《HBM行業深度：制造工藝、發展現狀、競爭格局、市場測算及相關公司深度梳理-240318（26頁）.pdf》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《HBM行業深度：制造工藝、發展現狀、競爭格局、市場測算及相關公司深度梳理-240318（26頁）.pdf（26頁珍藏版）》請在三個皮匠報告上搜索。

1、 1/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 行業研究報告 慧博智能投研 HBM行業行業深度：深度：制造工藝制造工藝、發展現狀發展現狀、競爭競爭格局格局、市場測算市場測算及及相關公司相關公司深度梳理深度梳理 近期，美光宣布已開始量產其 HBM3E 高帶寬內存解決方案；三星發布首款 36GB HBM3E 12HDRAM，目前為三星容量最大的 HBM；SK 海力士于 1 月中旬正式結束了 HBM3E 的開發工作，并順利完成英偉達歷時半年的性能評估，計劃于 3 月開始大規模生產 HBM3E 產品，這批 HBM3E 將用于英偉達下一代Blackwell 系列的

2、 AI 芯片旗艦產品 B100 上，而英偉達則計劃于 2024 年第二季度末或第三季度初推出該系列產品。同時，武漢新芯近日就 HBM 封裝技術招標，擬實現月產能超過 3000 片 12 英寸晶圓。面對海外大廠對于 HBM3E 的量產，國內存儲廠商也在 HBM 技術上進行著加速突破，有望在 AI 大浪潮的需求下提升競爭實力，相關產業鏈或將受益。圍繞 HBM，下面我們從其基本概念入手，了解其優勢及持續迭代更新在性能上的提升情況，并對該行業制造工藝、發展現狀及競爭格局進行分析，并對市場前景進行測算，方便讀者深入了解這一行業。目錄目錄 一、概述.1 二、制造工藝.5 三、發展現狀.7 四、競爭格局.9

3、 五、市場測算.10 六、相關公司.15 七、參考研報.25 一、一、概述概述 1.HBM HBM（High Bandwidth Memory）意為高帶寬存儲器，是一種面向需要極高吞吐量的數據密集型應用程序的 DRAM，HBM 的作用類似于數據的“中轉站”，就是將使用的每一幀，每一幅圖像等圖像數據保存到幀緩存區中，等待 GPU 調用。2/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 HBM 通過使用先進的封裝方法（如 TSV 硅通孔技術）垂直堆疊多個 DRAM，與 GPU 通過中介層互聯封裝在一起，在較小的物理空間里實現高容量、高帶寬、低延時與低功耗，已成為

4、數據中心新一代內存解決方案。2.優勢優勢 HBM 在帶寬、功耗、封裝體積方面具備明顯優勢。按照不同應用場景，行業標準組織 JEDEC 將DRAM 分為三個類型：標準 DDR、移動 DDR 以及圖形 DDR，圖形 DDR 中包括 GDDR 和 HBM。相比于標準的 DDR4、DDR5 等產品，以 GDDR 和 HBM 為代表的圖形 DDR 具備更高的帶寬，其中HBM 在實現更大帶寬的同時也具備更小的功耗和封裝尺寸。HViXzWdYmUdWJVlZbWmV7NdNaQpNnNmOqMeRpPnOlOpNoPbRoPmNNZnPtQMYpMqR 3/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行

5、業|深度深度|研究報告研究報告 GDDR 和 HBM 有效解決了內存墻的問題，在中高端 GPU 中得到廣泛應用。過去 20 年中，處理器的峰值計算能力增加了 90,000 倍，但是內存/硬件互連帶寬卻只是提高了 30 倍。存儲性能的提升遠遠跟不上處理器性能提升，導致內存性能極大限制了處理器性能的發揮，對指令和數據的搬運（寫入和讀出）的時間將是處理器運算所消耗時間的幾十倍乃至幾百倍，而且引發了高能耗，即出現了“內存墻”問題。具備更高帶寬的 GDDR 和 HBM 相比傳統 DDR 有更高的帶寬，因此有效的解決了該問題，GDDR 和成為中高端 GPU 搭載的主流內存方案，HBM 也在部分高端 GPU

6、 中得到應用。3.HBM 有望替代有望替代 GDDR 成為主流方案成為主流方案 AI 大模型對于數據傳輸提出了更高的要求，HBM 有望替代 GDDR 成為主流方案：GDDR5 功耗更高，高功耗未來會限制 GPU 的性能提升；GDDR5 為了實現更高帶寬，需要電路承載更大的電壓，導致電路尺寸偏大。NAND、DRAM 和 Optics 等技術將受益于片上集成，但在技術上并不兼容。4/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 主流數據中心 GPU 均采用 HBM 技術。英偉達 V100、A100、H100 均采用 HBM 內存，同樣，AMDMI100、MI20

7、0、MI300 也都采用 HBM 內存，目前 HBM 內存在數據中心 GPU 中逐步占據主導地位。4.HBM 持續迭代，帶寬、速率提升持續迭代，帶寬、速率提升 近些年，HBM 朝著不斷提高存儲容量、帶寬，減小功耗和封裝尺寸方向升級。目前已升級到 HBM3。從最初的 1GB 存儲容量和 128GB/s 帶寬的 HBM1 發展到目前的 24GB 存儲容量和 819GB/s 帶寬。5/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 二、二、制造工藝制造工藝 1.HBM 制造工藝包括制造工藝包括 TSV、Bumping 和堆疊等工藝環節和堆疊等工藝環節 HBM 是由多

8、個 DRAMdie 堆疊而成，利用硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump）將 die 之間相連接，多層 DRAMdie 再與最下層的 Basedie 連接，然后通過凸塊（Bump）與硅中階層（interposer）互聯。HBM 與 GPU、CPU 或 ASIC 共同鋪設在硅中階層上，通過 CoWoS 等 2.5D 封裝工藝相互連接，硅中介層通過 CuBump 連接至封裝基板（Package Substrate）上，最后封裝基板再通過錫球與下方的 PCB 基板相連。2.存儲大廠高度聚焦先進封裝，存儲大廠高度聚焦先進封裝，HBM4 或將直接放置在處理器上或將直接放置在處理器上 根據全球半導體

9、觀察，目前 HBM 存儲芯片的整體良率在 65%左右，HBM 良率的高低主要受到其堆疊架構復雜性的影響，這涉及到多層次的內存結構和作為各層連接之用的直通 TSV 技術。這些復雜技術增加了制程缺陷的風險，可能導致良率低于設計較簡單的內存產品。因此存儲大廠紛紛加碼 HBM 先進封裝，提升 HBM 良率并降低功耗。此外，根據 CFM，SK 海力士擬將新一代 HBM4 堆棧直接放置在處理器上，通過 3D 堆疊的形式進一步提高 I/O 數量。6/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 3.SK 海力士憑借海力士憑借 MR-MUF 技術占據技術占據 HBM 市場份

10、額，三星考慮將市場份額，三星考慮將 MUF 用用于于 3DSRDIMM SK 海力士在 HBM2E 和 HBM3 的生產中引入了大規?；亓鞒尚偷撞刻畛洌∕R-MUF）工藝，提高了HBM 超過 10 萬個微凸塊互連的質量，此外，該工藝充分增加了熱虛擬凸塊的數量，同時由于采用了高導熱率的模制底部填充（MUF）材料，因此散熱性能更加出色。根據全球半導體觀察，三星認為 MUF非常適合 3DSRDIMM，而目前 3DSRDIMM 使用 TSV 技術制造，主要應用于服務器上，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中 MUF 技術。若三星也導入 MUF，相關制造材料或將持續受益。7/26 2024 年年 3 月

11、月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 三、三、發展現狀發展現狀 1.國際國際 近日，美光宣布已開始量產其 HBM3E 高帶寬內存解決方案。英偉達 H200TensorCoreGPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內存，并于 2024 年第二季度開始出貨。美光 HBM3E 引腳速率超過9.2Gb/s，提供超過 1.2TB/s 的內存帶寬。與 HBM3 相比，HBM3E 將數據傳輸速率和峰值內存帶寬提高了 44%，這對于英偉達 H200 等需要大量帶寬的處理器來說尤其重要。美光利用其 1（1-beta）技術、先進的硅通孔（TSV）和其他實現差異化封裝解決方案

12、來生產 HBM3E 產品，有助于公司在數據中心級產品上提升技術競爭實力和市場占有率。8/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 三星發布首款 36GB HBM3E 12HDRAM，目前為三星容量最大的 HBM。三星 HBM3E12H 支持全天候最高帶寬達 1280GB/s，產品容量也達到了 36GB。相比三星 8 層堆疊的 HBM38H，HBM3E12H 在帶寬和容量上大幅提升超過 50%。HBM3E12H 采用了先進的熱壓非導電薄膜（TCNCF）技術，使得 12層和 8 層堆疊產品的高度保持一致，以滿足當前 HBM 封裝的要求。相比 HBM38H，H

13、BM3E12H 搭載于人工智能應用后，公司預計人工智能訓練平均速度可提升 34%，同時推理服務用戶數量也可增加超過11.5 倍。SK 海力士率先量產 HBM3E，HBM4 或于 2026 年推出。根據半導體行業觀察，SK 海力士于 1 月中旬正式結束了 HBM3E 的開發工作，并順利完成英偉達歷時半年的性能評估，計劃于 3 月開始大規模生產HBM3E 產品，這批 HBM3E 將用于英偉達下一代 Blackwell 系列的 AI 芯片旗艦產品 B100 上，而英偉達則計劃于 2024 年第二季度末或第三季度初推出該系列產品。根據 TrendForce，HBM4 預計規劃于2026 年推出，或采取

14、 HBM 堆棧在 SoC 主芯片之上的封裝方式。9/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 2.國內國內 國內存儲廠商入局 HBM 市場。根據采招網，近日，武漢新芯發布高帶寬存儲芯粒先進封裝技術研發和產線建設招標項目，利用三維集成多晶圓堆疊技術，打造更高容量、更大帶寬、更小功耗和更高生產效率的國產高帶寬存儲器（HBM）產品，推進多晶圓堆疊工藝產業化，新增生產設備約 17 臺/套，擬實現月產出能力3000 片（12 英寸）。國內存儲廠商在 HBM 技術上的加速突破，有望在 AI 大浪潮的需求下提升競爭實力，相關產業鏈也或將受益。四、四、競爭格局競爭格局

15、1.寡頭壟斷，寡頭壟斷，SK 海力士占過半份額海力士占過半份額 HBM 市場格局集中，SK 海力士占有主導地位。根據 Trendforce 數據，2023 年 SK 海力士市占率預計為 53%，三星市占率 38%、美光市占率 9%。HBM 市場競爭白熱化。2023 年市場主要 HBM 代際是 HBM2、HBM2e 和 HBM3，算力卡性能提升刺激 HBM 產品更迭，2023 年下半年伴隨 NVIDIAH100 與 AMDMI300 的搭載，HBM3 滲透率提升。2024 年伊始，SK 海力士完成 HBM3e 開發，并送樣英偉達測試，有望于上半年量產。預計三星電子和美光科技即將送樣 HBM3e，

16、也有望于上半年量產，其中美光科技跳過了 HBM3，直接研發 HBM3e。三家原廠在 HBM 領域的競爭日趨白熱化。2.更多更多 DRAM 廠商正切入廠商正切入 HBM 賽道，國產賽道，國產 HBM 有望突破有望突破 二線、三線 DRAM 廠商也正在切入 HBM 賽道。華邦電于 2023 年 8 月介紹了其類 HBM 高帶寬產品CUBEx，采用 14 層 TSVDRAM 堆疊，I/O 速度 500M2Gbps，總帶寬最高可達 1024GB/s，顆粒容 10/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 量為 0.54GB，功耗低至不足 1pJ/bit。這種比常

17、規 HBM 擁有更高帶寬的 CUBEx 可用于 AR、VR、可穿戴等領域。國產 DRAM 廠商有望突破 HBM。目前一線廠商 DRAM 制程在 1alpha、1beta 水平，國產 DRAM 制程在 2517nm 水平，中國臺灣 DRAM 制程在 2519nm 水平，國內 DRAM 制程接近海外。且國內擁有先進封裝技術資源和 GPU 客戶資源，有強烈的國產化訴求，未來國產 DRAM 廠商有望突破 HBM。五、五、市場測算市場測算 1.AI 刺激服務器存儲容量擴充，刺激服務器存儲容量擴充，HBM 需求強勁需求強勁（1）AI 服務器刺激更多存儲器用量，大容量內存條、服務器刺激更多存儲器用量，大容量

18、內存條、HBM、eSSD 需求旺盛需求旺盛 根據 Trendforce，目前服務器 DRAM（模組形態為常規內存條 RDIMM 和 LRDIMM）的普遍配置約為500600GB，而 AI 服務器在單條模組上則多采 64128GB，單臺服務器搭載 1636 條，平均容量可達1TB 以上。對于企業級 SSD，由于 AI 服務器追求的速度更高，其要求優先滿足 DRAM 或 HBM 需求，在 SSD 的容量提升上則呈現非必要擴大容量的態勢，但配置也顯著高于常規服務器。（2）隨著算力卡更新迭代，隨著算力卡更新迭代，HBM 規格持續提升規格持續提升 未來在 AI 模型逐漸復雜化的趨勢下，服務器的數據計算和

19、存儲需求將快速增長，并同步帶動服務器DRAM、企業級 SSD 以及 HBM 的需求成長。相較于一般服務器而言，AI 服務器多增加 GPGPU 的使用，以 NVIDIAA100/H10080GB 配置 8 張計算，HBM 用量約為 640GB，超越常規服務器的內存條容量，H200、B100、MI300 等算力卡將搭載更高容量、更高速率 HBM。11/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 2.通用服務器呈現弱復蘇態勢，通用服務器呈現弱復蘇態勢，AI 服務器快速增長服務器快速增長（1）傳統服務器呈現弱復蘇態勢，傳統服務器呈現弱復蘇態勢，2024 年出貨量同

20、比增長年出貨量同比增長 2%根據 Trendforce，2024 年服務器出貨驅動力以北美 CSP 為主，但受限于通貨膨脹高，企業融資成本居高不下，壓縮資本支出，整體需求尚未恢復至疫情前成長幅度，預計 2024 年全球服務器整機出貨量約1365.4 萬臺，同比增長 2.05%。受益于北美 CSP 訂單帶動，AI 服務器 ODM 對 2024 年展望樂觀 12/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 1）廣達：預計 2024 年 AI 服務器出貨雙位數增長，訂單主要來自于 Microsoft 及 AWS 等；2）Supermicro：預計 2024 年

21、AI 服務器出貨量有機會翻倍成長，訂單主要來自 CoreWeave 與 Tesla，積極拓展 Apple、Meta 等客戶 AI 訂單；3）Inventec：除了北美 CSP 需求，中國客戶如 ByteDance 需求最強，預估 2024 年 AI 服務器出貨量年成長可達雙位數，占比約 1015%；4）Foxconn：獲得 Oracle、AWS 訂單，預計 2024 年服務器 ODM 出貨量增長 57%。3.2024 年年 HBM 市市場容量有望接近場容量有望接近 9 億億 GB 通過測算全球算力卡的 HBM 需求，結論是：（1）從容量看從容量看 2023 年 HBM 市場容量為 2.8 億

22、GB，預計 2024 年增長至 8.9 億 GB，2026 年增長至 14.1 億 GB，20232026 年 CAGR 為 71%。增長驅動因素是：算力卡單卡 HBM 容量提升、算力卡出貨量提升、新的玩家產品放量。AI 服務器出貨增速遠高于傳統服務器、手機、PC+NB 等傳統市場，且單機 DRAM 容量增速更快，因此HBM 在全球 DRAM 市場的占比將逐步提升，2023 年容量占比為 1%（2023 年大宗 DRAM 市場容量為275 億 GB），2026 年將提升至 3%。13/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 （2）從產值看從產值看 20

23、23 年 HBM 市場規模為 40 億美元，預計 2024 年增長至 148 億美元，2026 年增長至 242 億美元，20232026 年 CAGR 為 82%。增長驅動因素是：算力卡單卡 HBM 容量提升、算力卡出貨量提升、新的玩家產品放量、技術迭代帶來單 GBHBM 單價提升。14/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 大宗 DRAM 具備強商品屬性，價格周期性明顯，HBM 具備定制品屬性，技術迭代催動 ASP 提升，長期看 HBM 在 DRAM 市場的占比會持續提升，2023 年 HBM 銷售額在 DRAM 市場的占比為 8%，2026年將

24、提升至 17%。4.HBM 市場測算明細及關鍵假設市場測算明細及關鍵假設 關鍵假設：1）對 2025 年之后的算力卡增長采用保守假設：2023-2024 年算力卡維持緊缺，假設 2025年供需平衡，增長趨緩。2）HBM 滲透率假設：2023 年 HBM 市場的主流代際為 HBM2、HBM2e 和HBM3，預計 2024 年主流代際轉變為 HBM3e，由于各家原廠的 HBM4 方案未定，20252026 年保守假設以 HBM3e 為主。3）HBM 價格假設：定價上 HBM3eHBM3HBM2eHBM2，并且隨著產品迭代，老產品價格有自然年降。其中 HBM3e 有 24GB 和 36GB 版本，以

25、 24GB 版本測算。4）大宗DRAM 的容量和銷售額來自 Gartner 預測，包含了 20242025 年的漲價周期和 2026 年周期頂部的假設，數據中不含 HBM。15/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 六、六、相關公司相關公司 1.通富微電通富微電 通富微電是 1997 年成立、2007 年上市的集成電路封裝測試服務提供商，可以為全球客戶提供設計仿真和封裝測試一站式服務。20 余年來，公司依靠內生和外延兩種模式不斷發展壯大自身實力。1）內生：2014-2015 年，借助國家政策的東風，基于對全球半導體產業趨勢的判斷，先后在南通蘇通園區、

26、安徽合肥新建集成電路封測工廠；2017 年，協同廈門海滄區政府建設廈門封測工廠；2020 年，崇川廠房建成；2021 年，新增第七個封測基地通富通科。2）外延：2016 年，通富微電聯合國家集成電路產業投資基金斥資 3.71 億美元收購 AMD 蘇州及 AMD 檳城各 85%股權。16/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 公司股權結構清晰，石磊先生為公司董事長，通過華達微電子間接持有公司 0.79%股份，其父石明達先生為公司創始人，也為公司名譽董事長及副董事長，通過南通華達微電子間接持有公司 7.78%股份。石明達和石磊先生均享受國務院特殊津貼，分

27、別為教授級高級工程師和高級工程師，產業經驗豐富的領軍者是公司持續健康發展的堅實保障。國家集成電路產業投資基金一期和二期分別持有公司 11.93%和 1.35%的股權，兩期大基金共同持股側面印證了公司的技術實力和發展潛力。2019-2022 年公司為提高自身競爭力，不斷加大研發投入，研發費用持續增長；2022 年研發費用同比增長 24.54%，達到 13.23 億元的高點，主要系公司加大 Chiplet 等先進封裝技術的研發投入；2023 公司調整研發結構，研發費用同比下降 11.74%為 8.62 億元。隨著公司對研發節奏的把控逐步加強，預計公司研發費用將保持穩定。17/26 2024 年年

28、3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 公司持續研發創新，積極開展專利布局，快速切入先進封裝領域。公司目前已經建成了融合 2.5D、3D、MCM-Chiplet 等先進封裝技術的 VISionS 的先進封裝平臺及超大尺寸 FCBGA 研發平臺；自建的2.5D/3D 產線全線通線，1+4 產品及 4 層/8 層堆疊產品研發穩步推進；基于 ChipLast 工藝的 Fan-out技術，實現 5 層 RDL 超大尺寸封裝（65 65mm）；超大多芯片 FCBGAMCM 技術，實現最高 13 顆芯片集成及 100 100mm 以上超大封裝，精準卡位高端封測，具備技術競爭優勢。通富微

29、電進入半導體封測行業已 20 余年，是半導體封測產業變遷的實踐者和參與者，在規模、技術能力、客戶資源等方面接近國際先進水平。在全球前十大封測企業中，公司營收增速連續 3 年保持第一；根據芯思想研究院數據，2022 年公司在全球前十大封測企業中市占率增幅第一，營收規模排名進階，首次進入全球四強。隨著公司產品業務結構的進一步調整，憑借 7nm、5nm、FCBGA、Chiplet 等先進技術優勢，與行業領先企業深度合作的客戶優勢，預計公司的業績和市占率都將持續提升。18/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 2.中微公司中微公司 公司前身為 2004 年成

30、立的中微有限，系由中微亞洲出資設立，設立時為外商獨資企業，2018 年 12 月21 日中微有限整體變更為中微半導體設備（上海）股份有限公司，2019 年 7 月，公司成為科創板首批上市公司之一。公司無實際控制人，上海國資委和大基金為前兩大股東，其中公司第一大股東上海創投（實際控制人系上海市國資委）的持股比例為 14.4%，第二大股東巽鑫投資（大基金一期）的持股比例為 13.1%。2021H1 大基金二期成為公司股東。公司實行全員持股，嘉興智微為員工持股平臺，持股比例為 1.5%。19/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 公司專注于高端半導體設備和

31、泛半導體設備的研發、生產和銷售，為集成電路、LED 外延片、功率器件、MEMS 等半導體產品制造企業提供刻蝕設備、MOCVD 設備、薄膜沉積設備以及其他相關設備。中微公司針對該刻蝕工藝，開發了可調節電極間距的刻蝕機，通過在刻蝕過程中動態調整反應腔的極板間距，同時滿足通孔和溝槽刻蝕的不同工藝要求。公司自主開發了極高深比刻蝕機，該設備用 400KHz取代 2MHz 作為偏壓射頻源，以獲得更高的離子入射能量和準直性，使得深孔及深槽刻蝕關鍵尺寸的大小符合規格。20/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 2010 年中微公司開始開發用于 LED 器件加工中最關

32、鍵的設備MOCVD 設備。截至目前已開發了三代 MOCVD 設備，主要用于藍綠光 LED 和功率器件等生產加工，包括第一代設備 PrismoD-Blue、第二代設備 PrismoA7 及第三代更大尺寸設備。公司的前兩代設備 PrismoD-Blue 和 PrismoA7 能分別實現單腔 14 片 4 英寸和單腔 34 片 4 英寸外延片加工能力。目前公司正開發更大尺寸 MOCVD 設備，將有助于產業的進一步發展。中微公司多款 MOCVD 產品市場領先。公司用于藍光 LED 的 PrismoA7設備已在全球氮化鎵基LEDMOCVD 市場中占據領先地位；用于制造深紫外光 LED 的高溫 MOCVD

33、 設備 PrismoHiT3，其反應腔最高工藝溫度可達 1400 度，單爐可生長 18 片 2 英寸外延晶片，并可延伸到生長 4 英寸晶片，已在行業領先客戶端用于深紫外 LED 的生產驗證并獲得重復訂單；用于硅基氮化鎵功率器件用 MOCVD 設 21/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 備 PrismoPD5，具有高靈活性的特點，在同一系統中可配備多達 4 個反應腔，已在客戶生產線上驗證通過并獲得重復訂單。公司用于碳化硅功率器件外延生產的設備正在開發中，即將開展樣機在客戶端的驗證測試，下一代用于氮化鎵功率器件制造的 MOCVD 設備及制造 Micr

34、o-LED 應用的新型 MOCVD 設備也正在按計劃開發中。3.拓荊科技拓荊科技 拓荊科技成立于 2010 年，專業從事半導體薄膜沉積設備，引領進口替代浪潮。公司曾承擔多項國家科技重大專項&省部級重大科研項目，曾三次榮獲“中國半導體設備五強企業”，產品已適配國內最先進的28/14nm 邏輯芯片、19/17nmDRAM 芯片和 64/128 層 3DNANDFLASH 晶圓制造產線，尤其在PECVD 和 SACVD 領域，公司是本土唯一實現產業化應用的供應商。在薄膜沉積設備基礎上，公司還積極布局先進封裝領域，成功研制應用于晶圓級三維集成領域的混合鍵合設備系列。公司主營產品包括 PECVD、ALD

35、、SACVD、HDPCVD 等薄膜設備產品，以及混合鍵合設備產品系列。1）PECVD：已配適 180-14nm 邏輯芯片、19/17nmDRAM 及 64/128 層 FLASH 等制造工藝需求，并積極拓展更先進制程領域。2）ALD：PE-ALD 已經成功量產，兼容 SiO2 和 SiN 等介質薄膜；ThermalALD 正在產業化驗證，滿足 Al2O3 等金屬化合物薄膜沉積需求。3）SACVD：可以沉積 BPSG、SAF、TEOS 等介質薄膜，在邏輯、存儲領域均已實現產業化應用。4）混合鍵合設備：晶圓對晶圓鍵合產品 Dione300 可實現混合鍵合和熔融鍵合工藝，芯片對晶圓鍵合設備 Poll

36、ux 主要用于晶圓及切割后芯片的表面活化及清洗。22/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 持續高研發投入力度下，公司已經形成八大薄膜沉積設備核心技術，包括先進薄膜工藝設備設計技術、反應模塊架構布局技術、半導體制造系統高產能平臺技術等，相關技術水平均達到國際先進水準。特別地，公司核心技術具備一定互通性，大部分已在 PECVD、ALD 和 SACVD 上實現通用，為公司在薄膜沉積設備領域的平臺化發展奠定堅實基礎。作為本土唯一實現集成電路 PECVD、SACVD 產業化的供應商，公司已在 PECVD、SACVD 細分領域形成較強市場競爭力。根據公司招股說

37、明書數據，若以長江存儲、華虹無錫、上海華力、上海積塔在中國國際招標網上公布的 2019-2020 年各類薄膜沉積設備采購項目的評標&中標結果為例，公司在國內PECVD 和 SACVD 領域的市場份額分別達到 17%和 25%。對先進封裝領域需求，公司前瞻性布局應用于晶圓級三維集成領域的混合鍵合設備。主要包括兩種設備類別：1）晶圓對晶圓鍵合：在常溫下實現復雜的 12 英寸晶圓對晶圓多材料表面的鍵合工藝，同時還可實現熔融鍵合工藝；2）芯片到晶圓鍵合：分為預處理和鍵合兩道工序，芯片對晶圓鍵合表面預處理產品可以實現芯片對晶圓鍵合前表面預處理工序。23/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行

38、業|深度深度|研究報告研究報告 根據公司 2023 年中報披露，公司研制的晶圓對晶圓鍵合產品 Dione300 已實現首臺產業化應用,并獲得重復訂單，取得突破性進展；公司芯片對晶圓鍵合表面預處理產品 Pollux 已出貨至客戶端進行產業化驗證，驗證進展順利，有望充分受益于先進封裝對于混合鍵合設備的需求增長。4.芯源微芯源微 公司主要從事半導體專用設備的研發、生產和銷售，產品包括光刻工序涂膠顯影設備（涂膠/顯影機、噴膠機）和單片式濕法設備（清洗機、去膠機、濕法刻蝕機），可用于 8/12 英寸單晶圓處理（如集成電路制造前道晶圓加工及后道先進封裝環節）及 6 英寸及以下單晶圓處理（如化合物、MEMS

39、、LED 芯片制造等環節）。下游以半導體為主，龍頭客戶覆蓋度高。公司覆蓋三大類客戶，分別是 IC 前道晶圓加工領域，IC 后道先進封裝領域和化合物、MEMS、LED 芯片等制造領域。目前，公司已經覆蓋國內大多數前道邏輯、存儲、功率晶圓廠，國內大多數頭部封測企業以及 LED 芯片制造頭部企業。小尺寸、封裝起家，布局單片清洗、TRACK 快速突破至前道領域。公司前身沈陽芯源微先進半導體技術有限公司于 2002 年成立，2004 年首臺小尺寸 TRACK 產品出廠銷售，2007 年先進封裝領域用 12 英寸 TRACK 產品實現銷售應用，2008 年、2012 年公司分別承擔國家 02 專項“凸點封

40、裝涂膠顯影、單片濕法刻蝕設備的開發與產業化”、“300mm 晶圓勻膠顯影設備研發”項目，2013 年公司先進封裝用噴膠設備批量出口至臺灣市場，2018 年公司發布的國內首臺高產能前道 TRACK 設備“奉天一號”出廠進行工 24/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 藝驗證，2019 年公司發布了前道單晶圓清洗設備，2022 年公司發布了浸沒式高產能涂膠顯影機發布、其高產能架構 FT300（III）獲得廣泛客戶的認可。芯源微主要為下游集成電路（IC）、LED 芯片等半導體產品制造提供光刻工序 TRACK 設備和單片式濕法設備。在 IC 前道制造領域，

41、公司能夠提供 28nm 及以上 TRACK 機臺和全自動物理清洗機，領先國內同行，先發優勢明顯；在 IC 后道先進封裝及 LED 等領域，公司能夠提供封裝涂膠顯影機、去膠機、刻蝕機、清洗機，設備同樣處于國內領先地位。展望未來，公司布局先進 TRACK、化學清洗機、鍵合設備有望進一步打開公司成長空間。25/26 2024 年年 3 月月 18 日日 行業行業|深度深度|研究報告研究報告 5.其他相關公司其他相關公司 七七、參考參考研報研報 1.華鑫證券-電子行業周報：HBM 和 DDR5 增長強勁，比亞迪加碼激光雷達 2.民生證券-電子行業周報：HBM+大模型+AIPC，從云到端的 AI 革命

42、3.信達證券-半導體行業：存儲市場復蘇強勁，HBM/DDR5/CXL 增添動能 4.信達證券-半導體行業：HBM3E 量產在即，關注國產 HBM 突破和產業鏈受益 5.德邦證券-電子行業周觀點：英偉達 B100 有望發布，關注國產算力、HBM 供應鏈 6.甬興證券-電子行業周報：SK 海力士推進 HBM 擴產，Meta 自研 AI 芯片投產 7.甬興證券-電子行業周報：英偉達或將推出 B100，美光宣布量產 HBM3e 8.甬興證券-電子行業周報：臺積電啟動擴產，SK 海力士提高 HBM 封裝能力 9.中信建投-電子行業 HBM：AI 的內存瓶頸，高壁壘高增速 10.中信建投-雅克科技-002

43、409-HBM 高景氣，廠商持續擴產，前驅體有望受益 11.天風證券-半導體行業研究周報：英偉達業績超預期，HBM 需求旺盛，華為 P70 值得期待 12.長城證券-電子元器件行業周報：戴爾指引 AI 服務器強勁增長，美光宣布量產 HBM3E 13.東海證券-電子行業周報：英偉達 B100 芯片帶動液冷散熱變革，SK 海力士加碼 HBM 先進封裝 14.華金證券-半導體行業走進“芯”時代系列之七十六HBM 之“設備材料”深度分析：HBM 迭代，3D 混合鍵合成設備材料發力點 15.申萬宏源-HBM 產業鏈材料端行業報告：AI 浪潮催化 HBM 需求激增，材料端企業迎發展新機遇 16.慧博智能投

44、研-HBM 行業深度：驅動因素、市場現狀、產業鏈及相關公司深度梳理 17.銀河證券-通富微電-002156-AMD 產業鏈核心封測廠，先進封裝多點開花 18.長江證券-中微公司-688012-擴產重啟疊加份額提升，展望刻蝕設備訂單高增 26/26 2024 年年 3 月月 18 日日行業行業|深度深度|研究報告研究報告 19.長江證券-中微公司-688012-2023 年業績快報點評：刻蝕設備市占率提升，驅動新簽訂單高增20.華西證券-拓荊科技-688072-半導體薄膜沉積設備國產領軍者，產品體系持續完善打開成長空間21.東方證券-電子行業：HBM 需求大幅增加，看好先進封裝及設備材料產業鏈22.國聯證券-芯源微-688037-涂膠顯影設備龍頭，新品持續迭代突破免責聲明：以上內容僅供學習交流，不構成投資建議。