DrMOS采取合封方式有效降低面積、提升效率 DrMOS 將 2 個功率 MOSFET 和 driver IC 集成在一個芯片中,采用芯片封裝工藝,在內部優化功率回路和驅動回路,可以最大程度減少寄生電感和電容影響;另外,系統整體尺寸進一步降低,功率密度大幅度提高,滿足高端主板更嚴苛超頻工作,提升整體效率。DrMOS內部增加電流和工作溫度檢測功能,電流和工作溫度信號輸出給 PWM 控制器或 CPU/DSP(數字控制器),不但可以進行系統控制和反饋調節,還可以保護功率器件安全工作,提高系統可靠性。 行業數據 下載Excel 下載圖片 原圖定位