PVD工藝成熟度最低，但其優點體現在：1）可原位摻雜；2）無繞鍍；3）不使用危險氣體，如硅烷、磷烷等；4）原材料硅基靶材成本低。但 PVD路線缺點主要體現在：1）設備成本高；2）占地面積大；3）根據 ISFH觀點，PVD方法可能有鈍化效果差、接觸電阻高等劣勢。