在硅光芯片中，通過融合不同材料體系，可突破單一材料的性能局限，實現性能與成本的平衡。 (1)異質集成技術將InP等高發光效率的III-V族材料與硅基襯底結合，解決了硅材料間接帶隙導致的發光效率低問題，同時保留硅基CMOS工藝的低成本和大規模制造優勢。 (2)用鈮酸鋰薄膜（LNOI）與硅的異質集成，可將調制器帶寬提升至200GHz以上，顯著增強高速通信性能。 (3)通過晶圓級鍵合或外延生長技術，既能兼容成熟半導體工藝以降低制造成本，又能實現光電器件的高密度集成，提升系統可靠性。這種多材料融合策略不僅優化了硅光芯片的帶寬、能效和抗干擾能力，還能通過規?；a攤薄成本，推動其在疏通機電信等場景商業化落地。