2021年第三代半導體最新政策一覽

隨著時代的發展，半導體行業發展在逐漸上升在更新換代過程中，第三代半導體開始問世。下面是我國對第三地半導體發展情況發布的一些政策情況。

我國第三代半導體發部的最新政策主要有《十四五規劃和2035年遠景目標綱要》、《中共中央國務院印發長江三角洲區域一體化發展規劃綱要》、《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》(國務院)、《鼓勵外商投資產業目錄(2019年版)》(國家發展和改革委員會，商務部27號令)、《工業和信息化部關于印發重點新材料首批次應用示范指導目錄(2019年版)》的通告、《“十三五”國家科技創新規劃》、《中國制造2025》、《財政部稅務總局關于集成電路設計和軟件產業企業所得稅政策的公告》(公告2019年第68號)等，其主要內容如下：

《十四五規劃和2035年遠景目標綱要》，其主要內容是瞄準人工智能、量子信息、集成電路、生命健康、腦科學、生物育種、空天科技、深地深海等前沿領域，實施一批具有前瞻性、戰略性的國家重大科技項目。

集成電路涉及工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發，集成電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微電機系統(MEMS)等特色工藝突破，先進儲存技術升級，氮化家、氮化鐐等寬禁帶半導體發展。

《中共中央國務院印發長江三角洲區域一體化發展規劃綱要》，其主要內容是綱要明確要求長三角區域加快培育布局第三代半導體產業，推動制造業高質量發展。

《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》(國務院)，其主要內容是指出國家鼓勵的集成電路設計、裝備、材料、封裝、測試企業和軟件企業,自獲利年度起，第一年至第二年免征企業所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業所得稅。

《鼓勵外商投資產業目錄(2019年版)》(國家發展和改革委員會，商務部27號令)，其主要內容是支持引進SiC超細粉體(純度≥99%)、高純抄襲氧化鋁微粉(純度≥>99%)(.高純氮化鋁(AlN)粉體(純度≥99%，平均粒徑<1 u m)等精密高性能陶瓷原料外資生產企業。

《工業和信息化部關于印發重點新材料首批次應用示范指導目錄(2019年版)》的通告，其主要內容是對重點新材料首批次應用給予保險補償，GaN單晶襯底、功率器件用GaN外延片、SiC外延片、SiC單晶襯底等第三代半導體進入目錄。

《“十三五”國家科技創新規劃》，其主要內容是啟動一批面向2030年的重大項目，第三代半導體被列為國家科技創新2030重大項目“重點新材料研發及應用”。

《中國制造2025》，其主要內容是明確提出要大力發展第三代半導體產業，要求2025年實現在5G通信、高效能源管理中的國產化率達到50%;在新能源汽車、消費電子中實現規模應用，在通用照明市場滲透率達到80%以上。

《財政部稅務總局關于集成電路設計和軟件產業企業所得稅政策的公告》(公告2019年第68號)，其主要內容是依法成立且符合條件的集成電路設計企業和軟件企業，在2018年12月31日前自獲利年度起計算優惠期，第一年至第二年兔征企業所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業所得稅，并享受至期滿為止。

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