微凸點用于HBM及xPU的芯片間、Interposer電氣連接 (dishing)程度:既要充分去除過量銅,又避免過度拋光造成凹陷或破壞周圍介質層。典型流程是在銅上方有一層阻擋金屬(如TaN),CMP以高選擇性停止在阻擋層上,然后再輕微拋光露出銅。關鍵設備包括CMP拋光機和在線測厚/終點檢測系統。 行業數據 下載Excel 下載圖片 原圖定位