我國經濟發展離不開科技的進步,其中科技產品半導體儲存器作為半導體電路的儲存媒介,是現代數字系統的重要組成部分,具有十分廣泛的應用前景和進步空間;那么半導體儲存器有著怎樣的發展歷程?其產業鏈是什么樣的呢?下面的文章將對此進行簡單介紹。
半導體存儲器發展歷程
半導體存儲器的發展經歷了萌芽期、初步發展期和快速發展期三段歷程。
(1)萌芽期(1965-1974年):半導體存儲行業研究起步于1965年,美國IBM企業是最早投入到DRAM產品技術研發領域。1971年,美國英特爾公司也研發出DRAM內存,在英特爾推出1K(1024B)DRAM的C1103芯片后,DRAM應用普及度逐步提高。在此階段,各大企業都在積極研發RAM,且DRAM研究進展比ROM快,行業實現了從DRAM的研發到DRAM的應用,為行業后續的DRAM規?;瘧玫於嘶A。
(2)初步發展期(1975-2000年):在IBM宣布開發動態存儲器的第四代系統后,1976年,由日本通產省組織,以富士通、日立、三菱、日本電器、東芝企業為首,聯合日本工業技術研究院、電子綜合研究所和計算機綜合研究所共同參與超大規模集成電路(VLSL)項目。這一階段,半導體存儲器行業多元化發展,半導體存儲器產品逐漸多樣化。
(3)快速發展期(2000年至今):進入2000年后,全球高科技產業發展迅速。美國、日本、韓國抓住3C產品的需求特性,在全球范圍內掀起了半導體存儲器應用研發的熱潮。在國家大力支持半導體產業發展的大背景下,中國半導體存儲器基地于2016年開工建設。半導體行業迅速發展推動中國半導體存儲器應用場景不斷拓寬。

半導體存儲器產業鏈
中國半導體存儲器的產業鏈由上游的原材料供應商、設備供應商,中游的半導體存儲器制造商和下游的應用領域組成。
產業鏈上游:中國半導體存儲器行業產業鏈上游參與者為硅片、光刻膠、CMP拋光液等原材料供應商和光刻機、PVD、CVD、刻蝕設備、清洗設備和檢測與測試設備等設備供應商。
產業鏈中游:中國半導體存儲器行業產業鏈的中游為半導體存儲器制造商,主要負責半導體存儲器的設計、制造和銷售。其中半導體存儲器芯片是半導體存儲器制造關鍵環節,半導體存儲器芯片具有較高技術壁壘,致使半導體存儲器芯片開發難度高。
產業鏈下游:中國半導體存儲器行業產業鏈下游參與者為消費電子、信息通信、高新科技技術和汽車電子等應用領域內的企業。

中國半導體存儲器行業相關政策
2012年2月,工信部發布了《集成電路產業“十二五”發展規劃》,指出要著力發展芯片設計業,開發高性能基礎電路產品,突破數字信號處理器(DSP)、存儲器等高端通用芯片,加強體系架構算法、軟硬件協同等設計研究,開發動態隨機存儲器(DRAM)等高端通用芯片,批量應用于黨政軍和重大行業信息化領域,形成產業化和參與市場競爭的能力。
2014年6月,工信部發布《國家集成電路產業發展推進綱要》,在集成電路制造環節中,提出要加快存儲芯片規?;慨a,支持3DNANDFlash,適時布局DRAM和新型存儲器。
2016年7月,國務院發布《國家信息化發展戰略綱要》,提出構建先進技術體系的規劃,即要打造國際先進、安全可控的核心技術體系,帶動集成電路、核心元器件等薄弱環節井實現根本性突破。
2017年4月,科技部發布《國家高新技術產業開發區“十三五”發展規劃》,提出要優化產業結構,推進集成電路及專用設備關鍵核心技術的突破和應用。
2018年3月,發改委、工業部發布《關于集成電路生產企業有關企業所得稅政策問題的通知》,提出從2018年1月1日后投資新設的集成電路線寬小于130納米,且經營期在10年以上的集成電路生產企業享受“兩免三減半”即第一-年至第二年免征企業所得稅,第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業所得稅;線寬小于65納米或投資額超過150億元,且經營期在15年以上的集成電路生產企業享受“五免五減半”,即第一年至第五年免征企業所得稅,第六年至第十年按照25%的法定稅率減半征收企業所得稅,并享受至期滿為止。

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參考資料
《頭豹研究院:2019年中國半導體存儲器行業概覽(36頁).pdf》
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