過程控制：半導體晶圓制造過程中不同工藝之后，往往需要進行尺寸測量、缺陷檢測等，用于工藝控制、良率管理，要求快速、準確。尺寸測量、缺陷檢測等應用于每道制程工藝之后。IC 量測設備用于工藝控制、良率管理，檢測要求快速、準確、非破壞。IC 量測在發展過程中，在尺寸微縮、復雜 3D、新型材料方面面臨各類技術難點，面對諸如存儲、CIS、化合物半導體等不同半導體檢測等多種需求不斷升級。IC 量測設備的技術類別包括探針顯微鏡、掃描/透射電鏡、光學顯微鏡、橢偏/散射儀等，技術發展方向包括延續現有的非破壞測量技術，電鏡方面推進并行電子束技術，散射儀向 EUV、X 射線延伸以縮小波長，并聯合多種測量手段和機器學習實現混合測量等。