【公司研究】海特高新-第三代半導體國際領先者氮化鎵芯片空間大-20200305[22頁].pdf

《【公司研究】海特高新-第三代半導體國際領先者氮化鎵芯片空間大-20200305[22頁].pdf》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《【公司研究】海特高新-第三代半導體國際領先者氮化鎵芯片空間大-20200305[22頁].pdf（22頁珍藏版）》請在三個皮匠報告上搜索。

1、 - 1 - 市場價格（人民幣）： 18.95 元 目標價格（人民幣）：23.80-23.80 元 王華君王華君 分析師分析師 SAC 執業編號：執業編號：S1130519030002 第三代第三代半導體半導體國際國際領先者領先者，氮化鎵芯片空間大氮化鎵芯片空間大 公司基本情況公司基本情況( (人民幣人民幣) ) 項目項目 2017 2018 2019E 2020E 2021E 營業收入（百萬元） 426 516 802 1,144 1,759 營業收入增長率 -13.88% 21.02% 55.57% 42.66% 53.67% 歸母凈利潤（百萬元） 34 64 75 128 256 歸母凈

2、利潤增長率 -15.70% 86.36% 17.26% 71.02% 99.40% 攤薄每股盈利（元） 0.045 0.085 0.099 0.170 0.338 每股經營性現金流凈額 0.04 0.27 0.18 0.20 0.14 凈資產收益率 0.98% 1.84% 2.27% 3.79% 7.24% 市盈率（倍） 227.02 122.29 190.96 111.66 56.00 市凈率（倍） 2.24 2.25 4.33 4.24 4.05 來源：公司年報、國金證券研究所 投資邏輯投資邏輯 海特高新：海特高新：國際領先國際領先的第三代半導體的第三代半導體制造企業制造企業，實現實現核心

3、高端芯片自主可控核心高端芯片自主可控 公司主營航空高端裝備研發制造及維修、第二代/第三代化合物半導體；公司 為國際領先的高性能集成電路制造企業，解決了中國化合物半導體產業鏈中 制造環節的瓶頸，實現了核心高端芯片自主可控及國產化替代。 子公司海威華芯在中國率先提供六英吋砷化鎵（GaAs）集成電路的純晶圓 代工（Foundry）服務；在第三代半導體（氮化鎵 GaN）領域擁有國際領 先、國內一流的技術；在全球氮化鎵芯片專利技術屬于一流梯隊，公司專利 總共 249 項，其中過半數是發明專利?？杀裙緸槿补怆?、臺灣穩懋。 氮化鎵：未來之星，年均增氮化鎵：未來之星，年均增 21%；2020 年有望成國內

4、“氮化鎵應用元年”年有望成國內“氮化鎵應用元年” 第二代半導體：2020 年全球 GaAs 微波通信器件規模將超 130 億美元。第 三代半導體：根據 Yole 測算，GaN 射頻市場將從 2018 年的 6.45 億美元增 長到 2024 年約 20 億美元，年均復合增速達 21%；主要受益于電信基礎設 施 5G 宏基站建設、國防、快充、汽車電子、消費電子等應用推動。 小米公司宣布使用 GaN 快充， GaN 功率器件有望在筆記本電腦、手機快充 加速普及。華為、蘋果、三星、OPPO、康佳等在 GaN 技術上有較多積 累。華為 5G 宏基站 PA訂單明顯增長； GaN工藝有望應用于 5G 宏基

5、站。 芯片業務：訂單突破億元級別芯片業務：訂單突破億元級別；科裝業務占比過半科裝業務占比過半；為為未來未來最大增長最大增長亮亮點點 公司第三代半導體產品應用于 5G 移動通信、AI 人工智能、雷達、汽車電 子、電力電子、光纖通訊、3D 感知、新能源、國防軍工等領域。公司在 5G 宏基站射頻 GaN 產品上取得重大突破；硅基氮化鎵功率器件芯片已實現小 批量量產，是國內領先進行硅基氮化鎵量產的企業。 2019 年海威華芯訂單量突破億級。2019 年上半年芯片業務收入 0.25 億 元，同比大增 303%；收入占比達 7%。公司發展過程為先專用后民用， 2019 年科裝產品業務占比超 50%，毛利率

6、遠高于民品。芯片業務已拓展了 一百多個客戶，已取得 18 個科裝產品的定向項目，排名靠前，預計將在 2 年內全部實現量產。2020 年 1 月科裝產品拿到全年指定任務 20%的訂單。 航空裝備航空裝備及服務及服務業務業務：迎來收獲期迎來收獲期，發動機維修、飛機客改貨等多業務齊飛發動機維修、飛機客改貨等多業務齊飛 投資建議投資建議 預計公司 2019-2021 年凈利潤為 0.75/1.3/2.6 億元， PE為 189/112/56 倍。 在國際貿易摩擦背景下，第三代半導體晶圓制造為“卡脖子”環節，考慮核 心高端芯片自主可控的戰略價值，公司氮化鎵業務的稀缺性，給予 2021 年 70 倍 PE

7、，目標市值 180 億元。首次覆蓋，給予“增持”評級。 風險風險提示提示 第三代半導體產業化進程低于預期；軍品交付時間不確定性風險等。 2020 年年 03 月月 05 日日 高端裝備制造與新材料研究中心高端裝備制造與新材料研究中心 海特高新 (002023.SZ) 增持（首次評級） 公司深度研究公司深度研究 證券研究報告 公司深度研究 - 2 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 投資要件：投資要件： 主要預測、關鍵假設主要預測、關鍵假設 1、氮化鎵有望逐步實現大規模產業化應用，、氮化鎵有望逐步實現大規模產業化應用，2020 年有望成國內“氮化鎵應年有望成國內“氮化鎵應 用元年”用元年”。第三代半導

8、體在無線通信、汽車電子、電網、高鐵、衛星通信、 軍工雷達、航空航天等領域應用中具備硅基無法比擬的優勢。隨著成本的降 低，華為、蘋果、三星、小米等預計在 GaN 應用上有望獲得重大突破，氮 化鎵有望逐步實現大規模產業化應用。 2、公司第三代半導體業務有望迎來“井噴”。、公司第三代半導體業務有望迎來“井噴”。公司微電子業務經過多年投 入布局，產能利用率不斷提升，2019 年集成電路項目訂單實現從千萬級到 億級的突破，未來有望成為公司重要的業績增長點。 3、公司航空裝備及服務業務、公司航空裝備及服務業務有望有望迎來收獲期。迎來收獲期。公司前期投建的飛機大修、 客改貨、航空培訓、裝備制造等項目產能逐步

9、釋放，高端裝備制造業務跟隨 型號列裝上量節奏快。 我們與市場不同觀點我們與市場不同觀點 （1）市場普遍將第三代半導體（氮化鎵）市場普遍將第三代半導體（氮化鎵 GaN）視為主題性投資。我們認為）視為主題性投資。我們認為 氮化鎵的應用大勢所趨，有著堅實的產業支撐。氮化鎵的應用大勢所趨，有著堅實的產業支撐。隨著成本的降低，華為、蘋 果、三星、小米等預計在氮化鎵應用上有望獲得重大突破，氮化鎵有望逐步 實現大規模產業化應用，2020 年有望成國內“氮化鎵應用元年”。 （2）市場質疑公司在第三代半導體的）市場質疑公司在第三代半導體的產業化進展，我們認為第三代半導體產業化進展，我們認為第三代半導體 工藝技術

10、難度高，公司經過多年的攻關工藝技術難度高，公司經過多年的攻關，有望進入“井噴期”。，有望進入“井噴期”。2016 年 4 月，海威華芯第一條 6 英吋第二代化合物半導體集成電路生產線貫通。目前 經過 4 年多的積累，公司半導體訂單大幅增長，未來有望“井噴”。 （3）市場擔心公司的高估值，我們更看重公司在）市場擔心公司的高估值，我們更看重公司在核心高端芯片核心高端芯片科裝產品、科裝產品、 在未來高端民品市場自主可控的戰略價值，公司具備突破第三代半導體晶圓在未來高端民品市場自主可控的戰略價值，公司具備突破第三代半導體晶圓 制造“卡脖子”瓶頸的潛力。制造“卡脖子”瓶頸的潛力。公司價值不僅僅在于快充等

11、消費電子市場，公 司在科裝產品中具備戰略價值；如果未來國際貿易摩擦加劇，第三代化合物 半導體晶圓制造為中國內地的“卡脖子”環節，公司在核心高端芯片自主可 控中的戰略價值將顯現。 投資建議投資建議 預計公司 2019-2021 年歸屬于母公司凈利潤分別為 0.75/1.3/2.6 億元，對應 PE 分別為 189/112/56 倍。在國際貿易摩擦背景下，第三代半導體晶圓制造 為“卡脖子”環節，考慮核心高端芯片自主可控的戰略價值，給予公司 2021 年 70 倍 PE，目標市值 180 億元。首次覆蓋，給予“增持”評級。 催化劑催化劑 華為、蘋果、三星、小米等科技巨頭在 GaN 應用上的重大突破；

12、5G 建設進 度超預期； GaN 快充市場規?？焖偬嵘?；公司芯片量產進度超預期；國際 貿易摩擦加劇促進自主可控戰略地位提升。 風險提示風險提示 第三代半導體芯片產業化進度低于預期；公司芯片量產進度低于預期；軍品 交付時間不確定性風險；疫情影響超預期風險。 oPpQpPsOtOsMoMnMtMyRqPbRaO6MoMpPmOnNjMqQnOkPpPvM7NoPqQvPnQsMMYsPmR 公司深度研究 - 3 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 內容目錄內容目錄 一、 海特高新：第三代半導體有望放量，航空裝備業務迎來收獲期.5 1、 主營航空研制、第二代/第三代半導體，業績有望高增長.5 2、 半導體

13、業務：訂單實現億級突破，有望迎來“井噴期”.6 3、 航空裝備及服務：盈利能力強，發動機維修、飛機客改貨等多業務齊飛 7 二、 第二代、第三代半導體：受益 5G、軍工及消費電子大發展.8 1、第二代半導體：砷化鎵用于移動設備射頻器件，受益 5G/物聯網發展 .8 2、第三代半導體：氮化鎵用于 5G 宏基站、國防軍工等，將迎高增長 .10 三、 芯片業務：量產加速，有望“井噴”，為未來最大增長點.13 1、突破高端射頻芯片封鎖，第二代、第三代半導體生產線國內領先.13 2、芯片產品：用于 5G 通信、雷達、汽車電子、電力電子、國防等領域 .13 3、芯片業務：2019 年逐步完成產品化和市場化，

14、有望進入“井噴”期.14 四、 航空業務：迎來收獲期，發動機維修、飛機客改貨等多業務齊飛 .15 1、航空新技術研發與制造：高端產品研制、交付有序進行.15 2、航空維修：客改貨、發動機維修業務有望獲得快速增長.15 3、航空培訓：四大航空培訓運營基地已經全面建成，第三方龍頭地位保持16 4、航空租賃：已建天津、新加坡、愛爾蘭三大業務平臺 .16 五、盈利預測與估值分析：合理市值 180 億元.17 六、風險提示：芯片量產進度低于預期；軍品交付時間不確定性 .19 圖表目錄圖表目錄 圖表 1：公司主營：航空研發制造及維修、微電子 .5 圖表 2：子公司海威華芯：第二代/第三代半導體業務 .5

15、圖表 3：海威華芯：提供第三代半導體晶圓代工服務 .5 圖表 4：海威華芯：擁有國際一流的半導體工藝設備 .5 圖表 5：公司 2019 年收入同比增長 56%，邁向高成長 .6 圖表 6：公司業績重回快車道，2019 年同比增長 18% .6 圖表 7：2019年 H1 收入：航空研制等業務占比 64%，微電子占比 7% .6 圖表 8：公司業務處于航空產業價值鏈兩端，附加值高 .7 圖表 9：公司盈利能力較強，毛利率維持在 40%以上 .7 圖表 10：第二代、第三代半導體：與第一代硅基半導體相比性能優異，是 行業未來之星 .8 圖表 11：全球第二代半導體砷化鎵產業鏈主要競爭格局 .9

16、圖表 12：臺灣穩懋 2018 年營收 35 億元人民幣 .9 圖表 13：臺灣穩懋 2018 年歸母凈利潤 6.3 億元人民幣 .9 圖表 14：臺灣穩懋主要做晶圓代工，毛利率維持在 30%-40%之間 .9 圖表 15：GaN射頻市場規模：2018-2024 年復合增速預計 21% .10 圖表 16：預計 5G 宏基站 2019 年邁入加速建設期. 11 圖表 17：射頻功率器件 GaN逐漸取代 LDMOS. 11 公司深度研究 - 4 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 圖表 18：全球 GaN射頻參與企業 . 11 圖表 19：2022 年全球 GaN功率器件市場規模超過 4.5 億美元

17、.12 圖表 20：手機快充加速 GaN 功率器件普及，未來 GaN應用有望大幅增長12 圖表 21：公司主要的產品制程工藝 .13 圖表 22：公司微電子產品應用領域 .14 圖表 23： 預計 2019-2021 年公司收入為 8/11/18 億，同比增 速為 56%/43%/54% .17 圖表 24：公司估值參考半導體企業，考慮其戰略地位，估值有溢價空間 .18 圖表 25：公司估值參考航空發動機相關的國防軍工企業 .18 公司深度研究 - 5 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 一、一、海特高新：海特高新：第三代第三代半導體半導體有望放量，航空有望放量，航空裝備業務迎來裝備業務迎來收獲期收

18、獲期 1、主營主營航空研制航空研制、第二代第二代/第三代半導體第三代半導體，業績有望高增長，業績有望高增長 海特高新主營航空高端裝備研發制造及維修、第二代/第三代半導體（砷化 鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）。 航空研制業務：公司是中國第一家民營航空裝備與技術公司，也是中國綜 合航空技術服務類第一家上市公司。公司航空研制業務可分為 2 大類：航 空高端裝備研發與制造，航空工程與技術服務。 第二代/第三代半導體業務：在第三代化合物半導體（氮化鎵 GaN 等）領 域，公司擁有國際領先、國內一流的技術，是高性能集成電路自主可控的 研發和制造企業。子公司海威華芯是國內率先提供六英吋砷

19、化鎵集成電路 （GaAs MMIC）的純晶圓代工（Foundry）服務的制造企業?？杀裙荆?三安光電、臺灣穩懋。 圖表圖表1：公司公司主營：主營：航空研發制造航空研發制造及及維修維修、微電子微電子 圖表圖表2： 子公司海威華芯：子公司海威華芯：第二代第二代/第三代半導體業務第三代半導體業務 來源：公司官網，國金證券研究所整理 來源：子公司海威華芯官網，國金證券研究所整理 海威華芯從事第二代、第三代半導體流片制造，可以提供晶圓代工 （Foundry）服務。海威華芯目前已開發出 5G 基站用氮化鎵代工工藝、手 機用砷化鎵代工工藝，毫米波頻段用 0.15um 砷化鎵工藝、砷化鎵 VCSEL 激光器

20、工藝、電力電子用硅基氮化鎵制造工藝。 海威華芯使用國際一流的半導體工藝設備。包括：步進式光刻機、離子注 入機、金屬濺射臺、金屬蒸發臺、濕法蝕刻臺等，設備性能優越。 圖表圖表3：海威華芯海威華芯：提供：提供第三代半導體晶圓代工第三代半導體晶圓代工服務服務 圖表圖表4：海威華芯海威華芯：擁有國際一流的半導體工藝設備擁有國際一流的半導體工藝設備 來源：子公司海威華芯官網，國金證券研究所 來源：子公司海威華芯官網，國金證券研究所 公司深度研究 - 6 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 2018 年開始，公司步入業績增長快車道。年開始，公司步入業績增長快車道。公司 2015 年前業績逐步上升， 2015-2

21、017 年來由于芯片等新項目投入，還處于能力建設和市場拓展階段， 廠房及設備轉固計提折舊，收入尚未達到盈虧平衡點、運營及管理費用增 加，凈利潤有所下滑。 2019 年年，公司，公司營業收入營業收入 8 億元，同比增長億元，同比增長 56%，實現歸母凈利潤，實現歸母凈利潤 0.75 億億 元，同比增長元，同比增長 18%。公司前期投建的飛機大修、客改貨、航空培訓、裝備 制造等項目產能逐步釋放，集成電路項目訂單實現從千萬級到億級的突破， 同時公司加強管理，不斷強化精益化經營理念帶來經營效率和效益提升。 圖表圖表5：公司公司2019年收入同比增長年收入同比增長56%，邁向高成長，邁向高成長 圖表圖表

22、6： 公司業績重回快車道，公司業績重回快車道，2019年同比增長年同比增長18% 來源：wind，國金證券研究所 來源：wind，國金證券研究所 分業務來看：分業務來看：2019 年上半年航空維修、檢測、租賃及研制業務上半年營收 2.22 億元；同比增長 66%。航空培訓業務營收 0.89 億元，同比增長 31%； 微電子實現收入 0.25 億元，同比增長 303%；微電子收入占比已達 7%。 我們認為，隨著公司第二代我們認為，隨著公司第二代、第三代、第三代半導體集成電路芯片項目產品進入收半導體集成電路芯片項目產品進入收 獲期，公司業績獲期，公司業績有望有望步入步入高速高速增長軌道。增長軌道。

23、 圖表圖表7：2019年年H1收入收入：航空航空研制等研制等業務占比業務占比64%，微電子占比，微電子占比7% 來源：wind，國金證券研究所 2、半導體半導體業務：業務：訂單實現億級突破訂單實現億級突破，有望迎來“井噴期”，有望迎來“井噴期” 海威華芯為公司控股子公司，公司持股 53.79%，主要從事第二代/第三代 化合物半導體集成電路芯片的研制。 目前公司已完成包括砷化鎵、氮化鎵、碳化硅等多項產品工藝開發，可支 持制造功率放大器、光電探測器、激光器、電力電子等產品，業務涵蓋航 空、航天、衛星、消費電子等領域，應用場景包括 5G 移動通信、人工智 能、雷達、3D 感知、新能源、國防等領域。

24、-20% -10% 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 0 2 4 6 8 10 營業收入（億元） 同比增速 -100% -50% 0% 50% 100% 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 歸母凈利潤（億元） 航空維修、航空維修、 檢測、租賃檢測、租賃 及研制及研制 64%64% 航空培訓航空培訓 26%26% 微電子微電子 7%7% 其他其他 3%3% 公司深度研究 - 7 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 海威華芯 2016 年已建成國內第一條具備自主知識產權的 6 英吋第二代化 合物半導體集成電路芯片生產線。以公司建設的這條 6 英吋砷化鎵/氮化鎵 集成電路 Foun

25、dry 生產線為基礎，以公司掌握的核心技術工藝和生產設備 為支撐，為客戶提供完整的第二代/第三代化合物半導體集成電路芯片的設 計、Foundry 和測試服務，在微波通訊領域海威華芯專注于 GaAs p- HEMT/HBT 和 GaN HEMT 集成電路制程技術。向客戶提供穩定、高效的 產品和服務。 2019 年是公司技術能力逐步向產品、市場能力轉變的關鍵節點，年是公司技術能力逐步向產品、市場能力轉變的關鍵節點，市場方面市場方面 實現了從千萬級到億級的突破實現了從千萬級到億級的突破。 在技術開發方面，公司連續完成了多項技術工藝的開發，包括 0.15 微米砷 化鎵工藝制程開發（公司首款 5G 毫米

26、波商用工藝制程）。 海威華芯在全球氮化鎵芯片專利技術屬于一流梯隊，公司專利總共 249 項， 其中過半數是發明專利。 市場方面實現了從千萬級到億數量級的突破，訂單情況保持增長態勢。 2019 年多家產品性能定型，進入批量階段。碳基氮化鎵、電力電子光電等 業務方面已經實現了部分產品量產的能力。 3、航空裝備及服務航空裝備及服務：盈利能力強盈利能力強，發動機維修、飛機客改貨等多，發動機維修、飛機客改貨等多業務業務齊飛齊飛 航空新技術研發與制造方面，涵蓋自動化控制、機電一體化及救生系統。 在航空核心裝備研發與制造領域，公司已經成為國內領先的高端產 品和技術提供商。公司研制的航空發動機電子控制器，榮獲

27、國家工信部 “國防科學技術進步獎一等獎”。 在航空再制造和維修方面，包括飛機客機改貨機以及飛機和發動機的大修， 是全球首家且目前唯一擁有 B737-700 客改貨改裝方案的服務商，面向全 球開展飛機改裝和技術服務，也是中國最大的民營飛機大修企業。 在航空培訓方面，輻射國內、國際市場，在昆明、天津、新加坡建有三大 航空培訓基地，具備每年 2 萬人次的乘務員培訓能力，是中國最大的第三 方飛行培訓中心。 圖表圖表8：公司業務處于航空產業價值鏈兩端，附加值高：公司業務處于航空產業價值鏈兩端，附加值高 圖表圖表9： 公司盈利能力較強，毛利率維持在公司盈利能力較強，毛利率維持在40%以上以上 來源：拓璞產

28、業研究院，國金證券研究所 來源：wind，國金證券研究所 55% 57% 61% 65% 57% 48% 41% 42% 40% 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 70% 80% 公司深度研究 - 8 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 二、二、第二代、第三代第二代、第三代半導體半導體：受益受益 5G、軍工、軍工及及消費電子消費電子大發展大發展 第一代半導體材料 Si（硅）的應用，標志著人類邁進了信息化時代。從 2000 年左右開始，第二代、第三代半導體化合物半導體市場逐步擴大， 以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）為首的半導體材料應用增多。 第二代、第三代半導體化合物半導體即

29、-族化合物半導體材料，包 括砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等半導體材料。 對比于第一代硅（Si）、鍺（Ge）半導體，第二代、第三代半導體的主要 優勢在于：1）禁帶寬度較大，所制造的器件可耐受較大功率，且工作溫度 更高；2）電子遷移率高，適合高頻、高速器件；3）光電轉換效率高，適 合制作光電器件。 第二代、第三代半導體在無線通信、汽車電子、電網、高鐵、衛星通信、 軍工雷達、航空航天等領域應用中具備硅基無法比擬的優勢。 圖表圖表10：第二代、第三代第二代、第三代半導體：與第一代硅基半導體相比性能優異，是半導體：與第一代硅基半導體相比性能優異，是行行業未來之星業未來之星 材料

30、材料 Si Si 第一代第一代 GaAs GaAs 第二代第二代 GaN GaN 第三代第三代 SiCSiC 第三代第三代 禁帶寬度（禁帶寬度（eVeV） 1.12 1.42 3.42 3.25 飽和速率飽和速率(10(10 7 7cm/s cm/s） 1 0.8 2.5 2 熱導率（熱導率（W/cmW/cmK K） 1.5 0.6 1.3 4.5 電子遷移率電子遷移率 1350 8500 1500 900 高頻性能高頻性能 差 好 好 好 高溫性能（熔點高溫性能（熔點 K K） 1687 好 優異 好 發展階段發展階段 成熟 發展中 初期 初期 制造成本制造成本 低 中 高 高 應用領域應用

31、領域 超大規模集成電路與器件超大規模集成電路與器件 民用射頻器件民用射頻器件 軍用軍用/ /高性能民用射頻器件高性能民用射頻器件 超大功率器件超大功率器件 來源：國金證券研究所整理 1、第二代半導體：砷化鎵第二代半導體：砷化鎵用于移動設備射頻器件用于移動設備射頻器件，受益受益 5G/物聯網發展物聯網發展 近年來國家積極近年來國家積極推動推動 5G 網絡建設和商用化。網絡建設和商用化。2020 年 2 月工信部召開會議， 強調要加快 5G 商用步伐，發揮 5G 建設對“穩投資”、帶動產業鏈的作用。 2020 年 5G 建設不但不會受到疫情影響，而且在中央定調 5G 對于拉動經 濟、實現產業升級的

32、背景下，5G 相關投資有望加碼。 5G 通訊對射頻器件有更高要求，未來手機中的通訊對射頻器件有更高要求，未來手機中的 GaAs 器件數量將成倍增器件數量將成倍增 加加，主要是智能手機中的功率放大器（PA）和射頻開關（RF Switch）。 此外 5G 基站建設基站建設帶來帶來 GaAs 新的增長空間，我國三大運營商已加速新的增長空間，我國三大運營商已加速 5G 基站建設基站建設。2019 年三大運營商 5G 基站建設規模在 15 萬座左右，2020 年 開始進入 5G 基站大規模建設周期。 2015 年全球 GaAs 微波通信器件市場規模達到 86 億美元，超過 60%的市 場份額集中于 Sk

33、yworks、Qorvo、Broadcom/Avago 三大巨頭，2020 年， 市場規模預計將突破 130 億美元。 中國內地上市公司三安光電和海特高新強勢布局 GaAs 和 GaN 晶圓代工， 有望搶占臺廠代工市場。 公司深度研究 - 9 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 圖表圖表11：全球全球第二代半導體第二代半導體砷化鎵砷化鎵產業鏈主要產業鏈主要競爭格局競爭格局 來源：國金證券研究所整理 砷化鎵上游襯底到下游元件價值量逐級放大。目前全球專業 GaAs 晶圓代 工廠以臺企為主，代表企業為臺灣穩懋。2018 年穩懋營收 35 億元人民幣， 歸母凈利潤 6.3 億元人民幣，毛利率維持在 30-4

34、0%之間。 圖表圖表12：臺灣臺灣穩懋穩懋2018年年營收營收35億元人民幣億元人民幣 圖表圖表13： 臺灣臺灣穩懋穩懋2018年年歸母凈利潤歸母凈利潤6.3億元人民幣億元人民幣 來源：wind，國金證券研究所 來源：wind，國金證券研究所 圖表圖表14：臺灣臺灣穩懋主要做晶圓代工，毛利率維持在穩懋主要做晶圓代工，毛利率維持在30%-40%之間之間 來源：國金證券研究所整理 -20% -10% 0% 10% 20% 30% 40% 0 5 10 15 20 25 30 35 40 營收（億元） 同比增速 -30% -20% -10% 0% 10% 20% 30% 40% 50% 0 2 4

35、6 8 10 歸母凈利潤（億元） 同比增速 0% 10% 20% 30% 40% 50% 毛利率 公司深度研究 - 10 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 2、第三代、第三代半導體：氮化鎵半導體：氮化鎵用于用于 5G 宏基站宏基站、國防軍工、國防軍工等等，將迎高增長，將迎高增長 與 Si 和 GaAs 等半導體材料相比，GaN具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱 導率高、抗輻射能力強等突出特點，是制作高頻、高壓、高效、大功率微 波器件最理想的半導體材料。 GaN 主要用于微波射頻和電力電子領域，微波射頻方向包含 5G、雷達預 警、衛星通訊等應用；電力電子方向包括了智能電網、高速軌道交通、新 能源汽車、消

36、費電子等應用。 根據根據 Yole 測算測算，GaN 射頻市場將從射頻市場將從 2018 年的年的 6.45 億美元增長到億美元增長到 2024 年的約年的約 20 億美元，億美元，將受益于將受益于電信基礎設施和國防電信基礎設施和國防軍工軍工等等應用推動。應用推動。 GaN 無線基礎設施的市場規模將從 2018 年的 3.04 億美元增長至 2024 年 的 7.52 億美元，CAGR 達 16.3%。 隨著新的基于 GaN 的有源電子掃描陣列（AESA）雷達系統的實施，基于 GaN 的軍用雷達預計將主導 GaN軍事市場，從 2018 年的 2.7 億美元增長 至 2024 年的 9.77 億

37、美元，CAGR 達 23.91，具有很大的增長潛力。 圖表圖表15：GaN射頻射頻市場市場規模：規模：2018-2024年復合增速預計年復合增速預計21% 來源：yole，國金證券研究所 根據賽迪預測，預計到 2019-2026 年，我國 5G 產業總體市場規模將達到 1.15 萬億元， 5G 將會采取“宏站+小站”組網覆蓋的模式， 5G 基站總數量 將是 4G 基站 1.1-1.5 倍。 預計將建設 5G 宏站將達 475 萬個，5G 小站將達到 950 萬個。5G 宏基站 對射頻功率放大器的要求提高，GaN逐漸取代 LDMOS。 公司深度研究 - 11 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 圖表圖

38、表16：預計：預計5G宏基站宏基站2019年邁入加速建設期年邁入加速建設期 圖表圖表17： 射頻功率器件射頻功率器件GaN逐漸取代逐漸取代LDMOS 來源：拓璞產業研究院，國金證券研究所 來源：yole，國金證券研究所 據 Yole 統計，在 GaN 射頻領域 Cree（Wolfspeed）擁有最強的專利實力， 在 GaN-on-SiC 技術方面處于領先地位，遠遠領先于其主要專利競爭對手 住友電工和富士通。英特爾和 MACOM 是目前最活躍的 RF GaN 專利申請 者，主要聚焦在 GaN-on-Si 技術領域。 新進入者主要是中國廠商，例如 HiWafer（海特高新旗下的海威華芯）， 三安集

39、成、華進創威。 圖表圖表18：全球全球GaN射頻參與企業射頻參與企業 來源：yole，國金證券研究所 電力電子方面：電力電子方面：GaN 在電源管理、發電和功率輸出方面具有明顯的技術優在電源管理、發電和功率輸出方面具有明顯的技術優 勢，勢，快充、汽車電子、消費電子推動功率快充、汽車電子、消費電子推動功率 GaN 放量放量。據 Yole 預測，受消 費者快速充電器應用推動，到 2022 年 GaN 電源市場規模約 2.5 億美元， CAGR 為 85，有極大增長空間。此外，GaN 還有望進入汽車及工業和 電信電源應用中。 2020 年 2 月，小米公司在小米 10 發布會上也宣布使用 65W 的

40、 GaN 快充， 引起了市場極大的關注，GaN 功率器件在 2020 年預計將會加速普及。由 于 GaN 充電器具有體積小、發熱低、功率高、支持 PD 協議的特點，GaN 充電器有望在未來統一筆記本電腦和手機的充電器市場。 0 50 100 150 宏基站數量（萬站） 公司深度研究 - 12 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 圖表圖表19：2022年全球年全球GaN功率器件市場規模超過功率器件市場規模超過4.5億美元億美元 來源：yole，國金證券研究所 圖表圖表20：手機快充加速手機快充加速GaN 功率器件功率器件普及普及，未來，未來GaN應用有望大幅增長應用有望大幅增長 來源：yole，國金證

41、券研究所 全球市場由 Infineon、EPC、GaN Systems、Transphorm和 Navitas 等公 司主導，產品主要由 TSMC，Episil、X-FAB 代工。 國內新興代工廠中，三安光電和 HiWafer（海威華芯）具有量產 GaN 功率 器件的能力。 公司深度研究 - 13 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 三、三、芯片業務：芯片業務：量產量產加速加速，有望“井噴”，有望“井噴”，為為未來未來最大增長點最大增長點 1、突破高端射頻芯片封鎖，突破高端射頻芯片封鎖，第二代、第三代半導體生產線國內領先第二代、第三代半導體生產線國內領先 海威華芯是公司和中電科 29 所共同打造的第

42、二代/第三代化合物半導體集 成電路領域的開放平臺。為公司響應“國家混合所有制改革”和“軍民深 度融合發展”戰略融入國家信息安全發展的重大舉措。 海威華芯突破國外高端射頻芯片的封鎖，已建成國內第一條具備自主知識 產權的 6 英吋第二代化合物半導體集成電路芯片生產線，是國內高端芯片 研發制造的先行者。 2016 年 4 月，海威華芯第一條 6 英吋第二代化合物半導體集成電路生產線 貫通，該生產線同時具有砷化鎵、氮化鎵以及相關高端光電產品的生產能 力。2016 年 5 月海威華芯首次開發出砷化鎵產品成為國內首家掌握第二代 半導體生產工藝的企業。 圖表圖表21：公司主要的產品制程工藝公司主要的產品制程

43、工藝 來源：海威華芯官網，國金證券研究所 2、芯片芯片產品：用于產品：用于 5G 通信通信、雷達、汽車電子、電力電子雷達、汽車電子、電力電子、國防等領域、國防等領域 公司目前已完成包括砷化鎵、氮化鎵、碳化硅及磷化銦在內的 6 項工藝產 品的開發，可支持制造功率放大器、混頻器、低噪音放大器、開關、光電 探測器、激光器、電力電子等產品。 公司芯片業務涵蓋航空、航天、衛星、消費電子等領域，產品廣泛應用于 5G 移動通信、AI 人工智能、雷達、汽車電子、電力電子、光纖通訊、3D 感知、新能源、國防等領域。截止目前公司部分產品已實現量產，服務客 戶數和訂單持續增加。 公司芯片特種裝備產品和民品實現同步發

44、展。特種裝備產品業務上，拓展 了一百多個客戶，已有 60 多個固化客戶，包括航空航天、通信等核心主流 客戶。 公司深度研究 - 14 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 圖表圖表22：公司微電子產品應用領域公司微電子產品應用領域 來源：海威華芯官網，國金證券研究所 3、芯片業務芯片業務：2019 年年逐步逐步完成產品化和市場化，完成產品化和市場化，有望進入“井噴”期有望進入“井噴”期 海威華芯 2018 年已完成技術工藝開發，2019 年是關鍵重要的一年，重點 完成工藝產品化和市場化，特種裝備產品和民品實現同步發展。 工藝突破：工藝突破：公司開發的有 6 類工藝，可以擴展到幾十、上百產品，但公司 聚焦于 5G 等門檻較高且對化合物半導體行業具有牽引作用的方向上， （1）在 5G 宏基站的射頻 GaN，已通過可靠性驗證，在流片工藝上已可實 現代工制造； （2）砷化鎵 0.15 毫米工藝，為毫米波（30-40GHz）的核心工藝，在 2019 年 3 月份巴塞羅那世界通訊大會上完成發布；