半導體設備行業專題報告：四重邏輯共振繼續看好半導體設備投資機會-230413（31頁）.pdf

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1、半導體設備專題報告：半導體設備專題報告：四重邏輯共振，繼續看好半導體設備投資機會四重邏輯共振，繼續看好半導體設備投資機會證券研究報告 行業研究 專用設備證券分析師：周爾雙執業證書編號：S0600515110002聯系郵箱：證券分析師：黃瑞連執業證書編號：S0600520080001聯系郵箱：2023年4月13日2核心觀點核心觀點邏輯一：美、荷、日相繼加碼制裁，半導體設備國產替代邏輯持續強化。邏輯一：美、荷、日相繼加碼制裁，半導體設備國產替代邏輯持續強化。繼2022年10月美國對中國大陸半導體設備制裁升級后，2023年荷蘭、日本相繼加入限制陣營，主要聚焦在先進制程領域。整體來看，半導體設備國產化

2、率仍處于低位，對于量/檢測、涂膠顯影、離子注入設備等，我們預估2022年國產化率仍低于10%，國產替代空間較大。在技術層面上，國產半導體設備企業在薄膜沉積、刻蝕、量/檢測、CMP、清洗等領域均已具備一定先進制程設備技術積淀，產業化進程快速推進，具備持續擴張的底層技術基礎。海外制裁升級背景下，半導體設備進口替代邏輯持續強化，我海外制裁升級背景下，半導體設備進口替代邏輯持續強化，我們看好晶圓廠加速國產設備導入，們看好晶圓廠加速國產設備導入，2023年半導體設備國產化率提升有望超出市場預期。年半導體設備國產化率提升有望超出市場預期。邏輯二：擴產預期上修靜待招標啟動，半導體景氣復蘇同樣利好設備。邏輯二

3、：擴產預期上修靜待招標啟動，半導體景氣復蘇同樣利好設備。1）擴產預期上修靜待招標啟動：）擴產預期上修靜待招標啟動：作為內資邏輯晶圓代工龍頭，中芯國際已成為擴產主力，2022年資本開支達到63.5億美元，同比+41%，并預計2023年基本持平。此外存儲擴產好于先前預期，晉華、粵芯等二三線晶圓廠合計資本開支有望持續提升，隨著Q2國內晶圓廠招標陸續啟動，國內半導體設備公司訂單有望持續兌現。2）半導體景氣復蘇同樣利好設備：）半導體景氣復蘇同樣利好設備：2023Q3美光營收指引為35-39億美元，環比-5%+6%，中樞基本持平；此外，中國大陸IC設計龍頭庫存水位開始下降，2022Q4末行業存貨周轉天數環

4、比下降5%，靜待行業景氣拐點出現。歷史數據表明，全球半導體設備與半導體銷售額同比增速高度聯動，同時在行業上行周期時，半導體設備可以表現出更強增長彈性。SEMI預計預計2024年全球晶圓廠設備支出約年全球晶圓廠設備支出約920億美元，同比增長億美元，同比增長21%，進，進入下一輪上行周期。對于中國大陸市場，疊加自主可控需求，我們看好入下一輪上行周期。對于中國大陸市場，疊加自主可控需求，我們看好2024年半導體設備需求加速放量。年半導體設備需求加速放量。邏輯三：政策扶持利好持續落地，大基金二期投資重新啟動。邏輯三：政策扶持利好持續落地，大基金二期投資重新啟動。2023年科技自主可控已經上升到舉國體

5、制，組建中央科技委，國家層面加大集成電路產業扶持力度；多省市將集成電路半導體芯片納入當地政府報告，并從技術創新、項目建設、資金支持、標準制定等層面支持產業鏈發展，政策利好持續落地。此外，盡管大基金一期正在有序退出，大基金二期不斷加碼半導體制造、裝備、材料等環節，2023年3月國家大基金二期投資重新啟動，有望引發市場投資熱情。邏輯四：邏輯四：AI算力需求持續提升，半導體設備算力需求持續提升，半導體設備承接承接AI擴散行情擴散行情。OpenAI模型持續迭代，國內互聯網大廠紛紛推出大模型，算力需求持續提升背景下，AI芯片市場規模持續擴張，2025年我國AI芯片市場規模將達到1780億元，2019-2

6、025GAGR可達42.9%。截止2023年4月10號，ChatGPT指數累計漲幅64.22%，估值處在歷史85.74%分位，AI行業發展大趨勢下，我們認為AI行情有望持續擴散，支撐各類芯片的底層半導體設備有望成為AI行情擴散的下一個方向。投資建議：投資建議：1）前道設備：）前道設備：低國產化率環節重點推薦拓荊科技、精測電子、芯源微拓荊科技、精測電子、芯源微等；低估值標的重點推薦北方華創、北方華創、賽騰股份、至純科技、華海清科賽騰股份、至純科技、華海清科等；其他重點推薦中微公司、萬業企業、盛美上海。中微公司、萬業企業、盛美上海。2）后道設備：）后道設備：重點推薦長川科長川科技、華峰測控；技、華

7、峰測控；3）零部件：）零部件：重點推薦正帆科技、新萊應材、富創精密、華亞智能正帆科技、新萊應材、富創精密、華亞智能等細分賽道龍頭。風險提示：風險提示：海外制裁、半導體行業景氣度下滑、晶圓廠資本開支不及預期等。OXiWiXQVkYiXsRoNnP7N9RbRtRqQtRmPlOqQsOlOpOsO9PpPvNxNnOyRuOqMoR二二、擴產上修靜待招標啟動，半導體景氣復蘇同樣利好設備、擴產上修靜待招標啟動，半導體景氣復蘇同樣利好設備四、四、AI算力需求持續提升，半導體設備承接算力需求持續提升，半導體設備承接AI擴散行情擴散行情目錄目錄三、政策扶持利好持續落地，大基金二期投資重新啟動三、政策扶持

8、利好持續落地，大基金二期投資重新啟動五五、投資建議與風險提示、投資建議與風險提示一一、美、荷、日相繼加碼制裁，國產替代邏輯持續強化美、荷、日相繼加碼制裁，國產替代邏輯持續強化4圖：本輪制裁升級對設備管控以薄膜沉積設備為主圖：本輪制裁升級對設備管控以薄膜沉積設備為主資料來源：BIS，東吳證券研究所2022年年10月月7日，美國對向中國半導體產業制裁升級，引發市場恐慌，核心體現在：日，美國對向中國半導體產業制裁升級，引發市場恐慌，核心體現在：1）對128層及以上3D NAND芯片、18nm半間距及以下DRAM內存芯片、16nm或14nm或以下非平面晶體管結構（即FinFET或GAAFET）邏輯芯片

9、相關設備進一步管控。2）在沒有獲得美國政府許可的情況下，美國國籍公民禁止在中國從事芯片開發或制造工作，包括美國設備的售后服務人員，引發市場對于本土半導體設備企業美籍高管&技術人員擔憂。CVDCVD使用自下而上的填充工藝在填充金屬中沉積3nm最大尺寸的空隙/接縫的鈷或鎢填充金屬沉積鎢層，同時將晶片襯底溫度保持在100C和500C之間可以在真空環境內制造金屬接觸的設備能夠在真空環境中選擇性沉積鈷金屬層的設備，其中第一步使用遠程等離子體發生器和離子過濾器，第二步是使用有機金屬化合物沉積鈷層能夠使用有機金屬化合物區域選擇性沉積屏障或襯墊的設備。(包括能夠區域選擇性沉積阻擋層的設備，以使得填充金屬能夠接

10、觸到下面的電導體。)在晶片襯底溫度保持在100-500之間的情況下，沉積有機金屬鎢化合物層?？梢赃M行化學成分包括氫氣、H2+N2、NH3的等離子體過程?？梢栽趩畏磻粌戎圃旖饘俳佑|的設備在化學成分包括氫氣（包括H2、H2+N2和NH3）的等離子體過程中使用表面處理，同時將晶片襯底溫度保持在100C和500C之間使用由等離子體工藝組成的表面處理，其中化學成分包括氧氣（包括O2和O3），同時將晶片襯底溫度保持在40C和500C之間；ALDALD能夠在寬高比大于5:1、開口小于40nm且溫度低于500C的結構中產生鎢或鈷的無空隙/無接縫填充物可以通過將有機金屬鋁化合物和鹵化鈦化合物輸送到晶片襯底上沉

11、積“功函數金屬”來調節晶體管電氣參數。使用物理濺射沉積技術的鈷層，其中工藝壓力為1-100 mTorr，同時保持晶片襯底溫度低于500使用有機金屬化合物的鈷層，其中工藝壓力為1-100托，晶片襯底溫度保持在20至500之間PVDPVD可以在真空環境中沉積以下銅-金屬互連材料的設備：使用有機金屬化合物的鈷或釕層，其中工藝壓力為1-100托，晶片襯底溫度保持在20和500之間在壓力為1-100m Torr，晶片襯底溫度保持在500以下使用物理氣相沉積技術的銅層能夠在銅或鈷金屬互連的頂表面上沉積厚度為10nm或更小鈷層的物理氣相沉積設備?？梢栽谡婵窄h境內通過沉積以下材料來制造金屬接觸使用有機金屬化合

12、物的氮化鈦（TiN）或碳化鎢(WC)層，同時將晶片襯底溫度保持在20至500之間。1.1 美國：制裁大幅升級，聚焦先進制程設備美國：制裁大幅升級，聚焦先進制程設備&技術人員技術人員5圖：圖：DUV1980主要用于成熟制程，多重曝光可以實現主要用于成熟制程，多重曝光可以實現14-10nm制程生產制程生產資料來源：ASML，東吳證券研究所2023年3月8日，荷蘭政府以“國家安全”為由，宣布將對包括“最先進的”深紫外光刻機（DUV）在內的特定半導體制造設備實施新的出口管制，并加入美國對華芯片出口管制的陣營。ASML官網發布公告對荷蘭政府設備出口限制進行解讀，ASML認為僅認為僅NXT:2000i以上

13、高端機型以上高端機型將需要申請出口許可，成熟制程客戶仍將可以使用將需要申請出口許可，成熟制程客戶仍將可以使用1980及以下型號浸沒式光刻機，我們認為及以下型號浸沒式光刻機，我們認為DUV出口限制對當前國內成熟晶圓廠擴產影響不大，或將加速設備進口替代進程。出口限制對當前國內成熟晶圓廠擴產影響不大，或將加速設備進口替代進程。2023年3月28日，荷蘭ASML總裁訪華，并與商務部部長會晤，雙方就阿斯麥在華發展等議題進行交流。ASML這一舉動或釋放想要改善對華關系的善意信息，我們認為未來荷蘭這一舉動或釋放想要改善對華關系的善意信息，我們認為未來荷蘭ASML或不或不會貿然擴大設備出口型號限制范圍，短期內

14、國內成熟制程晶圓廠供應鏈安全風險可控。會貿然擴大設備出口型號限制范圍，短期內國內成熟制程晶圓廠供應鏈安全風險可控。1.2 荷蘭：加入對華管制，成熟制程光刻機供應風險可控荷蘭：加入對華管制，成熟制程光刻機供應風險可控61.3 日本：新增日本：新增23種設備出口管制，聚焦種設備出口管制，聚焦14nm以下先進制程以下先進制程圖：日本半導體設備出口管制清單內容以先進制程制造設備為主圖：日本半導體設備出口管制清單內容以先進制程制造設備為主資料來源：METI，東吳證券研究所2023年年3月月31日，日本政府宣日，日本政府宣布將修訂外匯與外貿法相關法布將修訂外匯與外貿法相關法令，計劃令，計劃5月頒布，月頒布

15、，7月施行：月施行：1）清單擬對六大類23種先進半導體制造設備追加出口管制，主要包括極紫外線（EUV）相關產品的制造設備和用于存儲元件立體堆疊的刻蝕設備。按線寬來看，均為1014nm以下的先進制程制造設備。2）此次新增的23種半導體制造設備及技術在從日本對外出口時均會觸發出口許可證要求，而這些新增物項在出口至中新增物項在出口至中國大陸、國大陸、中國中國香港和中國澳門香港和中國澳門時將僅能申請流程較為復雜、時將僅能申請流程較為復雜、審批更加嚴格的許可證類型。審批更加嚴格的許可證類型。序號序號新增設備類型新增設備類型1薄膜設備（限于為使用極紫外線制造集成電路而特別設計的設備）2成膜設備，且滿足十項

16、特定參數性能之一3設計用于在真空或惰性環境中形成薄膜，且滿足特定參數性能的設備4設計用于在特定真空或惰性環境中形成薄膜，且滿足特定參數性能（與上一項參數性能不同）的設備5使用有機金屬化合物形成釕膜層的設備，且滿足特定參數性能6空間原子層沉積設備，且滿足特定參數性能7在特定溫度或通過特定方式成膜的設備，且滿足特定參數性能8設計用于硅（包括添加了碳的硅）或硅鍺（包括添加了碳的硅鍺）的外延生長設備，且滿足特定參數性能9設計通過特定方式形成特定鎢膜層的設備10設計用于通過特定方式形成特定低介電層，使之不留空隙的設備11為使用極紫外線制造集成電路的設備而特別設計的薄膜12采用步進重復式或步進掃描式處理晶

17、圓的光刻機，滿足特定參數性能13為極紫外線制造集成電路設計的對抗進行蝕劑涂布、成膜、加熱或顯影的設備14設計用于掩膜的，通過特定方式形成多層反射膜的設備（僅限為極紫外線制造集成電路設計的掩膜）15設計用于通過等離子體形成特定碳硬掩膜的設備16設計用于干法刻蝕的設備，且滿足特定參數性能17設計用于濕法刻蝕的設備，且滿足特定參數性能18設計用于各向異性干法刻蝕的設備，且滿足特定參數性能19設計用于在特定真空狀態下去除高分子殘留及銅氧化膜，以及進行銅的成膜的設備20具有多個腔體，設計用于通過干式工藝去除表面氧化物進行前處理的設備，或者設計用于通過干式工藝去除表面污染物的設備21具有晶圓表面改性后進行

18、干燥的工藝的單片式清洗設備221種退火種退火設備設備在真空狀態下工作的退火設備，且滿足特定參數性能231種量種量/檢檢測備測備為對使用極紫外線制造集成電路設計的掩膜，或該設計帶圖形的掩膜進行檢查而設計的設備11種薄膜種薄膜沉積設備沉積設備3種清洗種清洗設備設備4種光刻種光刻/曝光設備曝光設備3種刻蝕種刻蝕設備設備7圖：日本半導體設備廠商優勢領域集中于薄膜圖：日本半導體設備廠商優勢領域集中于薄膜/光刻光刻/涂膠顯影涂膠顯影/刻蝕刻蝕/清洗等領域清洗等領域資料來源：SEMI，中商產業研究院等，東吳證券研究所日本在涂膠顯影、清洗領域具備全球主導地位，并日本在涂膠顯影、清洗領域具備全球主導地位，并在薄

19、膜沉積、刻蝕等領域全球領先。在薄膜沉積、刻蝕等領域全球領先。日本半導體設備產業已涌現出TEL、DNS、Hitachi等全球龍頭，其中TEL為世界第三大半導體設備廠商，業務涵蓋涂膠顯影、CVD、ALD、刻蝕、清洗等，尤其在涂膠顯影設備領域占據主導地位，全球市場份額高達87%。此外，清洗設備也是日本半導體設備優勢領域，2019年DNS和TEL兩家合計全球占比達到77%。圖：圖：2021年年TEL營收位居全球半導體設備第三營收位居全球半導體設備第三資料來源：Wind，東吳證券研究所01002003002021年收入（億美元）1.3 日本：新增日本：新增23種設備出口管制，聚焦種設備出口管制，聚焦14

20、nm以下先進制程以下先進制程81.3 日本：新增日本：新增23種設備出口管制，聚焦種設備出口管制，聚焦14nm以下先進制程以下先進制程圖：圖：2022年國內晶圓廠日本設備中標占比情況年國內晶圓廠日本設備中標占比情況資料來源：中國國際招標網，東吳證券研究所（注：按數量）圖：圖：2021年日本設備占中國半導體設備進口總額近年日本設備占中國半導體設備進口總額近30%資料來源：聯合國國際貿易中心，東吳證券研究所中國大陸對于日本半導體設備依賴度較高，市場占比約中國大陸對于日本半導體設備依賴度較高，市場占比約30%。1）中觀層面來看，）中觀層面來看，2021年日本向中國出口半導體設備118億美金，約占日本

21、出口額的38.7%，約占中國進口額的28.8%。2）微觀層面來看，微觀層面來看，2022財年TEL實現收入20038億日元，其中對中國大陸市場實現收入5662億日元，收入占比達到28%，進一步驗證中國大陸市場對于日本半導體設備企業的重要性。細分設備類別來看，若以華虹無錫、上海積塔的中標結果來看，兩家晶圓廠對于日本的涂膠對于日本的涂膠顯影設備、清洗設備和熱處理設備的中標占比較高，顯影設備、清洗設備和熱處理設備的中標占比較高，2022年分別達到年分別達到82%、33%和和54%；而薄膜沉積設備、光刻機、刻蝕設備和量/檢測設備的占比均低于15%。410305262200118682505010015

22、0200250300350400450中國日本美國荷蘭進口總額（億美元）出口總額（億美元）對華出口（億美元）28.8%14.2%7.1%81.8%14.4%32.6%10.5%53.7%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%38.7%28.8%91.4.海外制裁升級背景下，設備進口替代邏輯持續強化海外制裁升級背景下，設備進口替代邏輯持續強化2018年以來中國大陸半導體設備企業快速進步，最直接的體現為相關企業市場份額快速提升。年以來中國大陸半導體設備企業快速進步，最直接的體現為相關企業市場份額快速提升。201820182019201920202020202120212022E

23、2022E中國大陸薄膜沉積設備市場規模（億元）168176245388497拓荊科技營業收入（億元）0.72.54.47.616.517.2拓荊科技市場份額（%）拓荊科技市場份額（%）0.4%0.4%1.4%1.4%1.8%1.8%2.0%2.0%3.33.5%3.33.5%中國大陸刻蝕設備市場規模（億元）160168234370474中微公司刻蝕設備收入（億元）5.7-12.920.031.5中微公司市場份額（%）中微公司市場份額（%）3.6%3.6%-5.5%5.5%5.4%5.4%6.6%6.6%中國大陸清洗設備市場規模（億元）38405688113盛美上海清洗設備收入（億元）5.06.

24、38.210.620.8盛美上海市場份額（%）盛美上海市場份額（%）13.1%13.1%15.7%15.7%14.7%14.7%12.0%12.0%18.4%18.4%至純科技清洗設備收入（億元）-0.82.27.07.9至純科技市場份額（%）至純科技市場份額（%）-2.0%2.0%4.0%4.0%7.9%7.9%7.0%7.0%芯源微清洗設備收入（億元）0.71.00.82.9-芯源微清洗設備市場份額（%）芯源微清洗設備市場份額（%）1.9%1.9%2.4%2.4%1.4%1.4%3.3%3.3%-清洗設備國產化率（%）（僅考慮上述三家）清洗設備國產化率（%）（僅考慮上述三家）15%15%2

25、0%20%20%20%23%23%-中國大陸涂膠顯影設備市場規模（億元）3032457090芯源微涂膠顯影設備收入（億元）1.31.12.45.1-芯源微市場份額（%）芯源微市場份額（%）4.3%4.3%3.4%3.4%5.4%5.4%7.2%7.2%-中國大陸CMP設備市場規模（億元）2324335368華海清科CMP設備收入（億元）0.31.93.56.9-華海清科市場份額（%）華海清科市場份額（%）1.3%1.3%7.9%7.9%10.5%10.5%13.1%13.1%-中國大陸量/檢測設備市場規模（億元）8488123194249中科飛測營業收入（億元）0.30.62.43.6-中科飛

26、測市場份額（%）中科飛測市場份額（%）0.4%0.4%0.7%0.7%2.0%2.0%1.9%1.9%-上海精測營業收入（億元）0.00.00.61.1-上海精測市場份額（%）上海精測市場份額（%）0.0%0.0%0.0%0.0%0.5%0.5%0.6%0.6%-上海睿勵營業收入（億元）0.30.10.20.4-上海睿勵市場份額（%）上海睿勵市場份額（%）0.3%0.3%0.1%0.1%0.2%0.2%0.2%0.2%-量/檢測設備國產化率（%）（僅考慮上述三家）量/檢測設備國產化率（%）（僅考慮上述三家）0.7%0.7%0.9%0.9%2.6%2.6%2.6%2.6%-涂膠顯影設備涂膠顯影設

27、備CMP設備CMP設備刻蝕設備刻蝕設備量/檢測設備量/檢測設備清洗設備清洗設備薄膜沉積設備薄膜沉積設備數據來源：SEMI，Wind，東吳證券研究所測算（市場份額、國產化率為“金額”口徑）圖：圖：2022年半導體設備整體國產化率仍不足年半導體設備整體國產化率仍不足20%資料來源：Wind，東吳證券研究所10圖：圖：2022年國內大部分半導體設備環節國產化率仍不足年國內大部分半導體設備環節國產化率仍不足20%資料來源：SEMI，Gartner，中國電子專用設備工業協會，東吳證券研究所整體來看，半導體設備國產化率仍處于低位。整體來看，半導體設備國產化率仍處于低位。收入口徑下，我們預計2022年11家

28、半導體設備企業合計實現營收378億元，同比+54%，對應半導體設備市場整體國產化率仍不足20%。細分領域來看，國產半導體設備企業在清洗、熱處理、CMP、刻蝕設備等領域已取得一定市場份額。然而，對于光刻、量對于光刻、量/檢測、涂膠顯影、檢測、涂膠顯影、離子注入設備等領域，我們離子注入設備等領域，我們預估預估2022年國產化年國產化率率仍低于仍低于10%，國產替代空間較大。，國產替代空間較大。1.4.海外制裁升級背景下，設備進口替代邏輯持續強化海外制裁升級背景下，設備進口替代邏輯持續強化設備種類設備種類國產化率國產化率市場規模（億元）市場規模（億元）國內企業國內企業薄膜沉積設備20%497北方華創

29、、拓荊科技、中微公司、微導納米等光刻機20%474中微公司、北方華創等量/檢測設備30%113盛美上海、北方華創、至純科技、芯源微等涂膠顯影設備30%68華海清科等熱處理設備30%56北方華創、屹唐半導體、盛美上海等離子注入設備10%45萬業企業、中科信0%10%20%30%40%50%60%050100150200250300350400201720182019202020212022E營業收入（億元）同比（%）國產化率11圖：本土半導體設備企業在多個環節先進制程領域產業化進展加速圖：本土半導體設備企業在多個環節先進制程領域產業化進展加速資料來源：各公司公告，東吳證券研究所1.4.海外制裁升

30、級背景下，設備進口替代邏輯持續強化海外制裁升級背景下，設備進口替代邏輯持續強化國產半導體設備先進制程產業化進展加速，具備持續擴張的條件。國產半導體設備先進制程產業化進展加速，具備持續擴張的條件。持續高度研發投入下，國產半導體設備企業在薄膜沉積、刻蝕、量/檢測、CMP、清洗等領域均已具備一定先進制程設備技術積淀，并且產業化進展正在快速推進，具備持續擴張的底層技術基礎。公司公司設備類型設備類型先進制程進展先進制程進展PECVD1）SiN、SiON、TEOS、ACHM等工藝：邏輯14nm產業化驗證中；存儲128L 3D NAND、19/17nm DRAM產業化驗證中；2）SiO2工藝：邏輯14nm及

31、10nm以下產業化驗證中；3）Thick TEOS工藝：存儲DRAM19/17nm產業化驗證中；4）NO stack工藝：存儲3D NAND128L產業化驗證中SACVDBPSG工藝刻蝕調節層：DRAM19/17nm產業化驗證中ALD1）SiO2、SiN等介質材料薄膜：邏輯28-14nm SADP、STI Liner工藝已實現產業化應用；存儲128L以上3D NAND、19/17nm DRAM產業化驗證中；2）AI2O3、ALN等金屬化合物薄膜：邏輯28nm以下制程研發中CCP刻蝕設備1）邏輯：在5nm及更先進產線實現多次批量銷售；28nm及以下一體化大馬士革刻蝕設備已通過初步驗證，即將進入市

32、場2）3D NAND：可在64L、128L及更高層數實現量產，60：1極高深寬比刻蝕設備已完成開發進入產線驗證ICP刻蝕設備已經在多個邏輯芯片和存儲芯片廠商的生產線上量產。正在進行下一代產品的技術研發，以滿足5nm以下的邏輯芯片、1Xnm的DRAM芯片和200L以上的3D NAND芯片等產品的刻蝕需求薄膜沉積設備滿足先進邏輯器件接觸孔填充應用，以及64L、128L 3D NAND中的多個關鍵應用。首臺CVD鎢設備已付運至關鍵存儲客戶端驗證評估，新型號高深寬比CVD鎢和ALD鎢設備已開始實驗室測試并對接關鍵客戶驗證EPI（外延設備）面向28nm及以下的邏輯器件、存儲器件和功率器件等的廣泛應用。公

33、司正在開放擁有自主知識產權的外延設備，以滿足客戶先進制程中鍺硅外延生長工藝的電性和可靠性需求。目前該設備研發進展順利，已進入樣機的制造和調試階段華海清科華海清科CMP設備1）邏輯：在28-14nm產線已實現量產，14nm制造設備正處于開發階段2）存儲：在128L及以上3D NAND產線已實現量產，在1X/1Y DRAM芯片制造產線已實現量產芯源微芯源微涂膠顯影設備新型前道設備可通過選裝全面覆蓋I-Line、KrF、ArFdry、ArF浸沒式等多種光刻技術，實現了在28nm及以上工藝節點的全覆蓋，已通過客戶端驗證達到量產要求精測電子精測電子量/檢測設備1）膜厚量測設備：可應用于28nm FEOL

34、以及14nm BEOL，已取得一線客戶批量訂單2）OCD：滿足28nm制程需求，已通過多家客戶驗證并成功交付，可測量FinFET、NAND等多種樣品；3）電子束缺陷復查設備（Review SEM）：可應用于1Xnm產線，已取得一線客戶批量訂單至純科技至純科技清洗設備濕法設備已滿足28nm全部工藝要求且均獲得訂單，14nm及以下濕法設備也有4臺設備交付拓荊科技拓荊科技中微公司中微公司12中微公司在國內最先進存儲研發線刻蝕機市場占有率預計將大幅提升中微公司在國內最先進存儲研發線刻蝕機市場占有率預計將大幅提升中微公司在國內最先進邏輯研發線刻蝕機市場占有率預計將大幅提升中微公司在國內最先進邏輯研發線刻

35、蝕機市場占有率預計將大幅提升數據來源：中微公司演示材料，東吳證券研究所測算半導體設備進口替代邏輯持續強化，市場份額提升有望超市場預期。半導體設備進口替代邏輯持續強化，市場份額提升有望超市場預期。以中微公司為例，演示材料預計其在國內最先進邏輯、存儲研發線中的刻蝕機市占率短期內將大幅提升。我們看好海外制裁升級加速晶圓廠對于國產設備的導入進程，半導體設備國產化率提升有望超出市場預期。1.4.海外制裁升級背景下，設備進口替代邏輯持續強化海外制裁升級背景下，設備進口替代邏輯持續強化二二、擴產上修靜待招標啟動，半導體景氣復蘇同樣利好設備、擴產上修靜待招標啟動，半導體景氣復蘇同樣利好設備四、四、AI算力需求

36、持續提升，半導體設備承接算力需求持續提升，半導體設備承接AI擴散行情擴散行情目錄目錄三、政策扶持利好持續落地，大基金二期投資重新啟動三、政策扶持利好持續落地，大基金二期投資重新啟動五五、投資建議與風險提示、投資建議與風險提示一一、美、荷、日相繼加碼制裁，國產替代邏輯持續強化美、荷、日相繼加碼制裁，國產替代邏輯持續強化142.1 逆周期擴產加速推進，中芯國際資本開支維持高位逆周期擴產加速推進，中芯國際資本開支維持高位相較相較IC設計、封測環節，晶圓制造是中國大陸當前半導體行業短板，自主可控驅動本土晶圓廠設計、封測環節，晶圓制造是中國大陸當前半導體行業短板，自主可控驅動本土晶圓廠逆周期大規模擴產。

37、逆周期大規模擴產。中國大陸市場晶圓產能缺口較大，2021年底晶圓全球產能占比僅為16%（包含臺積電、海力士等外資企業在本土的產能），遠低于半導體銷售額全球占比。外部制裁事外部制裁事件頻發的背景下，晶圓環節自主可控需求越發強烈，本土晶圓廠逆周期擴產訴求持續放大。件頻發的背景下，晶圓環節自主可控需求越發強烈，本土晶圓廠逆周期擴產訴求持續放大。圖：圖：2021年底中國大陸晶圓產能全球占比僅年底中國大陸晶圓產能全球占比僅16%資料來源：Knometa Research，東吳證券研究所圖：圖：2021年中國大陸半導體銷售額全球占比為年中國大陸半導體銷售額全球占比為35%資料來源：SIA，東吳證券研究所韓

38、國23%中國臺灣21%中國大陸16%日本15%美洲11%歐洲5%其他地區9%美洲21%歐洲9%日本8%中國大陸35%亞太及其他地區27%圖：中芯國際持續大規模擴產，已成為中國大陸晶圓代工擴產主力圖：中芯國際持續大規模擴產，已成為中國大陸晶圓代工擴產主力資料來源：新材料在線等，東吳證券研究所（注：因為產能狀態更新不及時可能存在誤差）圖：圖：2023年中芯國際資本開支預計同比基本持平年中芯國際資本開支預計同比基本持平資料來源：中芯國際官網，東吳證券研究所152.1 逆周期擴產加速推進，中芯國際資本開支維持高位逆周期擴產加速推進，中芯國際資本開支維持高位中芯國際已成本土晶圓廠擴產主力，中芯國際已成本

39、土晶圓廠擴產主力，2023年資本開年資本開支維持高位。支維持高位。作為內資邏輯晶圓代工龍頭，中芯國際在半導體行業下行周期中，2022年8月擬在天津投資75億美元建設12英寸晶圓代工生產線項目，規劃產能為10萬片/月，進一步驗證逆周期擴產邏輯。資本開資本開支方面，支方面，2022年中芯國際資本開支達到年中芯國際資本開支達到63.5億美元，億美元，同比同比+41%，并預計，并預計2023年資本開支基本持平。年資本開支基本持平。2023年存儲企業擴產好于先前預期，二三線晶圓廠年存儲企業擴產好于先前預期，二三線晶圓廠粵芯、晉華、燕東等合計擴產量預計仍有一定增長?；浶?、晉華、燕東等合計擴產量預計仍有一定

40、增長。廠商廠商實施主體實施主體工廠代碼工廠代碼工藝工藝尺寸類型尺寸類型項目地點項目地點2021年底產能2021年底產能（萬片/月）（萬片/月）規劃產能規劃產能（萬片/月）（萬片/月）狀態狀態中芯南方SN1邏輯代工FinFET14-7nm12寸上海1.53.5建成中芯南方SN2邏輯代工FinFET14-7nm12寸上海03.5在建中芯北方B1(Fab4、6)邏輯代工0.18m55nm12寸北京5.26建成中芯北方B2邏輯代工65-24nm12寸北京6.210建成中芯京城B3P1邏輯代工45/40-32/38nm12寸北京05在建中芯京城B3P2邏輯代工45/40-32/38nm12寸北京05計劃

41、中芯深圳Fab16A/B邏輯代工28nm12寸深圳04建成中芯西青28180nm邏輯12寸天津010在建中芯東方28nm邏輯12寸上海臨港010計劃中芯國際-50%0%50%100%150%200%010203040506070201820192020202120222023E資本性支出（億美元）同比（%）圖：圖：2022Q3以來全球晶圓代工龍頭銷售額持續下滑以來全球晶圓代工龍頭銷售額持續下滑資料來源：各公司官網，東吳證券研究所圖：圖：2022Q3以來全球半導體銷售額持續下滑以來全球半導體銷售額持續下滑資料來源：SIA，東吳證券研究所（單位：十億美元）16受消費電子等終端市場需求疲軟影響，受消

42、費電子等終端市場需求疲軟影響，2022年以來全球半導體行業表現持續低迷，最直觀的年以來全球半導體行業表現持續低迷，最直觀的體現是體現是2022Q3以來部分全球晶圓代工龍頭、以來部分全球晶圓代工龍頭、IC設計龍頭收入端出現不同程度下滑。設計龍頭收入端出現不同程度下滑。圖：圖：2022Q3以來全球以來全球IC設計龍頭營收出現明顯下滑設計龍頭營收出現明顯下滑資料來源：各公司官網，東吳證券研究所圖：圖：2022Q2以來中芯國際產能利用率明顯下降以來中芯國際產能利用率明顯下降資料來源：中芯國際公告，東吳證券研究所98.70%100.40%100.30%99.40%100.40%97.10%92.10%7

43、9.50%75%80%85%90%95%100%105%2021Q1 2021Q2 2021Q3 2021Q4 2022Q1 2022Q2 2022Q3 2022Q4產能利用率（%）-80%-60%-40%-20%0%20%40%60%80%050100150200250300350穩懋（億新臺幣）世界先進（億新臺幣）聯電（億新臺幣）聯電同比（%，右軸）世界先進同比（%。右軸）穩懋同比（%，右軸）-60%-40%-20%0%20%40%60%80%0100200300400500600700800900聯詠（億新臺幣）矽力杰（億新臺幣）瑞昱（億新臺幣）聯發科（億新臺幣）聯發科同比（%，右軸）瑞

44、昱同比（%，右軸）矽力杰同比（%，右軸）聯詠同比（%，右軸）-30%-20%-10%0%10%20%30%40%0102030405060全球半導體銷售額（十億美元）同比（%）環比（%）2.2 半導體行業仍在下行周期，靜待景氣拐點出現半導體行業仍在下行周期，靜待景氣拐點出現17展望未來，我們看好在終端消費逐步復蘇的背景下，半導體行業景氣拐點逐步出現。展望未來，我們看好在終端消費逐步復蘇的背景下，半導體行業景氣拐點逐步出現。全球范圍內來看，全球范圍內來看，2023Q2美光實現營收36.93億美元，環比-9.6%，降幅明顯收窄，2023Q3營收指引為35-39億美元，環比-5%+6%，中樞基本持平

45、，降幅進一步收窄。中國大陸中國大陸IC設計龍頭庫存水位開始下降，靜待設計龍頭庫存水位開始下降，靜待2023年下半年景氣拐點出現。年下半年景氣拐點出現。若以已披露年報的韋爾股份、紫光國微、北京君正、樂鑫科技、全志科技、上海貝嶺和晶豐明源為統計樣本，2022Q4末行業存貨周轉天數平均數為196.62天，環比下降5%，庫存水位已經出現下降跡象。圖：圖：2022Q4中國大陸中國大陸IC設計企業存貨周轉天數出現下降設計企業存貨周轉天數出現下降資料來源：Wind，東吳證券研究所（左軸單位：天）11%-36%-14%-7%-7%10%7%52%5%3%-5%-40%-30%-20%-10%0%10%20%3

46、0%40%50%60%02004006008001000120014001600晶豐明源上海貝嶺全志科技樂鑫科技北京君正紫光國微韋爾股份平均值環比（%）圖：圖：2023Q3美光營業收入樂觀環比美光營業收入樂觀環比+6%資料來源：美光官網，東吳證券研究所-50%-40%-30%-20%-10%0%10%20%30%01020304050607080901002020Q1 2020Q3 2021Q1 2021Q3 2022Q1 2022Q3 2023Q1 2023Q3美光營業收入（億美元）環比（%，悲觀）環比（%，樂觀）2.2 半導體行業仍在下行周期，靜待景氣拐點出現半導體行業仍在下行周期，靜待景

47、氣拐點出現圖：全球半導體和半導體設備銷售額同比增速高度聯動圖：全球半導體和半導體設備銷售額同比增速高度聯動資料來源：SEMI，東吳證券研究所182.3 自主可控自主可控&下游景氣復蘇，看好下游景氣復蘇，看好2024年半導體設備需求放量年半導體設備需求放量歷史數據表明，全球半導體設備銷售額與半導體銷售額同比增速呈現高度聯動效應，同時在歷史數據表明，全球半導體設備銷售額與半導體銷售額同比增速呈現高度聯動效應，同時在行業上行周期時，半導體設備可以表現出更高的同比增速，具備更強增長彈性。行業上行周期時，半導體設備可以表現出更高的同比增速，具備更強增長彈性。展望展望2024年，全球范圍內來看，在終端消費

48、持續復蘇的背景下，年，全球范圍內來看，在終端消費持續復蘇的背景下，SEMI預計預計2024年全球晶圓廠年全球晶圓廠設備支出約設備支出約920億美元，同比增長億美元，同比增長21%，2024年半導體設備需求有望明顯反彈，進入下一輪上年半導體設備需求有望明顯反彈，進入下一輪上行周期。對于中國大陸市場，疊加自主可控需求，我們看好行周期。對于中國大陸市場，疊加自主可控需求，我們看好2024年半導體設備需求加速放量。年半導體設備需求加速放量。-20%-10%0%10%20%30%40%201120122013201420152016201720182019202020212022全球半導體銷售額同比（%

49、）全球半導體設備銷售額同比（%）二二、擴產上修靜待招標啟動，半導體景氣復蘇同樣利好設備、擴產上修靜待招標啟動，半導體景氣復蘇同樣利好設備四、四、AI算力需求持續提升，半導體設備承接算力需求持續提升，半導體設備承接AI擴散行情擴散行情目錄目錄三、政策扶持利好持續落地，大基金二期投資重新啟動三、政策扶持利好持續落地，大基金二期投資重新啟動五五、投資建議與風險提示、投資建議與風險提示一一、美、荷、日相繼加碼制裁，國產替代邏輯持續強化美、荷、日相繼加碼制裁，國產替代邏輯持續強化203.1 產業政策梳理：扶持力度加大，國產企業迎來機遇產業政策梳理：扶持力度加大，國產企業迎來機遇國家通過各種政策大力扶持國

50、內半導體產業的發展。國家通過各種政策大力扶持國內半導體產業的發展。舉國體制強化國家戰略科技力量，為產業鏈提供資金、稅收、技術和人才等多方面的持續支持，國產替代迎來新的機遇。時間時間事件事件內容內容2月23日“權威部門話開局”系列主題新聞發布會國資委主任張玉卓表示，要加大對集成電路、工業母機等關鍵領域的科技投入；相當數量科技界人士表示，要加快半導體行業國產化步伐，提升中國半導體產業整體水平。3月2日國務院副總理劉鶴調研集成電路企業并主持召開座談會會議指出，集成電路是現代化產業體系的核心樞紐，關系國家安全和中國式現代化進程。會議強調，發展集成電路產業必須發揮新型舉國體制優勢，用好政府和市場兩方面力

51、量。政府要制定符合國情和新形勢的集成電路產業政策，設定務實的發展目標和發展思路，幫助企業協調和解決困難，在市場失靈的領域發揮好組織作用。3月3日國資委啟動國有企業對標世界一流企業價值創造行動會議要求，國資央企要強化改革攻堅，著力構建有利于企業價值創造的良好生態。要強化分類改革，針對不同類別企業，建立更加科學精準的考核工作體系，指導推動企業提升價值創造的整體功能。3月16日黨和國家機構改革方案印發方案指出，將組建中央科技委員會，加強黨中央對科技工作的集中統一領導，統籌推進國家創新體系建設和科技體制改革；方案進一步指出，將重新組建科學技術部，加強推動健全新型舉國體制、優化科技創新全鏈條管理、促進科

52、技成果轉化、促進科技和經濟社會發展相結合等職能。4月6日全國集成電路標準化技術委員會成立會議強調，集成電路標委會要全面實施國家標準化發展綱要，加強組織建設，建立完善工作制度。加快建設與時俱進的集成電路標準體系，增強產業鏈上、中、下游的有效溝通，支持企業深度參與全球產業分工協作和國際標準制定，推動標準的實施應用。4月6日國資委黨委書記、主任張玉卓調研華大九天張玉卓就中央企業集成電路產業發展工作聽取建議，指出國資委將進一步精準施策，在人才、資金等方面加大政策支持力度，完善配套措施，支持中央企業在集成電路產業鏈發展的完整性、先進性上攻堅克難、勇往直前，更好促進集成電路產業高質量發展，并強調要補上短板

53、、緊跟前沿，不斷提高企業核心競爭力、增強核心功能。圖：圖：2023年我國陸續推出半導體行業利好政策年我國陸續推出半導體行業利好政策資料來源：集微網，電子技術應用ChinaAET，國資委官網，中國電子報，東吳證券研究所圖：圖：2023年省市層面半導體行業利好政策梳理年省市層面半導體行業利好政策梳理資料來源：中國電子報，中企訊重大投資項目資訊，廣州新聞發布，東吳證券研究所213.1 產業政策梳理：扶持力度加大，國產企業迎來機遇產業政策梳理：扶持力度加大，國產企業迎來機遇時間時間省市省市內容內容1月7日浙江印發浙江省集成電路產業鏈標準體系建設指南（2022年版），提出要在未來三年重點研制化合物半導體

54、制造設施建設標準及能耗標準，規范存儲器芯片、微控制器、數模/模數轉換芯片等領域的產品品類標準。1月9日重慶印發重慶市加力振作工業經濟若干政策措施，圍繞9個方面出臺了23條惠企政策措施；經濟運行局副局長周翼表示，政府對集成電路設計企業、制造封測類企業和提供裝備或原材料的企業，提供三種類型的資金支持。1月11日四川在政府工作報告中提及，要提升集成電路、新型顯示等關鍵基礎產業水平，重點發展CPU、GPU等高端通用芯片及國產EDA工具，支持能源電子、中低軌衛星等新業態產業。1月11日天津發布的政府工作報告中特別提到要加快發展集成電路產業園建設，天津西青區將加快集成電路產業園規劃建設，提升特色產業聚集區

55、發展水平。1月12日廣東發布的廣東省政府工作報告顯示，粵芯二期、瑞慶時代等項目已建成投產；報告中還提出，要加快補齊集成電路產業鏈關鍵環節，實施龍頭企業保鏈穩鏈工程，加快粵芯三期、增芯科技傳感器、華潤微電子等項目建設。1月12日深圳發布關于實施階段性支持工業經濟運行措施的通知，將聚焦消費電子、面板、芯片制造等行業，一季度開展5場以上專項產銷對接活動；支持電子元器件和集成電路國際交易中心落地運營，形成高效交易行業樞紐。1月16日上海集中發布2023年市重大工程計劃安排正式項目191項，其中有77項為科技產業類項目，包括中芯國際12英寸芯片項目、中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產線項目等與集成電路生產

56、研發直接相關的項目。1月16日湖北發布湖北省突破性發展光電子信息產業三年行動方案（20222024年），其中提出將推進集成電路等領域重點突破，帶動軟件和信息技術服務業、新一代信息通信等相關領域發展。1月16日深圳寶安區發布深圳市寶安區關于促進半導體與集成電路產業發展的若干措施(征求意見稿)，以貫徹落實粵港澳大灣區和深圳先行示范區“雙區驅動”戰略，聚焦半導體和集成電路產業集聚和創新發展。1月19日江蘇印發關于進一步促進集成電路產業高質量發展的若干政策，提出提升產業創新能力、提升產業鏈整體水平、形成財稅金融支持合力、增強產業人才支撐、優化發展環境等5個大類26條具體措施。1月31日北京公布關于北京

57、市2022年國民經濟和社會發展計劃執行情況與2023年國民經濟和社會發展計劃的報告，提出持續提升高端制造業發展能級，計劃加強集成電路半導體芯片系列重要研發產業項目建設。2月17日北京發布2023年北京市高精尖產業發展資金實施指南（第一批）通知，重點支持集成電路首流片、新材料首批次等方向，包括集成電路設計產品首輪流片獎勵和集成電路企業EDA采購獎勵。2月20日廣州廣州產投集團官宣2000億母基金正式落地，其中1500億元廣州產業投資母基金重點投資半導體與集成電路等重要產業領域；另外500億元廣州創新投資母基金將聯動社會資本，爭取用幾年時間形成超2000億的創投基金集群。重點地區出臺相關政策，強化

58、半導體產業集群競爭力。重點地區出臺相關政策，強化半導體產業集群競爭力。多省市將集成電路半導體芯片納入當地政府報告，并從技術創新、項目建設、資金支持、標準制定等層面支持產業鏈發展。圖：國家大基金二期對外投資項目統計圖：國家大基金二期對外投資項目統計資料來源：電子技術應用ChinaAET等，東吳證券研究所223.2 大基金二期：持續提升裝備大基金二期：持續提升裝備&材料投資比重材料投資比重序號序號公司公司行業行業金額金額/持股數持股數持股比例持股比例1天水華天科技股份有限公司制造業1.03億股3.21%2上海硅產業集團股份有限公司租賃和商務服務業0.72億股2.63%3深圳佰維存儲科技股份有限公司

59、制造業0.37億股8.57%4思特威（上海）電子科技股份有限公司信息傳輸、軟件和信息技術服務業0.30億股7.39%5中微半導體設備（上海）股份有限公司科學研究和技術服務業0.24億股3.97%6通富微電子股份有限公司制造業0.21億股1.36%7北京燕東微電子股份有限公司制造業0.17億股1.42%8江蘇燦勤科技股份有限公司制造業634萬股1.59%9北方華創科技集團股份有限公司科學研究和技術服務業493萬股0.93%10中芯國際集成電路制造有限公司-1.27億股1.61%11深南電路股份有限公司制造業279萬股0.54%12長江存儲科技控股有限責任公司制造業128.87億元12.24%13

60、長鑫集電（北京）存儲技術有限公司科學研究和技術服務業125.47億元28.00%14中芯南方集成電路制造有限公司制造業15億美元23.08%15中芯京城集成電路制造（北京）有限公司制造業12.25億美元24.49%16華虹半導體制造（無錫）有限公司制造業11.66億美元29.00%17中芯東方集成電路制造有限公司制造業9.22億美元16.76%18中芯國際集成電路制造（深圳）有限公司制造業5.31億美元22.00%19杭州富芯半導體有限公司制造業29.5億元31.22%20上海新昇晶科半導體科技有限公司制造業25億元43.86%21潤西微電子（重慶）有限公司信息傳輸、軟件和信息技術服務業16.

61、5億元33.00%2023年以來，國家大基金二期不斷加大投資。年以來，國家大基金二期不斷加大投資。1）1月初華虹半導體發布公告，已與子公司華虹宏力、國家集成電路產業基金二期、無錫市簽訂合營協議，四方將分別出資8.8億美元、11.70億美元、11.66億美元、8.04億美元設立合營企業。2）3月長江存儲股東結構發生變更，新增大基金二期、長江產業投資集團有限公司及湖北長晟發展有限責任公司等股東；其中，大基金二期認繳出資128.87億元，持股比例達12.24%。圖：國家大基金二期對外投資項目統計（續表）圖：國家大基金二期對外投資項目統計（續表）資料來源：電子技術應用ChinaAET，企查查，東吳證券

62、研究所233.2 大基金二期：持續提升裝備大基金二期：持續提升裝備&材料投資比重材料投資比重序號序號公司公司行業行業金額金額/持股數持股數持股比例持股比例22華虹半導體（無錫）有限公司信息傳輸、軟件和信息技術服務業2.14億美元8.42%23合肥沛頓存儲科技有限公司信息傳輸、軟件和信息技術服務業9.5億元31.05%24廈門士蘭集科微電子有限公司制造業5.61億元14.66%25廣州新銳光掩?？萍加邢薰局圃鞓I5億元21.28%26北京智芯微電子科技有限公司科學研究和技術服務業4.61億元7.19%27上海合見工業軟件集團有限公司信息傳輸、軟件和信息技術服務業3.3億元11.81%28杭州長川

63、智能制造有限公司制造業3億元33.33%29江蘇先科半導體新材料有限公司批發和零售業2.08億元20.28%30紫光展銳（上海）科技有限公司科學研究和技術服務業1.89億元3.74%31中國電子工程設計院有限公司科學研究和技術服務業1.18億元12.73%32寧波南大光電材料有限公司科學研究和技術服務業0.67億元18.33%33極海微電子股份有限公司制造業0.28億元7.89%34廣州慧智微電子股份有限公司制造業0.26億股6.54%35至微半導體（上海）有限公司科學研究和技術服務業0.18億元3.42%36北京爍科中科信電子裝備有限公司制造業0.18億元8.00%37廣州廣鋼氣體能源股份有

64、限公司科學研究和技術服務業927萬股0.94%38中船（邯鄲）派瑞特種氣體股份有限公司制造業635萬股1.41%39北京晶亦精微科技股份有限公司制造業454萬元2.73%40蘇州賽芯電子科技股份有限公司科學研究和技術服務業336萬股5.16%41英韌科技（上海）有限公司科學研究和技術服務業251萬元4.87%42沈陽和研科技股份有限公司制造業183萬股5.74%43杭州芯邁半導體技術有限公司信息傳輸、軟件和信息技術服務業126萬元4.64%44上揚軟件（上海）有限公司信息傳輸、軟件和信息技術服務業116萬元13.74%45上海燧原科技有限公司信息傳輸、軟件和信息技術服務業24萬元6.13%46

65、睿力集成電路有限公司制造業-47湖北興福電子材料股份有限公司制造業-48浙江鐠芯電子科技有限公司科學研究和技術服務業-大基金二期在承接一期芯片產業鏈的基礎之上，繼續提升裝備和材料領域的投資比重。大基金二期在承接一期芯片產業鏈的基礎之上，繼續提升裝備和材料領域的投資比重。從產業布局上看，二期進一步保證晶圓廠持續擴產和國產化進程加速，也加大了對下游應用端的投資。二二、擴產上修靜待招標啟動，半導體景氣復蘇同樣利好設備、擴產上修靜待招標啟動，半導體景氣復蘇同樣利好設備四、四、AI算力需求持續提升，半導體設備承接算力需求持續提升，半導體設備承接AI擴散行情擴散行情目錄目錄三、政策扶持利好持續落地，大基金

66、二期投資重新啟動三、政策扶持利好持續落地，大基金二期投資重新啟動五五、投資建議與風險提示、投資建議與風險提示一一、美、荷、日相繼加碼制裁，國產替代邏輯持續強化美、荷、日相繼加碼制裁，國產替代邏輯持續強化圖：圖：2022年國內互聯網大廠紛紛推出大模型年國內互聯網大廠紛紛推出大模型資料來源：OFweek，東吳證券研究所圖：圖：OpenAI發布的發布的GPT模型模型資料來源：OpenAI，東吳證券研究所4.1 OpenAI模型持續迭代，國內互聯網大廠紛紛推出大模型模型持續迭代，國內互聯網大廠紛紛推出大模型ChatGPT是由是由OpenAI開發的自然語言生成模型，開發的自然語言生成模型，2023年年3

67、月月15日，日，OpenAI正式官宣了多模態正式官宣了多模態大模型大模型GPT-4，ChatGPT4將輸入內容擴展到將輸入內容擴展到2.5萬字內的文字和圖像，較萬字內的文字和圖像，較ChatGPT能夠處理更能夠處理更復雜、更細微的問題。復雜、更細微的問題。國內互聯網大廠紛紛推出大模型。國內互聯網大廠紛紛推出大模型。2023年3月百度、三六零相繼發布文心一言、自研大模型后，2023年4月，互聯網巨頭阿里、華為、京東等大模型進入密集發布期，其中部分參數規模甚至超過ChatGPT規模的大模型。模型發布時間參數量學習目標GPT-12018年6月1.17億結合無監督學習及有監督的微調GPT-22019年

68、2月15億學習在無明確監督情況下執行多種任務GPT-32020年5月1,750億結合少樣本學習和無監督學習GPT-42023年3月待公布基于規則的獎勵模型廠商大模型發布時間參數規模百度文心一言2023年3月100億360自研大模型2023年3月阿里通義10萬億京東言犀千億級騰訊混源萬億級網易伏羲110億華為盤古1000億圖：圖：2021-2025年我國年我國AI芯片市場規模芯片市場規模CAGR達達42.9%資料來源：深圳市人工智能協會，東吳證券研究所圖：圖：GPT模型升級使得總算力消耗快速增長模型升級使得總算力消耗快速增長資料來源：英偉達官網，東吳證券研究所4.2 算力需求持續提升，算力需求持

69、續提升，AI芯片市場規模持續擴張芯片市場規模持續擴張生成式人工智能架構由算力層、平臺層、算法層和應用層四層架構組成。其中，算力層主生成式人工智能架構由算力層、平臺層、算法層和應用層四層架構組成。其中，算力層主要指人工智能芯片要指人工智能芯片是一種專門處理人工智能計算、應用等任務的芯片，主要包括是一種專門處理人工智能計算、應用等任務的芯片，主要包括GPU、FPGA、ASIC等不同形態。等不同形態。算力需求持續提升，算力需求持續提升，AI芯片市場規模持續擴張。芯片市場規模持續擴張。GPT的參數量呈現指數級增長，帶動算力需求持續增加，根據CSDN報道，微軟為構建ChatGPT的算力構建基礎設施，需要

70、將上萬顆英偉達A100芯片進行連接。深圳人工智能協會數據，2025年我國AI芯片市場規模將達到1780億元，2019-2025GAGR可達42.9%。427850103914061780-50%-20%10%40%70%100%130%160%020040060080010001200140016001800200020212022E2023E2024E2025E市場規模（億元）同比增速（%）圖：圖：ChatGPT估值處在估值處在87.74分分位，處在危險值上位，處在危險值上資料來源：Wind，東吳證券研究所274.3AI行業有望持續擴散，半導體設備有望成下一個方向行業有望持續擴散，半導體設備

71、有望成下一個方向截止截止2023年年4月月10號，號，ChatGPT指數累計指數累計漲幅漲幅64.22%（自（自2023年年1月月10日開始），日開始），估值處在歷估值處在歷史史85.74%分位，目前分位，目前AI板塊性價比下降，對于追漲資金有一定心理壓力，短期進一步上漲的板塊性價比下降，對于追漲資金有一定心理壓力，短期進一步上漲的話可能需要更超預期的事件催化和基本面預期的改善。話可能需要更超預期的事件催化和基本面預期的改善。AI行業發展大趨勢下，相關細分板塊的投資熱情我們認為會延續，我們認為行業發展大趨勢下，相關細分板塊的投資熱情我們認為會延續，我們認為AI行情有望持續行情有望持續擴散，支撐

72、各類芯片的底層擴散，支撐各類芯片的底層半導體設備有望成為半導體設備有望成為AI行情擴散的下一個方向。行情擴散的下一個方向。二二、擴產上修靜待招標啟動，半導體景氣復蘇同樣利好設備、擴產上修靜待招標啟動，半導體景氣復蘇同樣利好設備四、四、AI算力需求持續提升，半導體設備承接算力需求持續提升，半導體設備承接AI擴散行情擴散行情目錄目錄三、政策扶持利好持續落地，大基金二期投資重新啟動三、政策扶持利好持續落地，大基金二期投資重新啟動五五、投資建議與風險提示、投資建議與風險提示一一、美、荷、日相繼加碼制裁，國產替代邏輯持續強化美、荷、日相繼加碼制裁，國產替代邏輯持續強化圖：半導體設備及零部件企業估值表（股

73、價截至圖：半導體設備及零部件企業估值表（股價截至2023/4/12）資料來源：Wind，東吳證券研究所（盈利預測均來自東吳證券研究所）295.1 投資建議：投資建議：投資建議：投資建議：1）前道設備：低國產化率環節重點推薦拓荊科技、精測電子、芯源微等；低估值）前道設備：低國產化率環節重點推薦拓荊科技、精測電子、芯源微等；低估值標的重點推薦北方華創、賽騰股份、至純科技、華海清科等；其他重點推薦中微公司、萬業企標的重點推薦北方華創、賽騰股份、至純科技、華海清科等；其他重點推薦中微公司、萬業企業、盛美上海。業、盛美上海。2）后道設備：重點推薦長川科技、華峰測控；）后道設備：重點推薦長川科技、華峰測控

74、；3）零部件：重點推薦正帆科）零部件：重點推薦正帆科技、新萊應材、富創精密、華亞智能等細分賽道龍頭技、新萊應材、富創精密、華亞智能等細分賽道龍頭。股價股價市值市值（元）（元）（億元）（億元）2022A/E 2023E2024E 2022E 2023E 2024E 2022A/E 2023E2024E 2022E 2023E 2024E002371.SZ北方華創北方華創296.201,566149.2202.6255.0118622.931.942.1684937688082.SH盛美上海盛美上海106.0046027.540.051.7171196.19.312.1755038688012.S

75、H中微公司中微公司167.901,03647.464.783.622161211.515.219.3906854688072.SH拓荊科技拓荊科技329.0541616.924.232.42517133.74.86.91138660688120.SH華海清科華海清科326.2134816.125.533.82214104.87.810.7724433688037.SH芯源微芯源微249.2523113.619.827.9171281.92.73.71228662603690.SH至純科技至純科技42.7513830.344.056.75323.85.77.9362417300604.SZ長川科

76、技長川科技57.9035226.640.156.813964.99.013.7733926688200.SH華峰測控華峰測控308.8128110.514.219.92720145.26.69.3554330600641.SH萬業企業萬業企業20.4319012.819.224.8151084.55.66.8423428300567.SZ精測電子精測電子90.7725227.434.143.09762.73.95.3926647603283.SH賽騰股份賽騰股份45.208632.040.754.23222.94.15.7302115688409.SH富創精密富創精密124.4426015.8

77、24.134.2161182.33.55.11157551688596.SH正帆科技正帆科技41.5011426.838.351.44322.64.05.7442820300260.SZ新萊應材新萊應材75.6617128.736.745.66543.85.77.5453023003043.SZ華亞智能華亞智能66.26537.711.015.87531.82.73.9302014141410107 7696948483535平均平均歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤（億元）PE營業收入（億元）營業收入（億元）PS305.2 風險提示風險提示：半導體行業投資不及預期：半導體行業投資不及預期：若半導體

78、行業景氣度下滑，下游客戶資本支出減少，則對半導體設備的需求將可能下降，將給半導體設備行業的短期業績帶來一定壓力。設備國產化不及預期：設備國產化不及預期：集成電路專用設備技術門檻較高，某些環節的技術難點或者國內設備廠商產能瓶頸可能導致設備國產化進展不及預期。東吳證券股份有限公司經中國證券監督管理委員會批準，已具備證券投資咨詢業務資格。本研究報告僅供東吳證券股份有限公司（以下簡稱“本公司”）的客戶使用。本公司不會因接收人收到本報告而視其為客戶。在任何情況下，本報告中的信息或所表述的意見并不構成對任何人的投資建議，本公司不對任何人因使用本報告中的內容所導致的損失負任何責任。在法律許可的情況下，東吳證

79、券及其所屬關聯機構可能會持有報告中提到的公司所發行的證券并進行交易，還可能為這些公司提供投資銀行服務或其他服務。市場有風險，投資需謹慎。本報告是基于本公司分析師認為可靠且已公開的信息，本公司力求但不保證這些信息的準確性和完整性，也不保證文中觀點或陳述不會發生任何變更，在不同時期，本公司可發出與本報告所載資料、意見及推測不一致的報告。本報告的版權歸本公司所有，未經書面許可，任何機構和個人不得以任何形式翻版、復制和發布。如引用、刊發、轉載，需征得東吳證券研究所同意，并注明出處為東吳證券研究所，且不得對本報告進行有悖原意的引用、刪節和修改。東吳證券投資評級標準：公司投資評級：買入：預期未來6個月個股漲跌幅相對大盤在15%以上；增持：預期未來6個月個股漲跌幅相對大盤介于5%與15%之間；中性：預期未來 6個月個股漲跌幅相對大盤介于-5%與5%之間；減持：預期未來 6個月個股漲跌幅相對大盤介于-15%與-5%之間；賣出：預期未來 6個月個股漲跌幅相對大盤在-15%以下。行業投資評級：增持：預期未來6個月內，行業指數相對強于大盤5%以上；中性：預期未來6個月內，行業指數相對大盤-5%與5%；減持：預期未來6個月內，行業指數相對弱于大盤5%以上。免責聲明免責聲明東吳證券研究所蘇州工業園區星陽街5號郵政編碼：215021傳真：（0512）62938527公司網址：http:/