我國第三代半導體sic行業政策匯總梳理(2015-2021年)

行業政策匯總

2015年5月國務院《中國制造2025》

突破大功率電力電子器件、高溫超導材料等關鍵元器件和材料的制造及應用技術，形成產業化能力。

2016年1月科技部、財政部、國家稅務總局《高新技術企業認定管理辦法》

國家重點支持的高新技術領域：半導體新材料制備與應用技術中的第三代寬禁帶半導體材料制備技術。

2016年3月全國人大《國民經濟和社會發展第十三個五年規劃綱要》

提升新興產業支撐作用，大力推進先進半導體等新興前沿領域創新和產業化，形成一批新增長點。

2016年8月國務院《“十三五”國家科技創新規劃》

以第三代半導體材料與半導體照明、新型顯示為核心，以大功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材料為重點，推動跨界技術整合，搶占先進電子材料技術的制高點。

2016年9月科技部、國家發改委、外交部、商務部《推進“一帶一路”建設科技創新合作專項規劃》

共同開展第三代半導體等先進材料制造技術合作研發。

2016年11月國務院《“十三五”國家戰略性新興產業發展規劃》

加快制定寬禁帶半導體標準布局，促進新材料產品品質提升。

2016年12月工信部、國家發改委、科技部、財政部《新材料產業發展指南》

規模集成電路材料制約;面向智能輸變電裝備領域，突破大尺寸碳化硅單晶及襯底、外延制備及模塊封裝材料技術;開展重點新材料應用示范，以寬禁帶半導體材料等市場潛力巨大、產業化條件完備的新材料品種，組織開展應用示范。

2016年12月國家能源局《能源技術創新“十三五”規劃》

研究8英寸碳化硅襯底材料穩定制備技術，實現6英寸碳化硅晶體襯底材料批量生產;突破10kV以上低損耗SiC器件關鍵技術及SiC多芯片級聯關鍵技術，實現10kV/100A以上的功率器件穩定運行。

2017年1月工信部、國家發改委《信息產業發展指南》

加緊布局超越“摩爾定律”相關領域，推動特色工藝生產線建設和第三代化合物半導體產品開發，加速新材料、新結構、新工藝創新。

2017年2月國家發改委《戰略性新興產業重點產品和服務指導目錄》

將碳化硅襯底材料列入戰略性新興產業重點產品目錄。

2017年4月科技部《“十三五”材料領域科技創新專項規劃》

加強我國材料體系的建設，大力發展高性能碳纖維與復合材料、高溫合金、軍工新材料、第三代半導體材料、新型顯示技術、特種合金和稀土新材料等，滿足我國重大工程與國防建設的材料需求。

2017年4月科技部《十三五”先進制造技術領域科技創新專項規劃》

寬禁帶半導體/半導體照明等關鍵裝 備研究針對碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等為代表的寬禁帶半導體技術對關鍵制造裝備的需求，開展大尺寸(6吋)寬禁帶半導體材料制備、器件制造、性能檢測等關鍵裝備與工藝研究。

2017年5月科技部、交通運輸部《“十三五”交通領域科技創新專項規劃》

建立汽車電子控制技術創新及測試評價平臺，開展汽車整車、動力系統、底盤電子控制系統以及 IGBT、碳化硅、氮化鎵等電力電子器件技術研發及產品開發和零部件、系統的軟硬件測試技術研究與測試評價技術規范體系研究，支撐我國汽車電子控制系統產業的形成與發展，打破國外壟斷。

2019年10月國家發改委《產業結構調整指導目錄(2019年本)》

“第一類鼓勵類”：半導體、光電子器件、新型電子元器件(片式元器件、電力電子器件、光電子器件、敏感元器件及傳感器、新型機電元件、高頻微波印制電路板、高速通信電路板、柔性電路板、高性能覆銅板等)等電子產品用材料;軌道車輛交流牽引傳動系統、制動系統及核心元器件(含IGCT、IGBT、SiC元器件)，網絡控制系統，永磁牽引電機，直流高速開關、真空斷路器(GIS)、新型智能開關器件。

2019年11月工信部《重點新材料首批次應用示范指導目錄(2019年版)》

將碳化硅單晶襯底列入“先進半導體材料和新型顯示材料”子目錄。

2020年4月科技部《“戰略性先進電子材料”重點專項2020年度項目》

支持功率碳化硅芯片和器件在移動儲能裝臵中的應用(應用示范類)。

2020年8月國務院《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》

聚焦高端芯片、集成電路裝備等關鍵核心技術研發，在新一代半導體技術等領域推動各類創新平臺建設。

2021年1月工信部《基礎電子元器件產業發展行動計劃(2021-2023年))》

面對百年未有之大變局和產業大升級、行業大融合的態勢，加快電子元器件及配套材料和設備儀器等基礎電子產業發展，對推進信息技術產業基礎高級化、產業鏈現代化，乃至實現國民經濟高質量發展具有重要意義。

2021年3月十三屆全國人大四次會議審議通過《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃2035年遠景目標綱要》

集中電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發，集中電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微機電系統(MEMS)等特色工藝突破，先進存儲技術升級，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發展。

數據來源：《半導體行業：市場空間巨大SiC國產化趨勢加速-211105(24頁).pdf 》