山東省工業和信息化廳：山東省第三代半導體產業發展十四五規劃征求意見稿（14頁）.pdf

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1、 1 山東省第三代半導體產業發展“十四五”規劃（征求意見稿）集成電路產業是全面建設社會主義現代化國家的重要支撐，是保障國家安全的戰略性、基礎性和先導性產業，是當前和今后一段時期大國競爭博弈的焦點。第三代半導體具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導率大、抗輻射能力強等優點，是集成電路領域的新型組成部分，可廣泛用于新能源汽車、智能電網、軌道交通、半導體照明、新一代移動通信、消費類電子等領域，具有廣闊的應用前景，已經成為全球半導體產業新的戰略競爭高地。為全面貫徹落實習近平總書記視察山東重要講話、重要指示批示精神，按照省委、省政府決策部署，搶抓第三代半導體產業發展戰略機遇，培育發展新興

2、產業，打造全球領先的第三代半導體產業高地，根據山東省國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和 2035 年遠景目標綱要、山東省新一代信息技術產業專項規劃（2018-2022 年）和山東省“十四五”制造強省建設規劃，結合我省發展現狀，制定本規劃，規劃期限為 2021-2025 年。一、發展現狀（一）從國際看 2 隨著全球貿易摩擦持續和以美國為主導的逆全球化浪潮加劇，半導體作為信息產業的基石，一直是各國貿易戰的焦點。近年來，美、歐、日等加速搶占全球第三代半導體市場,已形成三足鼎立之勢。美國在碳化硅（SiC）領域全球獨大,其碳化硅襯底及外延較為發達，擁有科銳(Cree)、道康寧等知名企業。歐洲在碳化硅電

3、力電子市場具有強大話語權,具備完善的第三代半導體產業鏈，其強勢領域集中在器件環節，擁有德國英飛凌、愛思強、瑞士意法半導體、ABB 等知名半導體制造商。日本是模塊和半導體制造設備開發的絕對領先者,其氮化鎵襯底產業較為發達，主要有羅姆、三菱電機、新日鐵、東芝等國際一流企業。韓國通過 SK 集團收購美國的道康寧公司，完善其國內第三代半導體產業鏈，追趕美、歐、日發展步伐。（二）從國內看目前國內汽車、高鐵、電網、國防科研等應用領域的功率半導體基本依靠進口，高端芯片器件禁運、采購成本高、供貨周期不穩定等問題突出。5G、人工智能、新能源、智能制造等發展提速，對半導體需求猛增，產業的關注度日益增高，國產化替代

4、成為發展趨勢，迎來了第三代半導體材料產業的發展機遇，近幾年持續保持迅速擴張的勢頭，國內第三代半導體在器件開發、產能建設、制備技術、應用推廣等領域取得了一定的進展，初步形成了技術和產業體系。區域布局方面，我國第三代半導體產業初步在京津冀魯、長三角、珠三角、閩三角、中西部等區域實現聚 3 集。國家大力發展“新基建”也為第三代半導體產業的發展帶來了新的機遇。2020 年，國務院發布新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展若干政策的通知（國發20208號），突出強調了關鍵核心技術攻關新型舉國體制，同時也強調了構建全鏈條覆蓋的關鍵核心技術研發布局，我國第三代半導體產業將迎來蓬勃發展期。（三）從省內看經

5、過多年發展，山東省第三代半導體產業形成了一定的產業基礎，極具發展潛力，擁有第三代半導體企業 20 余家，2020年實現主營業務收入 30 余億元,主要呈現以下特點。創新能力穩步提升創新能力穩步提升。以山東大學為代表的高校和研究院所承擔了“973”、“863”等重大工程，科技支撐計劃、“核高基”等國家重大項目，擁有第三代半導體材料和器件等多項高水平原創性成果積累，成功制備了世界首枚硅基氮化鎵（GaN）垂直結構金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET），掌握了最新一代垂直結構功率器件制備的核心技術，填補了國內在第三代半導體垂直結構功率器件方面的空白；完成了氧化鎵（Ga2O3）單晶襯底制備、加工、外延的

6、核心技術積累，處于國內領先，國際先進水平。山東天岳已經全面攻克碳化硅晶體生產、襯底加工核心技術，碳化硅襯底產品性能達到國際先進水平。我省建有“碳化硅半導體材料研發技術”國家地方聯合工程研究中心、新一代半導體材料集成攻關平臺、晶體材料國家重點實驗室等國家級科研平 4 臺，山東大學、青島科技大學等高校微電子學院的半導體相關專業積極推動教學創新和校企合作，為我省開展第三代半導體研發工作提供了良好的人才儲備和條件保障。產業鏈條逐步產業鏈條逐步完善完善。山東在第三代半導體領域已經逐步形成了襯底材料、外延材料、芯片設計、器件制造與封測等較為完整的產業鏈，山東天岳是我國最大的碳化硅單晶材料供應商，為我省發展

7、第三代半導體產業奠定了堅實基礎，逐步完善的產業鏈使我省在第三代半導體產業實現“彎道超車”成為可能。融合應用融合應用日益日益深入深入。我省在軌道交通牽引變流器、變頻逆變、家用電器、新能源汽車、光伏發電等領域擁有一定實力的企業，在汽車電子和家用電器方面，產業融合度不斷加深。隨著濟南比亞迪半導體有限公司、芯恩（青島）集成電路有限公司、青島惠科微電子有限公司的功率半導體芯片器件產線的建設和投產，將對第三代半導體材料的需求形成新的牽引。雖然我省第三代半導體產業取得一定成績，但從長遠看，還存在一些亟待解決的問題。一是一是缺乏頂層設計缺乏頂層設計。當前我省缺乏統籌規劃和強有力的政策支持體系引領,產業布局分散

8、,難以形成規模優勢。二是二是產業產業生態尚未健全。生態尚未健全。我省碳化硅、氮化鎵等外延及芯片生產線正處于起步階段,相關公共技術支撐平臺缺乏。三是投資渠道匱乏三是投資渠道匱乏。我省現有產業基金無法滿足產業長期發展的融資需求，難以實現對第三代半導體產業發展的有效投資支持。四是四是高端人才不足高端人才不足。高端人才缺乏制約了產業鏈延伸和 5 全產業鏈布局，高水平專業技能人才培養明顯滯后。二、總體要求（一）指導思想以習近平新時代中國特色社會主義思想為指導，全面深入貫徹落實黨的十九大和十九屆二中、三中、四中、五中、六中全會和習近平總書記視察山東重要講話、重要指示批示精神，以推動第三代半導體高質量發展為

9、主線，以應用牽引、協同創新、綠色發展為途徑，以骨干企業為龍頭，以重點產品為依托，以重大項目為抓手，優化第三代半導體產業發展布局，著力發展以碳化硅、氮化鎵為主的寬禁帶半導體材料、器件、模組及系統應用等。加快補短板、鍛長板，有力有效推動產業鏈水平整體提升，將山東建設成為面向全國、放眼全球的第三代半導體創新策源地、人才集聚地、技術輻射地。（二）基本原則1.1.優化布局、協同發展。優化布局、協同發展。統籌全省產業布局，支持濟南、青島、濰坊、濟寧等市先行先試，指導有條件的市做好產業配套，集中優勢資源支持第三代半導體關鍵技術突破、重點產品發展和重大項目建設，逐步做大產業規模。2.2.龍頭帶動龍頭帶動、鏈鏈

10、式發展。式發展。不斷優化產業結構，延伸完善產業鏈條。發揮龍頭企業引領支撐作用，補齊產業鏈缺失環節，促進晶體材料芯片及器件制造模塊及系統應用全產業鏈集聚發展，打造空間集聚、功能關聯的第三代半導體產業集群。6 3.3.科技科技驅動、驅動、創新創新發展。發展。以“新基建”為重要抓手，主動承擔國家科技重大專項和重大工程，不斷突破共性關鍵技術和重大產品研發，加強對產業鏈關鍵環節、核心技術掌控，提升產業核心競爭力。4.4.應用導向、融合發展。應用導向、融合發展。以市場為導向，以應用為牽引，推動技術集成、產品應用、商業模式創新，強化第三代半導體企業、系統方案提供商與系統整機企業交流與合作，推進第三代半導體技

11、術研發與應用，帶動全省電子信息產業融合發展。（三）發展目標加快完善第三代半導體產業鏈體系，著力突破關鍵核心技術，切實提高山東省第三代半導體產業創新能力。到 2025 年，碳化硅、氮化鎵等關鍵材料國產化率實現大幅提高，芯片設計能力達到國際先進水平，全產業鏈基本實現自主可控，打造百億級國家第三代半導體產業高地。產業規模產業規模邁向新臺階邁向新臺階。到 2025 年，建成較大規模先進特色工藝制程生產線，推動形成要素完備的第三代半導體產業聚集區，帶動模塊及系統應用方面相關產業產值突破 300 億元。建成國際先進的第三代半導體產業基地，帶動形成基于第三代半導體的電力電子、微波電子、大功率半導體照明生產、

12、應用系統為核心的產業集群。創新能力創新能力取得新突破取得新突破。到 2025 年，突破核心關鍵技術，建設第三代半導體國家地方聯合工程研究中心、國家博士后 7 科研工作站、院士工作站，搭建國際先進的第三代半導體公共研發、檢測和服務平臺，全產業鏈創新能力得到有效提升。市場主體市場主體實現新跨越實現新跨越。培育壯大掌握核心技術、具有國際競爭力和影響力的龍頭企業，帶動發展掌握核心關鍵技術的特色企業，夯實第三代半導體產業發展根基。三、產業布局按照“政府引導、龍頭帶動、園區孵化、集群推進”的總體思路，發揮國家集成電路設計濟南產業化基地、青島嶗山微電子產業園、中德生態園集成電路產業基地、濟寧省級信息技術產業

13、基地等集聚優勢，加大龍頭企業支持力度，加快構建“4+N”區域布局。濟南。濟南。實施高性能集成電路突破計劃，優化升級國家集成電路設計產業化基地，依托山東天岳碳化硅襯底材料技術優勢，結合濟南比亞迪半導體芯片等上下游配套項目建設，打造基于硅基和碳化硅基功率半導體器件生產集聚區，建成國際先進的碳化硅半導體產業基地。青島。青島。立足本地整機（系統）市場應用優勢，建設好芯恩、惠科等集成電路重大項目，以發展模擬及數?；旌霞呻娐?、智能傳感器、半導體功率器件、光電子芯片和器件、第三代半導體為主線，通過抓龍頭、補短板、促融合、育生態，實現產業規?？焖贁U張、支撐能力顯著增強，加快培育自主可控產業生態。8 濟寧。濟

14、寧。重點做大單晶硅、晶圓片、外延片等上游半導體材料，強鏈發展中游半導體分立器件、功率器件及功能芯片產業。加強同省內外高校合作，面向國內外引進吸收先進第三代半導體應用加工技術，提升產業發展位次。濰坊。濰坊。做好浪潮華光氮化鎵材料與器件產業化項目建設，優化項目建設環境，全力以赴提供優質服務、跟蹤服務、精準服務，努力為項目推進創造良好條件。其他市。其他市。依托本地產業發展基礎和特色，突出差異化發展，加強同重點市的協調聯動，支持做好項目招引，逐步做大產業規模。四、重點任務（一）堅持全產業鏈發展，提升產業競爭能級以技術和產品發展相對成熟的碳化硅晶體材料為切入點，迅速做大碳化硅半導體產業規模。聚焦材料、外

15、延、芯片、封裝和應用等第三代半導體產業鏈重點環節，加強產學研聯合,以合資、合作方式培育和吸引高水平企業，促進產業集聚和產業鏈協同,打造第三代半導體電力電子、微波電子和半導體照明等第三代半導體產業發展高地。1.1.提升材料制備能力提升材料制備能力。加速推進大尺寸 GaN、SiC 等單晶體材料生長及量產技術，突破 GaN、SiC 材料大直徑、低應力和低位錯缺陷等關鍵技術，全面提升 4-8 英寸 GaN 外延、SiC 襯底單晶材料產業化能力。突破超硬晶體材料切割和拋光等關鍵核心技 9 術，提升 4-8 英寸 GaN、SiC 襯底材料精密加工能力。加大對薄膜材料外延生長技術的支持力度，補足第三代半導體

16、外延材料生長環節。推動氧化鎵（Ga2O3）等新一代超寬禁帶半導體材料的研發與產業化。2.2.發展器件設計發展器件設計。大力扶持基于第三代半導體 GaN、SiC 的高壓大功率、微型發光二極管、毫米波、太赫茲等高端器件設計產業，圍繞 SiC 功率器件的新能源汽車應用和 GaN 功率器件的消費類快充市場，促進產學研合作以及成果轉化，引導器件設計企業上規模、上水平，提升設計產業集聚度，大力發展第三代半導體仿真設計軟件自主品牌產品，建設具有全球競爭力的器件設計和軟件開發集聚區。3.3.布局器件制造布局器件制造。推進基于 GaN、SiC 的垂直型 SBD(肖特基二極管)、HEMT（高電子遷移率晶體管）、M

17、OSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)、IGBT(大功率絕緣柵雙極型晶體管)、Micro-LED（微型發光二極管）、高端傳感器、MEMS(微機電系統)，以及激光器等器件和模塊的研發制造，支持科研院所微納加工平臺建設。大力推動晶圓生產線建設項目，優先發展特色工藝制程器件制造，在關鍵電力電子器件方面形成系列產品，綜合性能達到國際先進水平，SiC 二極管、晶體管及其模塊產品和GaN 器件產品、激光芯片及其器件產品具有國際競爭力。4.4.健全封測產業健全封測產業。積極發展高端封裝測試，引進先進封測生產線和技術研發中心，大力發展晶圓級、系統級先進封裝技術 10 以及先進晶圓級測試技術。大力支持科研院

18、所在第三代半導體相關的電氣性能、散熱設計、可靠性、封裝材料等方面的研發工作，發展基于第三代半導體的功率和電源管理芯片、射頻芯片、顯示芯片等產品的封測產業。5.5.開發技術裝備開發技術裝備。布局“生長、切片、拋光、外延”等核心技術裝備，通過關鍵設備牽引，實現分段工藝局部成套，拓展解決整線成套設備國產化，并實現整線集成。提升氧化爐、沉積設備、光刻機、刻蝕設備、離子注入機、清洗機、化學研磨設備的生產能力以及設備的精度和穩定性。突破核心共性關鍵技術，形成一流的工藝和產業應用技術，掌握核心裝備制造技術，打造第三代半導體材料裝備領軍企業。研究開發碳化硅單晶智能化生長裝備并實現產業化，突破碳化硅晶體可控生長

19、環境精準檢測與控制技術、基于大數據分析的數字孿生及人工智能模擬技術,形成智能化碳化硅晶體生長裝備成套關鍵技術。（二）推動科技服務新基建，優化產業發展環境1 1.建設公共技術平臺建設公共技術平臺。整合省內優勢中堅力量，謀劃建設第三代半導體關鍵技術研究公共技術平臺，搭建國際先進的涵蓋第三代半導體晶體生長技術、器件物理研究、微納器件設計與加工技術、芯片封裝與測試等核心技術實體研發創新中心，提升研發水平和效率。建設國際先進的第三代半導體研發、檢測和服務公共平臺，開展芯片和器件關鍵技術攻關，研發具有自主知識產權的新材料、新工藝、新器件。深入開展核心關鍵技術研究、應 11 用驗證、測試等，引入高溫離子注入

20、系統、化學機械拋光系統、等離子刻蝕機等關鍵工藝設備，以及大型分析檢測測試設備，為產業協同發展提供服務支撐。2 2.搭建成果轉化平臺搭建成果轉化平臺。鼓勵產學研深度合作，聚焦第三代半導體單晶材料生長技術，器件設計與制備技術，封裝與測試技術等領域，加快推進高校及研究院所科技成果與產業的對接，以共建聯合實驗室等形式落實成果轉移轉化，實現我省在半導體核心技術領域的彎道超車；建設省級第三代半導體重點實驗室、工程技術中心等，加快推進申請國家級第三代半導體實驗室，引入高端研發人才，對接先進科研成果，加速成果產業化進程。3 3.發展產業孵化平臺發展產業孵化平臺。支持地市、高校聯合國內外研發機構和重點企業，按照

21、新型研發機構模式成立第三代半導體產業研究院，逐步建成國際先進、國內一流的第三代半導體科技孵化器，帶動產業鏈上下游協同發展。（三）培育優勢主體，拉動產業整體規模1.1.壯大龍頭企業壯大龍頭企業。加大對重點企業的關注和扶持力度,實行一企一策,協調解決企業發展關鍵制約點。優先將符合條件的產業鏈重點項目納入山東省新舊動能轉換重大項目庫,充分利用好新舊動能轉換政策,進行重點扶持；圍繞 SiC、GaN 等晶體材料、功率器件和模塊、照明與顯示器件和下游應用等產業鏈關鍵環節，培育壯大細分行業領軍企業，逐步扶持企業上市。2.2.融通融通產業環節產業環節。強化需求牽引的作用，從應用端需求入 12 手，加強從材料、

22、芯片、器件到模塊應用產業鏈上下游的深度合作。加強省內省外行業對接合作，精準招引、實施補鏈、延鏈、強鏈項目。沿鏈分批打造規模大、技術強、品牌響的“領航型”企業，培育細分領域的“瞪羚”“獨角獸”企業，促進產業鏈上下游、大中小企業緊密配套、融通發展，有效提升產業鏈供應鏈的穩定性和競爭力。（四）推進下游應用，拓寬產業發展路徑1.1.大力支持碳化硅功率模塊的研發與產業化大力支持碳化硅功率模塊的研發與產業化。加快實現碳化硅模塊量產，并提升碳化硅芯片及模塊在電氣性能、散熱設計、可靠性、封裝材料等方面的性能，降低生產成本。突破第三代半導體器件在充電樁、電動汽車、家電等領域的應用關鍵技術，掃清產業規模擴大的技術

23、壁壘。擴大應用規模，支持省內碳化硅模塊生產企業擴大產能，形成碳化硅模塊產業集聚，打造模組開發應用產業化的新高地。2.2.加快國產化第三代半導體產品應用推廣。加快國產化第三代半導體產品應用推廣。引導省內芯片制造、封裝測試企業與第三代半導體材料企業對接，聯合開展研發攻關，實現關鍵材料本地覆蓋。組織開展省內國產第三代半導體應用試點示范，在襯底、芯片加工、模組應用等產業鏈環節對企業提出國產化比例考核要求。五、保障措施（一）完善工作機制省工業和信息化廳會同相關部門做好規劃的組織實施和監 13 督評估等工作，強化統籌協調，在要素保障、市場需求、政策幫扶等領域精準發力，形成穩定、發展、提升的長效機制。采取切

24、實有效的政策措施，抓好重點任務落實。各市要結合本地實際，落實相關配套政策。相關行業組織要充分發揮橋梁和紐帶作用，協同推動規劃的貫徹落實。有關部門、各地方、相關行業組織要加強第三代半導體產業推進工作的經驗模式總結和宣傳推廣。各相關部門要督促企業建立健全生產經營全過程安全生產管理制度，守住安全底線。（二）加大資金支持充分發揮財稅政策的激勵作用，精準扶植產業發展。重點支持一批應用市場廣、產業基礎好、易于快速產業化的第三代半導體項目，加強產融合作，鼓勵社會資本通過多種方式進入第三代半導體產業領域，引導第三代半導體產業與金融資本深度合作，在銀行信貸、發行債券、股權融資等方面為產業發展提供資本支持，形成財

25、政資金、金融資本、社會資金多方投入的新格局。（三）打造產業生態做好與國家有關部門的溝通協調，加強對第三代半導體產業重大項目建設的服務和指導，有序引導和規范產業發展，降低重大項目投資風險。組建第三代半導體專家委員會，為產業發展提供決策性服務。成立第三代半導體產業聯盟，充分發揮社會組織作用，推動產業鏈上下游交流合作。積極爭取工信部等國家部 14 委支持，承接國際級和國家級重大論壇、展會、賽事等活動，提升行業影響力。（四）建設多層次人才體系依托省內山東大學等高校、科研院所、國家和省級重點實驗室、重點工程中心、創新中心等機構，打造第三代半導體技術高端人才引進平臺，吸引全球第三代半導體領域高端人才。鼓勵企業聯合高校、科研院所設立人才培養基地，不斷增加人才培養數量、提高人才培養質量。建立健全人才培養、培訓體系，有針對性地培養符合產業需求的專業人才。鼓勵企業探討與高端人才開展共同技術研發、科技成果轉移轉化等多種形式合作模式，開展與第三代半導體領域的國內外領軍人才和團隊的合作；形成科研薪酬激勵和成果轉化激勵機制，完善配套措施及待遇，激發人才創新創業的動力和活力。