CMP 技術發展至今已有半世紀，伴隨技術節點進步，其應用領域不斷拓寬。由于晶體管尺寸不斷縮小，IC 制造的橫向空間逐漸飽和，能夠提高垂直空間利用率的多層金屬互聯技術開始出現，但隨之也帶來了層數增多、晶圓表面起伏明顯等問題，進而導致布線易短路、光刻時線寬難以控制。由此，CMP 開始登上了歷史舞臺。從 0.35～0.25μm技術節點開始，CMP 技術正式成為唯一可實現全局平坦化的 IC 關鍵技術。0.18～0.13μm時，銅正式取代鋁成為主流導線材料，CMP 也成為銅互連必不可少的工藝制程。步入 30～20nm 時期后，Cu 互連又不再適用，新的互連材料及互連技術不斷被開拓，應用于鈷互連的 CMP 等技術又成了發展方向。14nm 后，CMP 已成為實現 FinFET（鰭式場效應晶體管）、硅通孔（TSV）等技術的關鍵支撐。