料以硅（Si）、鍺（Ge）等為代表，第二代化合物材料以砷化鎵（GaAs）等為代表，第三代寬禁帶材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等為代表。 ? SiC MOSFETS 優勢突出，更適合高壓領域。相對于 Si 基材料，SiC MOSFETS 具有低導通損耗、低開關損耗、高開關頻率、高功率密度等優點，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，適用于新能源車、風電光伏等高壓領域，在 800V 高壓平臺的電動汽車可以充分體現快充、節能的優勢。