半導體材料行業系列報告：國產替代正當時把握擴產窗口期-220714（41頁）.pdf

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1、分析師：胡楊分析師：胡楊S0010521090001S0010521090001聯系人：趙恒禎聯系人：趙恒禎 S0010121080026S0010121080026日期：日期：20222022年年7 7月月華安證券研究所半導體材料系列報告（上）：半導體材料系列報告（上）：國產替代國產替代正當時，把握擴產窗口期正當時，把握擴產窗口期證券研究報告證券研究報告2華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 主要觀點主要觀點半導體制造材料國產化率約半導體制造材料國產化率約1010%，具有廣闊成長空間具有廣闊成長空間半導體材料位于半導體產業鏈上游

2、，是半導體產業鏈中細分領域最多的環節，全球整體市場空間（制造+封測）約643億美元。其中，中國半導體材料市場規模約119億美元，占比約18%。目前，國內半導體制造材料國產化率約10%，主要依賴進口，成長空間廣闊根據芯片制造流程，半導體材料可劃分為制造用材料與封測用材料，其中，制造材料市場規模約404億美元。由于細分子行業眾多，所以企業進行平臺化布局有助于擴大自身成長空間。但同時，細分領域眾多也導致了單一市場較小，且產品從認證到批量供貨需要一定時間，所以我們預計穩定成長將成為國內企業半導體材料業務業績增長模式黃金窗口期仍將持續黃金窗口期仍將持續1 1 2 2年年，期間決定本土半導體材料企業競爭格

3、局期間決定本土半導體材料企業競爭格局半導體材料屬于耗材類產品，晶圓廠擴產促進材料市場擴大，同時也為本土企業進行國產化替代帶來機遇。出于對芯片產品穩定性的考量，我們認為，新建晶圓廠將是本土半導體材料份額提升的主戰場。當前，大陸新建主要晶圓廠投產時間多始于20222024年，判斷黃金窗口期還將持續23年，期間是企業進行半導體材料國產替代的最佳時間。晶圓廠產能開始爬坡后，認證則相對困難建議關注：建議關注：硅片：硅片：滬硅產業、立昂微、TCL中環、神工股份電子特氣：電子特氣：華特氣體、南大光電、金宏氣體、昊華科技、雅克科技CMPCMP拋光液拋光液/墊：墊：安集科技、鼎龍股份光刻膠：光刻膠：南大光電、彤

4、程新材濕電子化學品：濕電子化學品：晶瑞電材、江化微、新宙邦靶材：靶材：江豐電子、有研新材風險提示：風險提示：1）產品驗證/替代進度不及預期；2）競爭加劇致廠商利潤率下滑jXiXoXbVcV9UvYtVuZaQcM9PoMrRpNtReRrRoRiNrQmRbRoPrRwMtRoOxNrRsP3華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所目錄目錄1下 游 晶 圓 廠 擴 產 推 動 半 導 體 制 造 材 料 需 求 上 漲下 游 晶 圓 廠 擴 產 推 動 半 導 體 制 造 材 料 需 求 上 漲2硅 片：海 外 龍 頭 持 續 滿 產，本 土 企 業 迎 來 機

5、遇硅 片：海 外 龍 頭 持 續 滿 產，本 土 企 業 迎 來 機 遇3電 子 特 氣：國 產 化 提 速，細 分 品 類 逐 個 擊 破電 子 特 氣：國 產 化 提 速，細 分 品 類 逐 個 擊 破4拋 光 液拋 光 液/墊：本 土 企 業 實 力 強 勁，成 功 打 破 海 外 壟 斷墊：本 土 企 業 實 力 強 勁，成 功 打 破 海 外 壟 斷5光 刻 膠：壁 壘 較 高 的 半 導 體 材 料，國 產 替 代 道 阻 且 長光 刻 膠：壁 壘 較 高 的 半 導 體 材 料，國 產 替 代 道 阻 且 長6濕 電 子 化 學 品：厚 積 薄 發，扶 搖 而 上 正 當 時濕

6、電 子 化 學 品：厚 積 薄 發，扶 搖 而 上 正 當 時7靶 材：本 土 企 業 積 極 擴 產，把 握 市 場 機 遇靶 材：本 土 企 業 積 極 擴 產，把 握 市 場 機 遇4華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 材料是半導體行業的基礎材料是半導體行業的基礎資料來源：集微網，華安證券研究所圖表圖表半導體制造環節流程半導體制造環節流程半導體材料貫穿了半導體生產的全流程半導體材料根據應用環節，可分為制造材料與封測材料，細分種類繁多注：“高純試劑”即為“濕電子化學品”5華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究

7、所華安證券研究所敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 半導體制造材料國產化率約半導體制造材料國產化率約10%10%，市場空間廣闊，市場空間廣闊資料來源：SEMI、IC Insights、Prismark、marketwatch、marketsandmarkets、Techet、前瞻產業研究院、華經情報網、各公司公告,華安證券研究所整理工藝環節工藝環節成本占比成本占比主要材料主要材料成本占比成本占比主要用途主要用途發展趨勢發展趨勢2021年全球市場空間年全球市場空間（億美元）（億美元）20212026 CAGR國產化率（估算）國產化率（估算）制造63%硅片31%晶圓制造的基底材料12英寸及更大直徑12

8、65.70%6英寸及以下：80%8英寸：55%12英寸：10%掩膜版12%光刻工藝所使用的圖形母版，功能類似傳統照相機的底片更高精度臺積電、三星、英特爾、中芯國際等半導體制造廠所用的掩膜版大部分由自己的專業工廠生產，掩膜版在非先進制程中外包趨勢明顯494.47%大部分龍頭晶圓廠可自產掩膜版；獨立公司較少電子特氣（不包括大宗氣體）11%氧化、還原、除雜更高純度與精度455.06%15%CMP拋光液&拋光墊7%通過化學反應與物理研磨實現大面積平坦化CMP拋光次數隨制程提升而增長拋光液要求更少每毫升允許顆粒數目拋光墊要求更長使用壽命、更低缺陷率、更高平坦度305.90%CMP拋光液：30%CMP拋光

9、墊：20%光刻膠（不包括配套材料）6%將掩膜版上的圖形轉移到硅片上ArF占據主流255.55%10%濕電子化學品5%清洗、刻蝕用量隨晶圓尺寸增大而提升更高純度205.90%20%靶材3%芯片中制備薄膜的元素級材料，通過磁控進行精準放置12英寸傾向于使用銅靶與鉭靶更高純度115.10%30%6華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所受益于5G、IoT、新能源汽車等新興領域需求增長，晶圓廠紛紛擴產，帶動半導體材料市場市場規模擴大新建晶圓廠為本土半導體材料企業帶來新機遇：新建晶圓廠為本土半導體材料企業帶來新機遇：半導體材料需要長期、穩定、小批量供貨后才會通過認證。認證周

10、期通常需要12年時間。新建晶圓廠為材料企業實現國產替代迎來窗口期（約23年），該段時間是本土半導體材料進行國產替代的最佳時機。當產能開始爬坡后，材料認證則相對困難（主要原因系考慮到產品質量、生產效率、供應鏈安全、認證周期長、認證時間成本高等多種因素，晶圓廠一般不會輕易改變已定型的產品結構）敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 下游晶圓廠擴產拉動需求，促進半導體材料企業成長下游晶圓廠擴產拉動需求，促進半導體材料企業成長圖表圖表 晶圓廠擴產情況（中國地區）晶圓廠擴產情況（中國地區）資料來源：芯思想研究院，華安證券研究所尺寸尺寸公司公司擴產地點擴產地點投資金額投資金額擴產情況擴產情況預計產能釋放時間預計產

11、能釋放時間8英寸紹興中芯紹興擴增至9萬片20212022士蘭微杭州26億元擴增至8萬片20212022中芯國際天津擴增4.5萬片20212023海辰無錫14億美元11.5萬片20212023寧波中芯寧波新增3萬片20222023聯電/和艦蘇州擴建1萬片20222024比亞迪長沙濟南30億元新增34萬片20222025世界先進新竹4萬片2023202512英寸中芯國際北京擴增1萬片28nm及以上20212022士蘭微廈門50億元擴增至6萬片9065nm20212022聯電/聯芯廈門4億美元5000片28nm20212022聯電臺南15億美元1萬片28nm及以上20212022華虹集團無錫52億元

12、擴增至6.5萬片9065/55nm20212022尺寸尺寸公司公司擴產地點擴產地點投資金額投資金額擴產情況擴產情況預計產能釋放時間預計產能釋放時間12英寸粵芯廣州65億元二期擴增4萬片20212022晶合集成合肥165億元新增N2廠4萬片5540nm20212023中芯國際深圳23.5億美元 新建4萬片28nm及以上20222023臺積電南京28.87億美元新建2萬片28nm及以上20222024華潤微重慶75.5億元新建3萬片20222024聞泰科技上海120億元新建34萬片20222025聯電臺南30億美元3萬片28nm20232024力積電銅鑼2780億新臺幣10萬片1x-50nm202

13、32026臺積電高雄、臺南、竹科270億美元擴增3nm、5nm和7nm等先進工藝20232027中芯京城北京76億美元新建10萬片28nm及以上20242025中芯東方上海88.7億美元 新建10萬片29nm及以上20242026臺積電竹科寶山、臺南新建2nm工廠202520277華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所產品稀缺性：產品稀缺性：稀缺性決定賽道競爭優勢，稀缺性越高，認證進度越快，市場價值越大產品齊全性：產品齊全性：半導體材料細分種類繁多，因此覆蓋的種類越多，越有可能進入更多的客戶供應鏈，市場成長空間越大客戶驗證進度：客戶驗證進度：若已進入晶圓廠供應鏈

14、并實現量產，則有助于在晶圓廠擴產時期節省驗證時間，奠定后續競爭優勢敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 半導體材料企業的衡量維度半導體材料企業的衡量維度圖表圖表 半導體材料基本情況半導體材料基本情況材料材料硅片硅片電子特氣電子特氣CMP拋光液拋光液&拋光墊拋光墊光刻膠光刻膠濕電子化學品濕電子化學品靶材靶材2021年全球空間（億美元）1264530252011國產化率6寸及以下：80%8英寸：55%12英寸：10%15%拋光液：30%拋光墊：20%10%20%30%主要產品12英寸8英寸6英寸硅烷三氟化氮氟碳類氣體六氟化鎢笑氣鍺烷高純氨鎢拋光液銅拋光液硬墊軟墊EUV光刻膠ArF光刻膠KrF光刻膠g/i

15、線光刻膠硫酸雙氧水氨水氫氟酸硝酸異丙醇銅靶鉭靶鋁靶鈦靶鎳鉑合金鈷靶鎢鈦合金鎢靶重點跟蹤12英寸進展稀缺氣體量產節奏先進制程產品驗證進度KrF/ArF光刻膠進展G5級試劑量產節奏產品滲透率資料來源：SEMI、IC Insights、Prismark、marketwatch、marketsandmarkets、前瞻產業研究院、華經情報網，華安證券研究所整理8華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 半導體制造材料企業下游客戶半導體制造材料企業下游客戶資料來源：各公司公告，華安證券研究所制造制造臺積電臺積電中芯國際中芯國際華虹宏力華虹宏力華

16、力微電子華力微電子長江存儲長江存儲武漢新芯武漢新芯長鑫存儲長鑫存儲華潤微華潤微士蘭微士蘭微其它客戶其它客戶硅片滬硅產業聯電、格羅方德、ST、TowerJazz等立昂微ONSEMI、東芝、上海先進等電子特氣華特氣體英特爾、美光、SK海力士、德州儀器、法液空、林德等南大光電金宏氣體新加坡鎂光、海力士、積塔等昊華科技鎂光、德州儀器等中巨芯德州儀器、廈門聯芯等CMP拋光液安集科技CMP拋光墊鼎龍股份上海先進、粵芯等光刻膠南大光電分別通過一家存儲芯片制造企業與邏輯芯片制造企業的驗證彤程新材晶瑞電材濕電子化學品晶瑞電材江化微長電科技等新宙邦其它行業頭部客戶中巨芯SK海力士、德州儀器、廈門聯芯等靶材江豐電子

17、聯電、格羅方德、美光、海力士、瑞薩、ST等有研新材大連Intel、聯電、格羅方德等注：數據截至1H229華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 半導體材料企業財務數據半導體材料企業財務數據資料來源：wind、各公司公告，華安證券研究所注：取wind一致估值，日期截至2022年6月25日公司公司市值市值（億元）（億元）歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤（億元）PEFY21業績回顧（億元）業績回顧（億元）FY21關鍵比率關鍵比率主要產品主要產品22E23E24E22E 23E24E半導體材半導體材料占比料占比營業總收營業總收入入YoY歸母凈歸

18、母凈利潤利潤YoY毛利率毛利率凈利率凈利率ROE研發費用研發費用率率員工總數員工總數硅片滬硅產業6192.253.314.44275 18714085.49%24.6736.19%1.4667.81%15.96%5.90%1.47%5.10%1910 硅片（輕摻為主）立昂微4169.6912.9215.9243322657.42%25.4169.17%6.00197.24%44.90%24.49%20.09%9.01%2227 硅片（重摻為主）TCL中環151258.873.7893.142620164.95%411.05115.70%40.30270.03%21.69%10.79%17.97

19、%4.52%13371 硅片、硅棒神工股份882.923.794.65302319-4.74146.69%2.18117.84%64.07%46.10%16.64%7.38%364 硅片、單晶硅材料、硅零部件電子特氣華特氣體881.752.433.25513627-13.4734.78%1.2921.46%24.19%9.59%9.83%3.50%1044 電子特氣南大光電1742.202.873.63796148-9.8465.46%1.3656.55%43.42%18.61%8.75%11.94%1112 電子特氣、光刻膠及配套材料、高純ALD/CVD前驅體、MO源金宏氣體962.294.

20、295.4132221816.94%17.4140.05%1.67-15.34%29.96%9.57%7.52%4.01%2125 電子特氣昊華科技33411.1913.4915.86302521-72.2436.92%8.9137.61%27.18%12.16%13.14%7.31%7174 電子特氣雅克科技2616.138.4210.72423124-37.8266.40%3.35-18.98%25.76%9.02%6.49%2.54%1565 前驅體、電子特氣、光刻膠（用于面板）CMP拋光液安集科技1542.213.153.870494199.71%6.8762.57%1.25-18.7

21、7%51.08%18.22%11.11%22.30%331 拋光液、光刻膠去除劑CMP拋光墊鼎龍股份1883.835.857.7849322413.03%23.5629.67%2.07175.62%33.44%10.40%5.64%10.84%3239 拋光墊光刻膠南大光電1742.202.873.63796148-9.8465.46%1.3656.55%43.42%18.61%8.75%11.94%1112 電子特氣、光刻膠及配套材料、高純ALD/CVD前驅體、MO源彤程新材1894.957.519.293825204.98%23.0812.83%3.27-20.44%24.92%13.42

22、%12.84%6.35%970 光刻膠晶瑞電材1042.373.434.5044302334.61%18.3279.21%2.01161.20%21.12%11.32%13.99%2.53%619 光刻膠、濕電子化學品濕電子化學品晶瑞電材1042.373.434.5044302334.61%18.3279.21%2.01161.20%21.12%11.32%13.99%2.53%619 光刻膠、濕電子化學品江化微671.422.253.2347302148.48%7.9240.50%0.57-2.90%22.15%7.06%4.99%4.57%579 濕電子化學品、光刻膠配套試劑（包括半導體和

23、面板）新宙邦38019.6423.8128.851916133.08%69.51134.76%13.07152.36%35.49%19.63%22.43%5.86%2889 濕電子化學品靶材江豐電子1422.293.604.6762403185.87%15.9436.64%1.07-27.55%25.56%6.23%8.77%6.16%1365 靶材、CMP用保持環拋光墊活化盤有研新材1584.666.858.573423180.32%160.5923.82%2.3940.21%4.33%1.56%7.19%1.19%2076 靶材10華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華

24、安證券研究所目錄目錄1下 游 晶 圓 廠 擴 產 推 動 半 導 體 制 造 材 料 需 求 上 漲下 游 晶 圓 廠 擴 產 推 動 半 導 體 制 造 材 料 需 求 上 漲2硅 片：海 外 龍 頭 持 續 滿 產，本 土 企 業 迎 來 機 遇硅 片：海 外 龍 頭 持 續 滿 產，本 土 企 業 迎 來 機 遇3電 子 特 氣：國 產 化 提 速，細 分 品 類 逐 個 擊 破電 子 特 氣：國 產 化 提 速，細 分 品 類 逐 個 擊 破4拋 光 液拋 光 液/墊：本 土 企 業 實 力 強 勁，成 功 打 破 海 外 壟 斷墊：本 土 企 業 實 力 強 勁，成 功 打 破 海

25、外 壟 斷5光 刻 膠：壁 壘 較 高 的 半 導 體 材 料，國 產 替 代 道 阻 且 長光 刻 膠：壁 壘 較 高 的 半 導 體 材 料，國 產 替 代 道 阻 且 長6濕 電 子 化 學 品：厚 積 薄 發，扶 搖 而 上 正 當 時濕 電 子 化 學 品：厚 積 薄 發，扶 搖 而 上 正 當 時7靶 材：本 土 企 業 積 極 擴 產，把 握 市 場 機 遇靶 材：本 土 企 業 積 極 擴 產，把 握 市 場 機 遇11華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所硅片是半導體器件的主要載體，全球市場規模達全球市場規模達126126億美元億美元硅片的分類

26、方式：按尺寸：6/8/12英寸|按工序：拋光片、退火片、外延片、SOI等|按工藝：重摻、輕摻|按應用場景：正片、測試片硅片制造工藝分類：直拉法、區熔法敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 硅片硅片-基礎介紹：基礎介紹：圖表圖表 硅片硅片資料來源：昆山萬源硅片官網，華安證券研究所資料來源：半導體行業觀察，華安證券研究所圖表圖表 硅片分類方式硅片分類方式圖表圖表 硅片制造工藝特性對比硅片制造工藝特性對比分類方式分類方式細分種類細分種類介紹介紹尺寸12英寸300mm主要用于高端產品，如CPU、GPU等邏輯芯片和存儲芯片，是當前市場的主流尺寸，市占率約6570%8英寸200mm主要用于中低端產品，如電源管理

27、芯片、MCU、功率半導體等，市占率約2527%6英寸150mm 主要用于中低端產品，如功率半導體，市占率近67%工序拋光片是應用范圍最廣泛、用量最大、最基礎的產品，其它硅片產品都是基于拋光片的基礎做二次加工生產退火片通過把拋光片至于充滿氬氣或氧氣的高溫環境退火得到的，這樣可以大幅減少拋光片表面的氧氣含量，從而擁有更好的晶體完整性，可以滿足更高的半導體刻蝕需求外延片通過在拋光片表面采用應用氣相生長技術，在拋光片表面外延生出單晶結構層，這樣其表面將比經切割而來的拋光片更加平滑，從而降低表面缺陷SOI片是三明治結構，即最下層是拋光片，中間是掩埋氧化層，頂層是活性層拋光片，可以實現高電絕緣性，從而減小

28、寄生電容和漏電工藝重摻需在重摻晶體材料制成的襯底片上生長一層幾十微米到一百多微米的外延層。因為有外延層，所以重摻晶體對缺陷要求較低。占整個市場的2030%輕摻沒有外延層，對輕摻晶體原生缺陷要求很高。占整個市場的7080%應用場景正片被直接用于半導體加工測試片用于對制造設備的性能進行監測測試以及維持穩定，以保證最終的成品率資料來源：華安證券研究所整理項目項目直拉法（直拉法（CZCZ法）法）區熔法（區熔法（FZFZ法）法）單晶爐直拉爐區熔爐工藝有坩堝；電阻加熱無坩堝；高頻加熱直徑可生長12英寸及以上晶圓用于生長8英寸晶圓純度受坩堝污染純度較高壽命短長電阻率中低電阻、軸向電阻率分布不均勻能產生高電阻

29、率的單晶體應用領域晶體管、二極管、集成電路高壓整流器、可控硅、探測器、晶體管、集成電路投資成本較小較大優點工藝成熟、設備簡單、可大規模生產純度高、電學性能均衡缺點純度低、電阻率不均勻工藝繁瑣、成本較高、直徑小、可加工性差注：“輕摻”與“重摻”不能混線12華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所原材料主要依靠海外廠商：原材料主要依靠海外廠商：電子級多晶硅原材料三氯氫硅除硼與大硅片制造設備長期被美德日廠商控制技術挑戰：技術挑戰：拉晶（大直徑、控缺陷、精拋光、少雜質）趨勢：趨勢：大尺寸。一般而言，單張硅片上制造的芯片數量越多，單位芯片的成本越低。因此，為了提高生產效率、

30、降低成本，半導體硅片制造技術不斷向大尺寸演進第三代半導體材料與第三代半導體材料與SiSi會以共存的形式存在：會以共存的形式存在：雖然第三代半導體材料具有寬禁帶、耐高溫高壓、開關頻率高的優勢，但由于應用領域需要不同，這些優勢在邏輯芯片上并不突出（寬禁帶的優勢在于功率而非速度，使用硅材料才可做高速），且在8寸及以上晶圓中，Si相比第三代半導體材料更為成熟、可靠性更高、成本也更低，所以二者在未來很長一段時間中，仍會根據各自特性不同，以共存的形式存在敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 硅片硅片-基礎介紹：基礎介紹：圖表圖表 大硅片主要技術挑戰大硅片主要技術挑戰資料來源：神工股份公告，華安證券研究所資料來源

31、：華經情報網，華安證券研究所圖表圖表 硅片發展趨勢硅片發展趨勢圖表圖表 硅硅 VS VS 第三代半導體材料第三代半導體材料資料來源：芯片制造，華安證券研究所SiSiSiCSiCGaNGaN禁帶寬度(eV)1.13.23.4臨界擊穿電場(MW/cm)0.33.03.3電子遷移率(cm2 v-1s-1)13509001000飽和電子速率(107cm/s)1.02.02.5工作溫度()250500500介電常數11.99.79.8大直徑大直徑控缺陷控缺陷精拋光精拋光少雜質少雜質計算機模擬晶體生長技術氧雜質雙面直立研磨表面金屬雜質濃度的控制熱場設計（雙加熱器）技術COP雙面拋光技術表面今屬雜質濃度的檢

32、測磁場設計和控制技術背面處理和背封技術導流筒設計技術硅片高潔凈包裝技術13華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所海外企業的共通點：海外企業的共通點：產品種類相對齊全產品種類相對齊全更易吸引客戶：更易吸引客戶：海外龍頭產品種類更為豐富，便于客戶選品，更易吸引客戶高良率高良率提升盈利能力：提升盈利能力：硅片的純度與良率需要長時間積累試錯并持續優化工藝。高工藝技術決定了硅片的高純度和高良率。同時，良率可以分攤制造成本，所以高工藝技術也為公司帶來了更好的盈利能力并購整合并購整合擴大市占率：擴大市占率：海外龍頭均選擇通過并購快速擴大市占率敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 硅

33、片硅片-競爭格局：競爭格局：資料來源：各公司官網、各公司公告，華安證券研究所整理地區地區20212021年市占率年市占率產品布局（英寸）產品布局（英寸）硅片產能規劃硅片產能規劃備注備注硅片業務并購歷史硅片業務并購歷史拋光片拋光片外延片外延片擴散片擴散片退火片退火片SOISOIJunctional Junctional IsolatedIsolated化腐片化腐片信越化學信越化學日本日本27.5%27.5%1212121212斥資斥資800800億日元用于擴產硅利光產品億日元用于擴產硅利光產品生產狀況持續滿載生產狀況持續滿載19991999：并購：并購HitachiHitachiSUMCOSUM

34、CO日本日本21.5%21.5%12121288預計于預計于20222022年在日本建設新廠以用于加快年在日本建設新廠以用于加快1212英寸硅片的生產，該英寸硅片的生產，該工廠計劃從工廠計劃從2H232H23開始階段性營運，預定開始階段性營運，預定20252025年全面量產年全面量產至至20262026年的產能均已被預定年的產能均已被預定前身為前身為SilconSilcon United Manufacturing Corp.United Manufacturing Corp.20022002年：并購年：并購SUMITOMOSUMITOMO和和MITSUBISHIMITSUBISHI后正式更名

35、，后正式更名，20062006年：收購年：收購KOMATSUKOMATSU環球晶圓環球晶圓中國臺灣中國臺灣26.3%26.3%121261212從從2022202320222023年將投入年將投入8989億美元，針對億美元，針對1212英寸產能啟動去瓶頸與英寸產能啟動去瓶頸與擴產計劃，總產能將增加擴產計劃，總產能將增加1015%1015%20212021年全尺寸產能皆以滿載，隨著更多年全尺寸產能皆以滿載，隨著更多LTALTA，滿載狀態將持續至，滿載狀態將持續至20222022年。年。LTALTA覆蓋率高于過去高峰期，續簽的長約價格有向上調整覆蓋率高于過去高峰期，續簽的長約價格有向上調整的趨勢的

36、趨勢20112011年：從中美硅晶分割獨立，年：從中美硅晶分割獨立，20122012年：收購年：收購CoorsTekCoorsTek20162016年：收購年：收購TopsilTopsil、SEMISEMI20202020年：宣布收購德國世創（年：宣布收購德國世創（SilitronicSilitronic AG)AG)世創世創德國德國1212在新加坡建設的在新加坡建設的1212英寸新晶圓廠已于英寸新晶圓廠已于20212021年年1010月月2626日破土動工，日破土動工，計劃至計劃至20242024年底為該工廠投資約年底為該工廠投資約2020億歐元億歐元將被環球晶圓收購將被環球晶圓收購1995

37、1995年：收購年：收購WackerWacker-ChemitronicChemitronic的硅片業務的硅片業務20142014年：購買新加坡年：購買新加坡SiltronicSiltronic Silicon Wafer 78%Silicon Wafer 78%股權股權SK SiltronSK Siltron韓國韓國11.3%11.3%1212計劃在韓國打造新的晶圓廠，用于生產計劃在韓國打造新的晶圓廠，用于生產1212英寸外延片，每月產量英寸外延片，每月產量為為2323萬片，預計于萬片，預計于2H222H22量產量產未上市未上市20172017年：收購年：收購LG LG SiltronSil

38、tron20192019年：收購杜邦年：收購杜邦SiCSiC晶圓事業部晶圓事業部SoitecSoitec法國法國5.7%5.7%12-計劃在計劃在5 5年內投資年內投資1111億歐元用于擴產和布局億歐元用于擴產和布局SiCSiC滬硅產業是其股東滬硅產業是其股東滬硅產業（新晟）滬硅產業（新晟）中國大陸中國大陸5%99.9998種以上，雜質總和小于10ppm金屬元素雜質控制10余種以上，單項小于100ppb0.1um顆粒小于3個/L60.5-0.25um99.9956種左右，雜質總和小于50ppm個別有要求基本不要求451.2um99.995種左右，雜質總和效于100ppm不要求不要求18華安研究

39、華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所海外企業共通點：海外企業共通點：豐富產品線豐富產品線+產品升級產品升級吸引更多客戶：吸引更多客戶：為豐富產品線，海外企業所采取的方式多為a)以工業/面板/光伏用氣體為立足點，不斷對產品進行升級，并切入半導體領域；b)建立之初便專注于電子特氣，從單一品類向多品類拓展并購整合并購整合縮短驗證時間縮短驗證時間，擴大市占率：擴大市占率：有利于企業縮短驗證時間，快速進入下游晶圓廠，并提升市占率敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 電子特氣電子特氣-競爭格局：競爭格局：資料來源：各公司官網、各公司公告，華安證券研究所圖表圖表 電子特氣企業市占率情況電

40、子特氣企業市占率情況圖表圖表 本土企業目前布局集中于刻蝕與薄膜沉積環節本土企業目前布局集中于刻蝕與薄膜沉積環節資料來源：億渡數據，華安證券研究所德國林德德國林德20%20%法國液化空氣法國液化空氣15%15%美國空氣化工美國空氣化工7%7%日本酸素日本酸素6%6%其它其它52%52%注：日本酸素原名太陽日酸摻雜摻雜離子注入離子注入薄膜沉積薄膜沉積刻蝕刻蝕光刻光刻華特氣體中航重工（718所）南大光電南大光電（飛源氣體）昊華科技（黎明院）昊華科技（光明院）雅克科技金宏氣體巨化股份和遠氣體注：數據截至1H22雖然氖氣雖然氖氣（主要用于光刻主要用于光刻）供應充足且不依賴于烏克蘭供應充足且不依賴于烏克蘭

41、，但由于俄烏局勢導致市場情緒恐慌但由于俄烏局勢導致市場情緒恐慌，所以氖氣價格大幅增長所以氖氣價格大幅增長，預計價格將預計價格將于局勢緩解后下跌于局勢緩解后下跌19華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 電子特氣：電子特氣：資料來源：wind、各公司公告、SEMI、IC Insights，華安證券研究所整理注：取wind一致估值，日期截至2022年6月26日主要材料主要材料制造環節中的成本占比制造環節中的成本占比主要用途主要用途發展趨勢發展趨勢2021年全球市場空間（億美元）年全球市場空間（億美元）20212026 CAGR國產化率國

42、產化率電子特氣11%氧化、還原、除雜更高純度與精度455.06%15%公司公司市值市值（億元）（億元）歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤（億元）PEFY21業績回顧（億元）業績回顧（億元）FY21關鍵比率關鍵比率主要產品主要產品22E23E24E22E23E24E半導體材料半導體材料收入占比收入占比營業營業總收入總收入YoY歸母歸母凈利潤凈利潤YoY毛利率毛利率凈利率凈利率ROE研發費用研發費用率率員工總數員工總數華特氣體881.752.433.25513627-13.4734.78%1.2921.46%24.19%9.59%9.83%3.50%1044 電子特氣南大光電1742.202.873.6

43、3796148-9.8465.46%1.3656.55%43.42%18.61%8.75%11.94%1112 電子特氣、光刻膠及配套材料、高純ALD/CVD前驅體、MO源金宏氣體962.294.295.4132221816.94%17.4140.05%1.67-15.34%29.96%9.57%7.52%4.01%2125 電子特氣昊華科技33411.1913.4915.86302521-72.2436.92%8.9137.61%27.18%12.16%13.14%7.31%7174 電子特氣雅克科技2616.138.4210.72423124-37.8266.40%3.35-18.98%2

44、5.76%9.02%6.49%2.54%1565 前驅體、電子特氣、光刻膠（用于面板）臺積電臺積電中芯國際中芯國際華虹宏力華虹宏力華力微電子華力微電子長江存儲長江存儲武漢新芯武漢新芯長鑫存儲長鑫存儲華潤微華潤微士蘭微士蘭微其它客戶其它客戶華特氣體英特爾、美光、SK海力士、德州儀器、法液空、林德等南大光電（飛源氣體）金宏氣體新加坡鎂光、海力士、積塔等昊華科技鎂光、德州儀器等中巨芯德州儀器、廈門聯芯等圖表圖表 行業基礎情況行業基礎情況圖表圖表 電子特氣企業客戶情況電子特氣企業客戶情況圖表圖表 電子特氣企業財務數據電子特氣企業財務數據20華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證

45、券研究所目錄目錄1下 游 晶 圓 廠 擴 產 推 動 半 導 體 制 造 材 料 需 求 上 漲下 游 晶 圓 廠 擴 產 推 動 半 導 體 制 造 材 料 需 求 上 漲2硅 片：海 外 龍 頭 持 續 滿 產，本 土 企 業 迎 來 機 遇硅 片：海 外 龍 頭 持 續 滿 產，本 土 企 業 迎 來 機 遇3電 子 特 氣：國 產 化 提 速，細 分 品 類 逐 個 擊 破電 子 特 氣：國 產 化 提 速，細 分 品 類 逐 個 擊 破4拋 光 液拋 光 液/墊：本 土 企 業 實 力 強 勁，成 功 打 破 海 外 壟 斷墊：本 土 企 業 實 力 強 勁，成 功 打 破 海 外

46、壟 斷5光 刻 膠：壁 壘 較 高 的 半 導 體 材 料，國 產 替 代 道 阻 且 長光 刻 膠：壁 壘 較 高 的 半 導 體 材 料，國 產 替 代 道 阻 且 長6濕 電 子 化 學 品：厚 積 薄 發，扶 搖 而 上 正 當 時濕 電 子 化 學 品：厚 積 薄 發，扶 搖 而 上 正 當 時7靶 材：本 土 企 業 積 極 擴 產，把 握 市 場 機 遇靶 材：本 土 企 業 積 極 擴 產，把 握 市 場 機 遇21華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所CMP拋光液/墊通過化學反應與物理研磨對硅片實現大面積平坦化，全球市場規模達全球市場規模達30

47、30億美元億美元CMPCMP拋光液拋光液/墊是主要拋光材料：墊是主要拋光材料：CMP拋光材料主要可分為拋光液（49%）、拋光墊（33%）、調節器（9%）、清潔劑（5%）等趨勢：趨勢：CMP拋光次數隨制程提升而增長。制程的提升對于晶圓表面平整度的要求愈發嚴格，并且，CMP除了被應用于前道加工環節中，也逐漸被用于后道先進封裝的拋光環節，所以帶動了CMP拋光需求次數的增長，推動了CMP拋光材料市場擴大敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 CMPCMP拋光液拋光液/墊墊-基礎介紹：基礎介紹：圖表圖表 拋光過程示意圖拋光過程示意圖資料來源：芯智訊，華安證券研究所資料來源：卡伯特官網，華安證券研究所圖表圖表 細

48、分拋光材料市占率細分拋光材料市占率圖表圖表 拋光次數隨制程提升而增長拋光次數隨制程提升而增長資料來源：賽瑞研究、新材料在線，華安證券研究所拋光液拋光液49%49%拋光墊拋光墊33%33%調節器調節器9%9%清潔劑清潔劑5%5%其它其它4%4%0510152025303522華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所CMP拋光液分類方式：酸性（金屬）、堿性（非金屬）原材料：研磨顆粒、穩定劑、氧化劑、表面活性劑等技術挑戰：原材料的選擇與配比趨勢：產品每毫升允許顆粒數目變得更少、3D NAND對于鎢拋光液需求量大幅增長敬請參閱末頁重要聲明及評級說明圖表圖表 拋光材料產業鏈

49、拋光材料產業鏈資料來源：華經情報網，華安證券研究所資料來源：賽瑞研究、恒州誠思，華安證券研究所圖表圖表 拋光液分類拋光液分類圖表圖表 拋光墊分類拋光墊分類資料來源：賽瑞研究、Techcet，華安證券研究所CMP拋光墊分類方式：硬墊、軟墊原材料：聚化胺、發泡劑等技術挑戰：溝槽設計、工藝控制、材料選擇趨勢：更長的使用壽命、更高平坦度、更低缺陷率 CMPCMP拋光液拋光液/墊墊-基礎介紹：基礎介紹：類型類型材質材質優點優點市占率市占率酸性常用于拋光金屬材料，例如銅、鎢、鋁、鈦等可溶性好、酸性范圍內氧化劑較多、拋光效率高60%+堿性常用于拋光非金屬材料，例如硅、氧化物及光阻材料等腐蝕性小、選擇性高30

50、%+類型類型材質材質優點優點市占率市占率硬質包括各種粗布墊、纖維織物墊、聚乙烯墊等比較好地保證表面的平整度70%+軟質包括聚氨酯墊、細毛氈墊、各種絨毛布墊等可獲得加工變質層和表面粗糙度都很小的拋光表面20%+23華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所海外企業的共通點：海外企業的共通點：種類相對齊全種類相對齊全更易吸引客戶：更易吸引客戶：海外龍頭不只布局于單一的拋光液或拋光液市場，并且，在單一拋光液或拋光墊市場中，海外龍頭的細分產品布局也相對豐富。通過水平整合的形式，海外龍頭得以形成規模效益、進行優勢互補，并提升市占率并購整合并購整合擴大市占率擴大市占率、縮短驗證

51、時間：縮短驗證時間：海外龍頭均選擇通過并購縮短產品驗證時間，從而快速進入市場并擴大市占率并敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 CMPCMP拋光液拋光液/墊墊-競爭格局：競爭格局：資料來源：各公司公告、半導體行業觀察，華安證券研究所圖表圖表 部分拋光材料廠商對比部分拋光材料廠商對比圖表圖表 部分拋光液廠商主要拋光液產品布局部分拋光液廠商主要拋光液產品布局圖表圖表 部分拋光墊廠商主要拋光墊產品布局部分拋光墊廠商主要拋光墊產品布局地區地區市占率市占率收購歷史收購歷史拋光液拋光液 拋光墊拋光墊卡博特美國36%6%通過收購NexPlanar來進入拋光墊市場陶氏杜邦美國6%76%通過收購羅門哈斯擴大拋光墊市占

52、率安集科技中國大陸4%-鼎龍股份中國大陸-3%-鎢鎢介電層介電層銅銅阻擋層阻擋層鋁鋁硅晶圓硅晶圓碳化硅晶圓碳化硅晶圓卡博特陶氏杜邦安集科技資料來源：各公司官網，華安證券研究所資料來源：各公司公告，華安證券研究所14nm14nm及以上及以上14nm14nm以下以下卡博特陶氏杜邦鼎龍股份注：數據截至1H22注：數據截至1H2224華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 CMPCMP拋光液拋光液/墊：墊：資料來源：wind、各公司公告、SEMI、IC Insights，華安證券研究所整理注：取wind一致估值，日期截至2022年6月26日

53、主要材料主要材料制造環節中的成本占比制造環節中的成本占比主要用途主要用途發展趨勢發展趨勢2021年全球市場空間年全球市場空間（億美元）（億美元）20212026 CAGR國產化率國產化率CMP拋光液&拋光墊7%通過化學反應與物理研磨實現大面積平坦化CMP拋光次數隨制程提升而增長；拋光液要求更少每毫升允許顆粒數目、3D NAND所需鎢拋光液需求量大幅增長拋光墊要求更長使用壽命、更低缺陷率、更高平坦度305.90%CMP拋光液：30%CMP拋光墊：20%臺積電臺積電中芯國際中芯國際華虹宏力華虹宏力華力微電子華力微電子長江存儲長江存儲武漢新芯武漢新芯長鑫存儲長鑫存儲華潤微華潤微士蘭微士蘭微其它客戶其

54、它客戶安集科技鼎龍股份上海先進、粵芯等圖表圖表 行業基礎情況行業基礎情況圖表圖表 電子特氣企業客戶情況電子特氣企業客戶情況圖表圖表 電子特氣企業財務數據電子特氣企業財務數據公司公司市值市值（億元）（億元）歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤（億元）PEFY21業績回顧（億元）業績回顧（億元）FY21關鍵比率關鍵比率主要產品主要產品22E23E24E22E23E24E半導體半導體材料收入材料收入占比占比營業營業總收入總收入YoY歸母歸母凈利潤凈利潤YoY毛利率毛利率凈利率凈利率ROE研發費用研發費用率率員工總數員工總數安集科技1542.213.153.870494199.71%6.8762.57%1.2

55、5-18.77%51.08%18.22%11.11%22.30%331 拋光液、光刻膠去除劑鼎龍股份1883.835.857.7849322413.03%23.5629.67%2.07175.62%33.44%10.40%5.64%10.84%3239 拋光墊25華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所目錄目錄1下 游 晶 圓 廠 擴 產 推 動 半 導 體 制 造 材 料 需 求 上 漲下 游 晶 圓 廠 擴 產 推 動 半 導 體 制 造 材 料 需 求 上 漲2硅 片：海 外 龍 頭 持 續 滿 產，本 土 企 業 迎 來 機 遇硅 片：海 外 龍 頭 持

56、續 滿 產，本 土 企 業 迎 來 機 遇3電 子 特 氣：國 產 化 提 速，細 分 品 類 逐 個 擊 破電 子 特 氣：國 產 化 提 速，細 分 品 類 逐 個 擊 破4拋 光 液拋 光 液/墊：本 土 企 業 實 力 強 勁，成 功 打 破 海 外 壟 斷墊：本 土 企 業 實 力 強 勁，成 功 打 破 海 外 壟 斷5光 刻 膠：壁 壘 較 高 的 半 導 體 材 料，國 產 替 代 道 阻 且 長光 刻 膠：壁 壘 較 高 的 半 導 體 材 料，國 產 替 代 道 阻 且 長6濕 電 子 化 學 品：厚 積 薄 發，扶 搖 而 上 正 當 時濕 電 子 化 學 品：厚 積 薄

57、 發，扶 搖 而 上 正 當 時7靶 材：本 土 企 業 積 極 擴 產，把 握 市 場 機 遇靶 材：本 土 企 業 積 極 擴 產，把 握 市 場 機 遇26華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所光刻膠是一種圖形轉移介質，可利用光照反應后溶解度不同將掩膜版圖形轉移至襯底上。全球市場規模約全球市場規模約2525億美元億美元分類（根據制程）：g線、i線、KrF、ArF、EUV敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 光刻膠光刻膠-基礎介紹：基礎介紹：資料來源：前瞻產業研究院、賽瑞研究，華安證券研究所圖表圖表 光刻膠工作過程光刻膠工作過程圖表圖表 半導體用光刻膠分類半導體用

58、光刻膠分類資料來源：半導體行業觀察，華安證券研究所類型類型市占率市占率曝光光源曝光光源適用晶圓尺寸適用晶圓尺寸制程節點制程節點國產化率情況國產化率情況g線24%436nm6英寸及以下0.5um20%i線365nm6英寸及以下0.350.5umKrF22%248nm8英寸0.130.25um5%ArF干法41%193nm12英寸65130nm1%ArF濕法193nm12英寸1465nm，配合雙重及多重顯影技術可達7nmEUV13%13.4nm12英寸7nm-27華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所原材料與品控設備主要依賴進口：原材料與品控設備主要依賴進口：用于生

59、產的光刻膠的樹脂、引發劑、光刻機依賴進口技術挑戰：技術挑戰：配方（要求使得聚合產物的分子量分布足夠窄，且金屬雜質的殘留量足夠低，低到ppb級別）趨勢：趨勢：適用于更先進制程（更高精準度與穩定性）敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 光刻膠光刻膠-基礎介紹：基礎介紹：資料來源：TEL，華安證券研究所圖表圖表 光刻膠成分介紹光刻膠成分介紹圖表圖表 光刻膠技術發展趨勢光刻膠技術發展趨勢資料來源：TrendBank，華安證券研究所整理成分成分含量占比含量占比成本占比成本占比作用作用國產化情況國產化情況溶劑5090%10%溶解光引發劑（固態）與添加劑（固態），形成液態物質，方便將兩者均勻地涂抹在器件表面電子級

60、PGMEA已基本實現國產化光引發劑1%6%1020%在特定波長光形式的輻射能下會產生光化學反應，改變成膜樹脂在顯影液中的溶解度基本依賴進口成膜樹脂1040%6070%將其它材料聚合在一起，決定了曝光后光刻膠的基本特性基本依賴進口添加劑（單體、助劑）1%1%單體：對光引發劑的光化學反應進行調節助劑：調節光刻膠整體性能小部分實現國產化28華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所海外企業的共通點：海外企業的共通點：種類相對齊全種類相對齊全更易吸引客戶：更易吸引客戶：海外龍頭具備可適用于個制程節點的光刻膠產品，產品種類齊全，更易吸引客戶。并且，為更好地研發出具有競爭力的光

61、刻膠產品，海外龍頭往往在部分光刻膠原材料（例：樹脂）上也有所布局并申請專利并購整合并購整合擴大市占率：擴大市占率：海外龍頭均選擇通過并購擴大市占率并提高產品競爭力（e.g.JSR收購美國Inpria）敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 光刻膠光刻膠-競爭格局：競爭格局：資料來源：各公司官網、前瞻產業研究院、各公司公告，華安證券研究所整理圖表圖表 光刻膠企業市占率情況光刻膠企業市占率情況圖表圖表 部分光刻膠企業產品布局對比部分光刻膠企業產品布局對比資料來源：TCView、前瞻產業研究院，華安證券研究所注：數據截至1H22公司公司地區地區g/g/i i線線KrFKrFArFArF干法干法ArFArF濕

62、法濕法EUVEUVJSR日本量產量產量產量產量產東京應化日本量產量產量產量產量產陶氏杜邦美國量產量產量產量產驗證中信越化學日本量產量產量產量產量產富士電子日本量產量產量產量產驗證中南大光電中國大陸-已有2家客戶通過認證-彤程新材（北京科華）中國大陸量產量產預計于2023年末建成研發平臺-上海新陽中國大陸驗證中小批量產驗證中-晶瑞電材中國大陸量產通過測試，預計2022年批量供貨研發中-徐州博康中國大陸驗證中已量產驗證中-ArF光刻膠光刻膠KrF光刻膠光刻膠g/i線線光刻膠光刻膠EUVJSR24%18%15%-信越化學23%22%-東京應化20%34%26%52%住友化學15%-15%-陶氏5%1

63、1%18%-其它13%15%26%48%29華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 光刻膠：光刻膠：注：取wind一致估值，日期截至2022年6月26日圖表圖表 行業基礎情況行業基礎情況圖表圖表 光刻膠企業客戶情況光刻膠企業客戶情況圖表圖表 光刻膠企業財務數據光刻膠企業財務數據主要材料主要材料制造環節中的成本占比制造環節中的成本占比主要用途主要用途發展趨勢發展趨勢2021年全球市場空間（億美元）年全球市場空間（億美元）20212026 CAGR國產化率國產化率光刻膠（不包括配套材料）6%將掩膜版上的圖形轉移到硅片上ArF占據主流25

64、5.55%10%公司公司市值市值（億元）（億元）歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤（億元）PEFY21業績回顧（億元）業績回顧（億元）FY21關鍵比率關鍵比率主要產品主要產品22E23E24E22E23E24E半導體半導體材料收入占材料收入占比比營業營業總收入總收入YoY歸母歸母凈利潤凈利潤YoY毛利率毛利率凈利率凈利率ROE研發費用研發費用率率員工總數員工總數南大光電1742.202.873.63796148-9.8465.46%1.3656.55%43.42%18.61%8.75%11.94%1112 電子特氣、光刻膠及配套材料、高純ALD/CVD前驅體、MO源彤程新材1894.957.519.

65、293825204.98%23.0812.83%3.27-20.44%24.92%13.42%12.84%6.35%970 光刻膠晶瑞電材1042.373.434.5044302334.61%18.3279.21%2.01161.20%21.12%11.32%13.99%2.53%619 光刻膠、濕電子化學品臺積電臺積電中芯國際中芯國際華虹宏力華虹宏力華力微電子華力微電子長江存儲長江存儲武漢新芯武漢新芯長鑫存儲長鑫存儲華潤微華潤微士蘭微士蘭微其它客戶其它客戶南大光電分別通過一家存儲芯片制造企業與邏輯芯片制造企業的驗證彤程新材晶瑞電材資料來源：wind、各公司公告、SEMI、IC Insight

66、s，華安證券研究所整理30華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所目錄目錄1下 游 晶 圓 廠 擴 產 推 動 半 導 體 制 造 材 料 需 求 上 漲下 游 晶 圓 廠 擴 產 推 動 半 導 體 制 造 材 料 需 求 上 漲2硅 片：海 外 龍 頭 持 續 滿 產，本 土 企 業 迎 來 機 遇硅 片：海 外 龍 頭 持 續 滿 產，本 土 企 業 迎 來 機 遇3電 子 特 氣：國 產 化 提 速，細 分 品 類 逐 個 擊 破電 子 特 氣：國 產 化 提 速，細 分 品 類 逐 個 擊 破4拋 光 液拋 光 液/墊：本 土 企 業 實 力 強 勁，成

67、 功 打 破 海 外 壟 斷墊：本 土 企 業 實 力 強 勁，成 功 打 破 海 外 壟 斷5光 刻 膠：壁 壘 較 高 的 半 導 體 材 料，國 產 替 代 道 阻 且 長光 刻 膠：壁 壘 較 高 的 半 導 體 材 料，國 產 替 代 道 阻 且 長6濕 電 子 化 學 品：厚 積 薄 發，扶 搖 而 上 正 當 時濕 電 子 化 學 品：厚 積 薄 發，扶 搖 而 上 正 當 時7靶 材：本 土 企 業 積 極 擴 產，把 握 市 場 機 遇靶 材：本 土 企 業 積 極 擴 產，把 握 市 場 機 遇31華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所濕電子

68、化學品是濕法工藝（主要包括濕法刻蝕、清洗等）制程中使用的各種液體化工材料，全球市場規模約全球市場規模約2020億美元億美元分類方式（根據配方）：通用、功能性敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 濕電子化學品濕電子化學品-基礎介紹：基礎介紹：資料來源：中國電子材料行業協會，華安證券研究所圖表圖表 濕電子化學品分類方式濕電子化學品分類方式圖表圖表 半導體用濕電子化學品市占率情況半導體用濕電子化學品市占率情況資料來源：CNKI、中國電子材料行業協會，華安證券研究所類別類別子類別子類別品名品名市占率市占率通用濕電子化學品（超凈高純試劑）酸類氫氟酸、硝酸、鹽酸、磷酸、硫酸、乙酸80%+堿類氨水、氫氧化鈉、氫氧

69、化鉀、四甲基氫氧化銨有機溶劑類醇類甲醇、乙醇、異丙醇酮類丙酮、丁酮、甲基異丁基酮酯類乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸義戊酯烴類苯、二甲苯、環己烷鹵代烴類三氯乙烯、三氯乙烷、氯甲烷、四氟化碳其他類雙氧水功能性化學品（配方型）復配類顯影液、剝離液、清洗液、刻蝕液、稀釋液等10%+硫酸硫酸31%雙氧水雙氧水29%顯影液顯影液10%氨水氨水8%氫氟酸氫氟酸5%刻蝕液刻蝕液5%硝酸硝酸4%異丙醇異丙醇3%剝離液剝離液2%其它其它3%32華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所制造設備主要依賴進口：制造設備主要依賴進口：濕電子化學品的上游原材料為硫酸、鹽酸、氟硅酸等各類基礎化工原材料

70、，當前國內相關企業較多，但用于制造濕電子化學品的刻蝕/清洗設備具有較高的制造工藝壁壘，國內企業在相關領域起步較晚，所以國內濕電子化學品對進口設備依存度較高技術挑戰：技術挑戰：純度（關鍵在于提純技術和分析檢測技術）、配方（主要針對功能性濕電子化學品）趨勢：趨勢：更高純度（12英寸晶圓要求濕電子化學品的純度至少達到G4。芯片線寬越精細，對濕電子化學品的純度要求越高）；用量隨晶圓尺寸增大而提升（12英寸晶圓在制造過程中使用的濕電子化學品消耗量約是8英寸晶圓的5倍、6英寸晶圓消耗量的8倍）敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 濕電子化學品濕電子化學品-基礎介紹：基礎介紹：資料來源：微電子工業對超凈高純化學品

71、的質量要求、中國電子材料行業協會，華安證券研究所圖表圖表 線寬越精細，對濕電子化學品純度要求越高線寬越精細，對濕電子化學品純度要求越高SEMISEMI標準標準金屬雜質金屬雜質1010-9 9控制粒徑（控制粒徑（umum）顆粒（個顆粒（個/mL)mL)適應適應ICIC線寬范圍（線寬范圍（umum）對應國內標準對應國內標準C1(Grade 1）1000（1ppm）1.0251.2EL級C7(Grade 2)10（10ppb）0.5250.81.2UP級C8(Grade 3)1.0（1ppb）0.550.20.6UP-S級C12(Grade 4）0.1（0.1ppb)0.2供需雙方協定0.090.2

72、UP-SS級Grade 50.01（10ppt)供需雙方協定供需雙方協定0.09UP-SSS級注：線寬指IC生產工藝可達到的最小導線寬度，是IC工藝先進水平的主要指標。0.8um及以上的硅片主要用于制造分立器件，0.6um及以下硅片主要用于大規模/超大規模集成電路制造33華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所海外企業的共通點：海外企業的共通點：種類相對齊全種類相對齊全更易吸引客戶：更易吸引客戶：海外龍頭產品種類齊全，尤其在G5級別的產品上較本土企業具有更豐富的種類，因此更易吸引客戶并購整合并購整合擴大市占率：擴大市占率：海外龍頭均選擇通過并購擴大市占率并提高產品

73、競爭力敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 濕電子化學品濕電子化學品-競爭格局：競爭格局：資料來源：各公司官網、各公司公告，華安證券研究所圖表圖表 濕電子化學品企業市占率情況濕電子化學品企業市占率情況圖表圖表 部分本土濕電子化學品企業部分產品布局對比部分本土濕電子化學品企業部分產品布局對比資料來源：華安證券研究所整理市占率市占率具體公司具體公司歐美企業36%德國巴斯夫、美國亞仕蘭、美國Arch、美國霍尼韋爾、美國空氣化工、美國Avantor Performance Materials、德國Henkel日本企業28%關東化學、三菱化學、和光純藥、住友化學、東京應化等韓國企業16%東友、東進等中國臺灣企

74、業11%長興化學、聯仕、臺硝等中國大陸企業5%江化微、晶瑞股份等硫酸硫酸雙氧水雙氧水氨水氨水氫氟酸氫氟酸硝酸硝酸異丙醇異丙醇晶瑞電材G1-G5G1-G5G1-G5G1-G4G1-G4G1-G5江化微G1-G5G1-G3G1-G5G1-G3G1-G4G1-G3新宙邦G1-G5G1-G5G1-G5G1-G4中巨芯G1-G5G1-G534華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 濕電子化學品：濕電子化學品：注：取wind一致估值，日期截至2022年6月26日圖表圖表 行業基礎情況行業基礎情況圖表圖表 濕電子化學品企業客戶情況濕電子化學品企業

75、客戶情況圖表圖表 濕電子化學品企業財務數據濕電子化學品企業財務數據主要材料主要材料制造環節中的成本占比制造環節中的成本占比主要用途主要用途發展趨勢發展趨勢2021年全球市場空間（億美元）年全球市場空間（億美元）20212026 CAGR國產化率國產化率濕電子化學品5%清洗、刻蝕用量隨晶圓尺寸增大而提升更高純度205.90%20%臺積電臺積電中芯國際中芯國際華虹宏力華虹宏力華力微電子華力微電子長江存儲長江存儲武漢新芯武漢新芯長鑫存儲長鑫存儲華潤微華潤微士蘭微士蘭微其它客戶其它客戶晶瑞電材江化微長電科技等新宙邦其它行業頭部客戶中巨芯SK海力士、德州儀器、廈門聯芯等公司公司市值市值（億元）（億元）歸

76、母凈利潤（億元）歸母凈利潤（億元）PEFY21業績回顧（億元）業績回顧（億元）FY21關鍵比率關鍵比率主要產品主要產品22E23E24E22E23E24E半導體半導體材料收入材料收入占比占比營業營業總收入總收入YoY歸母歸母凈利潤凈利潤YoY毛利率毛利率凈利率凈利率ROE研發費用研發費用率率員工總數員工總數晶瑞電材1042.373.434.5044302334.61%18.3279.21%2.01161.20%21.12%11.32%13.99%2.53%619 光刻膠、濕電子化學品江化微671.422.253.2347302148.48%7.9240.50%0.57-2.90%22.15%7

77、.06%4.99%4.57%579 濕電子化學品、光刻膠配套試劑（包括半導體和面板）新宙邦38019.6423.8128.851916133.08%69.51134.76%13.07152.36%35.49%19.63%22.43%5.86%2889 濕電子化學品資料來源：wind、各公司公告、SEMI、IC Insights，華安證券研究所整理35華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所目錄目錄1下 游 晶 圓 廠 擴 產 推 動 半 導 體 制 造 材 料 需 求 上 漲下 游 晶 圓 廠 擴 產 推 動 半 導 體 制 造 材 料 需 求 上 漲2硅 片：海

78、 外 龍 頭 持 續 滿 產，本 土 企 業 迎 來 機 遇硅 片：海 外 龍 頭 持 續 滿 產，本 土 企 業 迎 來 機 遇3電 子 特 氣：國 產 化 提 速，細 分 品 類 逐 個 擊 破電 子 特 氣：國 產 化 提 速，細 分 品 類 逐 個 擊 破4拋 光 液拋 光 液/墊：本 土 企 業 實 力 強 勁，成 功 打 破 海 外 壟 斷墊：本 土 企 業 實 力 強 勁，成 功 打 破 海 外 壟 斷5光 刻 膠：壁 壘 較 高 的 半 導 體 材 料，國 產 替 代 道 阻 且 長光 刻 膠：壁 壘 較 高 的 半 導 體 材 料，國 產 替 代 道 阻 且 長6濕 電 子

79、化 學 品：厚 積 薄 發，扶 搖 而 上 正 當 時濕 電 子 化 學 品：厚 積 薄 發，扶 搖 而 上 正 當 時7靶 材：本 土 企 業 積 極 擴 產，把 握 市 場 機 遇靶 材：本 土 企 業 積 極 擴 產，把 握 市 場 機 遇36華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所靶材是用于濺射法沉積薄膜的原材料，被用于制造和封測環節，制造用靶材全球市場規模約制造用靶材全球市場規模約1111億美元億美元（封測用靶材全球市場規模約6億美元）分類（根據材料）：銅靶、鉭靶、鋁靶、鈦靶、鎳鉑合金、鈷靶、鎢鈦合金、鎢靶敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 靶材靶材-基礎介

80、紹：基礎介紹：資料來源：中國電子材料行業協會，華安證券研究所圖表圖表 濺射工藝原理圖濺射工藝原理圖圖表圖表 半導體用靶材分類方式半導體用靶材分類方式資料來源：江豐電子招股說明書，華安證券研究所分類分類應用環節應用環節應用說明應用說明備注備注銅靶導電層高純銅材料因電阻很低，對芯片集成度的提高非要有效，因此在110nm以下技術節點中被大量用作布線材料銅靶和鉭靶通常配合起來使用。晶圓的制造技術向著更小的制程發展，銅導線工藝的應用量在增大，因此銅靶和鉭靶的需求有望持續增長鉭靶阻擋層高純鉭靶主要用在12英寸晶圓片90nm以下的高端半導體芯片上鋁靶導電層高純鋁靶在制造半導體芯片導電層方面應用甚廣，但因其響

81、應速度方面的原因，而在110nm以下技術節點中很少應用鋁靶和鈦靶通常配合使用。目前在汽車電子芯片等需要110nm以上技術節點來保證其穩定性和抗干擾性的領域仍需大陸使用鋁靶和鈦靶鈦靶阻擋層高純鈦靶主要用在8英寸晶圓片130nm和180nm技術節點上鎳鉑合金接觸層可與芯片表面的硅層生成一層薄膜，起到接觸層作用鈷靶接觸層可與芯片表面的硅層生成一層薄膜，起到接觸層作用鎢鈦合金接觸層鎢鈦合金，由于其電子遷移率低等優點，可作為接觸層材料用于芯片的門電路中鎢靶主要用于半導體芯片存儲器領域37華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所原材料主要依賴進口：原材料主要依賴進口：原材料高

82、純金屬（金屬純度通常為5N5以上，即99.9995%以上）成本占靶材生產成本比例的80%左右，且高度依賴進口技術挑戰：技術挑戰：高純金屬純度控制及提純技術、晶粒晶向控制技術、異種金屬大面積焊接技術、金屬的精密加工及特殊處理技術、清洗包裝技術趨勢：趨勢：更高純度（為滿足半導體更高精度、更細小微米工藝的需求，所需的靶材純度不斷攀升，甚至達到6N以上）敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 靶材靶材-基礎介紹：基礎介紹：資料來源：頭豹研究院，華安證券研究所圖表圖表 靶材制造工藝靶材制造工藝圖表圖表 五大核心技術是影響靶材質量的關鍵五大核心技術是影響靶材質量的關鍵技術技術功能功能產品要求產品要求超高純金屬控制

83、和提純技術減少靶材雜質。提高材料導電性能使互聯線不易短路或斷路半導體對靶材純度要求十分嚴格，通常要求靶材純度達到99.9995%（5N5）以上晶粒晶向控制技術使各晶粒的大小和排列方向相同，保證濺射成膜的均勻性和濺射速度濺射時，靶材的原子最容易沿著密排面方向優先濺射出來，所以需根據靶材的組織結構特點，采用不同的成型方法和熱處理工藝進行靶材的結晶取向控制異種金屬大面積焊接技術連接靶胚和背板，起到靶材的固定作用多數靶材（銅、鋁等）在濺射前須與背板綁定從而確保其濺射時導熱導電狀況良好，有效焊合率使評判綁定質量的標準，一般要求大于95%以上金屬的精密加工及特殊處理技術利用精密機臺使靶材的尺寸和形狀與要鍍

84、膜的基片匹配下游客戶對濺射靶材的尺寸要求很高，較小的偏差會影響濺射反應過程和濺射產品的性能靶材的清洗包裝技術 使靶材潔凈程度滿足生產要求對潔凈程度要求極高資料來源：立鼎產業研究院，華安證券研究所38華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所海外企業的共通點：海外企業的共通點：種類相對齊全且布局更高種類相對齊全且布局更高更良好的客戶關系：更良好的客戶關系：海外龍頭可根據客戶需求提供多種適用于先進制程的定制化產品（包括高純金屬靶材與化合物靶材），且由于布局較早，所以與客戶建立了更為良好的關系并購整合并購整合擴大市占率：擴大市占率：海外龍頭在后期發展中通常選擇通過并購擴大

85、市占率并提高產品競爭力敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 靶材靶材-競爭格局：競爭格局：資料來源：各公司官網，華安證券研究所圖表圖表 半導體用靶材企業競爭格局半導體用靶材企業競爭格局圖表圖表 部分本土企業部分半導體用靶材產品純度對比部分本土企業部分半導體用靶材產品純度對比資料來源：前瞻產業研究院，華安證券研究所日礦金屬日礦金屬30%30%霍尼韋爾霍尼韋爾20%20%東曹東曹20%20%普萊克斯普萊克斯10%10%其它其它20%20%注：“/”指公司官網未公開純度，“”指公司官網未顯示相關產品高純鋁高純鋁及鋁合及鋁合金靶材金靶材高純鈦高純鈦靶及鈦靶及鈦環環高純銅、高純銅、銅合金銅合金靶材靶材高純鉭、

86、高純鉭、鉭合金鉭合金靶材靶材鈷靶鈷靶鎳及鎳合金鎳及鎳合金鉻靶鉻靶鉬靶鉬靶鎢鈦鎢鈦銀銀金金鉑鉑江豐電子4N5N54N55N4N4N55N6N3N55N/-/-有研新材5N5N54N4N55N6N4N4N55N3N54N53N54N3N54N4N54N5N4N5N4N擴產規劃擴產規劃江豐電子擬分別使用7.82億元、3.17億元，在寧波、浙江海寧兩地建設年產5.2萬個超大規模集成電路用超高純金屬濺射靶材產業化項目和年產1.8萬個超大規模集成電路用超高純金屬濺射靶材產業化項目有研新材有研億金靶材擴產項目投資總額將增加至6.46億元，項目建成后產能達到73,000塊/年，預計2025年底前達產資料來源：

87、各公司公告，華安證券研究所圖表圖表 部分本土企業半導體用靶材擴產計劃部分本土企業半導體用靶材擴產計劃39華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 靶材：靶材：注：取wind一致估值，日期截至2022年6月26日圖表圖表 行業基礎情況行業基礎情況圖表圖表 靶材企業客戶情況靶材企業客戶情況圖表圖表 靶材企業財務數據靶材企業財務數據主要材料主要材料制造環節中的成本占比制造環節中的成本占比主要用途主要用途發展趨勢發展趨勢2021年全球市場空間（億美元）年全球市場空間（億美元）20212026 CAGR國產化率國產化率靶材3%芯片中制備薄膜的元

88、素級材料，通過磁控進行精準放置12英寸傾向于使用銅靶與鉭靶更高純度115.10%30%臺積電臺積電中芯國際中芯國際華虹宏力華虹宏力華力微電子華力微電子長江存儲長江存儲武漢新芯武漢新芯長鑫存儲長鑫存儲華潤微華潤微士蘭微士蘭微其它客戶其它客戶江豐電子聯電、格羅方德、美光、海力士、瑞薩、ST等國內外知名廠商有研新材大連Intel、聯電、格羅方德等公司公司市值市值（億元）（億元）歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤（億元）PEFY21業績回顧（億元）業績回顧（億元）FY21關鍵比率關鍵比率主要產品主要產品22E23E24E22E23E24E半導體半導體材料收入材料收入占比占比營業營業總收入總收入YoY歸母歸母

89、凈利潤凈利潤YoY毛利率毛利率 凈利率凈利率ROE研發費用研發費用率率員工總數員工總數江豐電子1422.293.604.6762403185.87%15.9436.64%1.07-27.55%25.56%6.23%8.77%6.16%1365 靶材CMP用保持環拋光墊活化盤有研新材1584.666.858.573423180.32%160.5923.82%2.3940.21%4.33%1.56%7.19%1.19%2076 靶材資料來源：wind、各公司公告、SEMI、IC Insights，華安證券研究所整理40華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所重要聲明重

90、要聲明分析師聲明分析師聲明本報告署名分析師具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格，以勤勉的執業態度、專業審慎的研究方法，使用合法合規的信息，獨立、客觀地出具本報告，本報告所采用的數據和信息均來自市場公開信息，本人對這些信息的準確性或完整性不做任何保證，也不保證所包含的信息和建議不會發生任何變更。報告中的信息和意見僅供參考。本人過去不曾與、現在不與、未來也將不會因本報告中的具體推薦意見或觀點而直接或間接收任何形式的補償，分析結論不受任何第三方的授意或影響，特此聲明。免責聲明免責聲明華安證券股份有限公司經中國證券監督管理委員會批準，已具備證券投資咨詢業務資格。本報告中的信息均來源于合規渠道，

91、華安證券研究所力求準確、可靠，但對這些信息的準確性及完整性均不做任何保證，據此投資，責任自負。本報告不構成個人投資建議，也沒有考慮到個別客戶特殊的投資目標、財務狀況或需要?？蛻魬紤]本報告中的任何意見或建議是否符合其特定狀況。華安證券及其所屬關聯機構可能會持有報告中提到的公司所發行的證券并進行交易，還可能為這些公司提供投資銀行服務或其他服務。本報告僅向特定客戶傳送，未經華安證券研究所書面授權，本研究報告的任何部分均不得以任何方式制作任何形式的拷貝、復印件或復制品，或再次分發給任何其他人，或以任何侵犯本公司版權的其他方式使用。如欲引用或轉載本文內容，務必聯絡華安證券研究所并獲得許可，并需注明出處

92、為華安證券研究所，且不得對本文進行有悖原意的引用和刪改。如未經本公司授權，私自轉載或者轉發本報告，所引起的一切后果及法律責任由私自轉載或轉發者承擔。本公司并保留追究其法律責任的權利。投資評級說明投資評級說明以本報告發布之日起6個月內，證券（或行業指數）相對于同期滬深300指數的漲跌幅為標準，定義如下：行業評級體系行業評級體系增持：未來 6 個月的投資收益率領先滬深 300 指數 5%以上；中性：未來 6 個月的投資收益率與滬深 300 指數的變動幅度相差-5%至 5%;減持：未來 6 個月的投資收益率落后滬深 300 指數 5%以上;公司評級體系公司評級體系買入：未來6-12個月的投資收益率領

93、先市場基準指數15%以上；增持：未來6-12個月的投資收益率領先市場基準指數5%至15%；中性：未來6-12個月的投資收益率與市場基準指數的變動幅度相差-5%至5%；減持：未來6-12個月的投資收益率落后市場基準指數5%至15%；賣出：未來6-12個月的投資收益率落后市場基準指數15%以上無評級：因無法獲取必要的資料，或者公司面臨無法預見結果的重大不確定性事件，或者其他原因，致使無法給出明確的投資評級。市場基準指數為滬深300指數。41華安研究華安研究 拓展投資價值拓展投資價值華安證券研究所華安證券研究所謝謝！謝謝！風險提示：風險提示：1 1）產品替代）產品替代/驗證進度不及預期；驗證進度不及預期；2 2）競爭加劇致廠商利潤率下滑）競爭加劇致廠商利潤率下滑