碳化硅基的功率元器件替代優勢明顯。據天岳先進招股說明書，相同規格的碳化硅基MOSFET 與硅基 MOSFET 相比，其尺寸可大幅減小至原來的 1/10，導通電阻可至少降低至原來的 1/100。相同規格的碳化硅基MOSFET較硅基 IGBT的總能量損耗可大大降低 70%。由于更低的導通損耗和開關損耗、更高的開關頻率、可減小模塊體積等杰出特性，碳化硅器件應用廣泛，如新能源汽車電機驅動系統、充電樁、新能源汽車車載充電機（OBC）、光伏逆變器、風電整流器、大型服務器、軌道交通牽引變流器、智能電網等場景。