mosfet

1、 1 此文件為內部工作稿,僅供內部使用 報告編碼19RI0880 2019 年中國 MOSFET 行業概覽 分析師:蘇素 2019 年 11 月 概覽標簽:半導體硅MOSFET寬禁帶半導體 概覽摘要:MOSFET,又稱 MOSMOS 管,全。

2、電子電子半導體半導體 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 1 18 新潔能新潔能605111.SH 2020 年 10 月 15 日 投資評級:投資評級:買入買入首次首次 日期 20201014 當前股價元 50.80 一年最高最低元 。

3、請務必閱讀正文之后的請務必閱讀正文之后的重要聲明重要聲明部分部分 評級:評級:買入買入首次首次 市場價格:市場價格:134.97 分析師:張欣分析師:張欣 執業證書編號:執業證書編號:S0740518070001 Email: 基本狀況基本。

4、MOSFETIGBT 國產替代先行者,行業高 景氣度下迎來新機遇 TableCoverStock 新潔能605111.SH深度報告 TableReportTime 2020 年 12 月 6 日 請閱讀最后一頁免責聲明及信息披露 2 證券研。

5、電子電子 證券研究報告證券研究報告 首次評級首次評級 2020 年年 12 月月 30 日日 605111.SH 增持增持 原評級原評級: 未有評級未有評級 市場價格市場價格:人民幣人民幣 182.80 板塊評級板塊評級:強于大市強于大市 。

6、產品布局齊全,率先卡位高成長功率賽道pp公司功率半導體產品系列齊全,擁有MOSFETIGBT 和功率模塊等多品類產品系列.公司基于全球半導體功率器件先進理論技術開發領先產品,是國內最早同時擁有溝槽型功率MOSFET超結功率MOSFET屏蔽。

7、三分別是英飛凌安森美和華潤微,市占率分別為 28.416.9和 8.7. IGBT 市場同樣英飛凌一家獨大,全球市占率達到 37,其后的安森美和富士電氣市占率達到 10和 9.功率器件高端應用市場和技術基本被國外企業壟斷.在市場方面,國內。

8、 上 市 公 司 公 司 研 究 公 司 深 度 證 券 研 究 報 告 電子 2021 年 11 月 30 日 新潔能 605111 MOSFET 技術領先,迎 IGBTSiCGaN 國產之機 報告原因:首次覆蓋 買入首次評級 投資要點。

9、 證券研究報告 公司深度報告 2022 年 02 月 15 日 審慎推薦審慎推薦A首次首次 國內高壓國內高壓 MOSFET 龍頭,創新龍頭,創新 IGBT 結構結構拓寬產品線拓寬產品線 TMT 及中小盤電子 當前股價:145.48 元 東微。