半導體芯片靶材主要運用：高純包靶12英寸晶圓片90nm

據數據顯示，半導體芯片材料主要有銅靶、鉭靶、鋁靶、鈦靶、鎳鉑合金、鈷靶、鎢鈦合金、鎢靶等，其銅靶主要是導電層，運用說明是高純銅材料因電阻很低，對芯片集成度的提高非常有效，因此在110nm 以下技術節點中被大量用作布線材料。

鉭靶主要是阻擋層，運用說明是高純包靶主要用在12英寸晶圓片90nm 以下的高端半導體芯片上;鋁靶主要是導電層，其運用說明高純鋁靶在制作半導體芯片導電層方面應用甚廣，但因其響應速度方面的原因，而在110nm 以下技術節點中很少應用。

鈦靶主要是阻擋層，運用說明高純鈦靶主要用在8英寸晶圓片130nm和180nm技術節點上;鎳鉑合金和鈷靶主要是接觸層，而運用說明可與芯片表面的硅層生成一層薄膜，起到接觸層作用;鎢鈦合金主要是接觸層，其主要運用說明是鎢鈦合金，由于其電子遷移率低等優點，可作為接觸層材料用于芯片的門電路中。鎢靶主要運用說明是主要用于半導體芯片存儲器領域。

銅靶、鉭靶的運用備注是銅靶和但靶通常配合起來使用。晶圖的制造技術向著更小的制程發展，銅導線工藝的應用量在增大，因此銅和但靶的需求有望持續增長。

鋁靶、鈦靶的運用備注是鋁靶和鈦靶通常配合使用。目前在汽車電子芯片等需要110nm以上技術節點來保證其穩定性和抗干擾性的領域，仍需大量使用鋁、鈦靶材。

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數據來源《【公司研究】江豐電子-濺射靶材龍頭橫向縱向延伸完成產業鏈布局-210405(22頁).pdf》