在電動汽車電控系統方面，目前電控模組主要以 IGBT 模組與冷面之間的剛性界面涂抹導熱硅脂為主要方式，減少熱阻隔?，F下電控系統最大的趨勢是從 Si IGBT 過渡到 SiC MOSFET。這種過渡導致結溫升高（SiC MOSFET 的結溫為 175+℃甚至 200+℃，而 Si IGBT 的結溫僅為 150℃）。這種趨勢對高性能 TIM 和芯片連接材料的需求有望不斷提高。截至 2024 年初，用于電動汽車電力電子器件的典型 TIM2 的熱導率約為 3.5 W/mK，但隨著時間的推移，這一系數有望提高。例如安森美（onsemi）VE-Trac 中應用的霍尼韋爾（Honeywell）PTM7000，其熱導率達到了 6.5 W/mK。