王濤-EULITHA_CIOE Chengdu_share version.pdf

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1、 Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-高分辨曝光系統PhableR&PhableX&PhableSDisplacement Talbot LithographyTao Wang（王濤）Tel:13810458275E-Mail:zola.wangeulitha-2024/4/25 Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-2CompanyEulitha AG公司成立于2006年。

2、瑞士保羅謝爾研究所團隊高分辨光刻機供應商全球用戶和技術支持瑞士總部中國、美國辦公室EulithaAGPaul Scherrer Institute Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-3Lithography tool for Photonics曝光技術：位移泰伯光刻 Displacement Talbot Lithography(DTL)納米周期性圖形，光電領域相關應用高產量、低成本納米圖形光刻方案采用標準光刻工藝制程Photonics structures prepared by

3、 DTL technology Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-MaskResistWaferpDisplacement Talbot LithographyH.Solak,C.Dais,F.Clube,Optics Express,Vol.19,No.11(2011)DTL benefits非接觸曝光無景深限制高分辨率(100nm)大面積均勻性高效率納米圖形化Static Talbot carpetDTL integral processResist pattern after

4、 DTL22pDisplacementpp/2Mask Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-51D Pattern Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-High-Depth of Focus(DOF)05010015000.511.5Linewidth(nm)Gap(mm)PS3231116bGap=100 um750um1,250 um1,500 umLine perio

5、d=300 nm Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-7Patterning on Curved surface DTL曝光技術可以在曲面上進行曝光 Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-82D Pattern Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-9Circular

6、(curved)Gratings Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-10Variable Duty-Cycle PrintingDuty cycle 25%-75%Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-11Variable Duty-Cycle Printing2D variable DC map光柵漸變的占空比（DC）結構，用于調節衍射效率1D和2D 圖案在平面內，自定義

7、占空比漸變調節不需要更換光刻版，可針對每次曝光進行單獨DC調節 Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-12Variable phase/pitch control圖案相位漸變2D map波前調整 Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-13PHABLESystems DTL technologyPhableR手動研發及小批量生產2”-6”PhableS自動，步進式批量生產8-12

8、”PhableX自動批量生產4”-8”Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-14PhableRTable-top Manual tool分辨率:100nm(UV)50nm (DUV)周期范圍：250nm 1100nm（UV）125nm 800nm（DUV）曝光均勻性：優于 3%基片尺寸：4”,6”兼容不同厚度和形狀的基片手動套刻對準：正面對準1-2um操作：手動裝載，自動曝光曝光時間：2min./substrate產量：10wph Eulitha Beijing Co,Ltd|Conf

9、identialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-15分辨率:100nm(UV)50nm (DUV)周期范圍：250nm 2150nm（UV）125nm 1500nm（DUV）曝光均勻性：優于3%基片尺寸：4”,6”or 8”兼容不同厚度和形狀的基片自動套刻對準：正面對準1um，背面對準5um操作：自動上下片（cassette-to-cassette）產量：30-40 wph(200mm)控制系統:Windows PCPhableXSingle exposure Auto tool Eulitha Beijing Co,Ltd|Confidentia

10、lInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-16PhableSStep&Repeat Auto tool分辨率:100nm(UV)50nm (DUV)周期范圍：250nm 2150nm（UV）125nm 1500nm（DUV）曝光均勻性：優于3%單場曝光：140mm x 140mm基片尺寸：12”步進精度：1um自動套刻對準：正面對準1um，背面對準5um操作：自動（cassette-to-cassette）產量：30-40 wph(200mm)控制系統:Windows PC高效過濾器自定義版圖選區曝光 Eulitha Beijing Co,Ltd|Conf

11、identialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-17MarketsHead Up DisplayDiffractive optical elementsAugmented RealityDiffractive waveguidesLIDARSignals and sensingOptical ComponentsGratings,anti-reflection structuresLaser(DFB,VCSEL,PCSEL)Feedback gratings,polarizer,photonic crystalTelecomWavelength s

12、elective switches(WSS)Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-18Optical waveguide for HUDAR HUD 光波導結構（200mm直徑玻璃）Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-19Optical waveguide for ARGratings printed on 6-inch glass waferAR gratings prin

13、ted on 4-inch Si wafer光學波導結構是實現AR技術最核心的技術之一DTL曝光技術，制作光波導結構高產量、高良率、低成本 Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-20Grating on VCSELP280nm周期線柵，22um直徑圓形區域垂直腔面發射激光器(VCSEL)VCSEL表面的高分辨（亞波長）光柵結構：LiDAR（智能手機、車輛輔助駕駛）結構光(e.g.dot projector“for smart phones)Eulitha Beijing Co,Ltd|

14、ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-21Optical component大面積光柵、無拼接：10008000 lines/mm波長選擇開關（WSS）Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-22DFB-High-precision period controlDFBLinear grating on 4”wafer設計周期：P200nm（5000線/mm）實測數據：-平均值：199.88nm-標準差：0.0047nm-測量

15、點數：21 points（均布4英寸）Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-23DFB-High-precision period controlLinear grating on 4”wafer設計周期：P200nm（5000線/mm）實測數據：-平均值：199.88nm-標準差：0.0047nm-測量點數：21 points（均布4英寸）Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha

16、-24Recap位移泰伯光刻技術（DTL）納米至亞微米分辨率 大面積周期性結構，光學曝光方案 高量產能力、優秀的重復性、周期控制精度 Eulitha Beijing Co,Ltd|ConfidentialInformation|4/25/2024|zola.wangeulitha-25Eulitha Lithography for PhotonicsThank you歡迎各位專家和同行，加微信交流瑞士總部Eulitha AGGrosszelgstrasse 215436 WrenlosSwitzerland中國辦公室北京優利賽爾科技有限公司北京市經濟技術開發區（通州）嘉創二路6號美國辦公室Eulitha US,Inc.8561 154th Avenue NE,Suite 100Redmond,Washington 98052