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1、請閱讀最后評級說明和重要聲明 1/26 行業深度報告|電子 證券研究報告 行業評級 推薦（維持）報告日期 2025 年 04 月 11 日 相關研究相關研究 【興證電子】中美關稅對抗下各細分方向的影響-2025.04.06【興證電子】SEMI 預計今年全球晶圓廠設備投資將增至1100 億美元，看好端側AI 硬件創新浪潮和國產算力需求-2025.03.30【興證電子】周報：英偉達發布新一代芯片架構，看好端側 AI 硬件創新浪潮和國產算力需求-2025.03.23【興證電子】中美關稅對抗下各細分方向的影響-2025.04.06【興證電子】SEMI 預計今年全球晶圓廠設備投資將增至1100 億美元，

2、看好端側AI 硬件創新浪潮和國產算力需求-2025.03.30【興證電子】周報：英偉達發布新一代芯片架構，看好端側 AI 硬件創新浪潮和國產算力需求-2025.03.23 分析師：姚康分析師：姚康 S0190520080007 S0190520080007 分析師：胡園園分析師：胡園園 S0190525010001 S0190525010001 半導體量檢測設備：控制芯片生產良率的關鍵，具備極大國產替代空間和極強迫切性半導體量檢測設備：控制芯片生產良率的關鍵，具備極大國產替代空間和極強迫切性 投資要點：投資要點：半導體量檢測設備：芯片良率關鍵，光學和電子束技術優勢互補。半導體量檢測設備：芯片良

3、率關鍵，光學和電子束技術優勢互補。半導體量檢測設備主要用于前道晶圓制造和中道先進封裝中的工藝控制，是芯片良率的關鍵。隨著半導體工藝制程的不斷縮小，芯片內部結構日趨復雜，同時應用于HBM 等新興領域的2.5D/3D先進封裝技術也快速發展，行業對于工藝控制要求愈發嚴苛，下游客戶對高端半導體質量控制設備的技術要求及需求量也持續提升。從底層技術上看，目前產業中半導體量檢測設備多應用光學和電子束技術，光學檢測效率高，電子束檢測精度高，在實際產業應用中，往往會同時考慮光學檢測技術與電子檢測技術特性，優勢互補使用。半導體量檢測設備主要用于前道晶圓制造和中道先進封裝中的工藝控制，是芯片良率的關鍵。隨著半導體工

4、藝制程的不斷縮小，芯片內部結構日趨復雜，同時應用于HBM 等新興領域的2.5D/3D先進封裝技術也快速發展，行業對于工藝控制要求愈發嚴苛，下游客戶對高端半導體質量控制設備的技術要求及需求量也持續提升。從底層技術上看，目前產業中半導體量檢測設備多應用光學和電子束技術，光學檢測效率高，電子束檢測精度高，在實際產業應用中，往往會同時考慮光學檢測技術與電子檢測技術特性，優勢互補使用。明暗場晶圓缺陷檢測設備壁壘高市場廣，是龍頭廠商的兵家必爭之地。明暗場晶圓缺陷檢測設備壁壘高市場廣，是龍頭廠商的兵家必爭之地。從工藝應用上看，半導體工藝控制設備分為“缺陷檢測”和“量測”兩大類：缺陷檢測是指在晶圓表面上或電路

5、結構中，檢測其是否出現異質情況，如顆粒污染、表面劃傷、開短路等對芯片工藝性能具有不良影響的特征性結構缺陷。量測 指對被觀測的晶圓電路上的結構尺寸和材料特性做出的量化描述，如薄膜厚度、關鍵尺寸、刻蝕深度、表面形貌等物理性參數的量測。根據VLSI Research，2020 年全球半導體量檢測設備市場中，缺陷檢測設備市場占比約 62.6%，量測設備市場占比約 33.5%。其中，基于明場/暗場成像原理的納米圖形晶圓缺陷檢測設備技術壁壘高，市場占比達24.7%，是龍頭廠商必爭之地；目前，產業端明場缺陷檢測多采用美國科磊29xx 和 39xx 系列產品，其中 29xx 系列最新產品 2965/2950E

6、P和 39xx 系列 3935/3920EP 均可應用于 5nm 及以下節點。從工藝應用上看，半導體工藝控制設備分為“缺陷檢測”和“量測”兩大類：缺陷檢測是指在晶圓表面上或電路結構中，檢測其是否出現異質情況，如顆粒污染、表面劃傷、開短路等對芯片工藝性能具有不良影響的特征性結構缺陷。量測 指對被觀測的晶圓電路上的結構尺寸和材料特性做出的量化描述，如薄膜厚度、關鍵尺寸、刻蝕深度、表面形貌等物理性參數的量測。根據VLSI Research，2020 年全球半導體量檢測設備市場中，缺陷檢測設備市場占比約 62.6%，量測設備市場占比約 33.5%。其中，基于明場/暗場成像原理的納米圖形晶圓缺陷檢測設備

7、技術壁壘高，市場占比達24.7%，是龍頭廠商必爭之地；目前，產業端明場缺陷檢測多采用美國科磊29xx 和 39xx 系列產品，其中 29xx 系列最新產品 2965/2950EP和 39xx 系列 3935/3920EP 均可應用于 5nm 及以下節點。半導體設備第四大細分賽道，美系廠商 科磊國內市占超半導體設備第四大細分賽道，美系廠商 科磊國內市占超 70%70%，具備極大國產替代空間和自主可控必要性。，具備極大國產替代空間和自主可控必要性。2023 年全球半導體量檢測設備在全球半導體制造設備中占比近13%，是僅次于刻蝕設備、薄膜沉積設備、光刻設備的第四大細分賽道。近年來中國半導體產業發展迅

8、速，頭部晶圓廠加速技術追趕和產能擴張，帶動中國大陸半導體量檢測設備市場高速發展。根據 VLSI 統計，2023 年中國大陸半導體檢測與量測設備市場規模達到 43.6 億美元。2023 年全球量檢測設備龍頭美系廠商科磊中國大陸收入規模約33.9 億美元，市占率超 70%，處于寡頭壟斷低位；而國內量檢測設備領域放量較快的中科飛測 2023 年收入規模僅 8.9 億元，國內市占率不到 5%。當前中美博弈背景下，半導體量檢測設備板塊具備極大的國產替代空間和極強的自主可控必要性。2023 年全球半導體量檢測設備在全球半導體制造設備中占比近13%，是僅次于刻蝕設備、薄膜沉積設備、光刻設備的第四大細分賽道。

9、近年來中國半導體產業發展迅速，頭部晶圓廠加速技術追趕和產能擴張，帶動中國大陸半導體量檢測設備市場高速發展。根據 VLSI 統計，2023 年中國大陸半導體檢測與量測設備市場規模達到 43.6 億美元。2023 年全球量檢測設備龍頭美系廠商科磊中國大陸收入規模約33.9 億美元，市占率超 70%，處于寡頭壟斷低位；而國內量檢測設備領域放量較快的中科飛測 2023 年收入規模僅 8.9 億元，國內市占率不到 5%。當前中美博弈背景下，半導體量檢測設備板塊具備極大的國產替代空間和極強的自主可控必要性。投資建議：投資建議：半導體量檢測市場空間廣闊，國產替代需求迫切，我們非?？春冒雽w量檢測設備國產替代

10、帶來的投資機會，建議關注：半導體量檢測市場空間廣闊，國產替代需求迫切，我們非?？春冒雽w量檢測設備國產替代帶來的投資機會，建議關注：1）1）中科飛測：產品覆蓋半導體量檢測設備 66.6%市場，關鍵明暗場缺陷檢測設備已出貨至多家頭部客戶驗證中。2024 年營收 13.8 億元，同比增長 55%，國產放量相對最快。2）中科飛測：產品覆蓋半導體量檢測設備 66.6%市場，關鍵明暗場缺陷檢測設備已出貨至多家頭部客戶驗證中。2024 年營收 13.8 億元，同比增長 55%，國產放量相對最快。2）精測電子：67%控股上海精測，布局光學和電子束檢測技術，其明場光學缺陷檢測設備已完成首臺套交付及驗收且取得先

11、進制程訂單，有圖形暗場缺陷檢測設備正研發中。3）精測電子：67%控股上海精測，布局光學和電子束檢測技術，其明場光學缺陷檢測設備已完成首臺套交付及驗收且取得先進制程訂單，有圖形暗場缺陷檢測設備正研發中。3）中微公司：27.5%持股睿勵儀器，布局光學檢測技術；60%持股超微公司，發力電子束檢測技術。中微公司：27.5%持股睿勵儀器，布局光學檢測技術；60%持股超微公司，發力電子束檢測技術。4）4）天準科技：通過自主研發、并購德國 Muetec 和戰略投資成立蘇州矽行公司布局半導體量檢測領域，其面向 14nm 節點的 TB2000 明場缺陷檢測設備已正式通過廠內驗證。天準科技：通過自主研發、并購德國

12、 Muetec 和戰略投資成立蘇州矽行公司布局半導體量檢測領域，其面向 14nm 節點的 TB2000 明場缺陷檢測設備已正式通過廠內驗證。風險提示風險提示：設備驗證和國產化推進不及預期；下游晶圓廠擴產及招標不及預期；貿易摩擦影響上游供應鏈風險。：設備驗證和國產化推進不及預期；下游晶圓廠擴產及招標不及預期；貿易摩擦影響上游供應鏈風險。請閱讀最后評級說明和重要聲明 2/26 行業深度報告|電子 目錄目錄 一、半導體量檢測設備：芯片良率關鍵，多品類高壁壘.4（一）底層技術：75%基于光學，19%基于電子束技術.5（二）工藝應用：62.6%用于缺陷檢測，33.5%用于量測.7 二、半導體設備第四大賽

13、道，美系科磊寡頭壟斷.14（一）2023 年中國大陸半導體量檢測設備市場 43.6 億美元.14（二）科磊復盤：邏輯/代工需求是近年成長核心驅動.15 三、光學和電子束齊突破，國產替代正當時.17（一）中科飛測：產品覆蓋 66.6%市場，國產放量相對最快.17（二）精測電子：控股上海精測，光學和電子束技術齊布局.20（三）中微公司：投資布局“睿勵儀器”和“超微公司”.21（四）天準科技：“收購+自主研發”布局半導體量檢測設備.22 四、投資建議.24 五、風險提示.25 圖目錄圖目錄 圖 1、半導體量檢測設備分類、應用及主要供應商.4 圖 2、半導體缺陷檢測分類.5 圖 3、2020 年全球半

14、導體量檢測設備市場結構.5 圖 4、光學 VS 電子束：光學檢測速度更高，電子束分辨率更高.6 圖 5、2021 年全球電子束量檢測設備市場結構.6 圖 6、2021 年全球電子束檢測設備競爭格局.6 圖 7、半導體工藝控制設備工藝應用：缺陷檢測+量測.7 圖 8、半導體缺陷檢測分類.8 圖 9、海內外主要廠商無圖形晶圓缺陷檢測產品對比.8 圖 10、美國科磊公司 Surfscan SP1 缺陷檢測系統原理圖.9 圖 11、圖形晶圓缺陷檢測：明場缺陷檢測 VS 暗場缺陷檢測.9 圖 12、海內外主要廠商有圖形缺陷檢測產品對比.10 圖 13、科磊寬光譜技術設備演進.10 圖 14、Lasert

15、ec FY2015-2024 年總營收及增速（億美元，%）.11 圖 15、電子束缺陷檢測設備硬件結構示意圖.11 圖 16、半導體量測設備分類.12 圖 17、eDBO 技術中的典型套刻標記.13 圖 18、2019-2023 年中國大陸半導體量檢測設備市場規模及增速.14 圖 19、2020 年全球半導體檢測和量測設備市場競爭格局.15 圖 20、CY2024 年全球主要公司量檢測設備相關收入規模.15 圖 21、FY2008-2024 年科磊收入規模和增速（億美元，%）.16 圖 22、FY2017-2024 年科磊半導體工藝控制設備收入下游構成（億美元）.16 圖 23、2016Q3-

16、2024Q4 科磊營收地區構成（億美元）.16 圖 24、2023 年中國大陸半導體量檢測設備格局（億美元，%）.17 圖 25、中科飛測產品布局.18 圖 26、中科飛測半導體量檢測產品布局及進展.19 圖 27、中科飛測 FY2020-2024 年營收及增速.19 圖 28、中科飛測 FY2020-2024 年利潤情況.19 xVMAlYlYtQmRnPmN9PbPaQsQoOpNnQlOoOnRfQqRsR6MqRmRNZpNnMMYsPoR 請閱讀最后評級說明和重要聲明 3/26 行業深度報告|電子 圖 29、中科飛測 FY2019-2024 年研發投入情況（億元，%）.20 圖 30

17、、2019-2024H1 上海精測營收及利潤情況（億元）.20 圖 31、精測電子半導體量檢測產品布局.21 圖 32、中微公司業務布局.21 圖 33、睿勵儀器產品矩陣.22 圖 34、天準科技 TB2000 明場納米圖形晶圓缺陷檢測設備.23 表目錄表目錄 表 1、半導體工藝控制設備重點公司盈利預測.24 請閱讀最后評級說明和重要聲明 4/26 行業深度報告|電子 一、半導體量檢測設備：芯片良率關鍵，多品類高壁壘 狹義半導體狹義半導體量檢測設備量檢測設備：面向前道制程和：面向前道制程和中道中道先進封裝工藝的先進封裝工藝的質量控制設備質量控制設備。傳統的集成電路工藝主要分為前道和后道制程，但

18、隨著集成電路工藝不斷進步，后道封裝技術向晶圓級封裝發展，從而衍生出中道先進封裝工藝。廣義的半導體質量控制設備貫穿集成電路生產整個環節，分為前道量檢測、中道量檢測和后道測試。前道量檢測主要針對光刻、刻蝕、薄膜沉積、清洗、CMP 等每個工藝環節的質量控制，中道量檢測面向先進封裝環節，主要針對重布線結構、凸點和硅通孔等環節，后道測試則主要利用電學對芯片進行功能和電參數測試，包括晶圓測試（CP）和成品測試（FT）兩個環節。狹義的半導體量檢測設備主要指應用于前道狹義的半導體量檢測設備主要指應用于前道制程和先進封裝環節的質量控制設備，即本文所討論的內容。制程和先進封裝環節的質量控制設備，即本文所討論的內容

19、。圖圖1、半導體量檢測設備分類、應用及主要供應商半導體量檢測設備分類、應用及主要供應商 數據來源：興業證券經濟與金融研究院整理 半導體質量控制設備是芯片生產良率關鍵，半導體質量控制設備是芯片生產良率關鍵，需求需求隨制程微縮和先進封裝工藝發展隨制程微縮和先進封裝工藝發展持續提升。持續提升。隨著半導體工藝制程的不斷縮小，芯片內部結構日趨復雜，同時應用于 HBM 等新興領域的 2.5D/3D 先進封裝技術也快速發展，行業對于工藝控制要求愈發嚴苛，下游客戶對高端半導體質量控制設備的技術要求及需求量也持續提升。比如，28nm 工藝節點工藝步驟有數百道，而隨著多層套刻技術在 14nm 及以下技術節點的應用

20、，其工藝步驟增加至近千道。根據 Yole 的統計，工藝每微縮一代，工藝中產生的致命缺陷數量就會增加 50%。當工藝步驟超過 500 道時，只 請閱讀最后評級說明和重要聲明 5/26 行業深度報告|電子 有保證每一道工藝的良品率都超過 99.99%，最終產品良率才能超過 95%；當單道工藝良品率下降至 99.98%，最終良率則會下降至約 90%。因此，半導體質量控制設備貫穿芯片制造全過程，是芯片生產良率的關鍵。（一）底層技術：75%基于光學，19%基于電子束技術 半導體質量控制設備從底層技術原理上，主要包括光學檢測技術、電子束檢測技術和 X 光量測技術等，不同技術路線在靈敏度、吞吐量等性能指標上

21、存在差異，優劣勢不同。目前在實際產業應用中，往往會同時考慮光學檢測技術與電子檢測技術特性，優勢互補使用，比如在光學技術檢測到缺陷之后，用電子束重訪已檢測到的缺陷，對部分關鍵區域表面進行尺度量測的抽檢和復查。根據 VLSI Research 和 QY Research 的報告，2020 年全球半導體量檢測設備市場中，應用應用光學光學檢測技術檢測技術/電子束電子束檢測技術檢測技術/X 光光檢測檢測技術的設備市場占比分別為技術的設備市場占比分別為75.2%/18.7%/2.2%。圖圖2、半導體缺陷檢測分類半導體缺陷檢測分類 數據來源：中科飛測招股書，興業證券經濟與金融研究院整理 圖圖3、2020 年

22、全球半導體量檢測設備市場年全球半導體量檢測設備市場結構結構 數據來源：VLSI Research、QY Research、中科飛測招股書、興業證券經濟與金融研究院整理 光學檢測技術光學檢測技術電子束檢測技術電子束檢測技術X光量測技術X光量測技術主要內容主要內容基于光學原理光學原理，通過對光信號進行計算分析以獲得檢測結果，具有速度快、具有速度快、精度高、無損傷的特點精度高、無損傷的特點通過聚焦電子束電子束掃描樣片表面產生樣品圖像以獲得檢測結果，具有精度高、速度較慢的特點具有精度高、速度較慢的特點，通常用于部分線下抽樣測量部分關鍵區域基于X光X光的穿透力強及無損傷特穿透力強及無損傷特性性進行特定場

23、景的測量先進制程工先進制程工藝應用情況藝應用情況應用于28nm及以下的全部先進制程。光學檢測技術因其特點，目前廣泛應用于晶圓制造環節應用于28nm及以下的全部先進制程。電子束檢測技術因其具有精度高但速度慢特點，所以基于電子束檢測技術的設備一部分應用于研發環節，一部分應用一部分應用于研發環節，一部分應用在部分關鍵區域抽檢或尺寸測量等生產環節在部分關鍵區域抽檢或尺寸測量等生產環節，例如納米量級尺寸缺陷的復查、部分關鍵區域的表面尺度量測以及部分關鍵區域的抽檢等應用于28nm及以下的全部先進制程，但鑒于X光具有穿透性強、無損傷特性，所以主要應用于特定主要應用于特定的場景，如檢測特定金屬成分的場景，如檢

24、測特定金屬成分未來發展方未來發展方向向通過提高光學分辨率光學分辨率，并結合圖像信號處理算法，進一步提高檢測精度檢測精度提升檢測速度檢測速度，提高吞吐量，由單一電子束向多通單一電子束向多通道電子束道電子束技術發展基于X光的穿透性特性，擴大應用的場景范圍3.9%0.5%0.9%1.3%2.2%3.0%4.9%5.7%6.3%7.3%8.1%9.7%10.2%11.3%24.7%0.0%5.0%10.0%15.0%20.0%25.0%30.0%其他晶圓金屬薄膜量測三維形貌量測掩模版關鍵尺寸量測X光量測晶圓介質薄膜量測電子束缺陷復查（DR-SEM）電子束缺陷檢測圖形晶圓缺陷檢測套刻精度量測電子束關鍵尺

25、寸測量（CD-SEM）無圖形晶圓缺陷檢測光學關鍵尺寸量測設備（OCD）掩模版缺陷檢測納米圖形晶圓缺陷檢測 請閱讀最后評級說明和重要聲明 6/26 行業深度報告|電子 光學檢測技術：精度高速度快，適用大部分場景。光學檢測技術：精度高速度快，適用大部分場景。光學檢測技術基于光學原理，通過對光信號進行分析計算以獲得檢測結果，具備精度高、速度快的特點，能滿足全部先進制程檢測需求且符合規?；a的速度要求，并且能夠滿足其他技術所不能實現的功能，如三維形貌測量，光刻套刻測量和多層膜厚測量等應用。隨著集成電路工藝節點不斷微縮，行業對檢測精度的要求也越來越高，根據瑞利判據（R=/NA，R 為最小分辨角，為波長

26、，NA 為光學系統數值口徑），縮小光源波長下限、拓寬波長范圍、提高光學系統數值口徑是提高檢測分辨率的重要方向。圖圖4、光學光學 VS 電子束：光學檢測速度更高，電子束分辨率更高電子束：光學檢測速度更高，電子束分辨率更高 數據來源：AMAT 官網，興業證券經濟與金融研究院整理 電子束檢測技術：精度高但速度相對較慢，適用于部分關鍵區域抽檢或測量電子束檢測技術：精度高但速度相對較慢，適用于部分關鍵區域抽檢或測量。電子束檢測技術通過聚焦電子束掃描樣片表面產生樣品圖像以獲得檢測結果，檢測精度比光學檢測技術更高，但檢測速度相對較慢。在實際應用中，電子束技術一部分應用于研發環節，一部分應用在部分關鍵區域抽檢

27、或尺寸量測等生產環節，例如納米量級尺度缺陷的復查、部分關鍵區域的表面尺度量測以及部分關鍵區域的抽檢等，主流設備種類包括：電子束缺陷復檢（DR-SEM）、電子束缺陷檢測、電子束關鍵尺寸測量（CD-SEM）。2021 年應用材料半導體電子束檢測設備營收約 10.8 億美元，全球市占率近 50%，處于領先地；同時為了突破電子束檢測產能限制問題，頭部設備廠商也在攻克研發多電子束方案。圖圖5、2021 年全球電子束量檢測設備市場結構年全球電子束量檢測設備市場結構 圖圖6、2021 年全球電子束檢測設備競爭格局年全球電子束檢測設備競爭格局 數據來源：AMAT 官網，興業證券經濟與金融研究院整理 數據來源：

28、AMAT 官網，興業證券經濟與金融研究院整理 電子束缺陷檢測,33%電子束缺陷復檢,28%CD-SEM,39%AMAT,50%日立高新,28%ASML,15%KLA,6%其他,1%請閱讀最后評級說明和重要聲明 7/26 行業深度報告|電子 X 光量測技術：穿透性強且無損傷，但速度慢，只應用于特定場景。光量測技術：穿透性強且無損傷，但速度慢，只應用于特定場景。具有穿透性強、無損傷的特點，但檢測速度相對較慢，在特定應用場景下具備優勢，如檢測超薄膜厚度、檢測特定金屬成分等。（二）工藝應用：62.6%用于缺陷檢測，33.5%用于量測 按照應用場景，半導體前道量檢測設備可以分為缺陷檢測和量測兩大環節。缺

29、陷檢測是指在晶圓表面上或電路結構中，檢測其是否出現異質情況，如顆粒污染、表面劃傷、開短路等對芯片工藝性能具有不良影響的特征性結構缺陷。量測指對被觀測的晶圓電路上的結構尺寸和材料特性做出的量化描述，如薄膜厚度、關鍵尺寸、刻蝕深度、表面形貌等物理性參數的量測。根據 VLSI Research，2020 年全球半導體量檢測設備市場中，缺陷檢測設備市場占比約 62.6%，包括無圖形晶圓缺陷檢測、圖形晶圓缺陷檢測、納米圖形晶圓缺陷檢測、掩膜版缺陷檢測、電子束缺陷檢測、電子束缺陷復查等；量測設備市場占比約 33.5%，包括光學關鍵尺寸量測（OCD）、電子束關鍵尺寸測量（CD-SEM）、套刻精度測量、膜厚測

30、量等。圖圖7、半導體工藝控制設備工藝應用：缺陷檢測半導體工藝控制設備工藝應用：缺陷檢測+量測量測 數據來源：中科飛測招股書，興業證券經濟與金融研究院整理 1.缺陷檢測：明暗場光學缺陷檢測強壁壘，成為兵家必爭之地 晶圓缺陷一般可分為隨機缺陷和系統缺陷：隨機缺陷主要由附著在晶圓表面的顆粒引起，位置分布具有一定隨機性，可以通過對比同一片晶圓上相鄰 Die 的光學圖像來判斷；系統缺陷來源于掩膜和曝光系統的固有缺陷，一旦存在則會污染整片晶圓上所有被曝光的 Die，且往往位于同一晶圓上不同 Die 的同一位置，可以采用具備天然高分辨率的電子束掃描成像后與無缺陷參考圖像或數據庫對比。請閱讀最后評級說明和重要

31、聲明 8/26 行業深度報告|電子 圖圖8、半導體缺陷檢測分類半導體缺陷檢測分類 數據來源：中科飛測招股書，興業證券經濟與金融研究院整理 無圖形無圖形晶圓晶圓缺陷檢測：缺陷檢測：基于基于暗場散射原理暗場散射原理，檢測裸晶圓表面缺陷檢測裸晶圓表面缺陷。無圖形晶圓一般指裸硅片或有一些空白薄膜的硅片，其典型缺陷包括顆粒、殘留物、刮傷、晶體原生凹坑、裂紋等。目前國際主流的無圖形缺陷檢測設備主要基于暗場散射檢測原理，即將單波長光束照到晶圓表面，通過收集缺陷的散射光來識別并報告缺陷位置。目前產業應用最廣泛的是科磊的 Surfscan SP 系列產品，其新推出的Surfscan SP7XP缺陷檢測系統可檢測

32、 5nm 及以下的缺陷。國內國內中科飛測中科飛測 2017 年年開始推出開始推出 SPRUCE 系列無圖形缺陷檢測設備，系列無圖形缺陷檢測設備，目前其設備靈敏度和吞吐量可以目前其設備靈敏度和吞吐量可以滿足國內所有工藝制程客戶的量產需求，已廣泛應用于國內所有主要集成電路制滿足國內所有工藝制程客戶的量產需求，已廣泛應用于國內所有主要集成電路制造企業的生產線上。造企業的生產線上。圖圖9、海內外主要廠商無圖形晶圓缺陷檢測產品對比海內外主要廠商無圖形晶圓缺陷檢測產品對比 數據來源：科磊官網，中科飛測公告，新浪財經，興業證券經濟與金融研究院整理 分類分類技術原理技術原理圖示圖示無圖形晶圓激光掃描檢無圖形晶

33、圓激光掃描檢測技術測技術通過將單波長光束單波長光束照明到晶圓表面，利用大采集角度的光學系統，收集在高速移動中的晶圓表面上存在的缺陷散射光信號缺陷散射光信號。通過多維度的光學模式和多通道的信號采集，實時識別晶圓表面缺陷、判別缺陷的種類，并報告缺陷的位置圖形晶圓成像檢測技術圖形晶圓成像檢測技術通過從深紫外到可見光波段的寬光譜照明深紫外到可見光波段的寬光譜照明或者深深紫外單波長高功率的激光照明紫外單波長高功率的激光照明，以高分辨率大成像視野的光學明場或暗場光學明場或暗場的成像方法，獲取晶圓表面電路的圖案圖像，實時地進行電路圖案的對準、降噪和分析，以及缺陷的識別和分類，實現晶圓表面圖形缺陷的捕捉光刻掩

34、膜版成像檢測技光刻掩膜版成像檢測技術術針對光刻所用的掩膜版，通過寬光譜照明寬光譜照明或者深深紫外激光照明紫外激光照明，以高分辨率大成像口徑的光學成像方法，獲取光刻掩膜版上的圖案圖像，以很高的缺陷捕獲率實現缺陷的識別和判定公司公司產品系列產品系列產品型號產品型號應用節點/場景應用節點/場景Surfscan SP7XP5nmSurfscan SP77nmSurfscan SP5XP1XnmSurfscan SP52XnmSurfscan SP33Xnm中科飛測中科飛測SPRUCE新凱來新凱來PC（蓬萊山）SPRUCE-600：應用節點130nm；SPRUCE-800：應用節點2Xnm；設備靈敏度和

35、吞吐量等核心指標可滿足國內所有工藝制程客戶的量產需求，并已廣泛應用在國內所有主要集成電路制造企業的生產線上，同時推進研發更高靈敏度機臺。-科磊科磊Surfscan 請閱讀最后評級說明和重要聲明 9/26 行業深度報告|電子 圖圖10、美國美國科磊科磊公司公司 Surfscan SP1 缺陷檢測系統原理圖缺陷檢測系統原理圖 數據來源：集成電路制造在線光學測量檢測技術：現狀、挑戰與發展趨勢，興業證券經濟與金融研究院整理 圖形晶圓缺陷檢測：圖形晶圓缺陷檢測：基于明場基于明場/暗場成像原理，壁壘高暗場成像原理，壁壘高已成為已成為龍頭廠商必爭之地龍頭廠商必爭之地。晶圓在光刻、刻蝕、沉積、離子注入、拋光等

36、大批量制造工藝過程中，由于不可避免的工藝誤差和環境污染，其 IC 納米結構也會存在缺陷。目前，產業界主流的圖形結構檢測設備仍然是基于光學顯微鏡技術的明場或暗場成像原理。典型的明場光學檢測裝備原理為：采用柯勒照明光路將高亮寬譜等離子體光源光束調制成超均勻、特定光束截面形狀的偏振光束；隨后利用高 NA 低像差的物鏡收集硅片結構圖形缺陷引起的散射光，再通過折反混合透鏡組與變焦透鏡組相結合的成像光路將散射光成像至時間延遲積分（TDI）相機；最后利用基于片對片的圖像差分處理算法實現缺陷信號的準確識別。圖圖11、圖形晶圓缺陷檢測：明場缺陷檢測圖形晶圓缺陷檢測：明場缺陷檢測 VS 暗場缺陷檢測暗場缺陷檢測

37、（a）明場缺陷檢測方法 （b）暗場缺陷檢測方法 （c）圖形化晶圓缺陷在線檢測原理圖 數據來源：先進節點圖案化晶圓缺陷檢測技術，興業證券經濟與金融研究院整理 請閱讀最后評級說明和重要聲明 10/26 行業深度報告|電子 全球半導體量檢測設備龍頭科磊明場缺陷檢測設備主要分為 29xx 和 39xx 兩大系列，29xx 系列最新產品 2965/2950EP 和 39xx 系列 3935/3920EP 均可應用于5nm 及以下節點；此外，科磊暗場有圖形缺陷檢測設備主要為 PUMA 系列，最新PUMA 9980 可應用于 1Xnm。國產廠商中，中科飛測國產廠商中，中科飛測在明場和暗場設備領域均在明場和暗

38、場設備領域均已已完成邏輯、存儲等領域的設備樣機研發，并小批量出貨到多家頭部客戶產線上進完成邏輯、存儲等領域的設備樣機研發，并小批量出貨到多家頭部客戶產線上進行工藝開發和應用驗證工作。行工藝開發和應用驗證工作。精測電子明場光學缺陷檢測設備已完成首臺套交精測電子明場光學缺陷檢測設備已完成首臺套交付和驗收，且已取得先進制程正式訂單；有圖形暗場缺陷檢測設備也正處于研發、付和驗收，且已取得先進制程正式訂單；有圖形暗場缺陷檢測設備也正處于研發、認證以及拓展中。認證以及拓展中。圖圖12、海內外主要廠商有圖形缺陷檢測產品對比海內外主要廠商有圖形缺陷檢測產品對比 數據來源：科磊官網，天準科技官網，各公司公告，新

39、浪財經，興業證券經濟與金融研究院整理 圖圖13、科磊科磊寬光譜技術設備演進寬光譜技術設備演進 數據來源：科磊官網，興業證券經濟與金融研究院整理 公司公司產品系列產品系列產品型號產品型號應用節點/場景應用節點/場景3935，3920EP5nm3920,39257nm3900,390510nm2965，2950EP5nm2950,29557nm2930,293510nm2920,292516nm2910,29152X/1Xnm2900,29052Xnm98502X/1Xnm965028nm950032nm中科飛測中科飛測明場：REDWOOD系列暗場：SYCAMORE精測電子精測電子BFI系列新凱來

40、新凱來明場：BFI（岳麓山系列）暗場：DFI（丹霞山系列）-天準科技天準科技（矽行半導體）（矽行半導體）明場系列：TB1000明場：已完成首臺套交付和驗收，且已取得先進制程正式訂單；暗場：正處于研發、認證以及拓展中。TB1000：65-90nm節點，2023年8月首臺交付客戶TB1500：40nm節點，2024年7月通過廠內驗證TB2000：14nm及以下節點，2025年3月通過廠內驗證Puma（暗場）39xx（明場）科磊科磊29xx（明場）明場和暗場設備領域均已完成邏輯、存儲等領域的設備樣機研發，并小批量出貨到多家頭部客戶產線上進行工藝開發和應用驗證工作。請閱讀最后評級說明和重要聲明 11/

41、26 行業深度報告|電子 掩膜版掩膜版缺陷檢測：缺陷檢測：光刻掩膜生產制造過程中也會存在各種缺陷，這些缺陷會經由光刻工藝批量復制到所有硅片中，光刻光源從 DUV 到 EUV 時代，對掩膜版缺陷檢測也提出了更高的要求。日本 Lasertec 公司 2017 年開發并推出世界首臺空白EUV 掩膜版缺陷檢測和復檢系統，并于 2019 年推出世界首臺 EUV 掩膜缺陷檢測系統 ACTIS A150，成長為全球 EUV 掩膜版缺陷檢測領域的龍頭。圖圖14、Lasertec FY2015-2024 年總營收及增速（億美元，年總營收及增速（億美元，%）數據來源：wind，興業證券經濟與金融研究院整理 電子束

42、缺陷檢測與復檢：電子束缺陷檢測與復檢：電子束檢測技術是指通過聚焦電子束至某一探測點，逐點掃描晶圓表面產生圖像以獲得檢測結果。電子束的波長遠短于光的波長，而波長越短，精度越高；因此，電子束檢測技術多用于納米量級尺度缺陷的復查、部分關鍵區域的抽檢等。目前，應用材料在電子束量檢測技術方面占據領先地位，擁有電子束缺陷復檢 SEMVision G10 和電子束缺陷檢測 PrimeVision 10 兩大系列產品。國際巨頭科磊在 1998 年收購 Amray Inc 公司后獲得電子束檢測技術。圖圖15、電子束缺陷檢測設備硬件結構示意圖電子束缺陷檢測設備硬件結構示意圖 數據來源：用于集成電路制造中良率監控的

43、國產化電子束缺陷檢測設備，興業證券經濟與金融研究院整理 1.2 1.5 1.6 1.9 2.7 4.0 6.4 6.6 10.6 13.4-8%20%4%24%39%48%61%4%60%26%-20%0%20%40%60%80%0.05.010.015.02015201620172018201920202021202220232024總營收（億美元）YoY（%，右軸）請閱讀最后評級說明和重要聲明 12/26 行業深度報告|電子 2.量測：關鍵尺寸/套刻誤差/三維形貌/膜厚等多類別 集成電路制造和先進封裝環節中的量測主要包括三維形貌量測、薄膜膜厚量測、套刻精度量測、關鍵尺寸量測等。圖圖16、半

44、導體量測設備分類半導體量測設備分類 數據來源：中科飛測招股書，興業證券經濟與金融研究院整理 關鍵尺寸測量關鍵尺寸測量：掃描電子顯微鏡（SEM）、透射電子顯微鏡（TEM）、原子力顯微鏡（AFM）以及光學技術都可以實現納米級尺寸的測量，但綜合考慮測量速度、成本、設備操作簡易程度，目前行業內多采用掃描電子顯微鏡測量（CD-SEM）和光學線寬測量（OCD）兩種方式。CD-SEM 通過直接掃描晶圓實現測量，OCD則基于光學散射原理，通過測量周期性納米結構的散射信息并求解逆問題來重構納米結構尺寸或三維形貌。國產突破方面，精測電子同時布局國產突破方面，精測電子同時布局 OCD 和和 CD-SEM；中科飛測中

45、科飛測 OCD 機臺機臺已具備批量銷售能力已具備批量銷售能力。套刻精度測量：套刻精度測量：套刻誤差是指 IC 制造中晶圓上當前層圖形相對于參考層圖形沿 x和 y 方向的偏差，其快速測量與精確評估，是光刻機運行參數優化與工藝良率管理的關鍵。目前，行業中套刻誤差測量技術主要分為：基于成像的套刻誤差測量技術（IBO）和基于衍射的套刻誤差測量技術（DBO）?？评谕瑫r布局基于 IBO 的Archer 系列和基于 DBO 的 ATL 系列產品；ASML 的 YieldStar 系列產品則采用DBO 技術。目前國內中科飛測的套刻精度測量設備已實現批量銷售，客戶訂單快目前國內中科飛測的套刻精度測量設備已實現批

46、量銷售，客戶訂單快速增長；此外，新凱來也布局有基于速增長；此外，新凱來也布局有基于 DBO 和和 IBO 的天門山系列產品的天門山系列產品。分類分類應用簡介應用簡介三維形貌量測三維形貌量測通過寬光譜大視野的相干性測量技術，得到晶圓級別、芯片級別和關鍵區域電路圖像的高精度三維形貌，從而測量晶圓表面的粗糙度、電路特征圖案的高度均勻性等參數，從而對晶圓的良品率進行保證薄膜膜厚量測在前道制程中，需在晶圓表面覆蓋包括金屬、絕緣體、多晶硅、氮化硅等多種材質的多層薄膜，膜厚測量環節通過精準測量每一層薄膜的厚度、折射率和反射率，并進一步分析晶圓表面薄膜膜厚的均勻性分布，從而保證晶圓的高良品率套刻精度量測套刻精

47、度測量通過對晶圓表面特征圖案的高分辨率成像和細微差別的分析，用于電路制作中不同層之間圖案對圖案對齊的誤差測量，并將數據反饋給光刻機，幫助光刻機優化不同層之間的光刻圖案對齊誤差，從而避免工藝中可能出現的問題關鍵尺寸量測關鍵尺寸測量技術通過測量從晶圓表面反射的寬光譜光束的光強、偏振等參數，來測量光刻膠曝光顯影、刻蝕和 CMP 等工藝后的晶圓電路圖形的線寬、高度和側壁角度，從而提高工藝的穩定性 請閱讀最后評級說明和重要聲明 13/26 行業深度報告|電子 圖圖17、eDBO 技術中的典型套刻標記技術中的典型套刻標記 （a）套刻標記俯視圖 （b）沿 x 方向套刻標記截面圖 數據來源：集成電路制造在線光

48、學測量檢測技術：現狀、挑戰與發展趨勢，興業證券經濟與金融研究院整理 請閱讀最后評級說明和重要聲明 14/26 行業深度報告|電子 二、半導體設備第四大賽道，美系科磊寡頭壟斷（一）2023 年中國大陸半導體量檢測設備市場 43.6 億美元 半導體質量控制貫穿集成電路制造的關鍵環節，對芯片生產的良品率的影響至關重要。根據 VLSI 統計，2023 年全球半導體檢測和量測設備市場規模達到約 128億美元，在全球半導體制造設備中占比近 13%，是僅次于刻蝕設備、薄膜沉積設備、光刻設備的第四大細分賽道。未來隨著集成電路制程繼續微縮和 3D 化趨勢，芯片工藝環節和工藝要求不斷提升，量檢測設備需求也將持續獲

49、得提升。近年來，得益于中國半導體全行業的蓬勃發展和國家近年來對半導體產業的政策扶持，行業下游晶圓廠在關鍵工藝節點上持續推進，多家國內領先的半導體制造企業進入產能擴張期，帶動中國半導體量檢測設備市場高速發展。根據根據 VLSI 統統計，計，2023 年中國大陸半導體檢測與量測設備市場規模達到年中國大陸半導體檢測與量測設備市場規模達到 43.6 億美元。億美元。圖圖18、2019-2023 年中國大陸半導體量檢測設備市場規模及增速年中國大陸半導體量檢測設備市場規模及增速 數據來源：中科飛測公告，VLSI，興業證券經濟與金融研究院整理 供應端看，全球半導體量檢測設備市場仍處于寡頭壟斷狀態，美國科磊公

50、司產品品類覆蓋全面，CY2024 年其半導體工藝控制設備收入達 97.3 億美元；全球其余廠商則各具特色，份額分散。應用材料著力布局電子束量檢測技術，全球份額領先；ASML 圍繞光刻系統布局套刻誤差測量、電子束缺陷檢測和電子束關鍵尺寸測量設備，以確保光刻環節工藝質量；日本公司 Lasertec 依靠 EUV 掩膜版缺陷檢測實現小而美成長；Nova 綜合利用光學、X 射線等技術專注量測設備；Camtek則重點發力先進封裝領域量檢測。國內半導體量檢測領先企業中科飛測 2024 年營收約僅 1.9 億美元。16.9 21.0 29.6 40.2 43.6 35%24%41%36%8%0%5%10%1

51、5%20%25%30%35%40%45%0.05.010.015.020.025.030.035.040.045.050.020192020202120222023中國大陸半導體檢測與量測設備市場規模（億美元）YoY（%，右軸）請閱讀最后評級說明和重要聲明 15/26 行業深度報告|電子 圖圖19、2020 年全球半導體檢測和量測設備市場競爭格局年全球半導體檢測和量測設備市場競爭格局 數據來源：VLSI Research，QY Research，興業證券經濟與金融研究院整理 圖圖20、CY2024 年全球主要公司量檢測設備相關收入年全球主要公司量檢測設備相關收入規模規模 數據來源：ASML 官

52、網，科磊官網，wind，興業證券經濟與金融研究院整理 （二）科磊復盤：邏輯/代工需求是近年成長核心驅動 膜厚和膜厚和掩膜版掩膜版缺陷檢測起家，兼收并購成長為全球半導體量檢測設備龍頭。缺陷檢測起家，兼收并購成長為全球半導體量檢測設備龍頭。1997年，科磊（科磊）由科磊 Instruments、Tencor Instruments 兩家公司合并成立，前者最早專注于光掩膜版檢測，后者則以膜厚測量起家。此后，科磊收購 Amray獲得電子束檢測技術，收購缺陷檢測廠商 Candela Instruments、Inspex 等豐富其晶圓檢測產品矩陣；軟件方面，其陸續收購臺灣良率分析軟件廠商 ACME Sys

53、tems、美國光刻建模和分析軟件開發商 Finle Technologies 和高級工藝控制（APC）軟件開發商 Fab Solutions 等。FY2016-2023 年年收入收入 CAGR 達達 19.7%，臺積電和中國大陸，臺積電和中國大陸為首為首的邏輯的邏輯/代工擴產代工擴產是核心驅動。是核心驅動?；仡櫩评诔砷L，其從 2016 年開始進入顯著高速增長階段，FY2016年銷售收入 29.8 億美元，受益于全球半導體行業 3D NAND、EUV 光刻、HBM等技術迭代和創新，以及電氣化、智能化、AI 等驅動的終端需求增長，FY2023 年科磊實現銷售收入 105 億美元，復合年增速約 19

54、.7%。從下游來看，全球邏輯/代工領域的產能擴張是科磊主要成長驅動，FY2017-2023 年其半導體工藝控制設備50.8%11.5%8.9%5.6%5.6%5.2%2.6%2.0%7.8%科磊半導體（KLA，美國）應用材料（AMAT，美國）日立（Hitachi，日本）雷泰光電（Lasertec，日本）創新科技（Onto Innovation美國）ASML（荷蘭）新星測量儀器（Nova，以色列）康特科技（Camtek，以色列）其他97.3 13.4 9.9 6.7 6.2 4.3 1.9 0.020.040.060.080.0100.0120.0KLALasertecOntoInnovatio

55、nNovaASMLCamtek中科飛測CY2024半導體量檢測相關營收（億美元）請閱讀最后評級說明和重要聲明 16/26 行業深度報告|電子 中來自邏輯/代工領域的銷售收入從 22.1 億美元增長至 68.9 億美元，年復合增速達 20.9%；其中底層需求主要來自兩部分，一是臺積電引領全球邏輯代工進入EUV 時代，摩爾定律持續演進提升資本開支和量檢測設備需求；二是中美貿易戰背景下，中國大陸進入半導體技術追趕和國產替代的大周期。圖圖21、FY2008-2024 年年科磊科磊收入規模和增速（億美元，收入規模和增速（億美元，%）數據來源：wind，科磊官網，興業證券經濟與金融研究院整理 圖圖22、F

56、Y2017-2024 年年科磊科磊半導體工藝控制設備收入下游構成半導體工藝控制設備收入下游構成（億美元）（億美元）數據來源：Wind，科磊官網，興業證券經濟與金融研究院整理 圖圖23、2016Q3-2024Q4 科磊營收地區構成科磊營收地區構成（億美元（億美元）數據來源：wind，科磊官網，興業證券經濟與金融研究院整理 -8%-40%20%74%0%-10%3%-4%6%17%16%13%27%19%33%14%-7%-60%-40%-20%0%20%40%60%80%100%0.020.040.060.080.0100.0120.02008 2009 2010 2011 2012 2013

57、2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024銷售收入（FY，億美元）YoY（%，右軸）22.1 13.9 19.8 29.2 38.0 58.3 68.9 58.9 13.4 20.6 18.3 19.3 26.3 24.3 28.4 0.020.040.060.080.020172018201920202021202220232024邏輯/代工存儲0.05.010.015.020.025.030.035.016Q3 17Q1 17Q3 18Q1 18Q3 19Q1 19Q3 20Q1 20Q3 21Q1 21Q3 22Q1 22

58、Q3 23Q1 23Q3 24Q1 24Q3中國臺灣美國歐洲中國大陸日本韓國亞洲其他 請閱讀最后評級說明和重要聲明 17/26 行業深度報告|電子 三、光學和電子束齊突破，國產替代正當時 2019 年以來，美國對中國大陸的科技封鎖層層升級，從終端到半導體制造，再到上游設備材料等領域逐步逼近，倒逼國內全產業鏈加速國產替代，經過多年突破與發展，已成長出北方華創、中微公司等國內半導體設備龍頭，在刻蝕設備、薄膜沉積設備等領域國產替代成效顯著。近期，中美貿易沖突再次升級，美國宣布對中國加征 34%的“對等關稅”，中國實行反制，4 月 2 日宣布對原產于美國的所有進口商品，在現行適用關稅稅率基礎上同樣加征

59、 34%關稅；4 月 8 日，美國政府宣布升級關稅至 84%，中國隨之同樣提高至 84%。目前，國內半導體量檢測設備市場中，美系科磊半導體仍占據主導地位，2023 年科磊中國大陸收入約 33.9億美元，市占率達 78%；國產主要廠商中科飛測/上海精測 2023 年收入僅分別為1.3/0.5 億美元，合計份額不到 5%，國產替代空間仍很大。同時，在當下中美貿易沖突不斷的背景下，自主可控已具備極強的戰略意義，需求迫切。圖圖24、2023 年中國大陸半導體量檢測設備格局（億美元，年中國大陸半導體量檢測設備格局（億美元，%）注：上海精測營收按美元兌人民幣匯率7換算。數據來源：wind，VLSI，各公司

60、公告，興業證券經濟與金融研究院整理 （一）中科飛測：產品覆蓋 66.6%市場，國產放量相對最快 中科飛測成立于 2014 年，自成立以來始終專注于檢測和量測兩大類集成電路專用設備的研發、生產和銷售，目前在半導體量檢測領域已布局九大系列設備和三大系列軟件。九大系列設備九大系列設備：布局覆蓋：布局覆蓋 66.6%市場空間，明暗場缺陷檢測設備出貨至多家頭部市場空間，明暗場缺陷檢測設備出貨至多家頭部客戶驗證中?？蛻趄炞C中。無圖形缺陷檢測、圖形缺陷檢測、光學關鍵尺寸測量、金屬/介質膜厚測量、套刻精度測量、三維形貌測量七大系列設備已實現批量量產并在國內頭部客戶產線應用，技術指標全面滿足國內主流客戶工藝需求

61、，市占率快速增長；明場和暗場納米圖形缺陷檢測設備已完成樣機研發，并批量出貨至多家國內頭部明場和暗場納米圖形缺陷檢測設備已完成樣機研發，并批量出貨至多家國內頭部客戶開展產線工藝驗證和應用開發工作?？蛻糸_展產線工藝驗證和應用開發工作?？评?33.9,78%Onto Innovation,1.4,3%Nova,1.9,4%Camtek,1.5,3%中科飛測,1.3,3%上海精測,0.5,1%其他,3.3,8%科磊Onto InnovationNovaCamtek中科飛測上海精測其他 請閱讀最后評級說明和重要聲明 18/26 行業深度報告|電子 三大系列智能軟件三大系列智能軟件：已全部應用于國內頭部客

62、戶。：已全部應用于國內頭部客戶。公司布局良率管理系統、半導體缺陷自動分類系統、光刻套刻分析反饋系統，目前三大系列智能軟件已全部應用在國內頭部客戶，并不斷提高在不同應用領域的覆蓋度，結合質量控制設備產品組合，使得客戶能夠準確測量并且集中管理和分析芯片制造過程中產生的所有檢測、量測、電性測試等良率相關數據，有效地提升半導體制造良率和產品性能。圖圖25、中科飛測產品布局中科飛測產品布局 數據來源：中科飛測公告，興業證券經濟與金融研究院整理 請閱讀最后評級說明和重要聲明 19/26 行業深度報告|電子 圖圖26、中科飛測中科飛測半導體量檢測產品布局及進展半導體量檢測產品布局及進展 數據來源：中科飛測公

63、告，興業證券經濟與金融研究院整理 2024 年公司實現營收 13.8 億元，同比增長 55%；其中，檢測設備收入 9.8 億元，同比增長 50.5%，占比 71%，量測設備收入 3.6 億元，同比增長 26%，占比 63%。2024 年公司實現扣非后歸母凈利潤-1.2 億元，歸母凈利潤-0.1 億元，相對承壓，主要因半導體量檢測設備技術壁壘高，公司持續加強新品研發和驗證開發公司，全年研發投入 5 億元，占營收比例達到 36%，大幅增長。圖圖27、中科飛測中科飛測 FY2020-2024 年營收及增速年營收及增速 圖圖28、中科飛測中科飛測 FY2020-2024 年利潤情況年利潤情況 數據來源

64、：wind，興業證券經濟與金融研究院整理 數據來源：wind，興業證券經濟與金融研究院整理 2.4 3.6 5.1 8.9 13.8 324%52%41%75%55%0%50%100%150%200%250%300%350%0.02.04.06.08.010.012.014.016.020202021202220232024總營收（億元）YoY（%，右軸）0.4 0.5 0.1 1.4(0.1)(0.0)0.0(0.9)0.3(1.2)(1.5)(1.0)(0.5)0.00.51.01.52.020202021202220232024歸母凈利潤（億元）扣非凈利潤（億元）請閱讀最后評級說明和重要

65、聲明 20/26 行業深度報告|電子 圖圖29、中科飛測中科飛測 FY2019-2024 年研發投入情況年研發投入情況（億元，（億元，%）數據來源：wind，興業證券經濟與金融研究院整理 （二）精測電子：控股上海精測，光學和電子束技術齊布局 精測電子主要從事顯示、半導體及新能源檢測系統的研發、生產和銷售。在半導體領域，公司已形成前道和后道全領域的布局。截至截至 2024/8/28，公司半導體領域，公司半導體領域在手訂單約在手訂單約 17.67 億元。億元。前道前道量量檢測設備：檢測設備：公司子公司上海精測主要聚焦半導體前道檢測設備領域，目前直接持股比例約為 67%。上海精測膜厚系列產品、OCD

66、 設備、電子束設備、硅片應力測試設備等已取得國內頭部客戶重復訂單；明場光學缺陷檢測設備已完成首明場光學缺陷檢測設備已完成首臺套交付及驗收，且已取得先進制程正式訂單；有圖形暗場缺陷檢測設備等其余臺套交付及驗收，且已取得先進制程正式訂單；有圖形暗場缺陷檢測設備等其余儲備的產品目前正處于研發、認證以及拓展的過程中。儲備的產品目前正處于研發、認證以及拓展的過程中。后道檢測設備：后道檢測設備：公司子公司武漢精鴻主要聚焦自動測試設備（ATE）領域，主要產品存儲芯片測試設備。其中，老化（Burn-In）產品線在國內一線客戶實現批量重復訂單；CP（Chip Probe，晶片探測）/FT（Final Test，

67、最終測試，即出廠測試）產品線相關產品已取得相應訂單并完成交付。圖圖30、2019-2024H1 上海精測營收及利潤情況（億元）上海精測營收及利潤情況（億元）數據來源：wind，興業證券經濟與金融研究院整理 0.6 0.5 1.0 2.1 2.3 5.0 100%19%26%40%26%36%0%20%40%60%80%100%120%0.01.02.03.04.05.06.0201920202021202220232024研發投入（億元）研發投入占營收比例（%，右軸）0.0 0.6 1.1 1.6 3.3 2.1(0.5)(1.0)(1.4)(0.5)0.2(0.1)(2.0)(1.0)0.0

68、1.02.03.04.0201920202021202220232024H1營收（億元）凈利潤（億元）請閱讀最后評級說明和重要聲明 21/26 行業深度報告|電子 圖圖31、精測電子半導體量檢測產品布局精測電子半導體量檢測產品布局 數據來源：精測電子公告，興業證券經濟與金融研究院整理 （三）中微公司：投資布局“睿勵儀器”和“超微公司”中微公司作為國內半導體設備領先企業，已形成“等離子體刻蝕設備全面覆蓋+薄膜設備加速覆蓋+量檢測設備投資布局”的梯度化業務版圖。量檢測設備板塊，公司通過投資“睿勵儀器”和“超微公司”實現光學和電子束技術全面布局。上海睿勵：專注光學檢測上海睿勵：專注光學檢測設備設備。

69、睿勵儀器成立于 2005 年，目前已成功開發光學膜厚/光學關鍵尺寸測量/光學缺陷檢測等設備，中微公司直接持股 27.5%。超微公司：超微公司：發力電子束檢測設備。發力電子束檢測設備。2024 年底，中微公司投資成立超微公司，持股比例 60%，主要計劃開發電子束檢測設備。圖圖32、中微公司業務布局中微公司業務布局 數據來源：中微公司公告，興業證券經濟與金融研究院整理 請閱讀最后評級說明和重要聲明 22/26 行業深度報告|電子 圖圖33、睿勵儀器產品矩陣睿勵儀器產品矩陣 數據來源：微電子制造，興業證券經濟與金融研究院整理 （四）天準科技：“收購+自主研發”布局半導體量檢測設備 天準科技通過自主研

70、發、海外并購德國 Muetec 和戰略投資成立蘇州矽行公司，強化在半導體檢測設備領域的布局，陸續推出晶圓微觀缺陷檢測、套刻量測、CD量測、掩膜量測與檢測等系列產品。Muetec：2021 年 5 月 14 日，天準科技正式收購 Muetec100%股權，收購總價1818 萬歐元（約 1.4 億人民幣）。Muetec 1991 年成立于德國慕尼黑，其在 Mask光學關鍵尺寸測量等領域保持領先優勢，并持續獲得英飛凌、歐司朗等客戶大訂單；40nm 工藝節點套刻測量產品也已完成升級研發并正式推向市場。2024H2，Muetec 實現營收 6581 萬元，凈利潤 1403 萬元。蘇州矽行：蘇州矽行：研發

71、布局明場納米圖形晶圓缺陷檢測設備，TB1000/TB1100（65-90nm）、TB1500（40nm）、TB2000（14nm）構建完整的工藝節點適配體系，可以全面滿足邏輯、存儲等不同工藝客戶產線上的明場缺陷檢測需求。目前，其TB2000 機型已正式通過廠內驗證。產品產品圖示圖示產品性能產品性能應用應用光學膜厚光學膜厚測量設備測量設備可量測介質材料、半導體硅化物材料、超薄金屬材料半導體薄膜厚度、折射率和吸收系數；可測量晶圓的襯底應力。具有產能輸出高及極高的性價比等優點?？闪繙y范圍10A4um，達0.1nm數量級的超精密量測。目前有TFX3000P、TFX4000i及TFX4000E三個系列。

72、該產品適用于集成電路制造前后道，3D NAND，DRAM等制造生產線光學關鍵尺寸光學關鍵尺寸量測量測（OCD）（OCD）應用于顯影后檢查（ADI）、刻蝕后檢查（AEI）等多種工藝段的二維或三維樣品的線寬、側壁角度（SWA）、高度（Height）/深度等關鍵尺寸（CD）特征或整體形貌測量。-光學缺陷檢測光學缺陷檢測設備設備可檢測缺陷類型：顆粒、污染、圖形缺少、劃傷、圖形黏連、殘留等，具備晶圓全表面檢測、自動缺陷分類以及高分辨率的缺陷復查功能。配置自主開發的缺陷檢測增強算法；擁有低持有成本、高穩定性和高可靠性的設計。目前有FSD、WSD及正在開的BrsiteSD三個系列。適用于LED、化合物半導體

73、以及光通訊等領域。請閱讀最后評級說明和重要聲明 23/26 行業深度報告|電子 圖圖34、天準科技天準科技 TB2000 明場納米圖形晶圓缺陷檢測設備明場納米圖形晶圓缺陷檢測設備 數據來源：天準科技官網，興業證券經濟與金融研究院整理 請閱讀最后評級說明和重要聲明 24/26 行業深度報告|電子 四、投資建議 半導體量檢測作為晶圓制造過程中僅次于刻蝕、薄膜沉積和光刻的第四大設備品類，市場空間廣闊，且隨著集成電路工藝微縮和 3D 化趨勢，需求有望進一步提升。目前，美系廠商科磊在實際產業應用中占據約 50%以上份額，國產替代需求迫切，我們非?？春冒雽w量檢測設備國產替代帶來的投資機會，建議關注：1）

74、中科飛測：中科飛測：布局產品覆蓋半導體量檢測設備 66.6%市場，關鍵明暗場缺陷檢測設備已出貨至多家頭部客戶驗證中。2024年營收13.8億元，同比增長55%，國產放量相對最快。2）精測電子：精測電子：67%控股上海精測，布局光學和電子束檢測技術，目前其明場光學缺陷檢測設備已完成首臺套交付及驗收，且已取得先進制程正式訂單；有圖形暗場缺陷檢測設備正處于研發過程中。3）中微公司：中微公司：27.5%持股睿勵儀器，布局光學檢測技術；60%持股超微公司，發力電子束檢測技術。4）天準科技天準科技：天準科技通過自主研發、并購德國 Muetec 和戰略投資成立蘇州矽行公司布局半導體量檢測領域，目前其面向 1

75、4nm 節點的 TB2000 明場晶圓缺陷檢測設備已正式通過廠內驗證。表表1、半導體工藝控制設備重點公司盈利預測半導體工藝控制設備重點公司盈利預測 數據來源：wind，興業證券經濟與金融研究院整理 2024E2024E2025E2025E2026E2026E2024E2024E2025E2025E2026E2026E2024E2024E2025E2025E2026E2026E688361.SH中科飛測-U26913.820.229.2(0.1)2.54.9-107.855.3300567.SZ精測電子17228.936.644.72.13.44.681.850.637.4688012.SH中微

76、公司117590.7117.5151.016.325.033.572.447.035.0688003.SH天準科技8216.122.226.21.22.83.967.229.520.9注：2024年營收和歸母凈利潤：中科飛測來自正式年報，中微公司/天準科技為業績快報，精測電子為Wind一致預期；2025/2026業績為Wind一致預期（截至2025/4/11）PEPE代碼代碼簡稱簡稱市值市值（億元）（億元）營收（億元）營收（億元）歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤（億元）請閱讀最后評級說明和重要聲明 25/26 行業深度報告|電子 五、風險提示 1）國產半導體工藝控制設備廠商設備研發、驗證不及預期，

77、最終導致國產化推進不及預期。高端光學檢測和量測設備涉及光學、算法、軟件、機電自動化等多項跨領域技術，對設備制造企業的技術研發實力和跨領域技術資源整合能力有較高要求；若產業鏈公司設備技術升級迭代不及預期，或新產品技術方向不能順應市場需求，則有可能導致市場競爭力下降，進而影響訂單放量節奏。2）下游晶圓廠擴產及招標不及預期。半導體行業受國際經濟波動、終端消費市場需求變化等方面影響，其發展往往呈現一定的周期性波動特征；國內下游晶圓廠擴產同時還受產線技術突破、配套國產設備驗證進展、良率提升等因素影響；若終端需求不及預期、國產產線拉通或良率提升不及預期則有可能導致下游晶圓廠擴產及設備招標不及預期。3）貿易

78、摩擦影響上游供應鏈風險。半導體量檢測設備零部件中 EFEM 和機械手等供應商多為境外企業，當前國際貿易摩擦不斷，若因此導致部分核心零部件供應商減少或者停止供應，則會對各公司生產經營產生不利影響。請閱讀最后評級說明和重要聲明 26/26 行業深度報告|電子 分析師聲明分析師聲明 本人具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格并登記為證券分析師，以勤勉的職業態度，獨立、客觀地出具本報告。本報告清晰準確地反映了本人的研究觀點。本人不曾因，不因，也將不會因本報告中的具體推薦意見或觀點而直接或間接收到任何形式的補償。本人具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格并登記為證券分析師，以勤勉的職業態度，

79、獨立、客觀地出具本報告。本報告清晰準確地反映了本人的研究觀點。本人不曾因，不因，也將不會因本報告中的具體推薦意見或觀點而直接或間接收到任何形式的補償。投資評級說明投資評級說明 投資建議的評級標準投資建議的評級標準 類別類別 評級評級 說明說明 報告中投資建議所涉及的評級分為股票評級和行業評級（另有說明的除外）。評級標準為報告發布日后的12 個月內公司股價（或行業指數）相對同期相關證券市場代表性指數的漲跌幅。其中：滬深兩市以滬深300 指數為基準；北交所市場以北證50 指數為基準；新三板市場以三板成指為基準；香港市場以恒生指數為基準；美國市場以標普500 或納斯達克綜合指數為基準。股票評級 買入

80、 相對同期相關證券市場代表性指數漲幅大于15%報告中投資建議所涉及的評級分為股票評級和行業評級（另有說明的除外）。評級標準為報告發布日后的12 個月內公司股價（或行業指數）相對同期相關證券市場代表性指數的漲跌幅。其中：滬深兩市以滬深300 指數為基準；北交所市場以北證50 指數為基準；新三板市場以三板成指為基準；香港市場以恒生指數為基準；美國市場以標普500 或納斯達克綜合指數為基準。股票評級 買入 相對同期相關證券市場代表性指數漲幅大于15%增持 相對同期相關證券市場代表性指數漲幅在 5%15%之間 增持 相對同期相關證券市場代表性指數漲幅在 5%15%之間 中性 相對同期相關證券市場代表性

81、指數漲幅在-5%5%之間 中性 相對同期相關證券市場代表性指數漲幅在-5%5%之間 減持 相對同期相關證券市場代表性指數漲幅小于-5%減持 相對同期相關證券市場代表性指數漲幅小于-5%無評級 由于我們無法獲取必要的資料，或者公司面臨無法預見結果的重大不確定性事件，或者其他原因，致使我們無法給出明確的投資評級 無評級 由于我們無法獲取必要的資料，或者公司面臨無法預見結果的重大不確定性事件，或者其他原因，致使我們無法給出明確的投資評級 行業評級 推薦 相對表現優于同期相關證券市場代表性指數 行業評級 推薦 相對表現優于同期相關證券市場代表性指數 中性 相對表現與同期相關證券市場代表性指數持平 中性

82、 相對表現與同期相關證券市場代表性指數持平 回避 相對表現弱于同期相關證券市場代表性指數 回避 相對表現弱于同期相關證券市場代表性指數 信息披露信息披露 本公司在知曉的范圍內履行信息披露義務?？蛻艨傻卿?內幕交易防控欄內查詢靜默期安排和關聯公司持股情況。上述 持倉不曾、不會、不將對研究業務的獨立性、客觀性產生影響。使用本研究報告的風險提示以及法律聲明使用本研究報告的風險提示以及法律聲明 興業證券股份有限公司經中國證券監督管理委員會批準，已具備證券投資咨詢業務資格。，本公司不會因接收人收到本報告而視其為客戶。本報告中的信息、意見等均僅供客戶參考，不構成所述證券買賣的出價或征價邀請或要約，投資者自

83、主作出投資決策并自行承擔投資風險，任何形式的分享證券投資收益或者分擔證券投資損失的書面或口頭承諾均為無效，任何有關本報告的摘要或節選都不代表本報告正式完整的觀點，一切須以本公司向客戶發布的本報告完整版本為準。該等信息、意見并未考慮到獲取本報告人員的具體投資目的、財務狀況以及特定需求，在任何時候均不構成對任何人的個人推薦?？蛻魬攲Ρ緢蟾嬷械男畔⒑鸵庖娺M行獨立評估，并應同時考量各自的投資目的、財務狀況和特定需求，必要時就法律、商業、財務、稅收等方面咨詢專家的意見。對依據或者使用本報告所造成的一切后果，本公司及/或其關聯人員均不承擔任何法律責任。本報告所載資料的來源被認為是可靠的，但本公司不保證其

84、準確性或完整性，也不保證所包含的信息和建議不會發生任何變更。本公司并不對使用本報告所包含的材料產生的任何直接或間接損失或與此相關的其他任何損失承擔任何責任。本報告所載的資料、意見及推測僅反映本公司于發布本報告當日的判斷，本報告所指的證券或投資標的的價格、價值及投資收入可升可跌，過往表現不應作為日后的表現依據；在不同時期，本公司可發出與本報告所載資料、意見及推測不一致的報告；本公司不保證本報告所含信息保持在最新狀態。同時，本公司對本報告所含信息可在不發出通知的情形下做出修改，投資者應當自行關注相應的更新或修改。除非另行說明，本報告中所引用的關于業績的數據代表過往表現。過往的業績表現亦不應作為日后

85、回報的預示。我們不承諾也不保證，任何所預示的回報會得以實現。分析中所做的回報預測可能是基于相應的假設。任何假設的變化可能會顯著地影響所預測的回報。本公司的銷售人員、交易人員以及其他專業人士可能會依據不同假設和標準、采用不同的分析方法而口頭或書面發表與本報告意見及建議不一致的市場評論和/或交易觀點。本公司沒有將此意見及建議向報告所有接收者進行更新的義務。本公司的資產管理部門、自營部門以及其他投資業務部門可能獨立做出與本報告中的意見或建議不一致的投資決策。本報告并非針對或意圖發送予或為任何就發送、發布、可得到或使用此報告而使興業證券股份有限公司及其關聯子公司等違反當地的法律或法規或可致使興業證券股

86、份有限公司受制于相關法律或法規的任何地區、國家或其他管轄區域的公民或居民，包括但不限于美國及美國公民（1934 年美國證券交易所第 15a-6 條例定義為本主要美國機構投資者除外）。本報告的版權歸本公司所有。本公司對本報告保留一切權利。除非另有書面顯示，否則本報告中的所有材料的版權均屬本公司。未經本公司事先書面授權，本報告的任何部分均不得以任何方式制作任何形式的拷貝、復印件或復制品，或再次分發給任何其他人，或以任何侵犯本公司版權的其他方式使用。未經授權的轉載，本公司不承擔任何轉載責任。興業證券股份有限公司經中國證券監督管理委員會批準，已具備證券投資咨詢業務資格。，本公司不會因接收人收到本報告而

87、視其為客戶。本報告中的信息、意見等均僅供客戶參考，不構成所述證券買賣的出價或征價邀請或要約，投資者自主作出投資決策并自行承擔投資風險，任何形式的分享證券投資收益或者分擔證券投資損失的書面或口頭承諾均為無效，任何有關本報告的摘要或節選都不代表本報告正式完整的觀點，一切須以本公司向客戶發布的本報告完整版本為準。該等信息、意見并未考慮到獲取本報告人員的具體投資目的、財務狀況以及特定需求，在任何時候均不構成對任何人的個人推薦?？蛻魬攲Ρ緢蟾嬷械男畔⒑鸵庖娺M行獨立評估，并應同時考量各自的投資目的、財務狀況和特定需求，必要時就法律、商業、財務、稅收等方面咨詢專家的意見。對依據或者使用本報告所造成的一切后

88、果，本公司及/或其關聯人員均不承擔任何法律責任。本報告所載資料的來源被認為是可靠的，但本公司不保證其準確性或完整性，也不保證所包含的信息和建議不會發生任何變更。本公司并不對使用本報告所包含的材料產生的任何直接或間接損失或與此相關的其他任何損失承擔任何責任。本報告所載的資料、意見及推測僅反映本公司于發布本報告當日的判斷，本報告所指的證券或投資標的的價格、價值及投資收入可升可跌，過往表現不應作為日后的表現依據；在不同時期，本公司可發出與本報告所載資料、意見及推測不一致的報告；本公司不保證本報告所含信息保持在最新狀態。同時，本公司對本報告所含信息可在不發出通知的情形下做出修改，投資者應當自行關注相應

89、的更新或修改。除非另行說明，本報告中所引用的關于業績的數據代表過往表現。過往的業績表現亦不應作為日后回報的預示。我們不承諾也不保證，任何所預示的回報會得以實現。分析中所做的回報預測可能是基于相應的假設。任何假設的變化可能會顯著地影響所預測的回報。本公司的銷售人員、交易人員以及其他專業人士可能會依據不同假設和標準、采用不同的分析方法而口頭或書面發表與本報告意見及建議不一致的市場評論和/或交易觀點。本公司沒有將此意見及建議向報告所有接收者進行更新的義務。本公司的資產管理部門、自營部門以及其他投資業務部門可能獨立做出與本報告中的意見或建議不一致的投資決策。本報告并非針對或意圖發送予或為任何就發送、發

90、布、可得到或使用此報告而使興業證券股份有限公司及其關聯子公司等違反當地的法律或法規或可致使興業證券股份有限公司受制于相關法律或法規的任何地區、國家或其他管轄區域的公民或居民，包括但不限于美國及美國公民（1934 年美國證券交易所第 15a-6 條例定義為本主要美國機構投資者除外）。本報告的版權歸本公司所有。本公司對本報告保留一切權利。除非另有書面顯示，否則本報告中的所有材料的版權均屬本公司。未經本公司事先書面授權，本報告的任何部分均不得以任何方式制作任何形式的拷貝、復印件或復制品，或再次分發給任何其他人，或以任何侵犯本公司版權的其他方式使用。未經授權的轉載，本公司不承擔任何轉載責任。特別聲明特

91、別聲明 在法律許可的情況下，興業證券股份有限公司可能會持有本報告中提及公司所發行的證券頭寸并進行交易，也可能為這些公司提供或爭取提供投資銀行業務服務。因此，投資者應當考慮到興業證券股份有限公司及/或其相關人員可能存在影響本報告觀點客觀性的潛在利益沖突。投資者請勿將本報告視為投資或其他決定的唯一信賴依據。在法律許可的情況下，興業證券股份有限公司可能會持有本報告中提及公司所發行的證券頭寸并進行交易，也可能為這些公司提供或爭取提供投資銀行業務服務。因此，投資者應當考慮到興業證券股份有限公司及/或其相關人員可能存在影響本報告觀點客觀性的潛在利益沖突。投資者請勿將本報告視為投資或其他決定的唯一信賴依據。

92、興業證券研究興業證券研究 上海上海 北京北京 深圳深圳 地址：上海浦東新區長柳路36 號興業證券大廈15 層 地址：北京市朝陽區建國門大街甲6 號世界財富大廈 32 層 01-08 單元 地址：深圳市福田區皇崗路 5001 號深業上城T2 座 52 樓 地址：上海浦東新區長柳路36 號興業證券大廈15 層 地址：北京市朝陽區建國門大街甲6 號世界財富大廈 32 層 01-08 單元 地址：深圳市福田區皇崗路 5001 號深業上城T2 座 52 樓 郵編：200135 郵編：100020 郵編：518035 郵箱： 郵箱： 郵箱： 郵編：200135 郵編：100020 郵編：518035 郵箱： 郵箱： 郵箱：