2021年半導體刻蝕機行業競爭格局與國產替代趨勢研究報告（105頁）.pdf

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1、創新驅動：新一輪長周期開啟，躍入 850億美元量級 5G+AIoT賦能下，下游結構性需求增長、技術更新帶動晶圓制造設備市場新一輪成長周期。 預計5G時代，全球晶圓制造設備 (WFE)市場規模將達到 850億美元量級。創新周期：終端市場分化，催生多樣需求 5G、新基建、新能源汽車、新能源發電等蓬勃發展的終端應用市場將催生大量半導體需求。 終端應用愈加多樣化，制造技術也同步分化，且技術迭代加快，定制化趨勢明顯?？涛g潛力：價值量占比高，成長動能足 刻蝕、光刻、薄膜沉積是集成電路前道生產工藝中最重要的三類設備。根據 Gartner數據， 2020 年等離子體刻蝕機、光刻機、化學薄膜沉積設備分別占集成電

2、路前端設備投資比例的25%、21%、17%，相較 2018 年均有所提升。 刻蝕、化學薄膜沉積高速增長。2015-2017年半導體芯片前道設備中，薄膜沉積與等離子刻蝕設備的市場增速遠超其他，分別達到16%和17%。隨著線寬縮小、3D結構化，以及新材料、新結構的應用，市場刻蝕需求將進一步擴大?？涛g潛力：線寬縮小帶來刻蝕用量增加 先進制程以多重模板工藝為依托從而實現更小微觀尺寸 ，凸顯刻蝕設備重要性。由于波長限制，14納米及以下邏輯器件微觀結構的加工 無法通過光刻機來實現，必須依靠多重模板技術，進一步提升刻蝕技術及相關設備的重要性和需求量。 線寬縮小進一步提高了對刻蝕技術的精確度和重復性要求，拉動刻蝕技術投資力度 。在刻蝕速率、各向異性、刻蝕偏差等指標上，刻蝕技術都需要滿足更高的要求，推動刻蝕設備的更新進步。同時由于邏輯器件制造工藝的不斷發展 ，刻蝕設備的加工步驟隨之增多 ，因而大幅提升了刻蝕工藝的投資規模 。