【研報】半導體材料行業跟蹤報告：中國半導體拋光墊高速增長且格局重塑鼎龍股份有望強勢崛起-20200719[22頁].pdf

《【研報】半導體材料行業跟蹤報告：中國半導體拋光墊高速增長且格局重塑鼎龍股份有望強勢崛起-20200719[22頁].pdf》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《【研報】半導體材料行業跟蹤報告：中國半導體拋光墊高速增長且格局重塑鼎龍股份有望強勢崛起-20200719[22頁].pdf（22頁珍藏版）》請在三個皮匠報告上搜索。

1、 -1- 證券研究報告 2020 年 7 月 19 日 電子行業 中國半導體拋光墊高速增長且格局重塑，鼎龍股份有望強勢崛起 半導體材料行業跟蹤報告 行業動態 什么是什么是 CMP 拋光墊。拋光墊?；瘜W機械拋光 CMP 是集成電路制造過程中實現晶圓 表面平坦化的關鍵工藝。 拋光液和拋光墊是 CMP 工藝的核心原材料。 CMP 工 作原理是在一定壓力下及拋光液的存在下，被拋光的晶圓對拋光墊做相對運 動， 借助納米磨料的機械研磨作用與各類化學試劑的化學作用之間的高度有機 結合，使被拋光的晶圓表面達到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。 CMP 拋光墊拋光墊或是最優的半導體材料賽道，或是最優的半導

2、體材料賽道，擴產周期、先進工藝、國產替代擴產周期、先進工藝、國產替代 驅動驅動中國中國 CMP 拋光墊行業步入高速成長期。拋光墊行業步入高速成長期。全球 CMP 行業的下游細分中， 存儲是最大下游，存儲、先進制程（45nm）的市場占 比分別約 39%、32%、29%。中國 CMP 拋光墊行業競爭格局寡頭壟斷，美國 陶氏化學和美國 Cabot Microelectronics 的全球和中國市場占有率約 80%和 5%。鼎龍股份和安集科技分別是中國本土 CMP 拋光墊和拋光液的龍頭公司。 成長驅動力一成長驅動力一之先進工藝之先進工藝：先進工藝驅動行業先進工藝驅動行業高速增長高速增長，長江存儲將是，

3、長江存儲將是中國中國 拋光墊最大拋光墊最大采購方采購方。更先進的邏輯芯片工藝可能會要求拋光新的材料，比如 14 納米以下和 7 納米及以下邏輯芯片工藝要求的關鍵 CMP 工藝將達到 20 步 以上和 30 步以上，所使用的拋光材料的種類和用量迅速增長。而存儲芯片由 2D NAND 向 3D NAND 技術變革， 也會使 CMP 拋光步驟數近乎翻倍。 我們預 計 128 層 NAND 的拋光墊用量將是 64 層 NAND 的 2.5-3.0 倍。 成長成長驅動力二驅動力二之國產替代之國產替代： 拋光墊是為拋光墊是為數不多的全數不多的全 A 化供應鏈，化供應鏈， 鼎龍股份的鼎龍股份的 國產替代空間

4、巨大。國產替代空間巨大。 我們預計 2020 年中國本土晶圓制造廠拋光墊采購額約 20 億元/年。未來長江存儲 30 萬片/月的 128 層 NAND 的拋光墊采購額或超 40 億元、中芯國際和合肥長鑫遠期的拋光墊采購額或分別超 10 億元，展望未來， 三大廠和其它中國本土晶圓制造廠拋光墊約 75 億元/年采購額。鑒于拋光墊在 半導體工藝中的重要性和目前被全 A 廠商壟斷的局面， 鼎龍股份作為中國唯一 實現自主掌握 CMP 拋光墊的量產核心技術的企業，國產替代空間巨大。 鼎龍股份是中國拋光墊行業龍頭鼎龍股份是中國拋光墊行業龍頭，有望深度受益于，有望深度受益于行業高速增長和行業高速增長和國產替國

5、產替 代代。 鼎龍股份已成為國內和國際主流晶圓龍頭廠商的重點拋光墊供應商。 2019 年，在存儲、先進制程和成熟制程等領域，鼎龍在拋光墊的產品開發、市場推 進、產能提升方面都得到了重大突破，2019 年實現收入 1,233 萬元。我們預 計鼎龍股份 2020、2021 和 2022 年拋光墊的收入約為 0.9、2.7、8.0 億元。 投資建議投資建議：拋光墊或是最優半導體材料賽道，：拋光墊或是最優半導體材料賽道，建議積極關注建議積極關注鼎龍股份鼎龍股份。根據 Wind 一致預期，中國 CMP 拋光液龍頭安集科技 20-22 年收入為 3.8、5.3 和 7.0 億元，目前 190 億元市值對應

6、 PS 分別為 50 x、36x 和 27x。鼎龍股份業務 主要為“CMP 拋光墊+打印機耗材” ，參照打印機耗材 P/E 估值法和 CMP 拋 光墊 P/S 估值法， 2020 Wind 一致預期凈利潤約 3.5 億元基本全部由打印機耗 材業務貢獻，參考納思達 20P/E 約 28x，我們給予約 30 x P/E，打印機耗材業 務估值約 100 億元， 而鼎龍目前 170 億元市值對應 CMP 拋光墊業務估值僅約 70 億元。鼎龍股份收入增速、業務空間（核心客戶的供貨種類中，鼎龍多于 安集） 、競爭格局均不亞于安集科技，而半導體業務估值卻大幅低于安集科技。 風險分析風險分析：中美貿易摩擦加劇

7、風險等。 買入（維持） 分析師 劉凱 (執業證書編號：S0930517100002) 021-52523849 裘孝鋒(執業證書編號：S0930517050001) 021-52523535 趙乃迪(執業證書編號：S0930517050005) 010-56513000 行業與上證指數對比圖 資料來源：Wind 2020-07-19 電子行業 -2- 證券研究報告 目目 錄錄 1、 什么是 CMP 拋光墊 . 4 1.1、 化學機械研磨 CMP 是集成電路制造的關鍵工藝 . 4 1.2、 拋光墊和拋光液是 CMP 的重要原材料，鼎龍股份和安集科技分別是中國拋光墊和拋光液龍頭 . 5 2、 中國

8、 CMP 拋光墊行業將步入高速成長通道 . 8 2.1、 半導體材料規模大、細分多、門檻高、更新快，CMP 拋光材料約占 7%市場份額 . 8 2.2、 成長驅動力一之擴產周期：中國晶圓廠步入快速發展通道 . 10 2.3、 成長驅動力二之先進工藝：先進制程不斷進步將驅動 CMP 材料行業需求快速增長 . 11 2.4、 成長驅動力三之國產替代：拋光墊目前為全 A 供應鏈，鼎龍股份國產替代空間巨大 . 13 2.5、 三大動能驅動中國 CMP 行業將步入高速成長期 . 15 3、 鼎龍股份是中國拋光墊行業龍頭，有望深度受益于行業高速成長和國產替代 . 17 3.1、 鼎龍股份拋光墊已實現客戶、

9、產品、產能全面突破 . 17 3.2、 鼎龍股份業務空間、競爭格局、公司增速均不亞于安集科技 . 18 4、 投資建議和估值分析：拋光墊或是最優半導體材料賽道，鼎龍股份有望步入快速發展期 . 19 5、 風險分析 . 21 mNpQqQpQoRpNyQoRmQoRsR9P9R8OmOrRnPqQlOqQrOiNtRrR6MqQwPvPmPtNvPsOmR 2020-07-19 電子行業 -3- 證券研究報告 圖表目錄圖表目錄 圖表 1：集成電路制造工藝流程 . 4 圖表 2：CMP 工藝 . 6 圖表 3：CMP 材料的構成 . 6 圖表 4：電子化學品在晶圓制造、封裝過程中的應用. 8 圖表

10、 5：2013-2018 年全球晶圓制造及封裝材料市場銷售規模（億美元） . 9 圖表 6：IC 終端市場（億美元）和增長率 . 9 圖表 7：電子材料行業吸引力 . 10 圖表 8：國內晶圓廠投產及規劃情況 . 11 圖表 9：全球 CMP 拋光材料的細分市場拆分. 12 圖表 10：CMP 的拋光工藝步驟大幅增加 . 12 圖表 11：邏輯電路的制造工藝步驟大幅增加 . 13 圖表 12：拋光墊市場競爭格局（2018 年銷售額計） . 14 圖表 13：拋光液行業競爭格局（2018 年銷售額計） . 14 圖表 14：3D NAND 升級拋光墊用量提升 . 15 圖表 15：邏輯芯片制程節

11、點提高帶動晶圓拋光次數增加 . 15 圖表 16：拋光墊市場空間測算 . 16 圖表 17：2018-2020 年 Q1CMP 拋光墊銷售收入 . 17 圖表 18：鼎龍股份和安集科技的業務和估值數據比較. 19 圖表 19：半導體材料可比公司 P/S 估值 . 20 圖表 20：中國半導體材料相關公司比較 . 20 2020-07-19 電子行業 -4- 證券研究報告 1、什么是什么是 CMP 拋光墊拋光墊 1.1、化學機械研磨化學機械研磨 CMP 是集成電路制造的關鍵工藝是集成電路制造的關鍵工藝 集成電路晶圓制造集成電路晶圓制造指以指以 8 8 英寸或英寸或 1212 英寸英寸的晶圓為原材

12、料，借助載有電的晶圓為原材料，借助載有電 路信息的光掩模，運用光刻和刻蝕等工藝流程，將電路布圖集成于晶圓上。路信息的光掩模，運用光刻和刻蝕等工藝流程，將電路布圖集成于晶圓上。 圖表圖表 1：集成電路制造工藝流程集成電路制造工藝流程 資料來源：中芯國際招股說明書 上述過程中，晶圓經過光刻和刻蝕等工藝流程的多次循環，逐層集成，上述過程中，晶圓經過光刻和刻蝕等工藝流程的多次循環，逐層集成， 并經離子注入、退火、擴散、化學氣相沉積、物理氣相沉積、化學機械研磨并經離子注入、退火、擴散、化學氣相沉積、物理氣相沉積、化學機械研磨 等流程，最終在晶圓上實現特定的集成電路結構。主要流程如下：等流程，最終在晶圓上

13、實現特定的集成電路結構。主要流程如下： 1 1、晶圓清洗、熱氧化、晶圓清洗、熱氧化。晶圓的清洗是指通過將晶圓沉浸在不同的清洗 藥劑內或通過噴頭將調配好的清洗液藥劑噴射于晶圓表面進行清洗，再通過 超純水進行二次清洗，以去除晶圓表面的雜質顆粒和殘留物，確保后續工藝 步驟的準確進行。 晶圓的熱氧化是指在 8001,150的高溫下， 用熱氧化方 法在其表面形成二氧化硅薄膜。 2020-07-19 電子行業 -5- 證券研究報告 2 2、光刻、光刻。光刻的主要環節包括涂膠、曝光與顯影。涂膠是指通過旋轉 晶圓的方式在晶圓上形成一層光刻膠；曝光是指先將光掩模上的圖形與晶圓 上的圖形對準，然后用特定的光照射。

14、光能激活光刻膠中的光敏成分，從而 將光掩模上的電路圖形轉移到光刻膠上； 顯影是用顯影液溶解曝光后光刻 膠中的可溶解部分，將光掩模上的圖形準確地用晶圓上的光刻膠圖形顯現出 來。 3 3、刻蝕、刻蝕?？涛g主要分為干法刻蝕和濕法刻蝕，指未被光刻膠覆蓋的材 料被選擇性去除的過程。干法刻蝕主要利用等離子體對特定物質進行刻蝕。 濕法刻蝕主要通過液態化學品對特定物質進行刻蝕。 4 4、離子注入、退火、離子注入、退火。 （1）離子注入是指將硼、磷、砷等離子束加速到 一定能量，然后注入晶圓材料的表層內，以改變材料表層物質特性的工藝。 （2）退火是指將晶圓放置于較高溫度的環境中，使得晶圓表面或內部的微 觀結構發生

15、變化，以達到特定性能的工藝。 5 5、擴散、擴散。擴散是指在高溫環境下通過讓雜質離子從較高濃度區域向較 低濃度區域的轉移，在晶圓內摻入一定量的雜質離子，改變和控制晶圓內雜 質的類型、濃度和分布，從而改變晶圓表面的電導率。 6 6、化學氣相沉積、化學氣相沉積?；瘜W氣相沉積是指不同分壓的多種氣相狀態反應物 在一定溫度和氣壓下在襯底表面上進行化學反應，生成的固態物質沉積在晶 圓表面，從而獲得所需薄膜的工藝技術。 7 7、物理氣相沉積、物理氣相沉積。物理氣相沉積是指采用物理方法，如真空蒸發、濺 射鍍膜、離子體鍍膜和分子束外延等，在晶圓表面形成金屬薄膜的技術。 8 8、化學機械研磨?；瘜W機械研磨是指同時

16、利用機械力的摩擦原理及化、化學機械研磨?；瘜W機械研磨是指同時利用機械力的摩擦原理及化 學反應，借助研磨顆粒，以機械摩擦的方式，將物質從晶圓表面逐層剝學反應，借助研磨顆粒，以機械摩擦的方式，將物質從晶圓表面逐層剝離以離以 實現晶圓表面的平坦化。實現晶圓表面的平坦化。 9 9、晶圓檢測、晶圓檢測。晶圓檢測是指用探針對生產加工完成后的晶圓產品上的 集成電路或半導體元器件功能進行測試，驗證是否符合產品規格。 1010、包裝入庫、包裝入庫。包裝入庫是指對檢測通過的生產加工完成后的晶圓進行 真空包裝入庫。 1.2、拋光墊和拋光液是拋光墊和拋光液是 CMP 的重要原材料的重要原材料， 鼎龍股份和， 鼎龍股份

17、和 安集科技分別是中國拋光墊和拋光液龍頭安集科技分別是中國拋光墊和拋光液龍頭 化學機械研磨化學機械研磨/ /化學機械拋光（化學機械拋光（CMPCMP，Chemical Mechanical PlanarizationChemical Mechanical Planarization） 是集成電路制造過程中實現晶圓表面平坦化的關鍵工藝。是集成電路制造過程中實現晶圓表面平坦化的關鍵工藝。與傳統的純機械或 純化學的拋光方法不同， CMP 工藝是通過表面化學作用和機械研磨的技術結 合來實現晶圓表面微米/納米級不同材料的去除，從而達到晶圓表面的高度 （納米級）平坦化效應，使下一步的光刻工藝得以進行。CM

18、P 的主要工作原 理是在一定壓力下及拋光液拋光液的存在下，被拋光的晶圓對拋光墊拋光墊做相對運動， 借助納米磨料的機械研磨作用與各類化學試劑的化學作用之間的高度有機 結合， 使被拋光的晶圓表面達到高度平坦化、 低表面粗糙度和低缺陷的要求。 2020-07-19 電子行業 -6- 證券研究報告 圖表圖表 2：CMP 工藝工藝 資料來源：安集科技招股說明書 拋光液和拋光墊是拋光液和拋光墊是 C CMPMP 工藝的核心原材料。工藝的核心原材料。CMP 工藝過程中所采用的 設備及消耗品包括：拋光機、拋光液、拋光墊、后 CMP 清洗設備、拋光終 點檢測及工藝控制設備、廢物處理和檢測設備等。其中 CMP 材

19、料主要包括 拋光液、拋光墊、調節器、CMP 清洗以及其他等耗材，而拋光液和拋光墊占 CMP 材料細分市場的 80%以上，是 CMP 工藝的核心材料。 圖表圖表 3：CMP 材料的構成材料的構成 資料來源：卡伯特微電子、光大證券研究所整理 1 1、拋光墊、拋光墊：在化學機械拋光過程中，拋光墊具有儲存和運輸拋光液、在化學機械拋光過程中，拋光墊具有儲存和運輸拋光液、 去除加工去除加工殘余物質、維持拋光環境等功能。殘余物質、維持拋光環境等功能。目前的拋光墊一般都是高分子材 料，如合成革拋光墊、聚氨醋拋光墊、金絲絨拋光墊等，其表面一般含有大 小不一的孔狀結構，有利于拋光漿料的存儲與流動。 2020-07

20、-19 電子行業 -7- 證券研究報告 拋光墊的性能受其材料特性、表面組織、表面溝槽形狀及工作溫度等因 素的影響。在這些影響因素中，拋光墊的表面溝槽形狀及寸是拋光墊性能的 關鍵參數之一，它直接影響到拋光區域內拋光液的分布和運動，并且影響拋 光區域的溫度分布。拋光墊也是一種耗材，必須適時進行更換，長時間不更 換的拋光墊，被拋光去除的材料殘余物易存留在其中會對工件表面造成劃 痕，同時拋光后的拋光墊如果不及時清洗，風干后粘結在拋光墊內的固體會 對下一次拋光質量產生影響。 2 2、拋光液。、拋光液。又稱“化學機械研磨液” ，由納米級研磨顆粒和高純化學品 組成，是化學機械拋光工藝過程中使用的主要化學材料

21、?；瘜W機械拋光液的 主要原料包括研磨顆粒、各種添加劑和水，其中研磨顆粒主要為硅溶膠和氣 相二氧化硅?；瘜W機械拋光液原料中添加劑的種類根據產品應用需求有所不 同，如金屬拋光液中有金屬絡合劑、腐蝕抑制劑等，非金屬拋光液中有各種 調節去除速率和選擇比的添加劑。 2020-07-19 電子行業 -8- 證券研究報告 2、 中國中國 CMP 拋光墊拋光墊行業行業將步入高速成長通道將步入高速成長通道 2.1、半導體材料半導體材料規模大、 細分多、 門規模大、 細分多、 門檻高、 更新快檻高、 更新快， CMP 拋光材料約占拋光材料約占 7%市場份額市場份額 材料和設備是半導體產業的基石，是推動集成電路技術

22、創新的引擎。材料和設備是半導體產業的基石，是推動集成電路技術創新的引擎。一 代技術依賴于一代工藝，一代工藝依賴一代材料和設備來實現。半導體材料 處于整個半導體產業鏈的上游環節，對半導體產業發展起著重要支撐作用， 具有產業規模大、細分行業多、技術門檻高、更新速度快等特點。 圖表圖表 4：電子化學品在晶圓制造、封裝過程中的應用：電子化學品在晶圓制造、封裝過程中的應用 資料來源：金茂新材料，光大證券研究所整理 第一，產業規模大。第一，產業規模大。半導體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料。根 據 SEMI，2017 年全球半導體材料銷售額為 469 億美元，增長 9.6%，其中 晶圓制造材料和封裝材料

23、的銷售額分別為 278 億美元和 191 億美元， 同比增 長率分別為12.7%和5.4%。 2018年全球半導體材料銷售額達到519億美元， 增長 10.6%，超過 2011 年 471 億美元的歷史高位，其中晶圓制造材料和封 裝材料的銷售額分別為 322 億美元和 197 億美元， 同比增長率分別為 15.9% 和 3.0%。 第二第二，細分行業多。，細分行業多。半導體材料行業是半導體產業鏈中細分領域最多的 產業鏈環節，其中晶圓制造材料包括硅片、光掩模、光刻膠、光刻膠輔助材 料、工藝化學品、電子特氣、靶材、CMP 拋光材料（拋光液和拋光墊）及 其他材料，封裝材料包括引線框架、封裝基板、陶瓷

24、基板、鍵合絲、包封材 料、芯片粘結材料及其他封裝材料，每一種大類材料又包括幾十種甚至上百 種具體產品，細分子行業多達上百個。公司產品化學機械拋光液和光刻膠去 除劑屬于半導體材料中的晶圓制造材料大類。 第三第三，技術門檻高。，技術門檻高。半導體材料的技術門檻一般要高于其他電子及制造 領域相關材料，在研發過程中需要下游對應產線進行批量測試。同時，芯片 2020-07-19 電子行業 -9- 證券研究報告 制造過程的不同和下游廠商對材料使用需求的不同，會導致對應材料的參數 有所不同。 第四第四，更新速度快。，更新速度快。工藝制程的不斷演進需要半導體材料的匹配，因此 下游行業日新月異的快速發展勢必要求

25、半導體材料更新速度不斷加快，企業 研發需求與日俱增，素有“一代材料、一代產品”之說。 圖表圖表 5：2013-2018 年全球晶圓制造及封裝材料市場銷售規模年全球晶圓制造及封裝材料市場銷售規模（億美元億美元） 資料來源：SEMI，安集科技招股說明書，光大證券研究所 半導體材料市場隨著半導體市場的增長而增長。半導體材料市場隨著半導體市場的增長而增長。半導體集成電路產品廣 泛應用于通信、計算機、消費電子、汽車、物聯網、醫療、政府、軍事等終 端領域，其中汽車、物聯網等終端應用將成為集成電路市場增長的主要驅動 因素，進而為半導體材料帶來未來增長機會。根據 IC Insights 預測，手機和 電腦是

26、2017 年前兩大 IC 終端市場，合計占 IC 市場總收入的份額約 45%。 2016 年至 2021 年，整個 IC 市場年復合增長率為 7.9%，其中汽車領域和物 聯網領域 IC 銷售額年復合增長率分別為 13.4%和 13.2%， 將是 IC 市場增長 的主要驅動力。根據中國半導體行業協會，2018 年中國集成電路產業銷售 額達到 6,532 億元，同比增長 20.7%；隨著國內中芯國際、長江存儲等一系 列生產線的建成投產，預計 2020 年國內集成電路產業規模將達到 9,825.4 億元。全球半導體產業特別是中國集成電路產業快速增長，將帶動上游晶圓 制造材料需求增長。 圖表圖表 6：

27、IC 終端市場（億美元）和增長率終端市場（億美元）和增長率 資料來源：SEMI，安集科技招股說明書，光大證券研究所 2020-07-19 電子行業 -10- 證券研究報告 根據 Versum 官網公開披露的資料，電子材料行業中半導體、OLED 顯 示、先進封裝等領域材料獲利機會較大，且 2018-2023 年復合增長率較高。 圖表圖表 7：電子材料行業吸引力電子材料行業吸引力 資料來源：Versum 官網公開披露的資料，安集科技招股說明書，光大證券研究所 全球半導體晶圓制造材料市場規模與全球半導體市場規模同步增長。全球半導體晶圓制造材料市場規模與全球半導體市場規模同步增長。根 據 WSTS 和

28、 SEMI 統計數據測算， 2013-2018 年每年全球半導體晶圓制造材 料市場規模占全球半導體市場規模的比例約為 7%。 2.2、成長驅動力一之擴產周期：中國晶圓廠步入快速發成長驅動力一之擴產周期：中國晶圓廠步入快速發 展通道展通道 國內晶圓制造廠商積極擴產及規劃新產品。國內晶圓制造廠商積極擴產及規劃新產品。（1）國內存儲廠商長江存 儲 64 層 3D 閃存于 2019 年 9 月量產， 128 層 QLC 3D NAND 閃存芯片積極 備產，預計 2020-2021 年中旬陸續量產；（2）國內晶圓制造大廠中芯國際 正進行 14nm FinFET SN1 產線的積極擴產，目前建設月產能 6

29、000 片，距 離 SN1 項目 3.5 萬片/月規劃產能還有較大空間，預計相應半導體材料采購 額會繼續擴大；（3）安徽省重點領域補短板產品和關鍵技術攻關任務揭 榜工作方案文件中提到著力開發低功耗高速率 LPDDR5 DRAM 產品等， 預計 DRAM 存儲廠商合肥長鑫也將于未來兩到三年推出新一代的 LPDDR5 產品。 1、長江存儲：長江存儲：3D NAND 生產項目名為長江存儲國家存儲器基地項目， 投資額約 240 億美元，總占地為 1968 畝。該項目分兩期建設，合計規劃產合計規劃產 能為能為 30 萬片萬片/月月。項目一期規劃產能為 10 萬片/月，于 2016 年底開工建設。 201

30、9 年 9 月長江存儲發布 64 層 3D NAND。 二期于 2020 年 6 月開工建設， 產能規劃為 20 萬片/月。128 層 QLC 3D NAND 于 2020 年 4 月成功研制， 預計 2020 年底至 2021 年中旬陸續量產。 2020-07-19 電子行業 -11- 證券研究報告 2、合肥長鑫：合肥長鑫：DRAM 項目共投資 2200 億元。12 英寸存儲器晶圓制造 基地投資 1500 億元?？崭弁顿Y 200 億元，位于長鑫存儲項目以西。合肥空 港小鎮總投資 500 億元，位于長鑫存儲以北。后兩個項目為長鑫存儲產業配 套項目，提供生活服務設施。該項目分為三期進行：第一期投

31、資 72 億美元， 規劃產能規劃產能 12.5 萬片萬片/月月。第一期第一階段規劃 4 萬片/月。2019 年 9 月，合 肥長鑫正式量產 DDR4 內存，2020 年 4 月產能為 2 萬片/月，預計 2020 年 底擴產到 4 萬片/月。 3、中芯國際：中芯國際：12 英寸 14nm FinFET 工藝產線 SN1 和 SN2 項目位于 上海浦東新區張江高科技園區， 項目總投資額約 102.4 億美金。 SN1 和 SN2 項目產能各規劃 3.5 萬片/月， 合計產能合計產能 7 萬片萬片/月。月。 截至 2020 年 6 月 10 日， SN1 項目已建設月產能 6000 片。 距離兩條

32、 14nm 產線 7 萬片/月產能還有較 大提升空間，CMP 相關用量預計也會大幅提升。 圖表圖表 8：國內晶圓廠投產及規劃情況：國內晶圓廠投產及規劃情況 投產投產/量產情況量產情況 產能規劃產能規劃 投資計劃投資計劃 長江存儲 2019 年 9 月量產的 64 層 3D 閃存； 128 層 QLC 3D NAND 閃存芯片 X2-6070 預計 2020 年底-2021 年中旬陸續量產。 共 30 萬片/月。 一期規劃 10 萬片/月（已建成）； 二期規劃 20 萬片/月。 240 億美元 合肥長鑫 2019 年 9 月 20 日，合肥長鑫宣布正式量產 10nm 級 10G1 DDR4 內存

33、芯片；LPDDR5 產品未來 2-3 年陸續推出。 12.5 萬片/月 2200 億元 中芯國際 積極擴產 14nm FinFET 工藝制程產線， “12 英寸 芯片 SN1 項目”已建設月產能 6,000 片。另有 7 萬片/月 （SN1 和 SN2 各 3.5 萬片/月） 102 億美元 華虹半導體 聚焦特色工藝、覆蓋 90-65 納米工藝節點，規劃月 產能約 4 萬片的 12 英寸集成電路生產線。 2019 年 9 月建成投片，2019 年末達產 1 萬片/月。 4 萬片/月 100 億美元，一期投 資 25 億美元。 華潤微 重慶 12 英寸產線今年啟動；SIC 產線擴大產能。 70

34、萬片/年 100 億元 士蘭微 2019 年 8 月，擴充 8 英寸產線； 一期年產 18 萬片+二期年產 25.2 萬片 15 億元 上海積塔半導體 2020 年 3 月 30 日， 上海臨港新片區，積塔半導體 特色工藝生產線正式投片。 8 英寸產線 6 萬片/月； 6 英寸產線 5 千片/月； 12 英寸產線 3 千片/月。 359 億元 紫光 DRAM 事業部 存儲芯片工廠預計 2021 年建成投產 - 未來 10 年 8000 億 華力二期 12 英寸 28nm 已于 2018 年量產，14nm 工藝預計 于 2020 年底量產。 4 萬片/月 387 億元 資料來源：公司年報、公司招

35、股說明書、公司新聞、集微網、光大證券研究所 2.3、成長驅動力二成長驅動力二之先進工藝：之先進工藝：先進制程不斷進步先進制程不斷進步將驅將驅 動動 CMP 材料行業需求快速增長材料行業需求快速增長 存儲是拋光墊和拋光液的最大下游。存儲是拋光墊和拋光液的最大下游。CMP 拋光材料包括拋光液和拋光 墊，其耗用量隨著晶圓產量和 CMP 工藝步驟數增加而增加。根據 Cabot Microelectronics 官網公開披露的資料，2018 年全球化學機械拋光墊和拋光液 市場規模約 20.0 億美元， 其中存儲、 先進制程 （45nm） 的市場占比分別約 39%、32%、29%。 2020-07-19

36、電子行業 -12- 證券研究報告 圖表圖表 9：全球全球 CMP 拋光材料拋光材料的細分市場拆分的細分市場拆分 資料來源：Cabot Microelectronics 官網公開披露資料，光大證券研究所整理 根據不同工藝制程和技術節點的要求，每一片晶圓在生產過程中都會經根據不同工藝制程和技術節點的要求，每一片晶圓在生產過程中都會經 歷幾道甚至幾十道的歷幾道甚至幾十道的 CMPCMP 拋光工藝步驟。拋光工藝步驟。 圖表圖表 10：CMP 的拋光工藝步驟大幅增加的拋光工藝步驟大幅增加 資料來源：Cabot Microelectronics 官網公開披露資料，光大證券研究所整理 盡管摩爾定律在不斷被挑

37、戰，集成電路制造技術仍然在世界范圍內不斷 被更新并向更先進的技術推進，化學機械拋光技術也不例外，這就對 CMPCMP 工藝使用的關鍵材料（即化學機械拋光材料，主要包括化學機械拋光液和拋工藝使用的關鍵材料（即化學機械拋光材料，主要包括化學機械拋光液和拋 2020-07-19 電子行業 -13- 證券研究報告 光墊）光墊）提出了更高要求，主要體現在“難” 、 “?！?、 “多”三個方面： “難” 。集成電路產業能夠延續摩爾定律不斷發展，離不開半導體材 料性能的改善和新材料的應用。為了提高集成電路的性能，集成電路制造商 逐步增加每塊集成電路上電子元器件與布線層的數量和密度，這增加了集成 電路的復雜性

38、和對 CMP 拋光材料的相關需求。在“難”方面，在從微米到 納米級別的器件線路上，對不同材料的去除速率、選擇比及表面粗糙度和缺 陷都要求精準至納米乃至埃（分子級） 。如此精準的控制需要通過精制、客 制拋光液在宏觀的拋光機臺和拋光墊的作用下完成，這些高難工藝對拋光材 料的性能提出了極大的挑戰。隨著技術節點的推進，在 14 納米、10 納米、7 納米、5 納米等更先進的制程節點，CMP 工藝將面臨各種高難度的挑戰，對 拋光材料尤其是拋光墊將提出前所未有的高難度技術要求。 “?！?。在邏輯芯片、存儲芯片等集成電路技術不斷推進過程中，對 拋光材料的需求出現了“?！钡内厔莺吞卣?，客戶和供應商聯合開發成為

39、成 功的先決條件。即使是同一技術節點，不同客戶的集成技術不同，對拋光材 料的需求也不同。 “多” 。在集成電路技術不斷推進過程中，必然出現多種新技術和新 襯底材料，這些新技術和新襯底材料對拋光工藝材料提出了許多新的要求。 隨著集成電路技術的進步和對集成電路性能要求的增加，下游客戶在制造過 程中使用 CMP 工藝的集成電路比例在不斷增加，對 CMP 材料種類和用量的 需求也在增加。 更先進的邏輯芯片工藝可能會要求拋光新的材料，為 CMP 拋光材料帶 來了更多的增長機會，比如 14 納米以下邏輯芯片工藝要求的關鍵 CMP 工藝 將達到 20 步以上，7 納米及以下邏輯芯片工藝中 CMP 拋光步驟甚至可能達 到 30 步，所使用的拋光材料的種類和用量迅速增長。同樣地，