PECVD 為芯片制造主要薄膜沉積方式。根據不同原理薄膜沉積設備主要分為 CVD 設備、PVD 設備和 ALD 設備?；瘜W氣相沉積是通過化學反應的方式，利用加熱、等離子或光輻射等各種能源，在反應器內使氣態或蒸汽狀態的化學物質在氣相或氣固界面上經化學反應形成固態沉積物的技術。常用CVD 設備包括 PECVD、SACVD、APCVD、LPCVD、ALD 等，適用于不同工藝節點對膜質量、厚度、孔隙溝槽填充能力等不同要求。PECVD 利用等離子體技術，在相對較低反應溫度下形成高致密性、高性能薄膜，被廣泛應用于邏輯芯片、DRAM 芯片以及 3D NAND FLASH 芯片的制造過程中，包括形成介質層、鈍化層以及硬掩膜等工藝領域，占總薄膜沉積設備 33%。