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1、1中郵證券2024年4月14日京儀裝備：國內半導體專用溫控/廢氣處理設備專精特新“小巨人”證券研究報告股票投資評級：買入|首次覆蓋吳文吉中郵證券研究所 電子團隊2單腔雙腔京儀裝備 業務版圖集成電路裝備+泛半導體領域2016年成立2023年上市集成電路工藝腔體Process chambers晶圓傳片設備Wafer Sorter半導體專用溫控設備Chiller半導體專用工藝廢氣處理設備Local Scrubber二端口四端口在制程中主要應用于晶圓的下線、制程間倒片的卡控和產品出廠校驗、排序以及有翻片需求的工藝，批量應用于邏輯芯片90nm-28nm等各種工藝需求 主要應用于12吋集成電路制造產線中刻

2、蝕、薄膜、擴散等工藝，用于將各工藝環節中產生的工藝廢氣進行無害化處理，批量應用于90nm-28nm邏輯芯片、64層-192層3D NAND存儲芯片等各種工藝需求；適配泛林半導體、東京電子、應用材料、日本國際電氣、中微公司、北方華創、屹唐股份等設備公司的主工藝設備單通道雙通道三通道 在制程中主要對反應腔進行溫度控制，主要應用于12吋晶圓前道刻蝕、化學氣相沉積等工藝，批量應用于邏輯芯片90nm-14nm，64層-192層3D NAND存儲芯片等各種工藝需求；適配泛林半導體、東京電子、應用材料、中微公司、北方華創、屹唐股份等設備公司的主工藝設備生產性服務資料來源：公司招股說明書，中郵證券研究所請參閱

3、附注免責聲明LZkZxUcZnVeVIUlZ9UlW9PaOaQsQpPpNnRiNrRrNjMoPtOaQmNmMvPmPoPNZmOtM3 深耕半導體專用溫控/工藝廢氣處理設備，龍頭客戶大批量裝機形成先發優勢，新客戶導入及放量順利。公司主要銷售收入來自半導體專用設備產品：2022年，半導體專用溫控設備/半導體專用工藝廢氣處理設備/晶圓傳片設備的收入占比分別為56.28%/40.30%/3.42%。2020-2022年，主要客戶（指長江存儲、中芯國際、華虹集團等存在公開披露產能信息的客戶）向公司采購半導體專用溫控設備/半導體專用工藝廢氣處理設備的比例占產能需求量的比例較為穩定，逐年增長，各自

4、整體處于50%-60%/10%-20%區間。同時公司持續積極拓展新客戶，2022年度，公司拓展了長鑫集電（北京）存儲技術有限公司、芯恩（青島）集成電路有限公司、上海鼎泰匠芯科技有限公司等超過20家新客戶，新客戶開拓成效顯著。憑借早期技術與客戶積累把握發展窗口期，不斷打磨技術高筑技術壁壘，市占率不斷提升。公司成立初期存在一定的技術積累和客戶資源積累，后續在晶圓制造技術不斷變更迭代及設備國產替代加速的兩大市場契機的推動下，公司發展迎來了不可復制的發展窗口期，公司憑借產品性能優勢、國產化優勢、突出的服務能力等取得或中標長江存儲、大連英特爾等行業主要客戶訂單，后續憑借完善突出的服務能力和持續強大的研發

5、支持，滿足客戶不斷迭代的產品需求，市場占有率逐步提升，2020/2021/2022年公司半導體專用溫控設備國內市占分別為22.05%/26.96%/35.73%，半導體專用溫控設備國內市占分別為13.66%/15.74%/15.57%，公司是目前國內唯一一家實現半導體專用溫控設備大規模裝機應用的設備制造商，也是目前國內極少數實現半導體專用工藝廢氣處理設備大規模裝機應用的設備制造商，公司產品技術水平國內領先、國際先進。先進制程擴產帶來更多設備投資，半導體專用工藝廢氣處理和晶圓傳片設備仍有較大市占率提升空間。受益于先進制程帶來更高設備投資等驅動，全球半導體設備有望24年開啟新一輪增長，2025年進

6、一步增長，SEMI預計中國大陸將增加其在全球半導體產能中的份額，繼續引領產能擴張。公司謹慎性估計2023/2024/2025年國內新增12吋晶圓等效產能分別為548.50/606.39/593.89千片/月。受益于國內晶圓廠擴產，尤其是先進制程的推進，以及公司產品在先進制程的優勢（公司半導體專用溫控設備產品主要用于90-14nm邏輯芯片以及64-192層3D NAND等存儲芯片制造中若干關鍵步驟的大規模量產；半導體專用工藝廢氣處理設備產品主要用于90-28nm邏輯芯片以及64-192層3D NAND等存儲芯片制造中若干關鍵步驟的大規模量產；晶圓傳片設備產品主要用于90-28nm邏輯芯片制造中若

7、干關鍵步驟的大規模量產），公司可覆蓋市場空間將穩健增長?？紤]到公司半導體專用工藝廢氣處理和晶圓傳片設備的國內市場份額較低，未來份額提升亦將帶來可觀的收入增量。投資要點請參閱附注免責聲明資料來源：QY Research，公司招股說明書等，中郵證券研究所4投資要點請參閱附注免責聲明盈利預測：我們預計公司2023-2025年營業收7.42/10.37/13.97億元，歸母凈利潤1.18/1.94/2.62億元，對應2023/2024/2025年的PE分別為60/37/27倍，首次覆蓋，給予“買入”評級。風險提示：貿易摩擦與地緣政治矛盾導致的經營風險；行業政策變動風險；下游擴產不及預期風險；市場競爭風

8、險；技術研發風險。資料來源：公司公告，中郵證券研究所盈利預測和財務指標盈利預測和財務指標項目項目 年度年度2022A2022A2023E2023E2024E2024E2025E2025E營業收入(百萬元)664 742 1,037 1,397 增長率(%)32.38 11.84 39.71 34.68 EBITDA(百萬元)118 147 219 298 歸屬母公司凈利潤(百萬元)91 118 194 262 增長率(%)54.95 29.28 64.40 35.52 EPS(元/股)0.54 0.70 1.15 1.56 市盈率（P/E）78.10 60.41 36.75 27.11 市凈率

9、（P/B）12.98 3.68 3.35 2.98 EV/EBITDA-1.42 38.00 25.46 18.51 5憑借早期技術與客戶積累把握發展窗口期，不斷打磨技術高筑技術壁壘，市占率不斷提升二盈利預測四目錄一深耕半導體專用溫控/工藝廢氣處理設備，龍頭客戶大批量裝機形成先發優勢，新客戶導入及放量順利先進制程擴產帶來更多設備投資，半導體專用工藝廢氣處理和晶圓傳片設備仍有較大市占率提升空間三6一深耕半導體專用溫控/工藝廢氣處理設備，龍頭客戶大批量裝機形成先發優勢，新客戶導入放量順利7請參閱附注免責聲明股權結構：北京市國資委為實控人資料來源：iFind，中郵證券研究所芯鏈融創集成電路產業發展（

10、北京）有限公司北京市國資委京儀裝備湖北三維半導體集成創新中心有限責任公司圖表1：公司股權結構（截止2024年4月9日）4.31%實控人北方集成電路技術創新中心（北京）有限公司安徽京儀自動化裝備技術有限公司3.70%控股 100%北京控股集團有限公司北京京儀集團有限公司安徽北自投資管理公司（有限合伙）其他控股 100%控股 100%員工持股平臺39.38%24.08%36.54%50%81.50 1.92 2.50 3.17 0.361.051.842.272.31 3.49 5.01 6.64 7.42 0.02.04.06.08.020192020202120222023E半導體專用溫控設備

11、半導體專用工藝廢氣處理設備晶圓傳片設備零配件及支持性設備維護、維修等服務技術服務-0.290.060.590.911.18-0.310.010.550.820.86(0.5)(0.3)(0.1)0.10.30.50.70.91.11.31.520192020202120222023E歸母扣非歸母請參閱附注免責聲明營收利潤高速增長 營收：公司高度重視核心技術的自主研發與創新，研發投入持續增加，實現了多項技術的突破與創新，掌握了一系列核心技術，增強了企業核心競爭力。2019-2023年，公司積極把握半導體產業市場需求持續增長所帶來的市場機遇，客戶群體覆蓋度進一步擴大，營業收入持續增長。利潤：公司利

12、潤端的穩健增長主要系營收規模的持續增長。2023E公司利潤總額為1.33億元，同比+31.66%，主要系2023年度報告期內營業收入增長及收到的政府補助、營業外收入規模較大。圖表2：2019-2023E公司各業務營收（億元）圖表3：2019-2023E公司歸母和扣非后歸母凈利潤（億元）資料來源：iFind，公司業績快報公告，中郵證券研究所927.56%29.56%38.03%39.57%39.09%0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%20192020202120222023H1綜合半導體專用設備零配件及支持性設備維護、維修等服務其他業務-技術服務30.31%28.26%35

13、.84%43.17%38.98%21.84%36.94%48.09%46.51%41.73%23.99%11.65%0.92%17.39%0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%50%20192020202120222023H1半導體專用溫控設備半導體專用工藝廢氣處理設備晶圓傳片設備請參閱附注免責聲明半導體專用設備毛利率呈現穩健上升趨勢 隨著公司產品技術水平的提升以及產品型號不斷的迭代升級，公司在行業內的競爭力不斷增強，同時公司生產經營規模不斷擴張、規模效應逐漸顯現，公司半導體專用設備毛利率呈現穩健上升趨勢。2019-2022年，公司綜合毛利率持續上升，主要系公司半導體專用設備

14、的毛利率逐年上升。半導體專用溫控設備：2021年，2022年毛利率上升主要系產品設計和工藝、選材用料不斷優化，產品不斷更新迭代，單位成本有所下降，同時平均單位價格更高的先進系列產品銷量占比增加所致。2023H1，公司半導體專用溫控設備毛利率有所下降，主要系客戶結構變化以及氟化液等原材料單位成本上升。半導體專用工藝廢氣處理設備：2021年毛利率大幅提升主要系產品不斷迭代，新產品定價水平較高，同時產品設計和工藝不斷優化，單位成本下降，帶動綜合毛利率上升。2023H1毛利率有所下降，主要系毛利率較高的產品銷量有所減少。圖表4：2019-2023H1公司各主營業務毛利率資料來源：iFind，公司招股說

15、明書，中郵證券研究所圖表5：2019-2023H1公司半導體專用設備毛利率106.81%6.55%7.29%6.96%0%4%8%12%2020202120222023前三季度銷售費用管理費用研發費用財務費用始終保持高效率研發，規模效應不斷凸顯 銷售費用：2020年-2023前三季度，公司銷售費用主要為維修質保（公司銷售的半導體專用設備產品附帶質保條款，公司根據預期維修質保支出計提維修質保費用。2020年-2023前三季度，公司產品未發生重大質量糾紛，產品維修質保金計提充分）和職工薪酬。管理費用：2020-2022年，公司管理費用中職工薪酬金額占當期管理費用的比例分別為67.82%、72.94

16、%、76.24%。公司管理費用中職工薪酬主要核算管理人員薪酬，隨著經營規模和業績的提升，管理人員數量不斷增加，績效薪酬規模亦有所提升。研發費用：2020-2022年，公司研發費用中職工薪酬金額占當期研發費用的比例分別為60.05%、64.08%、58.83%。公司研發費用中職工薪酬的增加主要系研發人員薪酬水平的提升和人員數量的增加。得益于公司深耕半導體專用溫控設備和半導體專用工藝廢氣處理設備兩大主要產品領域行業多年實現了產品在國內主流集成電路制造企業的國內產線上批量應用，同時公司研發項目側重于對產品整體結構設計、設備底層算法的迭代優化、控制方案的升級和對關鍵性能的升級優化，研發投入以職工薪酬為

17、主，研發所涉及原材料可獲得性較強，價格適中，公司研發成果轉化率較高以及研發費用中直接材料耗用金額相對較低，公司研發費用率低于境內同行業可比公司平均水平。圖表6：2020-2023前三季度公司相關費用率單位：人2020202120222023H1管理人員-7275研發人員56608695生產人員-129132銷售及售后支持人員-142160合計210295429462圖表7：2020-2023H1末公司員工專業結構資料來源：iFind，IPO公告，公司招股說明書，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明11請參閱附注免責聲明半導體專用溫控設備客戶優勢顯著 公司主要銷售收入來自半導體專用設備產品：2022

18、年，半導體專用溫控設備/半導體專用工藝廢氣處理設備/晶圓傳片設備的收入占比分別為56.28%/40.30%/3.42%。2020-2022年，主要客戶（指長江存儲、中芯國際、華虹集團等存在公開披露產能信息的客戶）向公司采購半導體專用溫控設備/半導體專用工藝廢氣處理設備的比例占產能需求量的比例較為穩定，逐年增長，各自整體處于50%-60%/10%-20%區間。資料來源：IPO公告，公司招股說明書，中郵證券研究所圖表8：2020-2023H1公司各系列產品的收入、ASP和銷量情況2020202120222023H1客戶類型主要代表客戶半導體專用溫控設備收入（萬元）19,181.4125,008.9

19、131,675.2028,890.78集成電路制造企業以及集成電路設備制造企業比例63.88%57.48%56.28%70.49%銷量（臺）993123415251289ASP（萬元/臺）19.32 20.27 20.77 22.41 半導體專用工藝廢氣處理設備收入（萬元）10,482.6518,413.3422,683.8612,093.13集成電路制造企業比例34.91%42.32%40.30%29.51%銷量（臺）200312410228ASP（萬元/臺）52.41 59.02 55.33 53.04 晶圓傳片設備收入（萬元）362.60 83.60 1922.27-集成電路制造企業比例

20、1.21%0.19%3.42%-銷量（臺）4122-ASP（萬元/臺）90.65 83.60 87.38-12請參閱附注免責聲明半導體專用設備產品中先進制程產品收入占比超過95%公司產品主要應用于成熟或先進制程集成電路制造的12吋集成電路制造產線。在邏輯芯片領域，28nm以下為業內先進制程，公司產品已經適配國內最先進的14nm邏輯芯片制造產線；在3D NAND存儲芯片領域，128層以上（含128層）為業內先進制程，公司產品已經適配國內最先進的192層3D NAND存儲芯片制造產線。除少數型號半導體專用溫控設備無法應用于先進制程外，公司半導體專用設備主要產品均可應用于先進制程產線。2020年-2

21、023H1報告期各期，公司半導體專用設備產品中先進制程產品收入占比超過95%。資料來源：IPO公告，公司招股說明書，中郵證券研究所圖表9：2020-2023H1公司半導體專用設備制程分布情況97.43%97.70%98.83%96.72%2.57%2.30%1.17%3.28%0%20%40%60%80%100%2020202120222023H1先進制程產品成熟制程產品合計金額（萬元）30,026.6643,505.8556,281.3440,983.91 公司覆蓋晶圓制造主流客戶，龍頭客戶大批量裝機經驗形成先發優勢。公司自主研發的半導體專用設備已成功進入長江存儲、中芯國際、華虹集團、大連英

22、特爾、廣州粵芯、睿力集成等行業知名半導體制造企業，與頭部客戶建立了良好的合作關系，積攢了豐富的先進制程經驗，公司是國內唯一的具備邏輯、存儲、不同制程類型產線大批量裝機經驗的供應商。頭部客戶產能規模大，工藝制程技術先進，有較強的示范效應。13 2020-2022年，主要客戶向公司采購半導體專用溫控設備的比例占產能需求量的比例較為穩定，逐年增長，整體處于50%-60%區間，主要客戶向公司采購半導體專用工藝廢氣處理設備的比例占產能需求量的比例亦較為穩定，逐年增長，整體處于10%-20%區間，主要客戶半導體專用設備產能需求量和客戶向公司采購量的匹配情況良好，不存在異常情況。未來隨著主要客戶擴產，公司有

23、望繼續保持較高的市場份額。近年來，長江存儲作為公司第一大客戶，銷售占比波動的原因如下：2021年，公司憑借優秀的產品質量和市場口碑獲得了客戶擴產階段的批量采購訂單，把握了客戶擴產發展的窗口期。2022年，2022H2部分半導體專用設備已發貨至客戶現場尚未完成驗收，2022年末公司對長江存儲的發出商品金額較2021年末新增超過6,000萬元。公司持續積極拓展新客戶，2022年，公司拓展了長鑫集電（北京）存儲技術有限公司、芯恩（青島）集成電路有限公司、上海鼎泰匠芯科技有限公司等超過20家新客戶，新客戶開拓成效顯著，客戶集中度整體呈下降趨勢。品牌及市場地位良好、新客戶開拓成效顯著圖表10：2020-

24、2022公司主要客戶擴產、設備需求量以及向公司采購情況2023H12022年2021年2020年長江存儲29.00%長江存儲28.38%長江存儲52.59%長江存儲44.79%長鑫科技12.23%華虹集團14.31%中芯國際16.91%中芯國際27.14%華虹集團12.20%中芯國際13.75%大連英特爾 10.38%華虹集團7.74%中芯國際10.06%成都高真8.87%廣州粵芯4.85%積塔半導體3.00%卓勝微6.90%大連英特爾 8.14%北方華創3.04%中微公司2.30%合計（萬元）30,27948,74244,00429,637合計（%）70.40%73.44%87.77%84.

25、97%注：同一控制下企業進行合并計算。注：主要客戶指長江存儲、中芯國際、華虹集團等存在公開披露產能信息的客戶。項目2022年 2021年 2020年半導體專用溫控設備主要客戶新增產能合計（萬片/月）232221月產能1萬片對應的半導體專用溫控設備需求（臺）808080半導體專用溫控設備需求量（臺）=*184017601680主要客戶向公司采購的產品數量（臺）1048981891主要客戶向公司采購數量占產能需求量的比例=/57%56%53%半導體專用工藝廢氣處理設備主要客戶新增產能合計（萬片/月）232221月產能1萬片對應的半導體專用工藝廢氣處理設備需求（臺）808080半導體專用溫控設備需求

26、量（臺）=*184017601680主要客戶向公司采購的產品數量（臺）276223171主要客戶向公司采購數量占產能需求量的比例=/15%13%10%圖表11：2020-2023H1公司向前五大客戶銷售情況資料來源：IPO公告，公司招股說明書，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明14二憑借早期技術與客戶積累把握發展窗口期，不斷打磨技術高筑技術壁壘，市占率不斷提升15半導體專用溫控+半導體專用工藝廢氣處理+晶圓傳片圖表12：公司主要產品介紹產品類別圖示產品主要技術指標/參數應用領域半導體專用溫控設備單通道 溫控區間：-45120 空載溫控精度：0.050.2 帶載溫控精度：0.51 制冷能力：5kW

27、-40，3kW-10，Up to 30kW30在制程中主要對反應腔進行溫度控制，主要應用于12吋晶圓前道刻蝕、化學氣相沉積等工藝，批量應用于邏輯芯片 90nm-14nm，64層-192層3D NAND存儲芯片等各種工 藝需求，適配泛林半導體、東京電子、應用材料、中微公司、北方華創、屹唐股份等設備公司的主工藝設備雙通道 溫控區間：-70120 空載溫控精度：0.050.2 帶載溫控精度：0.51 制冷能力：8.5kW-60，3kW-10，Up to 21kW30三通道 溫控區間：-45120 空載溫控精度：0.050.2 帶載溫控精度：0.51 制冷能力：6kW-40，4kW-10，Up to

28、30kW30半導體專用工藝廢氣處理設備單腔 廢氣處理量（標準狀況下升/分鐘）：400slm800slm 廢氣處理效率：99%廢氣處理方式：燃燒水洗式、等離子水洗、電熱水洗式主要應用于12吋集成電路制造產線中刻蝕、薄膜、擴散等工藝，用于將各工藝環節中產生的工藝廢氣進行無害化處理，批量應用于90nm-28nm邏輯芯片、64層-192層3D NAND存儲芯片等各種工藝需求，適配泛林半導體、東京電子、應用材料、日本國際電氣、中微公司、北方華創、屹唐股份等設備公司的主工藝設備雙腔 廢氣處理量（標準狀況下升/分鐘）：800slm1,600slm 廢氣處理效率：99%廢氣處理方式：燃燒水洗式晶圓傳片設備二端

29、口 產品單位時間全流程晶圓傳送量 WPH：330 機械手重復定位精度：0.1mm 缺口定位精度：0.2在制程中主要應用于晶圓的下線、制程間倒片的卡控和產品出廠校驗、排序以及有翻片需求的工藝，批量應用于邏輯芯片90nm-28nm等各種工藝需求四端口 產品單位時間全流程晶圓傳送量 WPH：330 機械手重復定位精度：0.1mm 缺口定位精度：0.2資料來源：公司招股說明書，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明16溫控+工藝廢氣處理+晶圓傳片可用于半導體制程各環節圖表13：公司主要產品在半導體制程各環節的應用情況光刻光刻機涂膠顯影機清洗機量測設備擴散氧化爐退火設備量測設備溫控設備工藝廢氣處理設備薄膜沉積

30、氣相沉積設備清洗機退火設備量測設備溫控設備工藝廢氣處理設備真空泵離子注入離子注入機去膠機清洗機溫控設備真空泵刻蝕刻蝕設備清洗機量測設備溫控設備工藝廢氣處理設備真空泵循環往復晶圓傳片設備晶圓傳片設備晶圓傳片設備晶圓傳片設備晶圓傳片設備投片出片資料來源：公司招股說明書，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明17主要產品演變和技術發展情況京儀裝備成立單通道建立以半導體專用設備領域為核心發展方向；開拓中芯國際、大連英特爾等推出等離子水洗、電加熱水洗工藝廢氣處理設備，實現規?；逃檬着_-40低溫大負載產品推出 ALI-300G2E-4LP晶圓傳片設備；推出AAR-300 G3-2LP FL晶圓傳片設備、AAR

31、-300 G3-4LP FL晶圓傳片設備、AAR-300 G3-2LP EB嵌入式品圓傳片設備資料來源：公司招股說明書，中郵證券研究所請參閱附注免責聲明20162017201820192020202220212023雙通道三通道雙通道產品成功進入大連英特爾供應鏈研發等離子水洗、電加熱水洗工藝廢氣處理設備首臺三通道產品B-830T研發成功初代節能系列產品研制成功推出嵌入式晶圓傳片設備，實現了嵌入Stocker的倒片工藝首臺混合控溫Chiller研制成功新一代節能系列產品研制成功更廣泛地進入中國12吋集成電路制造產線，全面適配泛林、東京電子、中微公司等溫控設備需求推出處理量400+400slm和8

32、00+800slm的雙腔燃燒水洗設備，處理量400slm、800s1m的單腔燃燒水洗設備在X-機械手技術平臺上推出WPH達250的晶圓傳片設備首臺超低溫-70樣機研制成功在北京產權交易所完成1輪融資；chiller首次進入京東方第六代柔性屏生產線新一代熱交換器系列產品研制成功首臺滿足泛林-40C低溫大負載三通道產品研制成功改進推出更適用于多粉塵及強腐蝕性工藝且處理量達800+800slm的雙腔燃燒水洗設備并實現規模商用首臺-70超低溫三通道首臺-70超低溫單通道適用于苛刻工藝的單腔燃燒水洗式產品；第二代等離子水洗式和電加熱水洗式產品半導體專用溫控設備半導體專用工藝廢氣處理晶圓傳片設備首臺大流量

33、、噴氣增焓產品研制成功推出R-X-機械手技術平臺推出AAR-300 G3-4LP晶圓傳片設備開拓華虹集團、北方華創等客戶中標長江存儲一期首次公開招標項目在北京產權交易所完成2輪融資；整體變更為股份有限公司原股東將股份轉讓給航天國調等投資者11月29日，完成首發上市18請參閱附注免責聲明憑借早期技術與客戶積累把握發展窗口期資料來源：IPO公告，中郵證券研究所 公司成立初期存在一定的技術積累和客戶資源積累，后續在晶圓制造技術不斷變更迭代及設備國產替代加速的兩大市場契機的推動下，公司發展迎來了不可復制的發展窗口期，公司憑借產品性能優勢、國產化優勢、突出的服務能力、交期和價格優勢等取得或中標長江存儲、

34、大連英特爾等行業主要客戶訂單，后續憑借完善突出的服務能力和持續強大的研發支持，滿足了客戶不斷迭代的產品需求，市場占有率逐步提升，最終成為相關客戶的主要供應商。圖表14：公司與主要客戶建立合作的背景和原因情況客戶簡稱合作背景和原因長江存儲 2017年，經行業內推薦和公司積極爭取，公司憑借前期中芯國際合作經驗等取得武漢新芯半導體專用溫控設備訂單；2018年，長江存儲開始進行一期建設項目公開招投標，公司憑借前期武漢新芯合作經驗、突出的產品和服務優勢、國產化優勢等中標客戶半導體專用溫控設備和工藝廢氣處理設備訂單 華虹集團 2017年，經行業內推薦和公司積極爭取，公司憑借突出的產品和服務優勢、國產化優勢

35、等取得華力微半導體專用溫控設備訂單；后期，華力集和華虹無錫陸續公開招投標，公司中標客戶半導體專用溫控設備訂單中芯國際 2016年，經行業內推薦和公司積極爭取，公司憑借本土化優勢、突出的產品和服務優勢、國產化優勢等取得中芯上海、中芯北京、中芯北方的半導體專用溫控設備和零部件等訂單，后續陸續拓展至中芯深圳、中芯南方等客戶大連英特爾 2016年，經行業內推薦和公司積極爭取，公司憑借突出的產品質量和服務優勢等取得客戶半導體專用溫控設備和工藝廢氣處理設備訂單；2021年起公司把握客戶擴產機遇取得規?；唵?9請參閱附注免責聲明半導體專用溫控設備：內部結構、設計難點資料來源：IPO公告，公司招股說明書，中

36、郵證券研究所半導體專用溫控設備利用制冷循環和工藝冷卻水的熱交換原理，通過對半導體工藝設備使用的循環液的溫度、流量和壓力進行高精密控制，以實現半導體工藝制程的控溫需求。依據不同工藝制程要求，控制給定溫度的循環液流經半導體工藝設備反應腔內的電極或其壁面，將熱量帶入半導體專用溫控設備，半導體專用溫控設備通過熱交換器將熱量傳遞給制冷劑，再通過制冷劑將熱量釋放給工藝冷卻水，從而實現對工藝制程的溫度控制。半導體專用溫控設備的主要技術難點在于半導體制程所需溫度區間大（溫控區間所需范圍覆蓋-70120）、溫控精度高（空載溫控精度要求達到 0.05、運行溫控精度要求達到 0.5）、負載變化劇烈且溫度切換之間有嚴

37、苛的溫度曲線要求，設備密封性要求高。通用溫控設備通常不需要低溫及超低溫區間，溫度區間相對較小，溫控精度要求低，負載變化相對平緩，設備密封性要求較低。Y-8055DC關鍵零部件制冷系統模塊換熱器電動三通閥循環泵加熱器控制系統高壓密封組件高低溫保溫管路組件技術方向：多通道大負載全溫域覆蓋20請參閱附注免責聲明半導體專用溫控設備與工藝設備的連接示意圖資料來源：IPO公告，中郵證券研究所半導體專用溫控設備在工藝制程中發揮的主要作用是利用熱交換原理通過對工藝設備使用的循環液的溫度、流量和壓力進行高精密控制，以滿足半導體工藝制程的控溫需求。晶圓制造各環節均對工藝制程的溫度有明確要求，對溫度要求處于動態變化

38、狀態，其工藝制程不同階段內對溫度要求并非持續穩定在某個溫度值不變，因此需要利用半導體專用溫控設備通過對工藝設備溫度水平進行高精密控制，以滿足工藝制程持續不斷變化的控溫需求。半導體專用溫控設備與工藝設備的搭配主要體現在液體熱交換和通訊兩方面。液體主要為氟化液，通過金屬軟管輸送到工藝設備的靜電吸附托盤進行溫度控制。通訊方面，公司自主開發或按照工藝設備定制通訊協議，公司產品通過通訊線與工藝設備連接進行通訊，達到工藝設備對溫控設備的啟停、設定等功能，同時溫控設備向工藝設備傳輸流量、溫度等工藝參數信號及報警信號。工藝設備工藝腔通訊線金屬管路三通道半導體專用溫控設備雙通道半導體專用溫控設備單通道半導體專用

39、溫控設備21請參閱附注免責聲明半導體專用工藝廢氣處理設備：內部結構、設計難點設計及調試難點：系統結構的定制化設計、系統流場與溫度場的設計、粉塵控制設計、耐腐蝕材材質的設計選型、控制算法研發等。半導體專用工藝廢氣處理設備體積小、設備集成度高，因此在設計環節需要考慮設備系統的流場與溫度場的分布、系統熱量的平衡、反應溫度的控制，同時還要考慮設備使用及維護的方便性、可操作性，合理設計反應腔等核心零部件。為適應較小的設備空間，部分零部件需要定制開發，以滿足使用需求。同時在較小的設備空間內最大化粉塵捕獲率，需要對粉塵控制結構進行特殊設計，以延長設備的維護周期。DB1004關鍵零部件換向閥進氣組件反應腔水洗

40、系統除濕模塊熱交換器控制軟件技術方向：主要圍繞燃燒式、等離子式、電加熱式等全類型發展進行技術攻關資料來源：IPO公告，公司招股說明書，中郵證券研究所22半導體專用工藝廢氣處理設備與工藝設備的連接示意圖半導體專用工藝廢氣處理設備在半導體工藝制程中主要發揮的作用為處理工藝制程產生的工藝廢氣。半導體工藝制程中產生溫室效應氣體（CF4 等）、腐蝕性氣體（如HBr、Cl2等）、毒性氣體（如BCl3等）、易燃易爆氣體（如SiH4、H2等）等工藝廢氣，直接排放到環境中將產生環境污染并影響制造產線的穩定性，因此，晶圓制造產線引入專用廢氣處理設備并與工藝設備相連的排氣系統連接，處理半導體制程產生的工藝廢氣，從而

41、降低制造產線的運行風險。半導體專用工藝廢氣處理設備通過真空泵與工藝設備的工藝腔相連接。半導體工藝設備的工藝腔通過密封的真空管路與真空泵的進氣口進行連接，真空泵的出氣口通過密封的排放管路與半導體專用工藝廢氣處理設備的進氣口相連，半導體專用工藝廢氣處理設備的排氣口與廠務中央處理系統的管路進行連接。通訊方面，半導體其他工藝設備可通過一定形式的信號線纜與半導體專用工藝廢氣處理設備的控制信號模塊進行信號交互。工藝設備工藝腔排放管路半導體專用工藝廢氣處理設備真空泵真空管路廠務中央廢氣處理系統管路請參閱附注免責聲明資料來源：IPO公告，中郵證券研究所23請參閱附注免責聲明晶圓傳片設備：內部結構、設計難點AA

42、R-300 Wafer Sorter G3晶圓傳片設備主要技術難點在于晶圓傳送技術及潔凈空間設計。晶圓傳送方式之一微晶背接觸傳送技術長期由國外公司掌握，該技術難點在于確保機械手指與晶圓接觸面積小于3平方毫米情況下，摩擦力需達到與傳統真空方式相比相同甚至更高，控制算法的主要難點在于算法需要適應微晶背接觸技術，使機械手在運動過程中平穩的運行，保證晶圓在傳輸過程中不會因振動等因素產生滑動，通過對晶圓運行軌跡的優化，可以達到降低運行過程中的最大加速度，控制晶圓需要的摩擦力處于最低水平。機械手在復合運動中需要根據規劃的軌跡，通過運動正反解算法以及反饋的誤差來進行多軸的同步協調追蹤控制。技術方向：基于現有

43、軟件、算法和核心部件為基礎，進行平臺化開發資料來源：IPO公告，公司招股說明書，中郵證券研究所24晶圓傳片設備運行示意圖晶圓制造對環境潔凈度有極高要求，晶圓傳片設備在晶圓制造過程中發揮的主要作用為實現晶圓下線、傳片、翻片、倒片、出廠過程全自動化運行，其可以顯著提升晶圓制造的效率和良率。晶圓傳片設備為獨立運行的主設備，不直接與工藝設備相連接，公司部分晶圓傳片設備與晶圓裝載港（Stocker）對接。公司嵌入式晶圓傳輸設備需要和晶圓裝載港連接，通過通訊方式和晶圓裝載港的機械手進行交互，完成晶圓盒的裝卸。工廠自動化系統通過調度天車將載有晶圓的晶圓盒放在晶圓傳片設備的晶圓載物臺上，晶圓載物臺通過開盒裝置

44、將晶圓盒打開，并將晶圓盒與晶圓傳片設備的潔凈空間連通，晶圓傳片設備根據任務實施傳片、缺口和圓心對準、讀取ID、翻片等組合動作，任務結束后晶圓載物臺會掃描晶圓位置并關閉晶圓盒，工廠自動化系統會調度天車將晶圓盒取走到下一工藝流程。天車半導體存儲設備晶圓盒嵌入式晶圓傳片設備晶圓載物臺G3四端口晶圓傳片設備G3兩端口晶圓傳片設備G2四端口晶圓傳片設備請參閱附注免責聲明資料來源：IPO公告，中郵證券研究所25不斷打磨技術高筑技術壁壘 結合市場最新需求和行業的技術變更，公司持續進行研發工作。公司產品在逐漸被客戶接受后，隨著下游客戶驗證過程中的持續反饋，經驗和技術隨之不斷積累和提升。與國際大廠主要競品對比，

45、公司半導體專用溫控設備與主流競品在核心技術指標方面不存在重大差異，溫控范圍、溫控精度、冷卻能力等產品關鍵性能參數處于國內領先、國際先進水平。圖表15：公司半導體專用溫控設備主要技術突破和產品改進情況技術指標含義2021年前水平2021年-2022年突破和改進情況設備型號-Y系列B、V、T系列C系列-通道數量-1、21、2、31、2、3通道數量增加溫控范圍半導體專用溫控設備能夠為工藝制程提供的溫度區間-20+90-20+120-7040指標表現顯著提升溫控精度半導體專用溫控設備穩定在工藝制程指定溫度的上下波動范圍 0.050.20.050.20.050.2持續優化冷卻能力半導體專用溫控設備能夠帶

46、走工藝制程產生的熱量的大小3kW-10 4.5kW-206kW-10 12kW-20 5kW-4012kW-20 10kW-40 8.5kW-60 2.5kw-70指標表現顯著提升MTBF產品在規定的工作環境條件下開始工作到出現第一個故障的時間的平均值6000h8000h 8000h 指標表現顯著提升MTTR產品由故障狀態轉為工作狀態時修理時間的平均值2h2h2h持續優化Up Time某時間段內產品正常工作的時長占比98%99%99%指標表現顯著提升請參閱附注免責聲明資料來源：IPO公告，中郵證券研究所26不斷打磨技術高筑技術壁壘 與國際大廠主要競品對比，公司半導體專用工藝廢氣處理設備與主流競

47、品在核心技術指標方面不存在重大差異，廢氣處理效率、廢氣處理量等產品關鍵性能參數處于國內領先，國際先進水平。圖表16：公司半導體專用工藝廢氣處理設備主要技術突破和產品改進情況技術指標含義2021年前水平2021年-2022年突破和改進情況設備型號-DB 系列DB 系列-廢氣處理效率指工藝廢氣經過半導體專用工藝廢氣處理設備后工藝廢氣破壞去除效率99%99%持續優化廢氣處理量指半導體專用工藝廢氣處理設備能夠處理的工藝廢氣的最大流量Up to 1600slmUp to 1600slm持續優化MTBF 指產品在規定的工作環境條件下開始工作到出現第一個故障的時間的平均值4000 小時 6000 小時指標表

48、現顯著提升維護周期指為了保證設備正常運作而進行檢查和排除故障工作的頻率15 天30 天指標表現顯著提升Up Time 指某時間段內產品正常工作的時長占比98%-99%99%指標表現顯著提升MTTR產品由故障狀態轉為工作狀態時修理時間的平均值2 小時2 小時持續優化請參閱附注免責聲明資料來源：IPO公告，中郵證券研究所273.12%4.73%13.66%15.74%15.57%20.43%19.36%18.71%20.10%18.14%20.01%18.84%18.63%16.66%17.00%21.65%19.51%19.29%14.12%16.73%7.08%13.61%7.84%13.78

49、%12.19%6.67%5.66%6.95%7.48%8.00%4.42%4.65%5.21%3.37%3.51%3.44%3.65%3.46%3.35%3.19%13.18%9.98%6.25%5.40%5.66%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2018年2019年2020年2021年2022年京儀裝備戴思公司愛德華公司日本荏原GST公司德國普旭CSK公司CS公司其他市占率穩步提升圖表17：2018-2022中國半導體專用溫控設備競爭格局12.50%19.63%22.05%26.96%35.73%24.37%20.17%19.42%19.33%18.60%1

50、9.16%15.20%14.20%13.63%10.13%11.88%13.65%12.39%11.22%10.15%11.74%10.44%9.67%9.53%9.06%9.72%7.89%10.09%9.56%8.71%10.62%13.01%12.18%9.77%7.62%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20182019202020212022京儀裝備ATS公司SMC公司GST公司伸和控制友尼森其他圖表18：2018-2022中國半導體專用工藝廢氣處理設備競爭格局注：市場份額為收入口徑，ATS公司指Advanced Thermal Sciences Co

51、rporation；SMC公司指SMC株式會社；GST 公司指Global StandarardTechnology Co.,Ltd；伸和控制指Shinwa Controls Co.,Ltd；友尼森指Unisem Co.,Ltd；戴思公司指DAS Environmental Expert GmbH；愛德華公司指Edwards limited；日本荏原指Ebara Corporation；德國普旭指Busch Vacuum Solutions；CSK公司指CSK Inc.；CS 公司指CS Clean Solutions。請參閱附注免責聲明資料來源：QY Research，IPO公告，中郵證券研

52、究所28三先進制程擴產帶來更多設備投資，半導體專用工藝廢氣處理/晶圓傳片設備仍有較大市占率提升空間29請參閱附注免責聲明募投項目：擴充設備產能、提升研發能力資料來源：公司招股說明書，中郵證券研究所募投項目集成電路制造專用高精密控制裝備研發生產（安徽）基地項目項目預計總投資：50,600.00 萬元主要包括技術成果產業化車間、研發測試中心、創新中心、研發辦公樓、動力間及其他配套設施等。本項目建成后，公司安徽制造基地可實現半導體專用溫度控制設備、半導體專用工藝廢氣處理設備生產能力的大幅提升，并同步新增研發中心及研發辦公樓，全面提升公司半導體專用設備的研發、制造和服務能力。建設期建設期 24 個月到

53、 30 個月補充流動資金40,000.00 萬元滿足公司當前業務經營及未來發展目標的資金需求、優化資本結構。布局 公司專注于半導體專用溫控設備，半導體專用工藝廢氣處理設備和晶圓傳片設備的研發、生產、銷售。經過多年的技術積累，公司已經成功掌握多項核心技術，相關產品已廣泛應用于國內先進制程半導體制造產線。經過多年技術開發，根據客戶的不同需求，公司各類產品分別形成了不同側重點的技術研發方向。其中半導體專用溫控設備技術方向為多通道、大負載和全溫域覆蓋；半導體專用工藝廢氣處理設備主要圍繞燃燒式、等離子式、電加熱式等全類型發展進行技術攻關；晶圓傳片設備基于現有軟件、算法和核心部件為基礎，進行平臺化開發，全

54、面助力公司科技創新能力實現新突破。未來，公司將繼續專注關鍵核心技術攻關，同時推進基礎理論研究并配套建立健全各類半導體設備測試、驗證平臺及數字軟件測試系統，提升半導體專用設備安全及性能測試水平，縮短設備研發及客戶驗證周期，以及加碼實現關鍵零部件開發。30半導體專用溫控設備：公司國內市占第一0.62%11%20%22%22%其他EFEM及晶圓傳片設備溫控設備工藝廢氣處理設備去膠設備離子注入設備熱處理設備化學機械拋光設備涂膠顯影設備清洗設備檢測設備光刻機薄膜沉積設備刻蝕設備2021年晶圓制造環節半導體設備投資占比2023E中國市場規模8.78億元2025E中國市場規模10.45億元Chiller1.

55、76%3.47%18.08%2.71%2.79%10.15%61.04%0%20%40%60%80%其他CMP沉積擴散離子注入涂膠顯影刻蝕其他CMP沉積擴散離子注入涂膠顯影刻蝕2022年中國半導體專用溫控設備各工藝環節市場規模占比2022年中國半導體專用溫控設備各工藝環節應用數量占比2022年中國半導體專用溫控設備市場競爭格局1.80%3.46%17.93%2.71%2.81%11.01%60.28%0%20%40%60%80%其他CMP沉積擴散離子注入涂膠顯影刻蝕其他CMP沉積擴散離子注入涂膠顯影刻蝕35.73%18.60%10.13%10.15%9.06%8.71%請參閱附注免責聲明資料來

56、源：SEMI，Gartner，QY Research，IPO公告，中郵證券研究所31半導體專用工藝廢氣處理設備：公司市占仍有提升空間1%11%20%22%22%其他EFEM及晶圓傳片設備溫控設備工藝廢氣處理設備去膠設備離子注入設備熱處理設備化學機械拋光設備涂膠顯影設備清洗設備檢測設備光刻機薄膜沉積設備刻蝕設備2023E中國市場規模23.70億元2025E中國市場規模27.56億元Local Scrubber2021年晶圓制造環節半導體設備投資占比8.33%8.67%12.84%40.33%29.83%0%10%20%30%40%50%其他離子注入外延薄膜沉積等離子刻蝕其他離子注入外延薄膜沉積等

57、離子刻蝕2022年中國半導體專用工藝廢氣處理設備各工藝環節市場規模占比9.97%9.76%13.90%37.68%28.69%0%10%20%30%40%50%其他離子注入外延薄膜沉積等離子刻蝕其他離子注入外延薄膜沉積等離子刻蝕2022年中國半導體專用工藝廢氣處理設備各工藝環節應用數量占比2022年中國半導體專用工藝廢氣處理設備市場競爭格局15.57%18.14%17.00%16.73%12.19%8.00%3.51%3.19%請參閱附注免責聲明資料來源：SEMI，Gartner，QY Research，IPO公告，中郵證券研究所320.67%11%20%22%22%其他EFEM及晶圓傳片設備

58、溫控設備工藝廢氣處理設備去膠設備離子注入設備熱處理設備化學機械拋光設備涂膠顯影設備清洗設備檢測設備光刻機薄膜沉積設備刻蝕設備請參閱附注免責聲明EFEM及晶圓傳片設備：公司市占仍有較大提升空間資料來源：SEMI，Gartner，QY Research，IPO公告，中郵證券研究所EFEM&Sorter2021年晶圓制造環節半導體設備投資占比全球CR360%EFEM市場份額約75%Sorter市場份額約25%2023E中國市場規模1.75億美元2028E中國市場規模3.33億美元33海外出口限制層層加碼，推進半導體產業鏈國產化進程圖表19：近期全球主要國家半導體政策梳理國家時間事件具體條例美國202

59、2/10/7美國BIS對其出口管制政策進行一系列有針對性的更新，這些更新將限制中國獲得先進計算芯片、開發和維護超級計算機以及制造先進半導體的能力。對目的地為中國的半導體制造“設施”（semiconductor fabrication“facility”）且能制造符合特定標準的集成電路之物項，增加新的許可證要求。由中國實體所有的設施將面臨“推定拒絕”政策，而跨國公司所有的設施將基于逐案審查政策決定。相關閾值如下:非平面晶體管結構16nm或14nm或以下（即FinFET或GAAFET）的邏輯芯片;半間距18nm或以下的DRAM存儲芯片;128層或已上的NAND閃存芯片。限制美國人員在沒有許可證的情

60、況下支持位于中國的某些半導體制造“設施”（semiconductor fabrication“facilities”）集成電路開發或生產的能力。2022/12/15當地時間12月15日，美國BIS發布公告，將36家中國科技公司列入“實體清單”，包括先進存儲芯片公司長江存儲及其日本子公司、上海微電子、寒武紀等。2023/10/17美國BIS將13家中國企業列為實體清單的同時，發布了先進計算芯片更新規則及 半導體制造物項更新規則。這兩份規則是BIS針對其于2022年10月7日發布的出口管制規則（以下簡稱“1007規則”）的修訂，在1007規則的基礎上全面升級了對華半導體行業的出口管制規則。物項層面

61、 調整并新增受管控半導體制造設備。新增3B001.a.4：被設計用于硅、碳摻雜硅、硅鍺或碳摻雜硅鍺外延生長的符合特定條件的設備。新增3B001.f.1.b.2：新增物項與荷蘭、日本規則部分一致，需注意f.1.b.2.b的參數與荷蘭、日本規則均不同。(荷蘭于2023.9.1生效的半導體出口管制規則包含了本次新規中f.1.b.2.a的參數（DCO(最大專用卡盤覆蓋)值小于或等于1.50nm），但未包含f.1.b.2.b的參數（DCO(最大專用卡盤覆蓋)值大于1.50nm但小于或等于2.4nm）。本次新規新增的f.1.b.2.b中的參數剛好能夠覆蓋了此前未受到荷蘭出口管制管控的NXT1980Di光刻

62、機。日本2023/3/31日本政府宣布修改外匯及對外貿易法，計劃擴大半導體制造設備出口管制范圍，涉及6大類23種設備。2023/5/23日本政府出臺半導體制造設備出口管制措施，包括光刻、刻蝕、熱處理、清洗、檢測等6大類23種半導體制造設備（或物項），主要針對高端半導體制造設備。此次生效的日本半導體制造設備出口管制措施涉及23個品類產品，其中包括極紫外線（EUV）相關產品的制造設備和使存儲元件立體堆疊的蝕刻設備等，在14納米及以下制程的高端先進制程工藝的上游領域的進口受到一定限制。2023/7/237月23日，日本政府出臺的半導體制造設備出口管制措施正式生效。請參閱附注免責聲明資料來源：美國駐華

63、大使館和領事館官網，環球網，芯師爺，證券日報網，財聯社，澎湃網，中郵證券研究所34海外出口限制層層加碼，推進半導體產業鏈國產化進程圖表19：近期全球主要國家半導體政策梳理（接上表）國家時間事件具體條例荷蘭2023/3/8荷蘭政府以“國家安全”為由，宣布將對包括“最先進的”深紫外光刻機（DUV）在內的特定半導體制造設備實施新的出口管制。意味著荷蘭方面已將光刻機出口管制的范圍，由極紫外光刻機（EUV）擴大到了DUV。2023/6/30當地時間6月30日，荷蘭政府正式頒布了有關先進半導體設備的額外出口管制的新條例，主要針對的對象為先進的芯片制造技術，包括先進的沉積設備和浸潤式光刻系統。該措施將于20

64、23年9月1日正式生效。從限制政策來看，主要受影響的荷蘭企業為ASML和ASMInternational。根據荷蘭公布的出口管制的新規來看，此次限制材料、設備及技術具體如下：1、3B001.l：EUV pellicle，即EUV光罩保護膜；2、3B001.m：EUV pellicle生產設備；3、3B001.f.4：光刻設備，如下所示：使用光電或X射線方法對準和曝光芯片的直接步進式芯片或掃描儀設備，具有以下任一項或兩項：.光源的波長短于193nm（這里指EUV光刻機）；.光源的波長等于或大于193nm：a.能夠產生具有45nm或更小的最小可分辨特征尺寸（MRF）的圖案；和b.小于或等于1.50

65、nm的最大專用卡盤覆蓋（DCO，是通過相同的光刻系統在芯片上曝光的現有圖案上對準新圖案的準確度）值。根據ASML公布的數據顯示，ASML的NXT1980系列依然可以不受出口限制影響。4、3B001.d.12：用于金屬剝離的原子層沉積（ALD）設備.具有以下所有特征：a.一種以上的金屬源，其中一種已被開發用于鋁（AI）前體；和b.原材料容器設計用于45C以上的溫度；.設計用于沉積具有以下所有特征的“臺階式”金屬：a.沉積碳化鈦鋁（TiAlC）；和b.高于4.0eV的“特定功函數的金屬”的可能性。5、3B001.a.4：設計用于硅（Si）、碳摻雜硅、硅鍺（SiGe）或碳摻雜SiGe外延生長的設備。

66、具有以下所有特征：a.在工藝步驟之間維持用于高真空（小于或等于0.01Pa）或惰性氣體（水和氧分壓小于0.01Pa）的多個腔室和裝置；b.至少一個預處理室，所述預處理室設計用于表面制備以清潔晶片的表面；和c.外延沉積工作溫度685C或以下。6、3B0001.d.19：設計用于在介電常數低于3.3的金屬線之間的深度與高度之比（AR）等于或大于1:1的小于25nm寬的空間中沉積由無空穴等離子體增強的Low K電介質的設備。7、3D007：專為開發、生產或使用本法規3B01.l.、3B01.m.、3B001.f.4、3B001.d.12、3B00.a.4或3B001.d.19中規定的設備而設計的軟件

67、。8、3E005：開發、生產或使用本法規3B01.l.、3B01.m.、3B001.f.4、3B001.d.12、3B00.a.4或3B001.d.19中規定的設備所需的技術。2023/9/12023年9月1日，荷蘭政府此前于6月底頒布的有關先進半導體設備的額外出口管制的新條例正式生效。據彭博社報道，ASML發言人于當地時間周四表示，盡管出口限制從9月開始生效，但該公司現有的許可證仍能夠允許其在2023年底前繼續將NXT:2000i和更先進的DUV光刻機運送到中國。自 2024 年1月1日起，ASML不太可能獲得向中國國內客戶運送這些系統的出口許可證。2024/1/2ASML在官網發布聲明稱，

68、其NXT:2050i及NXT:2100i光刻系統的出口許可證已被荷蘭政府部分撤銷，影響了中國大陸的一小部分客戶。ASML還稱，公司在最近與美國政府的討論中，獲得了美國出口管制規定范圍和影響的進一步厘清。請參閱附注免責聲明資料來源：芯智訊，觀察者網，財聯社，中郵證券研究所35設備：光刻機進口數據概覽 根據海關總署進出口稅則商品及品目注釋，中 國 海 關 HS 編 碼 為“84862031”和“84862039”，商品名稱為“制半導體器件或集成電路用的分步 重 復 光 刻 機”和“其他投影繪制電路圖的制半導體件或IC的裝置”這兩類為制造半導體器件或集成電路用的機器及裝置中的光刻設備。原本荷蘭在20

69、23年6月份宣布了最新禁令將于2023年9月起實施，不少企業在禁令正式實施之前進口光刻機以滿足產能需求。圖表20：2023年中國光刻機進口情況（商品編碼84862031、84862039）0.3 1.2 0.8 1.3 1.3 4.9 4.1 0.5 0.5 0.6 0.5 0.4 0.24 0.56 0.33 0.61 0.60 1.11 0.96 0.18 0.39 0.34 0.37 0.13 14 22 25 22 21 44 43 29 12 18 14 32 01020304050012345制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機(84862031):進口金額:當月值（億美元）制

70、半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機(84862031):進口均價:當月值（千萬美元/臺）制半導體器件或集成電路用的分步重復光刻機(84862031):進口數量:當月值（臺）單位：億美元；千萬美元/臺單位：臺1.5 1.8 2.9 1.5 3.6 6.1 4.8 7.6 13.8 7.2 8.2 12.0 0.31 0.29 0.30 0.23 0.61 0.55 0.57 1.50 2.33 1.38 1.94 1.82 47 63 96 65 60 110 85 51 59 52 42 66-302070120051015其他投影繪制電路圖的制半導體件或IC的裝置(84862039):進

71、口金額:當月值（億美元）其他投影繪制電路圖的制半導體件或IC的裝置(84862039):進口均價:當月值（千萬美元/臺）其他投影繪制電路圖的制半導體件或IC的裝置(84862039):進口數量:當月值（臺）單位：億美元；千萬美元/臺單位：臺請參閱附注免責聲明資料來源：iFind，中國海關總署，愛集微，中郵證券研究所36設備：全球半導體設備有望24年開啟新一輪增長 從半導體設備銷售額看，由于半導體市場需求疲軟與庫存調整，2023年產能擴張放緩，2024年的增長將由前沿邏輯和代工、包括生成式人工智能和高性能計算（HPC）在內的應用的產能增長以及芯片終端需求的復蘇推動。由于memory產能增加有限和

72、成熟產能擴張暫停，SEMI預計2024年晶圓廠設備領域的銷售額將比2023年增長3%；隨著新的晶圓廠項目、產能擴張和技術遷移將投資提高到近1100億美元，預計2025年將進一步增長18%。從半導體設備銷售應用來看，1）Foundry/logic：根據SEMI，Foundry/logic設備銷售額占晶圓廠設備總收入的一半以上，盡管終端市場疲軟，但預計2023年同比增長6%至563億美元，2024年隨著成熟技術擴張放緩和前沿技術支出的提高或將收縮2%。由于產能擴張采購增加和新設備架構的引入，foundry/logic設備投資預計在2025年將增長15%，達到633億美元。2）memory：memo

73、ry相關的資本支出預期在2023年出現最大降幅，2024年開啟增長，其中NAND設備銷售額預計在2023年將下降49%至88億美元，2024年將激增21%至107億美元，2025年將再增長51%至162億美元。DRAM設備銷售額預計將保持穩定，2023/2024年分別增長1%/3%。在不斷的技術遷移和對高帶寬存儲器（HBM）不斷擴大的需求的支持下，DRAM設備部門的銷售額預計將在2025年再增長20%至155億美元。94.10 90.59 93.16 109.76 7.52 6.32 7.20 8.42 5.78 3.99 4.95 5.95-10409014020222023F2024F20

74、25FAssembly&PackagingEquipmentTest EquipmentWafer Fab Equipment圖表21：按設備類型分類半導體設備銷售額（十億美元）53.1 56.3 55.2 63.3 17.3 8.8 10.7 16.2 12.4 12.5 12.9 15.5 94.10 90.59 93.16 109.76 02040608010012020222023F2024F2025F圖表標題OtherDRAMNANDFoundry/LogicWafer FabEquipment圖表22：按應用分類半導體設備銷售額（十億美元）請參閱附注免責聲明資料來源：SEMI，中郵

75、證券研究所37設備：中國繼續引領半導體行業擴張 美國加州時間2024年1月2日，SEMI在其最新的季度世界晶圓廠預測報告World Fab Forecast中宣布，全球半導體每月晶圓（WPM）產能在2023年增長5.5%至2960萬片后，預計2024年將增長6.4%至3160萬片（以200mm當量計算）。從2022年至2024年，全球半導體行業計劃開始運營82個新的晶圓廠，其中包括2023年的11個項目和2024年的42個項目，晶圓尺寸從300mm到100mm不等。在政府資金和其他激勵措施的推動下，SEMI預計中國大陸將增加其在全球半導體產能中的份額。預計中國大陸芯片制造商將在2024年開始運

76、營18個項目，2023年產能同比增長12%，達到每月760萬片晶圓，2024年產能同比增加13%，達到每月860萬片晶圓。中國臺灣預計仍將是半導體產能第二大地區，2023年產能將增長5.6%至每月540萬片晶圓，2024年增長4.2%至每月570萬片晶圓，該地區準備在2024年開始運營五家晶圓廠。圖表23：2023、2024E各地區晶圓產能規劃29 11 42 01020304050202220232024F圖表24：全球新運營晶圓廠數量（個）單位：萬片/月（折合8吋）20232024EYoY中國大陸76086013.0%中國臺灣5405704.2%韓國4905105.4%日本4604702.

77、0%美洲292 3106.0%歐洲和中東地區261 2703.6%東南亞163 1704.0%合計2960 31606.4%注：2023年美洲/歐洲和中東地區/東南亞數據根據2024E計算所得，2023年合計數據和SEMI數據略有誤差，以SEMI數據為準SEMI,Q4 2023請參閱附注免責聲明資料來源：SEMI，中郵證券研究所38設備：先進制程擴產帶來更高設備投資21.3425.0430.8239.547.5 62.7 84.5 114.2 155.6 215.0 050100150200圖表25：每5萬片晶圓產能的設備投資（億美元）圖表26：先進制程技術規劃 摩爾定律正接近物理極限使得晶體

78、管微型化變得越來越困難，全周圍柵極（GAA）技術為制程突破提供了可行解決方案。從各晶圓廠技術路徑規劃來看，2nm采用GAA成為業內普遍選擇。從臺積電、三星、intel的規劃來看，2022-2023年進入3nm節點，預計2025年進入2nm商業化階段。當工藝節點向3nm方向升級時，普通光刻機受波長限制，精度已無法滿足工藝需求。集成電路的制造需要采購更加昂貴的極紫外光刻機（EUV），或者通過多重模板工藝，重復多次薄膜沉積和刻蝕工序以實現更小的線寬，需要投入更多且更先進的光刻機、刻蝕設備、薄膜沉積設備。據IBS統計，以生產5萬片晶圓產能的設備投資為例，3nm技術節點需要215億美元設備投資，工藝制程

79、不斷進步顯著提高設備投資。2018201920202021202220232024202520262027TSMCN7N7+N5N3(2H22)N3EN2FETFinFETFinFETFinFETFinFETFinFETGAADUV/EUVDUVEUVEUVEUVEUV?SamsungN8N7N5N3N2N1.4FETFinFETFinFETFinFETGAA?DUV/EUVDUVEUVEUVEUV?IntelIntel 10Intel 7Intel 4(2H22)Intel 3(2H23)Intel 20AIntel 18AFETFinFETFinFETFinFETFinFETRibbonF

80、ET2ndGen RibbonDUV/EUVDUVDUVEUVEUVEUVHigh-NA EUV請參閱附注免責聲明資料來源：MCR嘉世咨詢，IBS，雪球，中郵證券研究所39請參閱附注免責聲明存儲芯片先進制程迭代速度較快，帶來設備技術升級需求資料來源：TechInsights，中國電子報微信公眾號，中郵證券研究所圖表27：各大DRAM企業的研發進展圖40半導體專用設備的技術指標、運行穩定性將對晶圓制造產線的產量、良率及穩定性產生直接決定性影響：晶圓傳片設備的應用可使晶圓下線、傳片、翻片、倒片、出廠過程實現全自動化運行，可顯著提升晶圓制造的效率和良率。溫控精度指半導體專用溫控設備穩定在工藝制程指定

81、溫度的上下波動范圍，反映在工藝制程中溫度控制的效果，溫控精度高表示溫度控制的穩定性好，客戶制造的芯片產品一致性及良率高。因存儲芯片先進制程迭代速度快，公司產品在較短時間內獲得大量實踐驗證機會，開始快速實現技術迭代與升級。就研發需求和研發內容而言，公司主要產品的主要技術指標與國際競爭對手的競品已不存在重大差異，現階段研發目標主要專注于產品的可持續優化提升，即根據市場需求以及前沿發展趨勢，不斷推動產品控制方案升級并提升產品競爭力，以更好的適配下游客戶先進制程技術升級的需求。公司研發項目側重于對產品整體結構設計、設備底層算法的迭代優化、控制方案的升級和對產品關鍵性能的升級優化。先進制程推進帶動半導體

82、專用設備市場規模增長圖表28：公司主要客戶擴產計劃公司名稱工廠地點規劃產能（萬片/月）晶圓尺寸（英寸）狀態投資金額中芯國際上海1012在建88.7億美元中芯國際深圳412在建23.5億美元中芯國際北京1012在建76億美元中芯國際天津1012在建75億美元華虹集團無錫8.312計劃中67億美元長江存儲武漢2012在建（二期）一期二期合計240億美元合肥長鑫集成電路有限公司合肥2412在建（二期）二期三期合計1500億元紹興中芯紹興12.758在建175.64億元中芯集成電路（寧波）有限公司 寧波38在建39.9億元廣州粵芯廣州612在建二期三期合計227.5億元北京燕東微電子科技有限公司北京4

83、12在建75億元廈門士蘭集科微電子有限公司廈門812在建120億元杭州312在建39億元格科半導體（上海）有限公司上海612在建155億元上海鼎泰匠芯科技有限公司上海312在建超120億元芯恩（青島）集成電路有限公司青島3、28、12在建150億元杭州積海半導體有限公司杭州612在建一期二期合計350億元請參閱附注免責聲明資料來源：IPO公告，中郵證券研究所41四盈利預測42請參閱附注免責聲明盈利預測資料來源：QY Research，公司公告，中郵證券研究所 根據公司公告，公司統計了國內主要晶圓制造廠商公布的未來幾年擴產計劃，考慮到擴產計劃的不確定性，出于謹慎性原則，公司對部分客戶的新增產能進

84、行了一定比例的折算。折算后2023-2025年國內新增12英寸晶圓等效產能分別為548.50千片/月、606.39千片/月和593.89千片/月。半導體專用溫控設備：公司半導體專用溫控設備份額提升較快，2020/2021/2022年公司半導體專用溫控設備國內市占分別為22.05%/26.96%/35.73%，考慮到國內晶圓廠擴產計劃、先進制程的推動以及公司在先進制程領域的產品優勢，我們假設該設備2023/2024/2025年銷量的增速分別為26%/26%/21%，2023/2024/2025年ASP分別為22/23/24萬元/臺，毛利率分別為40%/42%/43%。半導體專用工藝廢氣處理設備：

85、2020/2021/2022年公司半導體專用溫控設備國內市占分別為13.66%/15.74%/15.57%，仍有不少提升空間，考慮到國內晶圓廠擴產計劃、先進制程的推動以及公司在先進制程領域的產品優勢，我們假設該設備2023/2024/2025年銷量的增速分別為14%/50%/35%，2023/2024/2025年ASP分別為53/54/56萬元/臺，毛利率分別為45%/46%/47%。晶圓傳片設備：目前公司該設備銷量較低，但公司已實現對長江存儲、中芯國際、華虹集團等集成電路制造商的產品驗證交付，未來隨著晶圓廠擴產等亦將貢獻可觀收入增量，我們假設該設備2023/2024/2025年銷量的增速分別

86、為-20%/100%/140%，2023/2024/2025年ASP分別為87/88/89萬元/臺，毛利率各為18%。43請參閱附注免責聲明盈利預測資料來源：iFind，公司公告，中郵證券研究所產品線產品線2020202020212021202220222023E2023E2024E2024E2025E2025E半導體專用設備銷售收入（百萬元）3004355636869661308增長率60.09%44.89%29.36%21.85%40.93%35.38%毛利（百萬元）93178246283414565毛利率31.09%40.96%43.63%41.31%42.80%43.18%半導體專用溫

87、控設備收入（百萬元）191.81250.09316.75422.73556.85703.08銷量（臺）993123415251922 2421 2930 YoY-24.27%23.58%26.00%26.00%21.00%ASP（百萬元/臺）0.19 0.20 0.21 0.22 0.230.24毛利（百萬元）54.20 89.63 136.73 169.09 233.88 302.33 毛利率28.26%35.84%43.17%40.00%42.00%43.00%半導體專用工藝廢氣處理設備收入（百萬元）104.83184.13226.84247.72378.59530.03銷量（臺）2003

88、12410467 701 946 YoY-56.00%31.41%14.00%50.00%35.00%ASP（百萬元/臺）0.52 0.59 0.55 0.53 0.540.56毛利（百萬元）38.7388.55105.51111.47 174.15 249.11 毛利率36.94%48.09%46.51%45.00%46.00%47.00%晶圓傳片設備收入（百萬元）3.63 0.84 19.22 15.3130.9875.19銷量（臺）412218 35 84 YoY-75.00%2100.00%-20.00%100.00%140.00%ASP（百萬元/臺）0.91 0.84 0.87 0.

89、87 0.880.89毛利（百萬元）0.420.013.342.76 5.58 13.53 毛利率11.65%0.92%17.39%18.00%18.00%18.00%零配件及支持性設備銷售收入（百萬元）365070354659增長率-9.22%38.08%39.55%-49.90%30.30%30.00%毛利（百萬元）791181014毛利率19.60%18.54%16.25%23.00%23.00%23.00%維護、維修等服務銷售收入（百萬元）121620161821增長率254.42%32.40%23.04%-20.00%15.00%15.00%毛利（百萬元）334455毛利率21.55

90、%19.78%20.03%25.00%25.00%25.00%其他業務銷售收入（百萬元）-11678增長率-50.00%20.00%20.00%毛利（百萬元）-2111毛利率-15.36%15.00%15.00%15.00%合計銷售收入（百萬元）34950166474210371397增長率51.02%43.74%32.38%11.84%39.71%34.68%毛利（百萬元）103191263296430585毛利率29.56%38.03%39.57%39.90%41.43%41.89%44請參閱附注免責聲明可比公司估值資料來源：iFind，中郵證券研究所注：京儀裝備的歸母凈利潤預測值采用中郵

91、證券研究所預測值；其他公司的歸母凈利潤預測值均采用iFind一致預期值。2024/4/12證券簡稱證券代碼總市值歸母凈利潤（億元）PE（億元）TTM2023E2024E2025ETTM2023E2024E2025E北方華創002371.SZ1538 35.51 38.06 52.76 69.08 43.31 40.40 29.15 22.26 中微公司688012.SH860 17.86 20.21 25.92 34.57 48.14 42.54 33.17 24.87 芯源微688037.SH129 2.77 2.86 4.03 5.68 46.46 45.07 31.95 22.70 華海

92、清科688120.SH253 7.23 7.52 10.10 13.20 35.06 33.70 25.08 19.19 至純科技603690.SH95 3.16 3.98 5.07 6.75 29.93 23.74 18.66 14.01 盛劍環境603324.SH30 1.19 1.73 2.39 3.22 24.93 17.25 12.45 9.24 均值33.79 25.08 18.71 京儀裝備688652.SH71 1.14 1.18 1.94 2.62 62.65 60.41 36.75 27.11 45請參閱附注免責聲明風險提示資料來源：公司公告，中郵證券研究所 貿易摩擦與地緣

93、政治矛盾導致的經營風險；行業政策變動風險；下游擴產不及預期風險；市場競爭風險；技術研發風險。46請參閱附注免責聲明公司財務報表和主要財務比率資料來源：公司公告，中郵證券研究所財務報表財務報表(百萬元百萬元)2022A2022A2023E2023E2024E2024E2025E2025E主要財務比率主要財務比率2022A2022A2023E2023E2024E2024E2025E2025E利潤表利潤表成長能力成長能力營業收入營業收入663.72 663.72 742.28 742.28 1,037.05 1,037.05 1,396.70 1,396.70 營業收入32.38%11.84%39.

94、71%34.68%營業成本401.09 446.08 607.36 811.61 營業利潤53.14%22.12%70.17%36.71%稅金及附加4.60 5.12 7.16 9.64 歸屬于母公司凈利潤54.95%29.28%64.40%35.52%銷售費用67.28 88.33 118.22 159.22 獲利能力獲利能力管理費用51.32 54.19 64.30 86.60 毛利率39.57%39.90%41.43%41.89%研發費用48.41 63.09 82.96 108.94 凈利率13.73%15.87%18.67%18.79%財務費用2.30 0.64-11.34-10.3

95、4 ROE16.62%6.10%9.11%10.99%資產減值損失-9.39 0.00 0.00 0.00 ROIC13.61%5.60%7.80%9.52%營業利潤營業利潤100.99 100.99 123.33 123.33 209.87 209.87 286.91 286.91 償債能力償債能力營業外收入0.00 12.63 8.00 8.00 資產負債率58.44%32.48%35.32%38.51%營業外支出0.00 3.00 1.00 1.00 流動比率1.81 3.31 2.99 2.70 利潤總額利潤總額100.99 132.96 216.87 293.91 營運能力營運能力所

96、得稅9.87 15.16 23.20 31.45 應收賬款周轉率3.42 3.44 3.75 3.69 凈利潤凈利潤91.12 117.80 193.66 262.46 存貨周轉率1.25 1.01 1.13 1.13 歸母凈利潤歸母凈利潤91.12 117.80 193.66 262.46 總資產周轉率0.60 0.36 0.34 0.39 每股收益（元）每股收益（元）0.54 0.70 1.15 1.56 每股指標（元）每股指標（元）資產負債表資產負債表每股收益0.54 0.70 1.15 1.56 貨幣資金303.54 1,728.41 1,765.46 1,878.13 每股凈資產3.

97、26 11.50 12.65 14.22 交易性金融資產0.00 0.00 0.00 0.00 估值比率估值比率應收票據及應收賬款212.29 243.42 340.09 458.03 PE78.10 60.41 36.75 27.11 預付款項8.41 9.35 12.74 17.02 PB12.98 3.68 3.35 2.98 存貨699.14 777.57 1,058.70 1,414.72 流動資產合計流動資產合計1,246.61 2,782.62 3,203.24 3,797.07 現金流量表現金流量表固定資產10.80 13.48 15.58 17.10 凈利潤91.12 117

98、.80 193.66 262.46 在建工程0.00 0.00 0.00 0.00 折舊和攤銷14.81 12.98 13.56 14.15 無形資產4.72 4.29 3.85 3.42 營運資本變動-113.45-5.74-197.54-191.31 非流動資產合計非流動資產合計72.77 78.86 83.34 87.24 其他10.88-6.12-1.05 0.31 資產總計資產總計1,319.38 2,861.48 3,286.58 3,884.30 經營活動現金流凈額經營活動現金流凈額3.36 118.92 8.64 85.61 短期借款120.00 165.41 210.82 2

99、56.24 資本開支-8.65-8.42-11.05-11.05 應付票據及應付賬款195.66 258.79 286.81 383.26 其他-3.70 0.02 0.00 0.00 其他流動負債374.81 416.92 574.93 768.33 投資活動現金流凈額投資活動現金流凈額-12.35-8.39-11.05-11.05 流動負債合計流動負債合計690.47 841.12 1,072.56 1,407.83 股權融資0.00 1,266.25 0.00 0.00 其他80.56 88.16 88.16 88.16 債務融資45.00 45.25 45.41 45.41 非流動負債

100、合計非流動負債合計80.56 88.16 88.16 88.16 其他1.40 2.88-5.95-7.31 負債合計負債合計771.03 929.29 1,160.72 1,495.99 籌資活動現金流凈額籌資活動現金流凈額46.40 1,314.38 39.46 38.10 股本126.00 168.00 168.00 168.00 現金及現金等價物凈增加額現金及現金等價物凈增加額40.93 1,424.86 37.06 112.67 資本公積金281.96 1,506.21 1,506.21 1,506.21 未分配利潤130.62 230.71 395.32 618.41 少數股東權益

101、0.00 0.00 0.00 0.00 其他9.77 27.27 56.32 95.69 所有者權益合計所有者權益合計548.35 1,932.19 2,125.85 2,388.31 負債和所有者權益總計負債和所有者權益總計1,319.38 2,861.48 3,286.58 3,884.30 47請參閱附注免責聲明感謝您的信任與支持！THANK YOU吳文吉（首席分析師）SAC編號：S1340523050004郵箱：48請參閱附注免責聲明免責聲明分析師聲明撰寫此報告的分析師（一人或多人）承諾本機構、本人以及財產利害關系人與所評價或推薦的證券無利害關系。本報告所采用的數據均來自我們認為可靠的

102、目前已公開的信息，并通過獨立判斷并得出結論，力求獨立、客觀、公平，報告結論不受本公司其他部門和人員以及證券發行人、上市公司、基金公司、證券資產管理公司、特定客戶等利益相關方的干涉和影響，特此聲明。免責聲明中郵證券有限責任公司（以下簡稱“中郵證券”）具備經中國證監會批準的開展證券投資咨詢業務的資格。本報告信息均來源于公開資料或者我們認為可靠的資料，我們力求但不保證這些信息的準確性和完整性。報告內容僅供參考，報告中的信息或所表達觀點不構成所涉證券買賣的出價或詢價，中郵證券不對因使用本報告的內容而導致的損失承擔任何責任?？蛻舨粦员緢蟾嫒〈洫毩⑴袛嗷騼H根據本報告做出決策。中郵證券可發出其它與本報告

103、所載信息不一致或有不同結論的報告。報告所載資料、意見及推測僅反映研究人員于發出本報告當日的判斷，可隨時更改且不予通告。中郵證券及其所屬關聯機構可能會持有報告中提到的公司所發行的證券頭寸并進行交易，也可能為這些公司提供或者計劃提供投資銀行、財務顧問或者其他金融產品等相關服務。證券期貨投資者適當性管理辦法于2017年7月1日起正式實施，若您非中郵證券客戶中的專業投資者，為控制投資風險，請取消接收、訂閱或使用本報告中的任何信息。本公司不會因接收人收到、閱讀或關注本報告中的內容而視其為專業投資者。本報告版權歸中郵證券所有，未經書面許可，任何機構或個人不得存在對本報告以任何形式進行翻版、修改、節選、復制

104、、發布，或對本報告進行改編、匯編等侵犯知識產權的行為，亦不得存在其他有損中郵證券商業性權益的任何情形。如經中郵證券授權后引用發布，需注明出處為中郵證券研究所，且不得對本報告進行有悖原意的引用、刪節或修改。中郵證券對于本申明具有最終解釋權。49請參閱附注免責聲明免責聲明投資評級說明中郵證券研究所公司簡介中郵證券有限責任公司，2002年9月經中國證券監督管理委員會批準設立，注冊資本50.6億元人民幣。中郵證券是中國郵政集團有限公司絕對控股的證券類金融子公司。公司經營范圍包括：證券經紀；證券自營；證券投資咨詢；證券資產管理；融資融券；證券投資基金銷售；證券承銷與保薦；代理銷售金融產品；與證券交易、證

105、券投資活動有關的財務顧問。此外，公司還具有：證券經紀人業務資格；企業債券主承銷資格；滬港通；深港通；利率互換；投資管理人受托管理保險資金；全國銀行間同業拆借；作為主辦券商在全國中小企業股份轉讓系統從事經紀、做市、推薦業務資格等業務資格。公司目前已經在北京、陜西、深圳、山東、江蘇、四川、江西、湖北、湖南、福建、遼寧、吉林、黑龍江、廣東、浙江、貴州、新疆、河南、山西、上海、云南、內蒙古、重慶、天津、河北等地設有分支機構，全國多家分支機構正在建設中。中郵證券緊緊依托中國郵政集團有限公司雄厚的實力，堅持誠信經營，踐行普惠服務，為社會大眾提供全方位專業化的證券投、融資服務，幫助客戶實現價值增長，努力成為客戶認同、社會尊重、股東滿意、員工自豪的優秀企業。北京北京郵箱：地址：北京市東城區前門街道珠市口東大街17號郵編：100050上海上海郵箱：地址：上海市虹口區東大名路1080號大廈3樓郵編：200000深圳深圳郵箱：地址：深圳市福田區濱河大道9023號國通大廈二樓郵編：518048