無論是邏輯芯片還是存儲芯片，隨著工藝的升級均在走向 3D立體結構，元器件逐步呈現高密度、高深寬比結構。由于 ALD獨特的技術優勢，在每個周期中生長的薄膜厚度是一定的，擁有精確的膜厚控制和優越的臺階覆蓋率，因此能夠較好的滿足器件尺寸不斷縮小和結構 3D立體化對于薄膜沉積工序中薄膜的厚度、三維共形性等方面的更高要求。