中國第三代半導體產業現狀
因為制造設備、制造工藝和成本的劣勢,多年以來,我國第三代半導體材料依舊只是在小范圍內應用,無法挑戰硅基半導體的統治地位。
當前,碳化硅襯底技術相對來說是比較簡單的,國內已經實現了4英寸量產,除此之外,6英寸的研發也已經完成了,但是氮化鎵(GaN)制備技術依舊還是有待提升,當前,國內企業已經可以小批量的生產2英寸襯底,且具備了4英寸襯底的生產能力,并且還開發出了6英寸樣品。

國內與國外半導體行業的差距
1、中國以硅為代表的第一代半導體材料和國際一線水平差距最大
(1)生產設備方面,基本上所有的晶圓代工廠都會用到美國公司的設備,2019年全球前5名芯片設備生產商3家來自美國;而中國的北方華創、中微半導體、上海微電子等中國優秀的芯片公司只是在刻蝕設備、清洗設備、光刻機等部分細分領域實現突破,設備領域的國產化率還不到20%。
(2)生產代工方面,2019年臺積電市場占有率高達52%,韓國三星占了18%左右,中國最優秀的芯片制造公司中芯國際只占5%,并且在制程上前面兩個相差30年的差距。
(3)應用材料方面,美國已連續多年位列第一,我國的高端光刻膠幾乎依賴進口,全球5大硅晶圓的供應商占據了高達92.8%的產能,美國、日本、韓國的公司具有壟斷地位。
2、第二代半導體材料
(1)砷化鎵晶圓環節,據相關數據,2018年前四大砷化鎵外延片廠商為IQE(英國)、全新光電(VPEC,臺灣)、住友化學(Sumitomo
Chemicals,日本)、英特磊(IntelliEPI,臺灣),市場占有率分別為54%、25%、13%、6%。CR4高達98%。
(2)砷化鎵元器件,砷化鎵元器件產品(PA為主),也是以歐美廠商為主,最大的是Skyworks(思佳訊),市場占有率為30.7%;其次為Qorvo(科沃,RFMD和TriQuint合并而成),市場份額為28%;第三名為Avago(安華高,博通收購)。這三家都是美國企業。
3、砷化鎵晶圓制造環節,臺灣系代工廠為主流,穩懋(臺灣)一家獨大,占據了砷化鎵晶圓代工市場71%的市場份額,其次為宏捷(臺灣)與環宇(GCS,美國),分別為9%和8%。
但是就當前來說,從三個環節來看的話,我國已經有了突破的跡象,例如華為就是將手機射頻關鍵部件PA通過自己研發然后轉單給三安光電代工的。
除此直往外,第三代半導體值得我們關注,中國在以氮化鎵和碳化硅為代表第三代半導體材料方面有追趕和超車的機會。
因為第三代半導體材料和應用產業發明并實用于本世紀初年,各國的研究和水平都是差不多的,國內產業界和專家認為第三代半導體材料成了我們擺脫集成電路(芯片)被動局面、實現芯片技術追趕和超車的良機!這就好像汽車產業,中國就是利用發展新能源汽車的模式來拉近和美、歐、日系等汽車強國的距離的,并且在某些領域實現了彎道超車、換道超車的局面,三代半材料性能優異、未來應用廣泛,如果從這方面趕超是存在機會的!
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