單晶爐更新迭代向低氧方向發展，配合超導磁場可實現更低的氧含量。過往單晶爐迭代主要向大尺寸方向演變，在 158 及以下尺寸的時代，主流廠家單晶爐設備熱屏內徑一般不超過 300mm。182 硅片直徑為 247mm，對應圓棒外徑約 252mm，幾乎達到老舊產線最大可兼容的尺寸；210 硅片的直徑為 295mm，對應圓棒外徑約 300mm，原有單晶爐設備不能適應 210 硅棒的拉制。從低氧低碳來看，單晶爐用坩堝包括石英坩堝與石墨坩堝，其中石墨坩堝用于維持石英坩堝的形狀。與硅熔體直接接觸的石英坩堝會帶入氧雜質，石墨坩堝又會引入碳雜質，碳氧雜質會造成單晶生長產生位錯/缺陷，嚴重時會導致變晶生長。隨著N 型 TOPCon 電池滲透率快速提升，高溫制程會導致 N 型 TOPCon 電池氧雜質產生同心 圓等問題 ，影響電池外觀良率及轉化效率。常規控氧要 通過控制提拉速度、加熱器功率、合理的熱場設計等避免碳氧雜質造成的晶體生長缺陷。而通過超導磁場控氧可達到更低的氧含量，可消除同心圓現象，提升硅棒產能及電池轉化效率。