《意法半導體：2024平面磁件如何提高電力電子器件性能白皮書（20頁）.pdf》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《意法半導體：2024平面磁件如何提高電力電子器件性能白皮書（20頁）.pdf（20頁珍藏版）》請在三個皮匠報告上搜索。

1、平面磁件如何提高 電力電子器件性能作者：Claudia Malannino,Gaetano Rascon,Filippo Bonaccorso意法半導體2在競爭激烈的當今市場中，可再生能源、儲能、電源適配器、電源充電器和數據處理應用需要具有更高功率密度的低成本、高效率解決方案來提高性能，以滿足不斷增長的電信、汽車、醫療保健和航空航天行業的需求。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）晶體管等化合物半導體器件限制了高頻條件下的開關損耗，加速了電路越來越小的趨勢。事實上，高頻操作導致電子電路的收縮，這要歸功于減小的磁性器件尺寸和增加的功率密度。這一點對于電子功率轉換器非常重要，電子功率轉換器包括磁性器件

2、，例如：用于功率傳輸的變壓器和用于能量存儲的電感器。本文解釋了平面磁件如何在效率、成本、空間要求以及散熱方面顯著改善電力電子器件的性能。平面磁件的歷史3平面磁件在效率、成本、空間要求以及散熱方面顯著改善了電力電子器件的性能。圖1.標準變壓器橫截面結構圖2.平面變壓器橫截面結構關于平面磁件的最早研究可以追溯到20世紀60年代。然而，此類研究主要出現在20世紀90年代對設計、建模和優化技術的研究中。最近，由于印刷電路板技術的普及，平面磁技術在世界范圍內引起了廣泛的興趣。平面元件是由平面銅繞組構成的變壓器或電感器。平面元件通常是纏繞在剛性或柔性PCB上的扁平銅片，但也可以是混合元件。它們被插入由“軟

3、”鐵氧體制成的小型磁芯中。其銅走線具有矩形橫截面，不同于具有圓形橫截面的傳統線繞元件。這項技術不僅讓解決方案更為緊湊，而且提高了整體系統性能和效率，因此半導體公司和功率轉換研究小組對平面磁件產生了越來越大的興趣。例如，對漏電感進行控制和微調可以提高系統效率。漏電感可以根據大多數系統的要求降低，或者使用適當的技術增加，如諧振電路的情況。這項技術適用于多個領域，從高功率應用磁學到低功率電源電路，均可使用。然而，將平面磁件應用于任何項目之前，必須考慮到該技術的優點和缺點。以下內容將帶您深入了解高效的設計工作流程如何幫助您充分利用平面磁件，同時提供有用的設計建議和應用示例。4平面磁件技術1的主要優勢是

4、：尺寸?。浩矫娲偶母叨葍H有傳統磁件的一半甚至更??；優化的熱特性：平面磁芯具有更好的熱特性，可導熱并將器件保持在低于繞線磁芯的溫度。平面磁芯具有更好熱特性的原因在于它們具有比傳統磁芯更高的表面積與體積比，從而與周圍環境產生有效的熱交換。為了進行可靠的比較，我們選擇了兩種變壓器設計，一種是常規變壓器，另一種是平面變壓器。兩種變壓器設計用于反激式轉換器，其技術規格見下表。VIN12VVOUT24V電源50W開關頻率100 kHz表1.反激規格圖3.反激式轉換器拓撲CDVOUTVIN磁芯類型E38/8/25磁芯材料3C92體積8477 mm3窗口填充系數34.37磁芯類型R12/I磁芯材料3C92體

5、積8264 mm3窗口填充系數41.69表2.平面變壓器設計規范表3.同心變壓器設計規范我們比較了初級 和 、體積近似、材料相同條件下具有相同電感值的兩個變壓器。這些設計具有以下特點。優點和缺點5在平面變壓器中耗散348mW的功耗，在同心變壓器中耗散434mW的功耗。兩者具有相同的限制條件：環境溫度20C，自然熱對流及輻射。兩者達到的熱值不同。圖4.平面與同心溫度曲線對比圖5.平面與同心溫度曲線對比（帶鋁板）通過添加鋁耗散平面，我們獲得以下結果。與傳統的散熱平面相比，當應用于平面幾何形狀時，散熱平面進一步改善了散熱性能。其他優點包括：自動化、易制造和成本低：傳統的裝配工藝使制造平面磁件具有無可

6、比擬的重復性和準確性。事實上，傳統電感器和變壓器的纏繞很難實現自動化。相反，平面磁件制造中使用的生產和裝配過程與創新的技術工具相結合，簡化了自動化。尤其是PCB技術適合全球制造；PCB模塊化：無需額外連接件即可組裝。不同的內核形狀和PCB結構會產生不同的外形尺寸；可預測的寄生效應：平面繞組布局易于控制并實現交錯解決方案，這意味著更低的泄漏效應和更低的繞組電容。在線繞元件中，實現這一目標要復雜得多，而且并非始終可行。6平面技術的主要缺點是:占用空間大：其占用空間比傳統器件的占用空間大，但高度較低；銅填充系數低：如果PCB用于平面繞組，銅填充系數通常較低。這是由于PCB技術存在一些結構限制；即，最

7、小內匝間距是銅厚度的兩倍加上50m和層間最小介電厚度（相當于標準板約100m）；匝數有限：設計必須使用有限的匝數，因為匝數的增加會導致更多的PCB層，從而提高PCB制造成本?？蓽p小繞組寬度以獲得更多空間，但會導致直流電阻升高，電流能力降低；繞組間電容高：PCB工藝制繞組在結構上堆積，比傳統繞組占用更多空間，增加了寄生效應電容；缺乏典型結構的精確分析模型；平均匝長（MLT）更長，因此由于磁芯形狀，直流電阻更高；對于線圈部分位于磁芯外部的一些結構，應評估EMI，因為這可能會對周圍的設備產生噪聲。平面元件的設計需要深入了解電磁定律、電力電子用磁性材料、磁件損耗、趨膚效應和鄰近效應等磁性現象、氣隙邊緣

8、效應、漏電感、雜散電容等。有必要從分析方法開始，掌握設計背后的理論并使用設計驗證工具。驗證工具可提供不同的復雜程度，通過定義磁模型的材料、創建區域、指定限制條件、激勵、參數和網格，幫助設計者確定要使用的正確解算器，并促進磁模型的創建。此類工具還可以幫助設計者決定如何最好地設置解決方案，定義所需的后處理，并以用戶友好的方式解釋結果。圖6.掌握平面磁件的設計電磁原理分析建模FEA分析EM模擬工具所需知識 電磁學定律 電力電子器件磁性材料 磁件損耗 趨膚效應 鄰近效應 氣隙 氣隙周圍的邊緣效應 泄漏電感 雜散電容必要時進行設計檢查和修正 處理問題，選擇最合適的工具 選擇正確的求解器 創建模型與分配材

9、料 激勵與參數分配 網格劃分與解決方案設置 結果后處理與解釋分析方法 公式和規則7本節描述了反激式轉換器耦合電感器的簡單設計工作流程，該電感器在初級和次級電感之間進行隔離操作。為了更深入地理解磁方程和參數的技術概念，請閱讀專業書籍，例如2。磁性器件的特征在于其磁化或初級電感、磁芯形狀和材料、匝數，對于基于多層PCB的平面器件，還在于PCB疊層上的銅走線尺寸和位置。一旦功率轉換器（在本例中為反激式）的特性已固定（功率、電壓和電流額定值、工作頻率和占空比、磁性設備允許的最高溫度等），根據材料和尺寸選擇一個候選磁芯。在此階段，設計師的經驗發揮著重要作用，通常要參考磁芯制造商提供的設計指南。根據以下公

10、式，磁芯選擇會影響磁化電感（或反激式轉換器的初級電感）：其中r芯材的相對磁導率，Np是初級側的匝數，Ae磁芯橫截面積，le磁芯磁路長度。當確定了磁芯形狀、尺寸和材料時，制造商數據表可以提供附加的磁性參數，即電感系數Al，通常指無間隙磁芯（有時，為相同磁芯在不同間隙處的可用變體提供Al）。一旦建立了電感，該值允許通過還原(1)的最后一項來設置初級繞組所需的最小匝數：然后，選定的磁芯幾何形狀必須滿足能處理所需能量的磁芯產品面積與磁芯材料特性之間的關系。以下公式可用于此目的：其中Aw為磁芯窗口面積，Kw為窗口因子，IPRI,PK為原邊峰值電流，IPRI,RMS為原邊RMS電流，BMAX為峰值磁通密度

11、，J為銅線電流密度。然后根據電感系數Al和轉換器開關頻率來選擇磁芯材料。由于磁芯是磁件最重要的部件之一，其溫度在整個工作溫度中起著重要作用。3報告了平面E形磁芯的一些公式，該公式允許將估計的變壓器溫升作為磁芯中磁通密度的函數。后者需要最大化，以平衡有限的可用繞組空間（基于多層PCB的平面磁件固有特性）。平面磁件設計8假設磁芯占平面變壓器總損耗的一半，則可將最大磁芯損耗密度Pcore表示為最大允許T的函數：其中Ve為有效磁芯體積。磁芯損耗密度可通過Steinmetz方程4執行近似計算：其中所有參數x、y、Cm、CT取決于磁芯制造商提供的鐵氧體材料。從等式（5）中，BMAX可以表示為Pcore的函

12、數：如果匝數比n由應用約束給出，則可以輕松確定次級繞組匝數：對于Np和NS的實際值，通常假設最接近的整數為最佳選擇。要確定構成初級線圈和次級線圈的PCB銅走線的橫截面積，假設初級電流、次級電流的RMS值以及電流密度值的規格已知，適用以下公式：確定如何在預先分配數量的PCB層之間分配初級線圈和次級線圈非常重要。影響這一選擇的兩個主要因素：PCB走線上電流引起的溫升和可用的繞組窗口寬度。后者取決于所選擇的磁芯幾何形狀。另一個基本設計約束條件是，通過策略性地堆疊初級和次級層（交錯技術），降低繞組電流的鄰近效應（這將極大地影響交流電阻）。根據目標PCB堆疊，銅走線厚度和寬度的選擇通常受到主機應用和磁芯

13、尺寸的限制。另一個重要方面是遵守特定的標準。例如，安全標準IEC 950要求通過PCB材料(FR4)的主、次級繞組之間的電源絕緣為400m。一旦規定了PCB銅厚度，繞組的走線寬度取決于（9）。當主機應用預先建立PCB堆疊且平面器件必須集成在電路板中時，就會發生這種情況。匝間距s受PCB生產力和成本的影響。根據經驗，厚度為35m的銅層，走線寬度和間距150m，厚度為70m的銅層，走線寬度和間距200m2。通過在關系式（6）中替換（4）中計算的Pcore，可估計給定溫度T 下B的最大值。初級繞組的實際匝數Np取決于給定磁芯截面積3的初級電感、峰值電流和峰值磁通密度：9對于特定的繞組寬度Ww，一旦給

14、出了每層匝數NPL和間距s，便可以通過簡單的公式得到走線寬度Tw：該計算是為了適應給定繞組寬度下每層的最大匝數。一旦計算出銅走線厚度和寬度，RMS電流給出的允許溫升（作為第一近似值）可遵循IPC-2221標準來確定。然而，應考慮此類指示是指直流電流，在功率轉換器應用中，高頻交流電流會產生渦流效應，可細分為眾所周知的趨膚效應和鄰近效應。這些效應會對實際繞組電阻、損耗和實際溫升產生顯著影響。那么趨膚深度取決于材料特性，如：導電性和滲透性。其與頻率的平方根成反比。當走線寬度Tw小于2時，趨膚效應可忽略不計。如果需要更寬的走線，解決方案可以是將其分割成平行走線。附近其他導體產生的磁場會產生鄰近效應。當

15、初級層和次級層交錯時，這種效應明顯減弱。一旦完成了平面磁件的設計，便可通過有限元分析(FEA)對其進行建模和驗證。設計過程中可使用二維和三維FEA模擬，以確保設計要求和規范相匹配。此外，還能準確地評估漏電感和自電容。分析法可近似計算這些參數。假設將電流和電壓的電波形提供給元件端子（瞬態分析），那么這些工具也可以執行熱剖析。以下部分介紹Ansys磁件設計專用工具。該工具可有效支持整個開發周期，包括設計和驗證。10電子變壓器類器件的虛擬樣機對于優化、高效的設計工作流程越來越重要。而這需要設計和建模技能，以及使用多種解算器和工具來處理不同物理領域的所有相關現象。Ansys產品組合為多繞組電子變壓器的

16、磁性、多物理場和系統分析提供了完整的工作流程，如下圖所示。PEXprt模型創建Mawell 2D/3D電磁簡單系統分析ETK電子變壓器套件Ansys機械熱Icepak熱與空氣流動模型生成Q3DRLCG母線寄生效應耦合場解模型訂單縮減聯合模擬圖7.電力電子磁件的Ansys工作流程在每個階段為用戶提供不同的選項。為了簡化工作流程，我們將其分為以下幾個階段:設計/預處理 設備參數識別/等效電路 低頻電磁分析 耦合場分析:熱管理 系統仿真/數字孿生我們建議依靠Ansys Maxwell場仿真功能，在頻域中進行精確的參數識別并生成等效電路。然后，研究系統級的瞬態行為。這樣，也考慮了周圍電路元件和寄生效應

17、的影響。此外，系統方法更好地捕捉具有陡峭導數波形的挑戰性行為，這是這類組件的典型特征。用于設計和驗證的 Ansys平面工作流程11設計/預處理首先需要一份設計草圖或器件布局模型來啟動工作流程?？筛鶕椖侩A段（設計規范、詳細設計或驗證）以不同的方式生成。已定義的幾何布局如果已經根據幾何結構和材料定義了設計，可以通過下圖所示的Ansys工具生成2D或3D模型，其中推薦的輸入源標有綠色復選標記。Ansys工作臺模型創建Spaceclaim直鏈Maxwell內置建模器PExprt/PEmag模型創建ETK電子變壓器套件CAD文件導入Maxwell 3D3D FEAAnsys發現圖8.Ansys Max

18、well輸入幾何圖9.PExprt可用模板未定義的幾何布局如果設計尚不存在，您可以通過Ansys PExprt工具構建基于分析的首個設計。PExprt是一款分析工具，用于設計電力電子應用中小型轉換器的不同拓撲。該工具包含磁芯、電線、線軸、絕緣體和材料標準庫。其為不同類型的器件（如：電感、多繞組變壓器和反激式轉換器）創建了可以自動分析和建模的潛在設計?？捎媚０宓耐暾斜砣鐖D9所示。設計選用的轉換器可基于波形，也可基于轉換器。每種情況下，都可以插入相應的設計規范。PExprt還包括PEmag模塊，該模塊允許對所選設計產生的器件布局進行編輯，并生成完整的Ansys Maxwell模型。12設備參數識

19、別/等效電路參數識別階段在Maxwell內進行，生成：通過在渦流求解器中運行的頻率掃描FEM模擬得到所有必要的頻率點阻抗矩陣（這種情況下，直接鏈接到Ansys simpllorer/Ansys Twin Builder，具有良好的參數擬合質量）如需要，通過靜電模擬獲得的電容矩陣，作為單獨的模塊導入系統模擬器，如下圖所示。低頻電磁分析：最佳實踐 對于電子變壓器應用（mW-W功率），需要在較寬的頻率范圍內進行分析（DC-MHz），主要使用渦流求解器。通過渦流求解器，可提取上述器件阻抗矩陣與頻率的關系。通過模擬，在適當的激勵設置下，還可評估正弦激勵產生的損耗。此類器件挑戰還包括非線性材料、渦流、鄰近

20、效應和磁場的時間擴散。因此，為了對電子變壓器進行完整而精確的研究，我們建議進行以下模擬:空載分析：初級繞組在額定條件下（通常在額定電壓下）饋電，次級繞組開路；滿載分析：初級繞組在額定條件下（通常在額定電壓下）饋電，次級繞組在額定負載下閉合；短路分析：初級繞組在額定條件下饋電，次級繞組短路（在極小電阻下閉合）；次級繞組短路（在非極小電阻下閉合），而初級繞組在降低的條件下饋電，以便額定電流流動（實驗室測試）；快速分析（僅瞬態）：由于開啟期間電源突然變化而啟動。此外：靜磁運行可用于評估空載時芯材料B-H曲線上的工作點。通常，良好的設計應能防止工作點在B-H曲線的非線性區域，且能使用標量值；在非正弦激

21、勵的情況下，使用瞬態運行來研究損耗；根據幾何布局，該模擬可以在2D或3D中執行。在瞬態情況下，也有可能捕捉發生在磁芯的非線性現象。24VW24VMaxwell 3D-電容Maxwell 3D-R,LTR探頭正激轉換器TR探頭PWMGAINEQUVV MOGAIN1AM3GRDROMD3R3R1WM3AM4T2:1Pri_IC_topPri_IC_botPri_topPri_botSec_3t_topSec_3t_botSec_2t_topSec_2t_botT6:1T1:1T5:1T3:1T7:1T4:1T8:1WM2C2L2D1D2MOSFET2C1W+WWWAATR探頭TR探頭A圖10.電

22、子變壓器Simplorer系統模擬，用Maxwell創建的降階模型（ROM）13耦合場分析：熱管理Ansys電子桌面平臺（AEDT）也可以進行多物理場分析。對電子變壓器最有用的分析是耦合電磁-熱模擬，其利用了AEDT Maxwell、AEDT Icepak和AEDT機械熱之間的內置耦合能力，如下圖所示。圖11.通過Ansys應用定制工具包（ACT）實現電磁熱耦合在示例中，Maxwell渦流可用于模擬正弦頻率下的損耗。然后，EM-to-Icepak應用定制工具包（ACT）可用于創建和自動求解Icepak AEDT模型，包括雙向耦合。PEmag模型創建Mawell 3D3D磁性FEA電子變壓器AC

23、T模型創建EMtolcepak ACT模型創建Icepak AEDT3D熱FEA模型創建場解14圖12.基于L9502驅動器的反激式轉換器電氣原理圖反激拓撲對于幾瓦到150瓦的功率范圍，最常用的拓撲之一是反激式轉換器。在功率晶體管導通期間，一些能量存儲在變壓器中，而輸出電容為負載供電。當晶體管關斷時，存儲在變壓器中的能量給負載和輸出電容器供電。下圖為應用示例。平面變壓器和電感器是高效SMPS應用的理想解決方案。下文顯示了一些應用示例：反激式、iso-buck和LLC轉換器拓撲。L9502U37電源GNDISO_STP222TPTP223TPTP228TPC4191DuFC4261DuFC420

24、1DuFC4271DuFC4211DuFC4281DuFC4221DuFC4291DuF576811 122 2TP227TPSTPS3LISU-YXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXSTPS3LISU-YD159VH-FILVL-FILGNDISOD158FB1FB2FB3C4101uFC409D.1uF200pFC408TP218TPTPTP208Q1STLSN10LF3TPTP215DRD29TP217TPGND_LVFLYBACK_SUPPLYFLYBACK_GNDPGND120mRD38RF3047k100RD32FLY_DRFGFSGND

25、2FAULTN1ADCOUTFAULTN2IN+IN-SCLKSDOSDINCSGND1VDDDIS1413121110987654321FAULT1ADC_OUTPWMFL_PPWMFL_NSPI_SCLKSPI_SDOSPI_SDISPI_NCSVDDDISFLVFLYSNSTSENVCLVL1DES FLVHVO+VO-MCISENBRAKEVL2TSENVHAINVTREF TP218GNDISO TP1516171819202122232425262728VFLYSNSTSENYCLYL1DESVHAINVTREFVO+VO-MCISENBRAKEVL2GNDSTP221TPC425

26、D_1uFTP225TPR7BI R785IL2k IL2kNOT MOUNTEDTP228TPD1BDSTPS2HA00ZFYFLY_DRT114PGNDPGNDVBATPC4181DuFC8011DuFC4241DuF應用示例15圖13.基于L9502驅動器的反激式平面變壓器圖14.基于L9502驅動程序的三維平面變壓器模型仿真工具圖15.高度比較：常規變壓器與平面變壓器轉換器由12VDC供電，輸出為+18/-5伏，總功率為3瓦，工作頻率為400 kHz。所用磁芯為Ferroxcube的E14/3.5/5+I 14/1.5/5。如下圖所示，基于意法半導體L9502用于牽引逆變器的單通道隔離

27、柵極驅動器，使用了一個箝位電路。變壓器功率為3W，初級電感為四匝，分布在四層上，次級電感為四匝，分布在兩層上。因此，總層數為六層。所用銅的厚度為35m。與有線變壓器相比，平面變壓器的尺寸非常小，如下圖所示。Iso-buck拓撲隔離降壓拓撲（iso-buck）成為低功耗隔離DC-DC應用中非常受歡迎的解決方案。它結合了反激和同步降壓轉換器拓撲的優點，實現了簡單的隔離式設計，尺寸更小、BoM成本更低。圖16所示的iso-buck轉換器基于意法半導體的L6986I同步iso-buck轉換器，包括：初級側：峰值電流模式架構的調節環路調節初級電壓（淺藍色方框）雙繞組變壓器（灰色區域）次級側，根據所選變壓

28、器比產生隔離輸出電壓（黃色方框）16T1CINCINCVCCL6986ISYNCHVINVCCFSWMLFSS:INHDELAY41525638131411697EP SGND PGND PGND6 41 317 10 11 12power GNDsignal GNDLXLXRSTVBIASFBCOMPCSSCCOMPCOUT_secVOUT_sec+VOUT_sec-VOUT_priGNDRCOMPR2R1CPCOUT_pri圖16.裝配L6986I控制器的Isobuck通用示意圖變壓器是iso-buck的關鍵元件。它確保了所需的隔離，并允許能量傳輸到次級側，從而產生次級隔離輸出電壓。由于是

29、作為平面磁件定制的，應用板在減少空間、縮小尺寸、減少EMI和降低整體解決方案成本方面均突破了新的極限。變壓器的功率為3W，初級側有5匝分布在兩層上，次級側有11匝分布在四層上。因此，總層數為六層。所用銅的厚度為35m。圖17.模擬工具三維平面變壓器模型L6986I圖18.基于L6986i的等壓線平面變壓器所用磁芯為Ferroxube的E14/3.5/5+I 14/1.5/5。夾具用于裝配。17圖19.LLC轉換器示意圖圖20.模擬工具三維平面變壓器模型LLC圖21.LLC平面變壓器諧振轉換器的一個關鍵特性是其可以實現較高的效率以及具有較寬軟開關操作范圍的高頻操作。傳統的諧振變換器由三部分組成：

30、開關網絡、諧振回路和整流器網絡。開關網絡從饋入諧振回路的DC總線產生脈沖。通過變壓器，儲能箱將電力傳輸到次級側，在次級側，整流網絡從接收到的脈沖中產生直流電源。由LLC的兩個電感器和電容器組成的諧振回路被調諧為在給定頻率（諧振頻率）下諧振。在以下示例中，400 VDC的PFC總線為LLC轉換器供電，LLC轉換器提供22.5伏至420 W的輸出。變壓器有九匝，分布在初級側的三層上，次級側有兩匝分布在兩層上。所用銅的厚度為105m。LLC拓撲LLC是最常用的諧振轉換器類型。這種拓撲可以在幾瓦的功率下工作，理論上可以達到任何期望的輸出功率。下圖為LLC電路示例。Q1Q2IresLpILpCsLsW1

31、 W2W2D1IrecIoTXD2LLC轉換器VIN+-+Vds2-+Vrec-+Vout-Co+Vds1-所有磁芯為TDK的ELP 43/10/28+I43/1.5/28。18結論閱讀本白皮書后，您應該對平面磁性技術的優勢以及自動化工作流程如何輕松幫助工程師優化電力電子器件設計有了很好的理解。我們專門研究了Ansys Maxwell 3D軟件，一種用戶友好型解決方案，可在頻域和時域中精確地進行電磁分析?？傊?，平面磁技術與精細工程的結合以獨特的方式為滿足您的參數規格定制了更高的功率密度和更具成本效益的解決方案。19圖22.開關模式電源平面磁性應用平面變壓器和電感器是高效SMPS應用的理想解決方

32、案諧振電感器切換拓撲整流器和儲層AC輸入DC輸出直流電源AC電源控制電流采樣輸出電壓樣本PWM脈沖HFAC隔離濾波器濾波器振蕩器控制電路基準電流過流HF整流器平面變壓器輸出電感器訂購代碼：BRWP2211PMTSMPS STMicroelectronics-2022年11月-中國印刷-保留所有權利ST和ST徽標是STMicroelectronics International NV或其附屬公司在歐盟和/或其他地區的注冊和/或未注冊商標。具體而言，ST及ST徽標已在美國專利商標局注冊。若需意法半導體商標的更多信息，請參考 MOSFET和二極管 SiC器件產品組頁面L6986I 38 V,5W同步

33、等降壓轉換器 產品頁面電源和轉換器 應用頁面工業電機控制 應用頁面HEV/EV驅動系統的牽引逆變器 應用頁面文獻目錄1 Advances in Planar and Integrated Magnetics,Ziwei Ouyang2“Transformers and Inductors for Power Electronics:Theory,Design and Applications”,W.G.Hurley and W.H.Wolfe,Wiley3 Ferroxcube,“Design of Planar Power Transformer”,Application Note rele

34、ased on May 97 12nc:9398 083 39011。4 Vijaya Kumar N,Subhransu Satpathy,Lakshminarasamma N,“Analysis and Design Methodology for Planar Transformer with Low Self-Capacitance used in High Voltage Flyback Charging Circuit”,IEEE International Conference on Power Electronics,Drives and Energy Systems(PEDES),2016.