LPCVD能同時實現氧化層、本征非晶硅層，工業應用技術非常成熟。LPCVD法均適用于氧化層 SiO2、本征非晶硅層的制備，且兩者反應溫度相近，均在 600℃左右。以 LPCVD法制備氧化層 SiO2，以及本征非晶硅層 a-Si工藝為例，實踐中僅需要在兩者反應中間，加入 N2清洗、撿漏、抽真空等操作，即可在同一工步完成 SiO2/本征非晶硅膜的制備。