健康 現場制氣 在客戶端建造現場制氣裝置通過管網供應氣體 滿足大規模用氣需要-10-20 年 資本密集，服務要求高；技術和客戶關系穩定；盈利持續性強，現金流穩定 化工、煉油、電子半導體、金屬冶煉加工 資料來源：金宏氣體招股說明書，國盛證券研究所 合成、合成、純化、混配是電子特氣核心純化、混配是電子特氣核心工藝環節。工藝環節。特種氣體的主要生產工序包括氣體合成、氣體純化、氣體混配、氣瓶處理、氣體充裝、氣體分析檢測，具體來看：氣體合成：將原料在特定壓力、溫度、催化劑等條件下，通過化學反應得到氣體粗

77、產品；氣體純化：通過精餾、吸附等方式將粗產品精制成更高純度的產品；氣體混配：將兩種或兩種以上有效組分氣體按照特定比例混合，得到多組分均勻分布的混合氣體；氣瓶處理：根據載 2024 年 05 月 28 日 P.19 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 氣性質及需求的不同，對氣瓶內部、內壁表面及外觀進行處理的過程，以保證氣體存儲、運輸過程中產品的穩定；氣體充裝：通過壓力差將氣體充入氣瓶等壓力容器；氣體分析檢測：對氣體的成分進行分析、檢測。圖表 28：電子氣體核心工藝流程（合成、純化、混配）資料來源：華特氣體招股書，國盛證券研究所 特氣生產及銷售壁壘高企，主要體現在技術、客戶認證特氣生

78、產及銷售壁壘高企，主要體現在技術、客戶認證、客戶、客戶服務、資質等方面：服務、資質等方面：a）技術壁壘：技術壁壘：半導體對氣體純度要求極高，提純難度半導體對氣體純度要求極高，提純難度大大。半導體行業對于氣源及其供應系統有著苛刻的要求，在芯片加工過程中，微小的氣體純凈度差異將導致整個產品性能的降低甚至報廢。電子氣體純度要求 5N，甚至 6N、7N 級別，還要將金屬元素凈化到 10-9級至 10-12級。特種氣體在其生產過程中涉及合成、純化、混合氣配制、充裝、分析檢測、氣瓶處理等多項工藝技術，純度每提升一個 N 以及粒子、金屬雜質含量濃度每降低一個數量級都將帶來工藝復雜度和難度的顯著提升?；炫洵h節

79、中，配比精度控制難度大?；炫洵h節中，配比精度控制難度大。配比精度是混合氣的核心參數，隨著產品組分的增加、配制精度的上升，常要求氣體供應商能夠對多種 ppm（10-6-10-9）級濃度的氣體組分進行精細操作，其配制過程的難度與復雜程度也顯著增大。生產環節以外電子特氣仍有諸多技術壁壘，主要體現在氣體充裝、氣瓶處理、氣體分析檢測、氣體配送等方面：2024 年 05 月 28 日 P.20 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 29：電子特氣在生產環節以外仍有諸多技術壁壘 生產以外環節壁壘生產以外環節壁壘 具體難點具體難點 氣體充裝 氣體充裝工藝過程包括分析、置換、清潔、清洗等。首先

80、要對儲存設備中的余氣進行純度檢測分析，檢驗其是否達到標準要求，若未達須先置換合格后再進行充裝，以防產品交叉污染。在充裝完畢并分析合格后，須進行防塵和施封后方可交付客戶使用 氣瓶處理 氣瓶處理是保證氣體存儲、運輸、使用過程中不會被二次污染的關鍵，對氣瓶內部、內壁表面等的處理涉及去離子水清洗、研磨、鈍化等多項工藝，而磨料配方篩選、研磨時間設定、鈍化反應控制等均依賴于長期的行業探索和研發 氣體分析檢測 氣體分析檢測方法建立的基礎是對氣體生產過程的熟悉，在不具備對應產品純化或混配能力的情況下，對于氣體可能含有的雜質組分、可能的濃度區間均難以判斷，也就難以針對性建立檢測方法 氣體配送 業氣體屬于危險化學

81、品，必須借助專業存儲運輸設備，并嚴格按照安全生產、安全運輸等規程操作 資料來源：金宏氣體招股書，華特氣體招股書，國盛證券研究所 b）客戶認證及服務壁壘：）客戶認證及服務壁壘：電子特氣客戶粘性強，認證周期長，準入壁壘高。電子特氣客戶粘性強，認證周期長，準入壁壘高。電子特氣質量對下游產業的正常生產影響巨大，例如一條 8 寸晶圓生產線月產 5 萬片，若生產用的氣體產品發生質量問題，將導致整條生產線產品報廢，造成巨額損失。因此對大規模集成電路、新型顯示面板等精密化程度非常高的下游產業客戶而言，對氣體供應商的選擇極為審慎、嚴格。首先對于氣體供應商的選擇均需經過審廠、產品認證 2 輪嚴格的審核認證，其中光

82、伏能源、光纖光纜領域的審核認證周期通常為 0.5-1 年，顯示面板通常為 1-2 年，半導體領域的審核認證周期長達 2-3 年。同時，為保持氣體供應穩定，客戶在與氣體供應商建立合作關系后不會輕易更換氣體供應商，客戶粘性較強，新進入者與核心下游綁定難度極大?？蛻舴找揽科髽I不斷的經驗積累，屬于高客戶服務依靠企業不斷的經驗積累，屬于高 know-how 環節。環節。由于下游客戶對氣體產品品類需求豐富，因此傾向于氣體供應商能夠銷售多類別產品，并且提供包裝容器處理、檢測、維修及供氣系統的設計、安裝等專業化的配套服務，從而滿足其一站式的用氣需求，達到成本控制、倉儲管理優化的作用。同時由于特氣具有多品種、

83、小批量、高頻次的特點，對供應商的配送能力以及成本控制能力提出了較高的要求。而形成一站式的氣體應用解決方案提供能力和高效、合理的物流配送服務需要企業通過深耕不斷積累經驗，屬于高 know-how 環節。c）資質壁壘：）資質壁壘：工業氣體屬于危險化學品，在其生產、儲存、運輸、銷售等環節均需通過嚴格的資質認證，包括安全生產許可證、危險化學品經營許可證、道路運輸經營許可證、移動式壓力容器充裝許可證等。資質審核過程嚴格，不僅需對企業的生產環境、工藝、設備等進行多次現場評估，還要求生產人員、管理人員均需通過相應測試并取得個人資質，資質獲取作為工業氣體行業生產經營的前置程序，嚴格的資質審核對行業新進入者形成

84、了較高的資質壁壘。電子氣體全球寡頭壟斷格局，核心廠商與工業氣體基本吻合。電子氣體全球寡頭壟斷格局，核心廠商與工業氣體基本吻合。全球電子特氣四大供應商為空氣化工、林德、法液空、大陽日酸，2021 年全球市場份額分別為 25%、25%、23%、18%，CR4 達 91%；占國內市場份額分別為 25%、23%、22%、16%，CR4 達 86%。根據億渡數據，2020 年中國工業氣體前三大廠商分別為林德、液化空氣、空氣化工，對應份額 22%、21%、10%，電子氣體全球頭部企業與工業氣體環節基本吻合。形成如此競爭格局的主要原因包括電子氣體行業格局極度集中，同時頭部企業憑借強大的合成、2024 年 0

85、5 月 28 日 P.21 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 提純、混配能力不斷擴充特種氣體產品品類，依托客戶粘性優勢形成卡位。圖表 30：2021 年全球電子氣體競爭格局 圖表 31：2021 年中國電子氣體競爭格局 資料來源：研觀報告網，國盛證券研究所 資料來源：研觀報告網，國盛證券研究所 國內廠商加速布局，覆蓋半導體特氣各大核心品類。國內廠商加速布局，覆蓋半導體特氣各大核心品類。我國布局半導體特氣的廠商包括中船特氣、華特氣體、廣鋼氣體、金宏氣體、昊華科技等諸多廠商，技術能力囊括大單品三氟化氮、六氟化鎢、六氟丁二烯、硅烷，以及其他氟碳類、摻雜氣、光刻氣等環節，基本實現主流品

86、種的全覆蓋。目前我國三氟化氮、六氟化鎢兩大核心特氣已實現國產化，同時六氟丁二烯、乙硅烷、鍺烷等兼具高附加值與市場規模的品種，國內廠商也在不斷突破中。電子大宗氣方面，以廣鋼氣體為首的廠商也在不斷突破海外封鎖，搶占林德、法液空等外企份額。受益于國內晶圓廠擴產以及行業景氣度復蘇，預計未來半導體電子氣體國產化率將持續提升。圖表 32：國內各大廠商半導體特氣產品梳理（藍色為量產階段，紅色為布局階段）資料來源：各公司公告，各地方政府網站，國盛證券研究所 廠商名稱三氟化氮六氟化鎢六氟丁二烯其他氟碳類甲硅烷 乙硅烷 超純氨 摻雜氣氦氣光刻氣電子大宗氣工業大宗氣中船特氣華特氣體廣鋼氣體金宏氣體昊華科技南大光電中

87、巨芯-博瑞電子中化藍天凱美特氣和遠氣體九豐能源建業股份萬華化學硅烷科技 2024 年 05 月 28 日 P.22 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 3.以以半導體特氣為半導體特氣為核心，打造核心，打造一站式氣體供應商一站式氣體供應商 3.1.布局高附加值單品，領跑半導體特氣國產化布局高附加值單品，領跑半導體特氣國產化 特氣國產化領軍者，特氣國產化領軍者，打造以特氣為核心的一站式氣體打造以特氣為核心的一站式氣體綜合應用解決綜合應用解決方案商方案商。公司致力于特種氣體國產化，并率先打破極大規模集成電路、新型顯示面板、高端裝備制造、新能源等尖端領域氣體材料進口制約。公司主營業務以特

88、種氣體的研發生產及銷售為核心，輔以普通工業氣體和相關氣體設備與工程業務，提供氣體一站式綜合應用解決方案，產品廣泛應用于集成電路、液晶面板、LED、光纖通信、光伏、醫療健康、節能環保、新材料、新能源、航天航空、高端裝備制造、食品、冶金、化工、機械制造、人工智能制造等眾多行業。特氣品類領先，主要產品應用于高附加值半導體特氣品類領先，主要產品應用于高附加值半導體領域領域。公司集成電路領域電子特種氣體產品實現了包括高純四氟化碳、高純六氟乙烷、光刻氣、高純二氧化碳、高純一氧化碳、高純氨、高純一氧化氮、高純三氟甲烷、高純八氟丙烷、鍺烷、高純乙烯、高純甲烷、高純六氟丁二烯等眾多產品的進口替代。公司自主研發的

89、氟碳類、光刻稀混氣類、氫化物、氮氧化合物、硅系前驅體等系列產品主要應用在半導體制程工藝中的刻蝕、清洗、光刻、外延、沉積/成膜、離子注入等核心環節，對最終元器件的性能起到關鍵決定性作用。公司拳頭產品光刻氣（Ar/Ne/Xe、Kr/Ne、F2/Kr/Ne、F2/Ar/Ne）通過了荷蘭 ASML和日本 GIGAPHOTON 株式會社的認證，是國內唯一一家通過兩家認證的氣體公司。圖表 33：公司特氣產品及競爭格局 資料來源：公司公告，國盛證券研究所 3.1.1.存量存量產品產品結構結構：各品類各品類特氣特氣銷量及銷售額梳理。銷量及銷售額梳理。排除部分產品特定年份需求/價格波動，公司 5 大核心特氣品種

90、銷量、銷售額呈穩定增長趨勢，具體來看：氟碳類：氟碳類：公司氟碳類產品主要包括高純六氟乙烷、四氟化碳、三氟甲烷、八氟環丁烷、八氟丙烷、一氟甲烷、二氟甲烷等，2023 年實現銷量 1277 噸，銷售額 2.14億元。受益于高附加值產品品類的持續擴充，以及下游半導體客戶的導入，公司氟產品類別主要產品名稱國內主要競爭對手競爭優勢及市場地位派瑞特氣：六氟丁二烯、六氟乙烷、八氟環丁烷1、產品種類豐富。公司氟碳類產品涵蓋面較廣，具備多種氟碳類產品的生產能力；雅克科技：四氟化碳、六氟化硫2、八氟丙烷產品公司為除外資廠商外目前國內唯一的供應商；福建德爾：三氟甲烷、四氟化碳、六氟乙烷、六氟化硫、八氟環丁烷3、較早

91、取得了下游半導體領域客戶認證。公司對氟碳 類產品布局較早，其中四氟化碳、六氟乙烷、三氟甲烷等產品在國內首批實現了產品進口替代，已大量穩定向8寸以上芯片廠商供貨。光刻氣氬氙氖混合氣、氪氖混合氣、氟氪氖混合派瑞特氣、凱美特氣1、目前國內唯一取得全球最大的光刻機公司ASML認證的光刻氣產品；2、公司光刻氣產品在國內市場占有率超過60%，位居國內市場第一。綠菱氣體：高純一氧化碳1、高純一氧化碳和高純二氧化碳產品均為國內首批實現進口替代的產品，打破了國外氣體公司壟斷，目前公司高純一氧化碳的國內份額位居市場前列；浦江特氣：高純二氧化碳2、目前金宏氣體、南大光電等國內同行業上市公司均未量產相關產品，公司產品

92、具有較強市場競爭力。氮氧化合物高純一氧化氮等-公司高純一氧化氮產品為國內首批實現進口替代產品氫化物乙硅烷、鍺烷等-公司開發了乙硅烷、鍺烷等技術壁壘較高、應用于半導體先進制程的新產品，鍺烷已成功打入了海力士、三星等國際領先企業的供應鏈體系四氟化碳、六氟乙烷、八氟丙烷、八氟環丁烷、三氟甲烷等氟碳類碳氧化合物高純一氧化碳、高純二氧化碳 2024 年 05 月 28 日 P.23 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 碳類特氣增長穩定；氫化物：氫化物：公司氫化物產品主要包括硅烷、乙硅烷、鍺烷、高純氫氣、高純氨氣等，其中乙硅烷、鍺烷價值量較高，公司已實現下游核心半導體客戶的導入。2023 年

93、公司氫化物銷量 2619 噸，銷售額 2.43 億元，板塊歷史增長穩定；光刻及混合氣：光刻及混合氣：光刻及混合氣是公司拳頭產品，產品涵蓋 Ar/Ne/Xe、Kr/Ne、F2/Kr/Ne、F2/Ar/Ne 等多種混配組合，并獲得荷蘭 ASML 和日本 GIGAPHOTON 供應頭部半導體企業認證。2022 年受全球地緣政治等因素影響，稀有氣體供給收緊，價格大幅上漲，公司實現板塊銷售額 5.98 億元，同比大幅提升 196%。2023 年隨著海外供給恢復以及國內產能的提升，稀有氣體價格回歸常態。公司 2023 年實現光刻及混合氣銷量 2961 噸，銷售額 2.53 億元，仍高于 2021 年漲價前

94、銷量及銷售額水平；氮氧化合物：氮氧化合物：公司氮氧化合物包括高純一氧化氮、氧化亞氮等，下游涵蓋半導體以及食品行業。2021 年公司氮氧化合物銷量 5559 噸，同比大幅增長 93.4%，主要系下游消費類領域需求增長所致（主要為食品級氧化亞氮），2022 年銷量下滑為消費類氣體需求疲軟所致。2023 年公司氮氧化合物銷量 3365 噸，銷售額 1.07 億元；碳氧化合物：碳氧化合物：公司碳氧化合物主要包括高純二氧化碳、一氧化碳，應用于半導體刻蝕、清洗環節。2023 年實現銷量 4515 噸，銷售額 0.99 億元。圖表 34：公司各特氣品種銷量（噸）圖表 35：公司各特氣品種銷售額（萬元）資料來

95、源：公司公告，國盛證券研究所 資料來源：公司公告，Wind，國盛證券研究所 產品結構持續高端化，產品結構持續高端化，氫氫化物、氟碳類噸價提升，毛利率穩中有升?；?、氟碳類噸價提升，毛利率穩中有升。復盤 2019-2023 年，噸價值量方面：公司氟碳類特氣、氫化物噸價持續提升，2023 年分別為 16.7、9.3 萬/噸，是噸價最高的特氣品種；碳氧化合物、氮氧化合物噸價維持穩定；光刻氣及混合氣排除 2022 年周期波動，價格仍呈現增長趨勢。毛利率方面：公司 5 大特氣產品總體穩中有升，其中碳氧化合物是利潤率最高材料；高純一氧化碳、二氧化碳均實現進口替代，并成功向長存、中芯國際等廠商規?；?。2

96、023 年氮氧化合物、氫化物、氟碳類、碳氧化合物、光刻氣毛利率分別為 35%/24%/30%/55%/41%，同比分別+7.36/+1.87/-0.74/+1.22/+12.61pct。010002000300040005000600020192020202120222023氮氧化合物氫化物氟碳類碳氧化合物光刻及混合氣01000020000300004000050000600007000020192020202120222023氮氧化合物氫化物氟碳類碳氧化合物光刻及混合氣 2024 年 05 月 28 日 P.24 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 36：公司各特氣品種噸

97、價（萬/噸）圖表 37：公司各特氣品種毛利率 資料來源：公司公告，Wind，國盛證券研究所 資料來源：公司公告，Wind，國盛證券研究所 傳統氟碳類產品中，六氟乙烷、四氟化碳、八氟環丁烷、三氟甲烷銷售額較高，截至招股書 2019H1 財報季，四種產品占公司特氣收入比重分別為 5.4%、3.4%、2.0%、1.1%；碳氧化合物中，一氧化碳、二氧化碳銷售額占比均為 2.3%。圖表 38：公司細分產品銷量/銷售額（噸、萬元，截至招股書財報季）資料來源：公司公告，國盛證券研究所 3.1.2.高附加值高附加值新品布局新品布局：a）六氟丁二烯六氟丁二烯 含氟氣體是最核心的電子特氣品種，占全球電子氣體總體量

98、約含氟氣體是最核心的電子特氣品種，占全球電子氣體總體量約 30%（根據電子技術應（根據電子技術應051015202520192020202120222023氮氧化合物氫化物氟碳類碳氧化合物光刻及混合氣0%10%20%30%40%50%60%70%80%20192020202120222023氮氧化合物氫化物氟碳類碳氧化合物光刻及混合氣銷量銷售額收入占比特氣收入占比銷量銷售額收入占比特氣收入占比銷量銷售額收入占比特氣收入占比高純六氟乙烷150.12091.15.4%10.0%302.14263.95.2%10.9%277.84086.25.2%11.1%高純四氟化碳186.31324.43.4%

99、6.4%391.82754.43.4%7.1%412.73412.64.3%9.3%高純氨803.0945.92.4%4.5%1449.11741.92.1%4.5%1327.61674.42.1%4.5%高純一氧化碳139.0912.52.3%4.4%264.51523.71.9%3.9%243.51316.51.7%3.6%高純二氧化碳577.0898.32.3%4.3%1000.61470.71.8%3.8%997.31297.41.7%3.5%Ar/F/Ne 混合氣0.126.00.1%0.1%0.151.60.1%0.1%0.130.30.0%0.1%Kr/Ne混合氣1.0300.5

100、0.8%1.4%1.7618.10.8%1.6%0.9469.00.6%1.3%Ar/Ne混合氣0.330.80.1%0.2%0.766.10.1%0.2%0.547.00.1%0.1%Ar/Xe/Ne混合氣0.5151.80.4%0.7%2.0564.70.7%1.5%1.5533.00.7%1.5%Kr/F/Ne 混合氣0.118.70.1%0.1%0.140.00.1%0.1%0.135.50.1%0.1%高純三氟甲烷37.9443.91.1%2.1%70.9777.61.0%2.0%36.3368.60.5%1.0%高純八氟環丁烷40.9785.52.0%3.8%29.4592.20.

101、7%1.5%26.2501.40.6%1.4%高純八氟丙烷3.292.70.2%0.4%16.3465.50.6%1.2%12.6295.40.4%0.8%高純一氧化氮0.8106.00.3%0.5%2.8246.30.3%0.6%2.2313.30.4%0.9%高純氪7.1262.20.7%1.3%13.6240.70.3%0.6%5.0117.70.2%0.3%超高純氬21.3130.60.3%0.6%24.3177.90.2%0.5%15.2135.30.2%0.4%超高純氮9.279.60.2%0.4%10.693.50.1%0.2%9.598.20.1%0.3%超高純氦0.575.8

102、0.2%0.4%0.672.50.1%0.2%0.329.40.0%0.1%氦/氧混合氣0.116.30.0%0.1%0.535.80.0%0.1%0.112.60.0%0.0%鍺烷混氫0.06.20.0%0.0%0.04.70.0%0.0%0.02.40.0%0.0%高純二氟甲烷0.10.70.0%0.0%0.13.10.0%0.0%0.10.60.0%0.0%高純一氟甲烷0.00.80.0%0.0%-小計小計1978.51978.58700.18700.122.3%22.3%41.7%41.7%3581.93581.915804.715804.719.3%19.3%40.5%40.5%28

103、48.02848.014776.614776.618.8%18.8%40.1%40.1%硅烷116.11755.24.5%8.4%216.43709.84.5%9.5%203.83654.74.6%9.9%食品級氧化亞氮605.42182.45.6%10.5%834.73578.44.4%9.2%280.91246.11.6%3.4%氫氣92.6763.72.0%3.7%173.91547.11.9%4.0%154.11465.91.9%4.0%消毒氣540.9732.81.9%3.5%1016.71393.61.7%3.6%967.91413.41.8%3.8%小計小計1355.01355.

104、05434.15434.113.9%13.9%26.0%26.0%2241.72241.710228.910228.912.5%12.5%26.2%26.2%1606.71606.77780.17780.19.9%9.9%21.1%21.1%3333.43333.414134.214134.236.2%36.2%67.7%67.7%5823.65823.626033.626033.631.8%31.8%66.8%66.8%4224.14224.122556.822556.828.7%28.7%61.2%61.2%合計合計其他主要特種氣體2019年1-6月2018年2017年產品名稱類別進口替代

105、產品 2024 年 05 月 28 日 P.25 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 用）用）。含氟電子特氣主要用于芯片制造過程中的刻蝕和清潔工段：刻蝕：刻蝕：刻蝕過程順位于芯片制造的鍍膜和光刻之后，含氟氣體在射頻（RF）作用下形成豐富的等離子體，可與晶圓表面上特定材質發生化學反應，形成揮發性物質，從而實現刻蝕并在表面制成器件圖案；清潔：清潔：清潔過程涉及芯片制造的每道工序，清潔氣體在不破壞材料表面特性及電特性的前提下，與在反應室或晶圓表面積聚的含硅、含碳污染物反應，達到清潔目的。傳統含氟特氣溫室效應高、刻蝕性能傳統含氟特氣溫室效應高、刻蝕性能上限底，上限底，面臨面臨替代。替代。

106、傳統含氟特氣包括三氟化氮、六氟化硫、四氟甲烷、六氟乙烷、八氟丙烷等，傳統含氟特氣具有諸多性能缺陷，主要包括：1）溫室效應高：傳統含氟電子特氣的 GWP 高、大氣壽命長，在京都議定書和基加利協議框架內面臨逐步減量甚至禁用的趨勢；2）刻蝕線路寬：氟碳物質的量比（簡稱氟碳比）是影響刻蝕速率和品質的重要因素?，F常用的刻蝕氣體 CF4、C2F6、C3F8的氟碳比較高，依次為 4、3、8/3，會引起刻蝕速率過快，難以控制刻蝕的深寬比，從而導致刻蝕線路太寬；3）易生成有害物質：刻蝕過程中，在反應腔體和管路內易產生含硅、含碳的固體有害雜質，影響芯片品質，需及時除去；4）純度較低：含氟氣體中往往含有難除去的有機

107、雜質及少量的酸和水分，易與反應容器、管道及包裝材料反應而帶入過多的金屬離子，可嚴重降低芯片良率。六氟丁二烯是最主流的新型含氟特氣，具有高選擇性、精確性、各向異性，同時六氟丁二烯是最主流的新型含氟特氣，具有高選擇性、精確性、各向異性，同時 GWP值幾乎為值幾乎為 0。六氟丁二烯（C4F6）的活性自由基較小，刻蝕活性較低，強度適中，刻蝕孔徑幾乎可以垂直，具有優異的各向異性。這使得六氟丁二烯可應用于高深寬比工藝過程中，刻蝕寬度可達 0.13m，而大多數蝕刻氣體的線寬僅可達到 0.18m。此外六氟丁二烯具有較好的選擇性，以 Si3N4介質為例，其選擇比可達 30：1。同時六氟丁二烯的GWP 值僅為 0

108、.004，是一種綠色環保氣體。圖表 39：電子氣體的環境性能參數和用途 特氣種類特氣種類 特氣名稱特氣名稱 大氣壽命（年）大氣壽命（年）GWP 值值 用途用途 傳統含氟電子特氣 CF4 50000 7380 刻蝕、清潔 C2F6 10000 12400 刻蝕、清潔 C3F8 2600 9290 刻蝕 C4F8 3200 10200 刻蝕 NF3 569 17400 清潔 SF6 3200 23900 清潔 新型含氟電子特氣 C4F6 0.003 0.004 刻蝕刻蝕 C5F8 1.1 78.1 刻蝕 CF3I 2 天 5 刻蝕 CH3F 2.8 135 刻蝕 2,2,3,3,4,4,4-七氟丁

109、醇 0.55 25 刻蝕 COF2 5-10 天 1 清潔 ClF3-0 清潔 資料來源：芯片制造用含氟電子特氣的研究進展（張呈平等），國盛證券研究所 六氟丁二烯是全球第三大特氣品種，應用于六氟丁二烯是全球第三大特氣品種，應用于 3D NAND 刻蝕環節?？涛g環節。六氟丁二烯可取代傳統四氟化碳，用于 KrF 激光刻蝕半導體制程，典型應用為 3D NAND 刻蝕。在 3D NAND層數持續提升趨勢下，六氟丁二烯用量持續提升。2021 年全球六氟丁二烯市場規模 3.1億美元，消耗量 900 噸，是第三大電子特氣品種，市場規模占比約 7%。根據富士經濟、金宏氣體，2024 年全球六氟丁二烯市場規模將

110、達 4.8 億美元，2028 年全球六氟丁二烯 2024 年 05 月 28 日 P.26 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 消耗量達 3571 噸，達到 2021 年的 4 倍。圖表 40：六氟丁二烯需求量（噸）圖表 41：六氟丁二烯價格（萬元/噸）資料來源：廣鋼氣體，金宏氣體，國盛證券研究所 資料來源：廣鋼氣體，國盛證券研究所 六氟丁二烯國產替代空間廣闊，公司六氟丁二烯國產替代空間廣闊，公司積極積極布局布局相關產線相關產線。六氟丁二烯工藝壁壘高，過去核心技術主要掌握在俄羅斯、日本、韓國等海外少數企業手中，海外廠商包括昭和電工、厚成化工、默克集團、林德氣體、液化空氣等。六氟丁

111、二烯終端售價高，根據廣鋼氣體，2023 年電子級六氟丁二烯價格高達 221.2 萬/噸，作為核心半導體特氣品類國產替代訴求強。目前國內華特氣體、中化藍天、中船特氣、廣鋼氣體、南大光電等企業加速布局六氟丁二烯。公司積極布局六氟丁二烯，建立 4N 六氟丁二烯合成純化生產線，截至 2023年報季，六氟丁二烯的合成與純化研制項目處于小試階段。b）乙硅烷乙硅烷 乙硅烷是繼硅烷后的第二大硅類半導體氣體，適用于先進制程。乙硅烷是繼硅烷后的第二大硅類半導體氣體，適用于先進制程。乙硅烷（Si2H6）相較傳統甲硅烷具有更高薄膜的致密度，可大幅提升及改善沉積薄膜的平滑性、連續性，同時具有良好的摻雜兼容性以及低沉積溫

112、度，可提高約 10 倍的成膜速率，大幅優化生產效率。隨著 14nm、7nm 先進制程的快速崛起，乙硅烷正持續替代傳統硅烷。根據QYResearch，2021 年全球乙硅烷市場規模約 1.98 億美元，預計 2028 年達 4.53 億美元，復合增速 12.4%。乙硅烷價值量極高，主要被外企壟斷。乙硅烷價值量極高，主要被外企壟斷。乙硅烷技術壁壘、認證壁壘極高，主要被日本和美國企業所壟斷，核心廠商包括三井化學、液化空氣集團、SK Materials、Matheson、REC Silicon 等，其中三井化學和液化空氣集團是兩大核心供應商，2021 年合計份額高達 55%。根據 2021 年公司投資

113、者問答，乙硅烷售價高達 2500-3000 萬/噸，價值量極高。公司布局 15 噸乙硅烷產能（根據乙硅烷噸價計算，對應產值達 3.8-4.5 億元），截至 2023 年報，公司 4N8 乙硅烷項目已處于量產線建設當中，乙硅烷擴建項目建設進度達 97.94%，產品放量可期。c）鍺烷鍺烷 鍺烷即氫化鍺（GeH4），具有載流子遷移率高、能帶寬度隨 Ge 的組分變化而連續可調等性能優勢，在微電子和光電子方面有重大的應用價值，是國家戰略性新興產業的關鍵材料。鍺烷在半導體制程中主要充當鍺源，應用在薄膜沉積、摻雜、納米結構生長等環節：薄膜沉積：薄膜沉積：通過化學氣相沉積（CVD），將鍺烷 GeH4氣體在硅基

114、片上分解沉積，以生長純度高、均勻的 SiGe（硅鍺）薄膜層；摻雜：摻雜：鍺烷 GeH4可以作為鍺的摻雜源，在半導體材料中引入鍺原子，以調節半導0500100015002000250030003500400020212028E需求量（噸）050100150200250國內99.9%純度價格電子級價格價格（萬元/噸）2024 年 05 月 28 日 P.27 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 體的電學性質。例如可以通過摻雜鍺烷 GeH4來改變硅材料的電導率、載流子濃度等，從而實現器件性能的調控；納米結構生長：納米結構生長：在某些特殊情況下，鍺烷 GeH4還可以用于生長納米結構或納米

115、線，用于研究或制造納米電子器件。鍺烷價值量高，半導體級產品進口依存度高。鍺烷價值量高，半導體級產品進口依存度高。根據公司招股書，2019 年鍺烷噸價高達2700 萬，價值量極高。競爭格局方面，法國液化空氣集團于 2013 年收購美國 Voltaix公司，成為全球最大的鍺烷供應商。國內半導體級別鍺烷幾乎完全依靠進口，國產替代訴求強。公司布局鍺烷產能 10 噸，目前已通過韓國最大存儲器企業的 5 納米制程工藝產線的認證并產生訂單。3.2.打通海外直銷，夯實客戶資源優勢打通海外直銷，夯實客戶資源優勢 公司實現對國內公司實現對國內 8 寸以上集成電路制造廠商超寸以上集成電路制造廠商超 90%覆蓋率覆蓋

116、率。經過長期的產品研發和認證，公司解決了長江存儲、中芯國際、華虹宏力、華潤微電子、士蘭微、英諾賽科、合肥長鑫、HW、HS、福建晉華等客戶多種氣體材料的進口制約，并進入了英特爾（Intel，美國）、格芯（Global Foundries,美國）、美光科技（Micron，美國）、德州儀器（TI，美國）、臺積電（TSMC，中國臺灣）、SK 海力士（SKHynix，韓國）、英飛凌（INFINEON，德國）、三星（SAMSUNG,韓國）、鎧俠（KOXIA,日本）等全球領先的半導體企業供應鏈體系，產品出口到全球 50 多個國家和地區，是全球知名半導體廠的重要戰略供應商。圖表 42：公司主要直銷客戶 客戶類

117、型客戶類型 客戶名稱客戶名稱 終端客戶 國內 中芯國際、長江存儲、華潤微電子、臺積電（TSMC，中國臺灣）、士蘭微、英諾賽科、HW、HS、合肥晶合、福建晉華、晶科能源、華虹半導體、芯恩（青島）、和艦芯片制造（蘇州）、華星光電、愛旭股份、潤陽新能源、仕佳光子 海外 英特爾（Intel，美國）、美光科技（Micron，美國）、德州儀器（TI，美國）、格芯（Global Foundries,美國）、SK 海力士（SKHynix，韓國）、英飛凌（德國）、三星（SAMSUNG,韓國）、鎧俠（KOXIA,日本）國際大型氣體公司客戶 液化空氣集團、林德集團、日本酸素控股、日本大金工業集團 資料來源：公司公告

118、，國盛證券研究所 收購新加坡收購新加坡 AIG，助推海外終端客戶，助推海外終端客戶直銷合作直銷合作。公司建立了“境內+境外”的全球銷售網絡，收購亞洲工業氣體有限公司（Asia Industrial Gases Pte Ltd,AIG），形成海外倉儲、物流和技術服務能力。收購 AIG 前，公司不具備海外倉儲、物流、服務能力，境外業務模式主要為委托國外客戶指定的國際專業氣體公司，并由后者銷往最終國外客戶。公司海外銷售比例及客戶層次在國內氣體公司中居于前列，收購 AIG 使得公司建立起完善的海外銷售體系，省去中間商環節，海外終端客戶逐漸轉為公司直銷。長江存儲為第一大客戶，國內存儲擴產打開成長空間。長

119、江存儲為第一大客戶，國內存儲擴產打開成長空間。2022 年長江存儲銷售額高達 2.54億元，為公司第一大客戶，占當年銷售額 14.1%，前四大國內晶圓廠還包括了中芯國際、華潤微、華虹宏力。2023 年受存儲周期下行影響，公司第一大客戶銷售額下降至 0.98億元，前五大客戶銷售額占比由 2022 年的 31.9%下降至 19.9%。站在當下，隨著生產技術的不斷進步以及國家產業政策/大基金的持續扶持，2024 年國內存儲廠商進入產能擴張周期（包括長鑫二期、長存二期項目等）。根據 DigiTimes 報道，長鑫存儲位于合肥的新工廠正在持續擴產中。即將進行的二期擴建將在 2024 年底前完成，每月增加

120、 40000片晶圓，讓長鑫存儲的 DRAM 總產能達到全球規模的 10%。同時 2024 年 3 月 29 日，美國進一步加強對華出口限制，半導體材料自主可控重要性進一步增強。公司作為國內 2024 年 05 月 28 日 P.28 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 頭部晶圓廠核心供應商，有望充分受益。圖表 43：公司國內核心客戶營收（萬元）圖表 44：公司前五大客戶營收體量及占比（萬元）資料來源：公司公告，國盛證券研究所 資料來源：公司公告，國盛證券研究所 3.3.研發研發驅動成長，先進制程打開成長空間驅動成長，先進制程打開成長空間 研發驅動成長，研發驅動成長，12 寸晶圓廠

121、覆蓋率行業領先，導入寸晶圓廠覆蓋率行業領先，導入 5nm 先進制程工藝。先進制程工藝。研發投入：2023年公司研發投入 5043 萬元，研發費用率 3.4%；專利布局：2023 年公司累計取得 213項專利，其中 32 項發明專利、178 項實用新型專利，同比去年新增發明專利 11 項、實用新型專利 36 項；研發人員：2023 年公司研發人員 166 人，占公司總人數比例達 14%。12 寸晶圓廠覆蓋率行業領先：寸晶圓廠覆蓋率行業領先：依托強大的研發能力，公司實現高純四氟化碳、高純六氟乙烷、高純二氧化碳、高純一氧化碳、高純八氟環丁烷、高純三氟甲烷、稀混光刻氣等超 55 個產品進口替代，對 1

122、2 寸芯片廠商的覆蓋率處于行業領先地位，對國內 8 寸以上集成電路制造廠商超過 90%的客戶覆蓋率；產品導入產品導入 5nm 先進制程：先進制程：截至 2023 年報季，公司不少于 20 個產品已經批量供應14 納米先進工藝，不少于 13 個產品供應到 7 納米先進工藝，2 個產品進入到 5 納米先進工藝。第三代功率器件半導體方面，公司產品滿足碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）等生產需求，并成功進入到全國最大的氮化鎵廠和碳化硅廠供應鏈。圖表 45：公司研發投入及研發費用率（萬元）資料來源：Wind，國盛證券研究所 0500010000150002000025000300003500040000

123、2019202020212022Q1-3華虹宏力華潤微中芯國際長江存儲0%5%10%15%20%25%30%35%010000200003000040000500006000070000202120222023第5大第4大第3大第2大第1大前5大占比（右軸）0%1%1%2%2%3%3%4%4%0100020003000400050006000700020162017201820192020202120222023研發費用研發費用率 2024 年 05 月 28 日 P.29 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 發力于發力于先進制程特氣單品，打開長期成長空間。先進制程特氣單品，打開

124、長期成長空間。截至 2023 年報季，公司在研項目合計57 項，其中高附加值半導體刻蝕類氣體占主要比例。根據 2023 年報，我們選取公司半導體相關在研項目共 24 向，其中囊括了硅基前驅體、鍺烷、六氟丁二烯、溴化氫、乙硅烷等高附加值產品，例如鍺烷單價高達 2700 萬/噸（根據公司公告，2019 年數據）。隨著高端產品的逐步放量，研發型半導體特氣平臺優勢將持續凸顯。圖表 46：公司半導體特氣相關在研項目（截至 2023 年報，萬元）資料來源：公司公告，國盛證券研究所 3.4.多基地產線布局，高端品類持續擴充多基地產線布局，高端品類持續擴充 公司特氣產能分布及產品種類較復雜，生產基地包括佛山、

125、江西、南通、自貢等，我們就公司上市以來主要項目進行產能梳理：a）上市前產能：）上市前產能：截至 2018 年報季公司氟碳類、光刻氣、高純氨、氫氣、碳氫化合物、消毒氣產能分別為 850、3214、1350、180、1480、1200 噸，其中氟碳類產品中六氟乙烷產能 350 噸、四氟化碳產能 450 噸、其他氟碳類產品產能 50 噸。項目名稱預計總投資規模本期投入金額累計投入金額進展或階段性成果擬達到目標技術水平具體應用前景超高純氣體的研發攻關800106.33734.36產線建設，工藝優化建立99.9999%超高純氣體生產線進口替代芯片制造的制程高純二氧化碳項目8037.9895.69獲得高純

126、產 品，推廣市場突破高純二氧化碳的技術，純度達到 99.9998%進口替代在半導體的清洗和干燥過程中有極強應用場景高純二氟甲烷研發攻關58058.9237.61產品通過生產許可，進入規?；ㄔO99.9992%純度并實現規?；a進口替代芯片的蝕刻或清洗硅基前驅體-TSA的合成純化研制900142.6806.94中試階段99.9%的高純TSA產品填補國內技術空白芯片制造的制程低純度八氟環丁烷純化技術研發15057.47107.28產品規?；a建立年產400噸高純八氟環丁烷生產線國內領先芯片蝕刻高純一氧化氮中NO2的脫除及質量保證研究28088.5185.6規?；a調試，獲得高純產品99.9%

127、以上NO產品、保質期達到3個月以上行業領先保證客戶產品穩定性，為高端客戶提供品質更穩定的NO產品高純鍺烷合成與轉充技術750162.61422.415N5產品實現規?；a，不斷提高產品轉化率提升原料轉化率并實現規?；a進口替代芯片制造的過程氟氣純化技術研究380109.68173.64生產線調試優化3N純度并實現規?；a國內領先氟化工藝合成、F2/N2混合氣、光刻氣硅基前驅體合成與純化技術研發900142.62233.92小試階段，獲得少量產品組分99.6%純度全部雜質2個P以內行業領先半導體膜材料用前驅體外延體以 及等離子、CMD、ALD相關應用碳氫化物-電子丙烯的純化研制650163

128、.67295.3中試階段，工藝調整4N高純丙烯生產線進口替代芯片制造的制程氟碳化合物-六氟丙烷純化研制65063.3288.47小試建立5N六氟丙烷生產線國內領先芯片制造的制程稀有氣體純化研制950272.59859.8產線建設，優化工藝建立6N稀有氣體生產線國內領先芯片制造的制程硅基前驅體-乙硅烷的合成純化研制600167.72415.29產線建設中建立4N8乙硅烷生產線進口替代芯片制造的制程電子氣體鋼瓶處理技術研制800176.83695.02試驗實現高純電子氣體的包裝物要求國內領先氣體生產關鍵環節六氟丁二烯的合成與純化研制900369.06888.15小試建立4N六氟丁二烯合成純化生產線

129、進口替代等離子蝕刻溴化氫的純化研制項目800341.67584.27實驗建立5N溴化氫生產線進口替代芯片蝕刻氬氫混合氣的研發2017.3421.33小試建立年產12000瓶混合氣生產線國內先進混合氣生產工藝碳氫化物-電子級乙烯的純化研制650147.52147.52中試階段，產業化設計建立5N5高純乙烯生產線進口替代芯片制造中蝕刻鋁金屬表面的介質層薄氟碳化合物高純八氟環丁烷中氟碳雜質及水雜質的高效脫除研制80095.2895.28小試階段建立5N6高純乙烯生產線進口替代等離子蝕刻電子級乙硼烷合 成純化及混合氣配置研究50079.0379.03實驗完成乙硼烷合成純化及配氣研制進口替代摻雜氣體氧化

130、亞氮純化研究60079.379.3中試階段建立高純氧化亞氮規?；a線國內領先芯片制造的制程超高純氨純化技術的研發1200428.56428.56小試階段建立7N超純氨生產線國內領先芯片制造的制程氟碳化合物電子級八氟丙烷高效合成技術及純化技術研究80040.2440.24實驗建立八氟丙烷合成與純化生產線進口替代芯片制造的制程氟碳化合物電子級一氟甲烷純化技術研究65072.6972.69實驗建立4N一氟甲烷生產線進口替代芯片制造的制程 2024 年 05 月 28 日 P.30 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 47：公司 2018 年特氣產品產能 產品類別產品類別 產品名

131、稱產品名稱 產能（噸）產能（噸）氟碳類 六氟乙烷 350 四氟化碳 450 其他氟碳類 50 氟碳類合計 850 光刻氣及其他混合氣 3214 高純氨 1350 氫氣 180 碳氫化合物 1480 消毒氣 1200 資料來源：公司公告，國盛證券研究所 b）IPO 募投項目：募投項目：IPO 特氣產能擴張項目主要包括氣體中心建設及倉儲經營項目、電子氣體生產純化及工業氣體充裝項目：氣體中心建設及倉儲經營項目：氣體中心建設及倉儲經營項目：公司投資 3.48 億元，建設高純鍺烷 10 噸、硒化氫 40噸、磷烷 10 噸、年充裝混配氣體 500 噸、倉儲經營銷售砷烷 10 噸、乙硼烷 3 噸、氯氣300

132、 噸、三氟化硼 10 噸。預計項目達產后可實現產值 3.3 億元，其中鍺烷占 2.4 億元，單價高達 2700 萬/噸。氣體中心建設及倉儲經營項目已于 2022 年 12 月達到預定可使用狀態，但由于鍺烷及混合氣產品的市場需求及競爭情況變化，2023 年并未完全達到效益預期，預計 2024 年將逐步釋放業績。圖表 48：氣體中心建設及倉儲經營項目產能布局 投資主體及基地投資主體及基地 投資額投資額 產品名稱產品名稱 產能（噸）產能（噸）江西華特（九江基地）3.48 鍺烷 10 硒化氫 40 磷烷 10 充裝混配氣體 500 砷烷 10 乙硼烷 3 氯氣 300 三氟化硼 10 資料來源：公司公

133、告，國盛證券研究所 電子氣體生產純化及工業氣體充裝項目：電子氣體生產純化及工業氣體充裝項目：公司投資 2.16 億元（其中一期 1.02 億元），一期建設 50 噸硫化氫、年純化 10 噸鍺化氫、100 噸四氟化硅、100 噸六氟乙烷、100 噸八氟乙烷、100 噸一氟甲烷，年充裝 13,000 噸氧氣（含液態）、10,500 噸氮氣（含液態）、12,000 噸氬氣（含液態）、1,200 噸二氧化碳、300 噸環氧乙烷、300 噸一氧化氮、300噸硅烷、1,000 噸氨氣、120 噸氯化氫、300 噸三氯氫硅、5,000 瓶混合氣，年產鋁合金無縫氣瓶 36 萬只、壓力容器 600 臺、焊接絕熱

134、氣瓶 10,000 臺和撬裝供氣設備。預計項目達產后可實現產值 1.73 億元，其中特氣占 6103 萬元，普氣 1463 萬元，設備 9721萬元。電子氣體生產純化及工業氣體充裝項目已于 2022 年 12 月達到預定可使用狀態。2024 年 05 月 28 日 P.31 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 49：電子氣體生產純化及工業氣體充裝項目產能布局（一期）投資主體及基地投資主體及基地 投資額投資額 產品名稱產品名稱 產能（噸）產能（噸）江西華特（九江基地）1.02 硫化氫 50 鍺化氫 10 四氟化硅 100 六氟乙烷 100 八氟乙烷 100 一氟甲烷 100

135、氧氣 13000 氮氣 10500 氬氣 12000 二氧化碳 1200 環氧乙烷 300 一氧化氮 300 硅烷 300 氨氣 1000 氯化氫 120 三氯氫硅 300 混合氣（瓶）5000 資料來源：公司公告，國盛證券研究所 c）轉債募投：）轉債募投：1764 噸半導體材料建設項目噸半導體材料建設項目 2023 年 3 月 17 日公司發行轉債擬投資 4.66 億元建設 1764 噸半導體材料建設項目，其中包括高純一氧化碳 180 噸、高純一氧化氮 40 噸、高純六氟丙烷及其異構體 800 噸、電子級溴化氫 300 噸、電子級三氯化硼 300、超高純氫氣 9 噸、超純氪氣/氖氣/氙氣/氦

136、氣稀有氣體 135 噸。項目建設周期 24 個月，推算預計 2025 年投產。預計 T+6 年完全達產，達產產值 7.39 億元，凈利潤 1.37 億元。圖表 50：1764 噸半導體材料建設項目 投資主體及基地投資主體及基地 投資額投資額 產品名稱產品名稱 產能（噸）產能（噸）江西華特（九江基地）4.66 高純一氧化碳 180 高純一氧化氮 40 高純六氟丙烷及其異構體 800 電子級溴化氫 300 電子級三氯化硼 300 超高純氫氣 9 稀有氣體混合氣 135 合計合計 1764 資料來源：公司公告，國盛證券研究所 d）南通基地：華特氣體電子化學品生產基地項目）南通基地：華特氣體電子化學品

137、生產基地項目 2022 年 9 月廣東華特與江蘇省如東沿海經濟開發區管理委員會簽訂項目建設協議書，投 2024 年 05 月 28 日 P.32 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 資 5 億元建設電子化學品生產基地項目。2023 年 6 月公司擬增加投資 5 億元，總投資額達 10 億元。產品包括 16000 噸/年濕電子化學品，10000 噸/年超純氨、8650 噸/年高純氟碳類氣體、1270 噸/年高純碳氫類氣體、6000 噸/年高純氧化亞氮、3000 噸/年高純二氧化碳、300 噸/年羰基硫、10 噸/年乙硼烷、2 萬瓶/年超純氮氣、2 萬瓶/年超純氬氣、6000 瓶/年

138、超純氧氣、200 萬 Nm/年氦氣、10 萬 Nm/年超純氫等電子氣體、6 萬瓶/年標準氣、70 萬瓶/年混合氣、23 噸/年前驅體、分裝 1000 噸/年二氧化硫。公司計劃2024 年 3 月底前開工，建設周期 24 個月。圖表 51：華特氣體電子化學品生產基地項目產能布局 投資主體及基地投資主體及基地 投資額投資額 產品名稱產品名稱 產能（噸）產能（噸）廣東華特（南通基地）10 濕電子化學品 16000 超純氨 10000 氟碳類 8650 碳氫類 1270 氧化亞氮 6000 二氧化碳 3000 羰基硫 300 乙硼烷 10 超純氮氣（萬瓶）2 超純氬氣（萬瓶）2 超純氧氣（萬瓶）600

139、0 氦氣（Nm）200 超純氫（Nm）10 標準氣（萬瓶）6 混合氣（萬瓶）70 前驅體 23 二氧化硫 1000 資料來源：公司公告，國盛證券研究所 e）西南基地：華特氣體西南總部項目）西南基地：華特氣體西南總部項目 2021 年 12 月廣東華特與四川省自貢市沿灘區人民政府簽訂招商引資協議書，投資 6.58億元建設華特氣體西南總部項目。2024 年 05 月 28 日 P.33 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 4.盈利預測與估值建議盈利預測與估值建議 4.1.關鍵假設關鍵假設 電子特氣電子特氣：隨著下游半導體需求復蘇，預計傳統 5 大特氣品類營收穩定增長，六氟丁二烯、乙硅

140、烷、鍺烷等高附加值新品類持續放量帶動電子特氣整體營收、毛利率持續增長（2024 年毛利率考慮新產能爬坡微降），費用率持平；工業氣體工業氣體：隨著下游需求復蘇，預計普通工業氣體營收穩定增長，毛利率、費用率持平；設備：設備：隨著下游需求復蘇，預計公司設備業務維持穩定增長，毛利率、費用率持平。4.2.盈利預測盈利預測 我們預計公司 2024-2026 年營業收入分別為 19.47/23.01/26.78 億元；歸母凈利潤2.31/3.00/3.71 億元；對應 PE 分別為 25.7/19.8/16.0 倍。圖表 52：公司板塊收入拆分表（百萬元）報告期報告期 2022A 2023A 2024E 2

141、025E 2026E 電子特氣（電子特氣（5 大品類大品類+六氟丁二烯六氟丁二烯+乙硅烷乙硅烷+鍺烷等）鍺烷等）收入 1223 917 1227 1486 1748 YOY -25%34%21%18%毛利率 30%35%34%35%36%普通工業氣體普通工業氣體 收入 220 227 230 245 270 YOY 3%1%7%10%毛利率 12%14%14%14%14%焊接絕熱氣瓶及其附屬設備焊接絕熱氣瓶及其附屬設備 收入 205 145 150 160 170 YOY -29%3%7%6%毛利率 14%9%10%10%10%營業總收入營業總收入 收入 1803 1500 1947 2301

142、 2678 YOY -16%30%18%16%毛利率 27%31%31%32%33%資料來源：Wind，國盛證券研究所 4.3.估值分析與投資建議估值分析與投資建議 我們選取電子特氣廠商中船特氣、電子大宗氣廠商廣鋼氣體、半導體材料平臺型公司鼎龍股份作為可比公司?？杀裙?2024-2026 年平均 PE 分別為 37.26/28.64/22.26 倍。公司是國內電子特氣龍頭，產品布局及客戶資源行業領先，聚焦高端半導體級產品引領國產化。公司 2024-2026 年 PE 分別為 25.7/19.8/16.0 倍，低于可比公司水平，首次覆蓋，首次覆蓋，給予給予“買入”評級?！百I入”評級。2024

143、年 05 月 28 日 P.34 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 53：可比估值分析（鼎龍股份采用最新報告數據，中船特氣、廣鋼氣體采用 Wind 一致預期數據）公司公司 市值市值（億元）（億元）歸母歸母凈利潤（億元）凈利潤（億元）PE（倍）（倍）2024E 2025E 2026E 2024E 2025E 2026E 中船特氣 146.3 4.37 5.34 5.71 33.45 27.38 25.63 廣鋼氣體 125.9 3.72 4.99 6.53 33.82 25.25 19.26 鼎龍股份 208.7 4.69 6.27 9.53 44.50 33.29 21.

144、90 可比公司平均可比公司平均 37.26 28.64 22.26 資料來源：Wind，國盛證券研究所 *選取 2024 年 5 月 24 日收盤數據 5.風險提示風險提示 下游需求下游需求低于預期低于預期：下游消費端需求不振會在一定程度上影響產品銷售情況，對化工產品景氣度影響較大；新項目建設進度不及預期新項目建設進度不及預期：公司新建項目眾多，項目從建設到達產的進度存在不確定性，將影響行業出清速度；假設和測算誤差風險：假設和測算誤差風險：本文部分假設與測算引用自第三方數據，測算存在一定誤差風險。2024 年 05 月 28 日 P.35 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 免責

145、聲明免責聲明 國盛證券有限責任公司（以下簡稱“本公司”）具有中國證監會許可的證券投資咨詢業務資格。本報告僅供本公司的客戶使用。本公司不會因接收人收到本報告而視其為客戶。在任何情況下，本公司不對任何人因使用本報告中的任何內容所引致的任何損失負任何責任。本報告的信息均來源于本公司認為可信的公開資料，但本公司及其研究人員對該等信息的準確性及完整性不作任何保證。本報告中的資料、意見及預測僅反映本公司于發布本報告當日的判斷，可能會隨時調整。在不同時期，本公司可發出與本報告所載資料、意見及推測不一致的報告。本公司不保證本報告所含信息及資料保持在最新狀態，對本報告所含信息可在不發出通知的情形下做出修改，投資

146、者應當自行關注相應的更新或修改。本公司力求報告內容客觀、公正，但本報告所載的資料、工具、意見、信息及推測只提供給客戶作參考之用，不構成任何投資、法律、會計或稅務的最終操作建議，本公司不就報告中的內容對最終操作建議做出任何擔保。本報告中所指的投資及服務可能不適合個別客戶，不構成客戶私人咨詢建議。投資者應當充分考慮自身特定狀況，并完整理解和使用本報告內容，不應視本報告為做出投資決策的唯一因素。投資者應注意，在法律許可的情況下，本公司及其本公司的關聯機構可能會持有本報告中涉及的公司所發行的證券并進行交易，也可能為這些公司正在提供或爭取提供投資銀行、財務顧問和金融產品等各種金融服務。本報告版權歸“國盛

147、證券有限責任公司”所有。未經事先本公司書面授權，任何機構或個人不得對本報告進行任何形式的發布、復制。任何機構或個人如引用、刊發本報告，需注明出處為“國盛證券研究所”，且不得對本報告進行有悖原意的刪節或修改。分析師聲明分析師聲明 本報告署名分析師在此聲明：我們具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格或相當的專業勝任能力，本報告所表述的任何觀點均精準地反映了我們對標的證券和發行人的個人看法，結論不受任何第三方的授意或影響。我們所得報酬的任何部分無論是在過去、現在及將來均不會與本報告中的具體投資建議或觀點有直接或間接聯系。投資評級說明投資評級說明 投資建議的評級標準投資建議的評級標準 評級評級

148、說明說明 評級標準為報告發布日后的 6 個月內公司股價（或行業指數）相對同期基準指數的相對市場表現。其中 A 股市場以滬深 300 指數為基準；新三板市場以三板成指（針對協議轉讓標的）或三板做市指數（針對做市轉讓標的）為基準；香港市場以摩根士丹利中國指數為基準，美股市場以標普 500 指數或納斯達克綜合指數為基準。股票評級 買入 相對同期基準指數漲幅在 15%以上 增持 相對同期基準指數漲幅在 5%15%之間 持有 相對同期基準指數漲幅在-5%+5%之間 減持 相對同期基準指數跌幅在 5%以上 行業評級 增持 相對同期基準指數漲幅在 10%以上 中性 相對同期基準指數漲幅在-10%+10%之間 減持 相對同期基準指數跌幅在 10%以上 國盛證券研究所國盛證券研究所 北京北京 上海上海 地址：北京市東城區永定門西濱河路 8 號院 7 樓中海地產廣場東塔 7 層 郵編：100077 郵箱： 地址：上海市浦東新區南洋涇路 555 號陸家嘴金融街區 22棟 郵編：200120 電話：021-38124100 郵箱： 南昌南昌 深圳深圳 地址：南昌市紅谷灘新區鳳凰中大道 1115 號北京銀行大廈 郵編：330038 傳真：0791-86281485 郵箱： 地址：深圳市福田區福華三路 100 號鼎和大廈 24 樓 郵編：518033 郵箱：