SiO2與高K柵介電層比較 在半導體領域,公司是國內首家成功將量產型 High-k原子層沉積設備應用于 28nm節點集成電路制造前道生產線的國產設備公司。該 High-k設備主要用于 28nm柵介質氧化鉿薄膜沉積,打破了國際知名設備大廠的壟斷,總體表現和工藝關鍵性能參數達到國際同類水平,并已獲得客戶重復訂單認可。 行業數據 下載Excel 下載圖片 原圖定位