GaN 器件相比 Si 器件具有導通損耗小、開關頻率高、可雙向導通等優勢。GaN 制成的功率器件一般被稱為 GaN HEMT，與傳統硅器件不同，GaN HEMT 利用二維電子氣（2DEG）進行高效導電，2DEG 電子濃度高，沒有體二極管和結電容的影響， 疊加 GaN 材料的高電子遷移率，GaN HEMT 可以實現極低的導通電阻、極高的開關頻率。同時由于沒有 PN 結，GaN 器件可以雙向導通。