相較于第三代半導體，單晶金剛石（SCD）和多晶金剛石（PCD）材料優勢更為顯著。金剛石襯底能夠有效解決 GaN 功率器件面臨的散熱難題，從而在相同尺寸下，制造出具有更高功率密度的 GaN 基功率器件，顯著提升器件的性能和穩定性。與硅（Si）相比，金剛石芯片可以使轉換器輕 5倍，體積更??；與碳化硅（SiC）相比：成本可以便宜 30%，所需的材料面積僅為 SiC 芯片的 1/50，減少 3 倍的能量損耗，并將芯片體積縮小 4 倍，從而大幅降低能耗。在注重系統體積和重量時，通過提升開關頻率，金剛石器件能夠使無源元件的體積減少 4 倍，同時配合更小的散熱器。