【公司研究】彤程新材-公司深度報告：入股北京科華微電子采擷國產光刻膠明珠-20200720[15頁].pdf

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1、化工化工/化學制品化學制品 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 1 / 15 彤程新材彤程新材（603650.SH） 2020 年 07 月 20 日 投資評級：投資評級：買入買入（維持維持） 日期 2020/7/20 當前股價(元) 32.14 一年最高最低(元) 41.99/14.20 總市值(億元) 188.34 流通市值(億元) 42.24 總股本(億股) 5.86 流通股本(億股) 1.31 近 3 個月換手率(%) 406.6 股價走勢圖股價走勢圖 數據來源：貝格數據 公司信息更新報告-攜手巴斯夫進 軍可降解材料，汽車復蘇帶動主業回 暖-2020.5.29 公司信息更新報告-一

2、季度業績下 滑 38%，靜待下游汽車消費復蘇- 2020.4.30 公司信息更新報告-彤程精細計提 拖累 2019 年業績，新材料項目打開未 來成長空間-2020.4.28 入股北京科華微電子，采擷國產光刻膠明珠入股北京科華微電子，采擷國產光刻膠明珠 公司深度報告公司深度報告 金益騰（分析師）金益騰（分析師） 吉金（聯系人）吉金（聯系人） 證書編號：S0790520020002 證書編號：S0790120030003 公司入股科華微電子公司入股科華微電子 33.70%股權，深化電子化學品布局，維持“買入”評級股權，深化電子化學品布局，維持“買入”評級 公司 7 月 8 日公告，全資子公司彤程電

3、子受讓科華微電子 33.70%的股權，投資 金額 1.8367 億元。公司圍繞“做強主業、兩翼齊飛”的發展戰略，通過內涵式增 長和外延式發展，有步驟、分層次地進入電子化學品領域，致力于成為具有國際 競爭力的電子化學品企業。 本次投資事項對公司業績影響較小， 考慮彤程精化退 出響水生態化工園區造成的資產損失，我們下調公司 2020 年盈利預測，預計公 司 2020-2022 年歸母凈利潤為 3.56（原為 4.20） 、4.98、5.94 億元，對應 EPS 為 0.61、0.85、1.01 元/股，當前股價對應 2020-2022 年 PE 為 53.0、37.8、31.7 倍。 同時，隨著下

4、游汽車消費復蘇，公司主業橡膠助劑需求回暖，維持“買入”評級。 外資巨頭主導全球光刻膠市場，中高端光刻膠國產替代空間廣闊外資巨頭主導全球光刻膠市場，中高端光刻膠國產替代空間廣闊 光刻膠是微細圖形線路加工的關鍵材料， 微電子制造業從微米級進入納米級水平 的過程中， 光刻膠起著舉足輕重的作用。 2019 年國內光刻膠市場規模約 70 億元， 自 2010 年起復合增速達 11%，遠高于全球增速。目前 PCB 光刻膠已基本實現國 產替代，而 LCD 及半導體領域的光刻膠自給率極低，JSR 株式會社、東京應化 工業、信越化學等前五大光刻膠廠商占據了全球市場 87%的份額。隨著顯示面 板、半導體產業向中國

5、大陸轉移，中高端光刻膠存在著廣闊的國產替代空間。 科華微電子是國內半導體光刻膠領軍者，彤程新材成為其第一大股東科華微電子是國內半導體光刻膠領軍者，彤程新材成為其第一大股東 科華微電子成立于 2004 年，一直專注于光刻膠的研發，是一家產品覆蓋 KrF、 g/i 線、紫外寬譜光刻膠及配套試劑供應商與服務商，是中芯國際、華潤上華、杭 州士蘭、吉林華微電子、三安光電、華燦光電、德豪光電等行業頂尖客戶的穩定 合作伙伴。 科華微電子擁有完備的支持產品研發和出廠檢驗的分析和應用測試平 臺，承擔了多項國家、北京市級光刻膠重點研發及產業化項目，與中科院聯合承 擔的“02 專項”EUV 光刻膠項目已通過國家驗收

6、。目前彤程新材是科華微電子 的第一大股東， 持股 33.70%， 第二、 三大股東持股比例分別為 17.33%和 15.44%。 風險提示：風險提示： 光刻膠客戶開拓不及預期， 新產品研發不及預期， 下游需求低迷等。 財務摘要和估值指標財務摘要和估值指標 指標指標 2018A 2019A 2020E 2021E 2022E 營業收入(百萬元) 2,175 2,208 2,355 2,517 2,732 YOY(%) 14.4 1.5 6.7 6.9 8.5 歸母凈利潤(百萬元) 412 331 356 498 594 YOY(%) 30.9 -19.8 7.6 39.9 19.3 毛利率(%)

7、 36.2 34.7 32.1 34.1 34.4 凈利率(%) 19.0 15.0 15.1 19.8 21.7 ROE(%) 17.8 13.3 12.5 14.9 15.1 EPS(攤薄/元) 0.70 0.56 0.61 0.85 1.01 P/E(倍) 45.7 57.0 53.0 37.8 31.7 P/B(倍) 8.3 8.4 7.2 6.1 5.1 數據來源：貝格數據、開源證券研究所 -40% 0% 40% 80% 120% 160% 2019-072019-112020-03 彤程新材滬深300 相關研究報告相關研究報告 開 源 證 券 開 源 證 券 證 券 研 究 報 告

8、 證 券 研 究 報 告 公 司 深 度 報 告 公 司 深 度 報 告 公 司 研 究 公 司 研 究 公司深度報告公司深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 2 / 15 目目 錄錄 1、 公司入股北京科華微電子 33.70%的股權 . 3 2、 半導體光刻膠精細化工皇冠上的明珠 . 3 2.1、 光刻膠是微細圖形線路加工的關鍵材料，技術壁壘高 . 3 2.2、 半導體光刻膠隨著制程的發展不斷向高端化演進 . 5 2.3、 外資巨頭占據主導，中高端光刻膠國產替代空間廣闊 . 7 3、 科華微電子：國內半導體光刻膠領軍企業 . 9 3.1、 科華微電子深耕光刻膠 16 年，供應中芯

9、國際等知名客戶 . 9 3.2、 科華微電子產品序列完整，高端光刻膠取得突破 . 11 4、 盈利預測與投資建議 . 12 5、 風險提示 . 12 附：財務預測摘要 . 13 圖表目錄圖表目錄 圖 1： 公司全資子公司彤程電子受讓科華微電子 33.70%的股權 . 3 圖 2： 光刻膠廣泛應用于 PCB、LCD 和半導體領域 . 4 圖 3： 光刻膠是微細圖形線路加工的關鍵性材料 . 4 圖 4： 光的特性限制了光刻的極限分辨率 . 5 圖 5： 2010-2019 年全球光刻膠市場規模 CAGR 為 5.4% . 8 圖 6： 2010-2019 年國內光刻膠市場規模 CAGR 為 11%

10、 . 8 圖 7： 全球光刻膠市場結構均衡 . 8 圖 8： 國產光刻膠以 PCB 光刻膠為主 . 8 圖 9： 全球前五大光刻膠廠商占據 87%的市場份額 . 9 圖 10： 科華微電子的發展歷程 . 10 圖 11： 科華微電子客戶優質 . 10 圖 12： 科華微電子的光刻膠產品序列及運用領域 . 11 表 1： 光刻膠主要由感光樹脂、增感劑和溶劑等組成 . 4 表 2： 光刻膠的主要技術參數包括分辨率、對比度、敏感度等 . 5 表 3： 半導體光刻膠類型及組分 . 7 表 4： 全球主要光刻膠企業量產與研發節點各不相同 . 9 表 5： 科華微電子擁有完備的檢測設備和認證 . 11 q

11、RsNpPqPtMpNxPsNmQsNpM7NbP7NsQnNpNnNeRnNpQlOoMmO9PrRyRwMmNuMuOoNuM 公司深度報告公司深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 3 / 15 1、 公司入股北京科華微電子公司入股北京科華微電子 33.70%的股權的股權 公司入股北京科華微電子公司入股北京科華微電子 33.70%股權股權， 不斷深化電子化學品布局， 不斷深化電子化學品布局。 據公司 2020 年 7 月 8 日發布的公告，公司全資子公司上海彤程電子材料有限公司受讓北京科華 微電子材料有限公司 33.70%的股權，已于 2020 年 7 月 2 日完成了相關工商

12、變更登 記，本次對外投資金額為 1.8367 億元?？迫A微電子董事會共由 7 名董事構成，彤程 電子委派 2 名董事。近年來，公司圍繞“一體兩翼”的發展戰略，即在做大做強酚醛 樹脂主業的基礎上， 圍繞國家和社會的現實需求， 通過內涵式增長和外延式發展， 有 步驟、分層次地進入電子化學品相關領域，致力于成為具有國際競爭力的電子化學 品企業。公司自主開發電子級酚醛樹脂，在光刻膠、環氧塑封料、覆銅板均有布局， 產品已經在客戶端開展性能評價，據公司可轉債募資可行性報告，公司將投建 2 條 5,000 t/a 電子級酚醛樹脂生產線。公司通過內生外延進入電子化學品領域，有望打 破國外技術壟斷，受益國產替代

13、的產業發展浪潮。 圖圖1：公司全資子公司彤程電子受讓科華微電子公司全資子公司彤程電子受讓科華微電子 33.70%的股權的股權 資料來源：Wind、企查查、開源證券研究所 2、 半導體半導體光刻膠光刻膠精細化工皇冠上的明珠精細化工皇冠上的明珠 2.1、 光刻膠是微細圖形線路加工的關鍵材料，技術壁壘高光刻膠是微細圖形線路加工的關鍵材料，技術壁壘高 光刻膠是光刻膠是微細圖形線路加工制作的關鍵性材料微細圖形線路加工制作的關鍵性材料。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是由 感光樹脂、 增感劑和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。 光刻膠在 PCB、 LCD 和半導體領域具有重要作用：在 PCB 領域，光刻膠主

14、要包括干膜光刻膠、濕膜 光刻膠、光成像阻焊油墨，約占 PCB 制造成本的 3%。在 LCD 領域，彩色光刻膠和 黑色光刻膠是制備彩色濾光片的核心材料，占彩色濾光片成本的 27%左右；觸摸屏 光刻膠用于在玻璃基板上沉積 ITO 制作觸摸電極；TFT-LCD 光刻膠用于液晶面板的 前段 Array 制程中微細圖形的加工。 在半導體領域， 光刻工藝是芯片制造最核心的工 藝，成本約為整個芯片制造工藝的 30%，耗時約占整個芯片工藝的 40%-50%，光刻 膠的質量和性能是影響芯片性能、 成品率及可靠性的關鍵因素。 光刻的具體過程， 以 半導體光刻工藝為例， 光刻膠被均勻涂覆在硅片上， 經紫外線曝光后，

15、 光刻膠的化學 性質將發生變化； 然后通過顯影， 被曝光的光刻膠將被去除， 從而實現將電路圖形由 掩膜版轉移到光刻膠上； 再經過刻蝕過程， 實現電路圖由光刻膠轉移到硅片上， 刻蝕 美國Meng Tech 北京科華微電子材料有限公司 北京工業發 展投資管理 西藏漢 普森創投 浙江自貿 區靜遠投資 邳州疌盛經開 投資基金 北京科華豐園 微電子科技 北京科華燕園 微電子科技 科華微電子材 料（天津） 江蘇科微新材 料 全椒科華微 電子材料 其他 6.43%32.60%15.44%17.33% 17.10%11.10% 100%100%100%100%100% 美國Meng Tech 北京科華微電子材

16、料有限公司 北京工業發 展投資管理 西藏漢 普森創投 上海彤程電子 材料有限公司 邳州疌盛經開 投資基金 北京科華豐園 微電子科技 北京科華燕園 微電子科技 科華微電子材 料（天津） 江蘇科微新材 料 全椒科華微 電子材料 其他 6.43%10.00%15.44%17.33% 17.10%33.70% 100%100%100%100%100% 彤程新材料集 團股份有限公 司 100% 公司深度報告公司深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 4 / 15 過程中光刻膠起防腐蝕的保護作用。 在圖形轉移過程中， 根據曝光顯影過程的不同， 光刻膠分為正性膠和負性膠， 正性膠在曝光區間顯影，

17、負性膠則相反， 其曝光區間得 到保留。 圖圖2：光刻膠廣泛應用于光刻膠廣泛應用于 PCB、LCD 和半導體領域和半導體領域 圖圖3：光刻膠是微細圖形線路加工光刻膠是微細圖形線路加工的關鍵性材料的關鍵性材料 資料來源：新材料在線、開源證券研究所 資料來源：容大感光招股說明書 表表1：光刻膠主要由光刻膠主要由感光樹脂、增感劑和溶劑感光樹脂、增感劑和溶劑等組成等組成 光刻膠成分光刻膠成分 作用作用 光引發劑 光引發劑又稱光敏劑或光固化劑，是一類能在從光（一般為紫外光）中吸收一定 波長的能量，經光化學反應產生具有引發聚合能力的活性中間體的分子。該類光 化學反應的產物能與光刻膠中別的物質進一步反應，幫助

18、完成光刻過程。光引發 劑對于光刻膠的感光度和分辨率有重要影響。光增感劑、光致產酸劑能夠幫助光 引發劑更好地發揮作用。 樹脂 樹脂是光刻膠主要組成部分，決定了光刻膠的粘附性、化學抗蝕性，膠膜厚度等 基本性能。光引發劑在光化學反應的產物可以改變樹脂在顯影液中的溶解度，從 而幫助完成光刻過程。 溶劑 溶劑能將光刻膠的各組成部分溶解在一起，同時也是后續光刻化學反應的介質。 單體 又稱為活性稀釋劑，對光引發劑的光化學反應有調節作用 其他助劑 根據不同目的加入光刻膠的添加劑，如顏料等，作用是調節光刻膠整體的性能。 資料來源：中國產業信息網、開源證券研究所 高端高端光刻膠技術壁壘高，驗證周期長。光刻膠技術壁

19、壘高，驗證周期長。由于光刻膠用于微米級甚至納米級的圖 形加工， 產品需要嚴格控制質量， 其微粒子及金屬離子含量極低， 是精細化工行業技 術壁壘最高的材料，被譽為電子化學品產業“皇冠上的明珠” 。光刻膠不僅具有純度 要求高、工藝復雜等特征，還需要相應制程的光刻機與之配對調試。一般情況下，一 個芯片在制造過程中需要進行 10-50 道光刻過程，由于基板、分辨率要求、蝕刻方式 等不同， 不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣， 即使類似的光刻過程， 不同 的廠商也會有不同的要求，所以光刻膠制造商最核心的技術還在于配方技術，廠商 需要通過調整光刻膠的配方，來滿足差異化應用的需要。當光刻膠達到要求的技

20、術 指標后，需經下游客戶測試，測試和驗證周期一般長達 2-3 年，而一旦達成合作，便 會形成長期供應，甚至聯合研發新技術的密切關系。 感光樹脂 增感劑 溶劑 PCB光刻膠 LCD光刻膠 半導體光刻膠 印刷電路板 液晶顯示器 IC芯片 消費電子 家用電器 信息通訊 汽車電子 航空 軍工等 上游上游中游中游下游下游 公司深度報告公司深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 5 / 15 2.2、 半導體光刻膠隨著制程的發展不斷向高端化演進半導體光刻膠隨著制程的發展不斷向高端化演進 半導體光刻半導體光刻膠的性能關系到芯片特征尺寸。膠的性能關系到芯片特征尺寸。微電子制造業精細加工從微米級、 亞

21、微米級、 深亞微米級進入納米級水平的過程中， 光刻膠起著舉足輕重的作用。 光刻 膠的主要技術參數有分辨率、 對比度、 敏感度、 黏度、 粘附性、 抗蝕性和表面張力等。 光刻膠的性能關系到光刻分辨率的大小，光刻膠的加工分辨率直接關系到芯片特征 尺寸的大小。 因為存在光的干涉和衍射效應， 光刻的分辨率會受到限制， 根據瑞利公 式 R=k/NA（：曝光波長；k：工藝常數；NA：鏡頭的數值孔徑；R：可分辨最小 尺寸）可以看到，曝光波長越小，則光刻膠可以達到的極限分辨率越高，得到的線路 圖案精密度也更高。所以，根據曝光波長不同，目前光刻膠又可分為普通寬普光刻 膠、 g 線 （436nm） 、 i 線 （

22、365nm） 、 KrF （248nm） 、 ArF （193nm） 及最先進的 EUV(13.5nm) 光刻膠， 等級越往上其極限分辨率越高， 同一面積的硅晶圓布線密度就越大， 性能越 好。 圖圖4：光的特性限制了光刻的極限分辨率光的特性限制了光刻的極限分辨率 資料來源： Fundamentals of Microfabrication 表表2：光刻膠的主要光刻膠的主要技術參數包括分辨率、對比度、敏感度技術參數包括分辨率、對比度、敏感度等等 序號序號 參數參數 作用作用 說明說明 1 分辨率(resolution) 區別硅片表面相鄰圖形特征的能力 一般用關鍵尺寸(CD, Critical D

23、imension)來衡量分辨率。形 成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。 2 對比度(Contrast) 光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的 陡度 對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，分辨率越好。 3 敏感度(Sensitivity) 光刻膠上產生一個良好的圖形所需 一定波長光的最小能量值（或最小 曝光量） 單位:平方厘米或 mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的 深紫外光(DUV)、極深紫外光(EUV)等尤為重要。 4 粘滯性/黏度(Viscosity) 衡量光刻膠流動特性的參數 粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加；高的粘滯性會產 生厚的光刻膠；越小的粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。 5

24、粘附性(Adherence) 表征光刻膠粘著于襯底的強度 光刻膠的粘附性不足會導致硅片表面的圖形變形。光刻膠的 粘附性必須經受住后續工藝（刻蝕、離子注入等） 。 6 抗蝕性(Anti-etching) 保持粘附性，在刻蝕工序中保護襯耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。 入射到掩膜版上的紫外線入射到掩膜版上的紫外線 掩膜版掩膜版 版上圖形版上圖形 光學系統光學系統 理想傳遞理想傳遞 實際傳遞實際傳遞 公司深度報告公司深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 6 / 15 序號序號 參數參數 作用作用 說明說明 底表面 7 表面張力(Surface Tension) 液體中將表面分子拉

25、向液體主體內 的分子間吸引力 光刻膠應該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流 動性和覆蓋。 8 存儲和傳送(Storageand Transmission) 避免能量（光和熱）激活光刻膠 應該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。同時必須規定光刻 膠的閑置期限和存貯溫度環境。一旦超過存儲時間或較高的 溫度范圍，負膠會發生交聯，正膠會發生感光延遲。 資料來源：汶顥股份官網、開源證券研究所 目前半導體光刻膠主要分為 i/g 線、KrF、ArF 和 EUV 光刻膠四種，它們的區別 除應用于不同波長光刻工藝之外，原材料的組分是更基礎的一個方面，我們從光刻 膠工業的發展歷程來了解各類光刻膠的區別與聯系。

26、 KTFR 光刻膠：光刻膠：是光刻膠工業的開拓產品，最初是借助重鉻酸鹽明膠開發出世 界上第一套“光刻系統” ，廣泛用于印刷領域。此體系后被集成電路制造采用，雖然 重鉻酸鹽明膠分辨率足夠，但抗蝕性不佳，最后開發出環化橡膠環化橡膠-雙疊氮雙疊氮體系體系，即 KTFR 光刻膠，來解決這個問題。KTFR 光刻膠曾為半導體工業的主力體系，但半導 體制程發展到 2m 時，觸及 KTFR 光刻膠分辨率的極限。 g 線線/i 線光刻膠：線光刻膠：隨著光刻設備進一步提升，曝光波長進一步縮短，光刻膠廠商 開始再次尋找分辨率更高的新一代光刻膠材料，因為重氮鹽具有良好光敏性，酚醛 樹脂具有良好的成膜性，同時又有優良的

27、抗腐蝕性的重氮萘醌重氮萘醌-酚醛樹脂酚醛樹脂光刻膠體系光刻膠體系， 其曝光光源可以采用 g 線、i 線，分辨率極限達到 0.25m。 KrF 光刻膠：光刻膠：隨著光刻系統所用波長逐步降低，光源強度成為制約瓶頸，在光 源強度有限、 光刻工藝曝光時間延長的條件下， 需要提高光刻膠的感光靈敏度。 這一 問題的解決是通過化學放大光刻膠實現的，化學放大即由于作為催化劑的酸不會被 消耗， 因此可以將光信號放大為化學信號， 提高反應速度。 化學放大幾乎是所有現代 光刻膠成功的關鍵因素，沿用至今?？茖W家以聚 4-羥基苯乙烯（PHOST）作為樹脂 材料，加入 t-丁氧基羰基（t-BOC）保護羥基，形成新的聚合物

28、聚對叔丁氧羰基聚對叔丁氧羰基 氧基苯乙烯氧基苯乙烯（PBOCST） 。PBOCST 光刻膠反應速度極快，對深紫外光非常敏感，靈 敏度提高百倍。 ArF 光刻膠：光刻膠：集成電路制造工藝進一步發展，而 PBOCST 光刻膠在 193nm 的波 長下會表現出強烈的吸收（主要源自其結構中的苯環） ，因此該體系不適用于 ArF 光 刻?？茖W家使用甲基丙烯酸甲酯（甲基丙烯酸甲酯（MMA） 、甲基丙烯酸丁酯（） 、甲基丙烯酸丁酯（TBMA）和甲基丙烯）和甲基丙烯 酸（酸（MAA）三元共聚物）三元共聚物，并通過在側鏈中引入保護性基團提高其耐干刻蝕性能，從 而制成干法 ArF 光刻膠。 隨 157nm F2

29、光刻技術被拋棄， 沉浸式 ArF 光刻技術在 65nm 及以下的工藝節點取得巨大突破，并在雙重圖形/多重圖形曝光技術的加持下，工藝 節點可延伸至 7-10nm。沉浸式 ArF 光刻技術使用了液體介質，主要采用聚甲基丙烯聚甲基丙烯 酸酯體系酸酯體系， 并且基本以選用各種含氟代烷基 （如六氟叔丁醇基團等） 的聚合物來達到 特殊的工藝要求。 EUV 光刻膠：光刻膠：雖然沉浸式 ArF 光刻技術工藝節點可延伸至 10nm 以下，但 7nm 節點的沉浸式 ArF 光刻技術工藝復雜程度急劇提高，市場需要新一代 EUV 技術。 EUV 光刻膠面臨 RLS（分辨率、邊緣粗糙度、靈敏度）的挑戰，即在光刻膠的分辨

30、 率、邊緣粗糙度（LER）和光敏性三者之間只能實現 2 個參數的最優化，隨著線寬的 公司深度報告公司深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 7 / 15 不斷減小，LER 對圖形的影響越來越大。減小 LER 的方法有多種，其中分子玻璃光分子玻璃光 刻膠刻膠與金屬氧化物金屬氧化物光刻膠是較為合適的選擇。分子玻璃是一種具有較高玻璃態轉變 溫度的小分子有機化合物，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過渡金屬有機化合物。 表表3：半導體光刻膠類型及組分半導體光刻膠類型及組分 光刻膠類型 組分 g 線/i 線光刻膠 樹脂 10%-20% 酚醛樹脂 溶劑 80%-90% PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯）等

31、 其他 0.5%-5% 感光材料：DNQ、光致產酸劑 KrF 光刻膠 樹脂 7%-10% PHS（聚對羥基苯乙烯）/HS-甲基丙烯酸酯共聚物 溶劑 90%-93% PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯）等 其他 0.5%-2% 光致產酸劑（鎓鹽為主） 、表面活性劑等 ArF（干法及濕法） 樹脂 4%-5% 側鏈具備金剛烷或內脂結構的甲基丙烯酸樹脂 溶劑 95%-96% PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯）等 其他 0.4%-2% 光致產酸劑（氟代鎓鹽） 、表面活性劑等 EUV 光刻膠 樹脂 3%-4% 分子玻璃、金屬氧化物等不同體系 其他固體成分 光致產酸劑、光增感劑、表面活性物等 溶劑 95%-96% P

32、GMEA（丙二醇甲醚醋酸酯）等 資料來源：CNKI、博硯電子環評報告、開源證券研究所 光刻膠成為光刻膠成為 EUV 技術的關鍵挑戰技術的關鍵挑戰。在物理學上，紫外光波長理論極限為 X 光 射線，光刻工藝中波長近乎為 X 光射線的 EUV 技術難度最大。雖然 193nm 技術通 過沉浸式光刻和多重曝光可以擴展至 10nm 和 7nm 工藝節點，但要進一步發展則非 常困難， 所以到 7nm 和 5nm 工藝制程的時候， 半導體對 EUV 的需求相當迫切。 EUV 技術幾個關鍵部分是光刻機、 光源、 光刻膠和掩膜， 曾經最大的光源問題已經得到了 一定解決，目前 EUV 技術最大的挑戰就在于光刻膠，如

33、何改進光刻膠的工藝、配方 以實現消除隨機效應的目的是各制造商的難題。 據 TECHCET 預測， 2020 年 EUV 光 刻膠市場規模將超 1000 萬美元，到 2023 年年均復合增速可達 50%以上。目前全球 高端 ArF 和 EUV 光刻膠市場主要被美國陶氏化學、日本 JSR 株式社會和信越化學 占據， 國內部分廠商也正在突圍， 如北京科華微電子與中科院聯合承擔的 “02 專項” EUV 光刻膠項目已通過驗收。 2.3、 外資巨頭占據主外資巨頭占據主導，中高端光刻膠國產替代空間廣闊導，中高端光刻膠國產替代空間廣闊 國內光刻膠市場增速高于國內光刻膠市場增速高于國際水平國際水平，LCD 和

34、半導體光刻膠國產替代空間廣闊和半導體光刻膠國產替代空間廣闊。 隨著電子信息產業迅速發展， 全球光刻膠需求不斷提升。 據中國產業信息網數據， 全 球光刻膠市場規模自 2010 年起，以約 5.4%的復合增長率，增長至 2019 年的 90 億 美元左右， 預計未來 3 年仍將以 5%的速度增長， 至 2022 年全球市場規模將超過 100 億美元。中國光刻膠市場增速高于國際水平，據前瞻產業研究院數據，2019 年我國 光刻膠本土供應量約 70 億元，自 2010 年起復合增速達 11%，遠高于全球增速，但 本土供應量在全球占比僅 10%左右，且以已經實現國產替代的主要是中低端 PCB 光 刻膠，

35、LCD 和半導體領域的光刻膠自給率極低。受益于顯示面板、半導體產業東移 和國內企業技術突破，LCD 和半導體光刻膠已形成一定的國產替代基礎，未來發展 空間廣闊。 公司深度報告公司深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 8 / 15 圖圖5：2010-2019 年全球光刻膠市場規模年全球光刻膠市場規模 CAGR 為為 5.4% 圖圖6：2010-2019 年國內光刻膠市場規模年國內光刻膠市場規模 CAGR 為為 11% 數據來源：IHS、中國產業信息網、開源證券研究所 數據來源：前瞻產業研究院、開源證券研究所 圖圖7：全球光刻膠市場結構均衡全球光刻膠市場結構均衡 圖圖8：國產光刻膠以國

36、產光刻膠以 PCB 光刻膠為主光刻膠為主 數據來源：中國產業信息網、開源證券研究所 數據來源：中國產業信息網、開源證券研究所 外資巨頭占據市場主導， 國內企業有所突破。外資巨頭占據市場主導， 國內企業有所突破。 由于光刻膠產品的技術要求較高， 中國光刻膠市場基本由外資企業占據，高分辨率的 KrF 和 ArF 光刻膠核心技術基本 被日本和美國企業所壟斷，產品也基本出自日本和美國公司，包括陶氏化學、JSR 株 式會社、信越化學、東京應化工業、Fujifilm，以及韓國東進等企業，據中國產業信 息網數據， 前 5 大光刻膠廠商占據了全球市場 87%的份額。 從我國光刻膠市場來看， 目前主流的四種半導

37、體光刻膠中，g/i 線光刻膠已經實現量產；KrF 光刻膠正逐步通 過芯片廠認證并開始小批量生產；ArF 光刻膠樂觀預計在 2020 年能有效突破并完成 認證； 最先進的 EUV 光刻膠正處于先期研發階段。 目前， 國內光刻膠競爭格局未定， 主要廠商均布局光刻膠多年，發展節點各有不同。 0% 1% 2% 3% 4% 5% 6% 7% 8% 0 20 40 60 80 100 120 全球光刻膠市場規模（億美元）YoY 0% 4% 8% 12% 16% 20% 0 10 20 30 40 50 60 70 80 中國光刻膠市場規模（億元）YoY 半導體光 刻膠, 24% 面板光刻 膠, 27% P

38、CB光刻 膠, 25% 其他光刻 膠, 25% 半導體光 刻膠, 2% 面板光刻 膠, 3% PCB光刻 膠, 94% 其他光刻 膠, 1% 公司深度報告公司深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 9 / 15 圖圖9：全球前五大全球前五大光刻膠光刻膠廠商占據廠商占據 87%的市場份額的市場份額 數據來源：中國產業信息網、開源證券研究所 表表4：全球主要光刻膠企業量產與研發節點各不相同全球主要光刻膠企業量產與研發節點各不相同 企業企業 地區地區 i 線線 KrF（248nm） ArF（193nm） ArF （immersion） E-beam EUV 合成橡膠(JSR) 日本 量產 量產 量產 量產 量產 研發 東京應