第三代半導體行業重大政策盤點(不完全統計)
2022年2月河南、浙江省政府《“十四五”數字經濟和信息化發展規劃
》、《浙江省人民政府關于進一步加強招商引資工作的指導意見》河南:規劃提出,積極布局半導體材料產業,發展以碳化硅、氮化鎵為重點的第三代半導體材料,提升大尺寸單晶硅拋光片、電子級高純硅材料、區熔硅單晶研發及產業化能力。浙江:“十四五”期間,浙江將從省外引進總投資超10億元的內資產業項目500個,聚焦培育新增長點,大力招引第三代半導體、類腦芯片、柔性電子等未來產業關鍵環節項目。
2021年6月科技部、國家發展改革委、工業和信息化部、人民銀行、銀保監會、證監會《長三角G60科創走廊建設方案》長三角G60科創走廊包括G60國家高速公路和滬蘇湖、商合杭高速鐵路沿線的上海市松江區,江蘇省蘇州市,浙江省杭州市、湖州市、嘉興市、金華市,安徽省合肥市、蕪湖市、宣城市9個市(區)。方案提出在重點領域培育一批具有國際競爭力的龍頭企業,加快培育布局量子信息、類腦芯片、第三代半導體、基因編輯等一批未來產業。
2021年3月十三屆全國人大四次會議表決通過《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》瞄準人工智能、量子信息、集成電路、生命健康、腦科學、生物育種、空天科技、深地深海等前沿領域,實施一批具有前瞻性、戰略性的國家重大科技項目。集成電路領域包括設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發,集成電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微機電系統(MEMS)等特色工藝突破,先進存儲技術升級,碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發展。
2020年7月國務院《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展若干政策的通知》在先進存儲、先進計算、先進制造、高端封裝測試、關鍵裝備材料、新一代半導體技術等領域,結合行業特點推動各類創新平臺建設??萍疾?、國家發展改革委、工業和信息化部等部門優先支持相關創新平臺實施研發項目。國家鼓勵的集成電路設計、裝備、材料、封裝、測試企業和軟件企業,自獲利年度起,第一年至第二年免征企業所得稅,第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業所得稅。
2019年11月國家工信部《重點新材料首批次應用示范指導目錄》氮化鎵單晶襯底、功率器件用氮化鎵外延片、碳化硅單晶襯底、碳化硅外延片納入目錄。
2016年7月國務院《“十三五”國家科技創新規劃》發展微電子和光電子技術,重點加強極低功耗芯片、新型傳感器、第三代半導體芯片和硅基光電子、混合光電子、微波光電子等技術與器件的研發。發展先進功能材料技術,重點是第三代半導體材料、納米材料、新能源材料、印刷顯示與激光顯示材料、智能/仿生/超材料、高溫超導材料、稀土新材料、膜分離材料、新型生物醫用材料、生態環境材料等技術及應用。


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