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1、先進制程國產設備不斷突破,受益先進制程國產設備不斷突破,受益AI發展浪潮發展浪潮半導體設備系列報告半導體設備系列報告證券研究報告證券研究報告 行業動態報告行業動態報告日期:2023年4月17日分析師:呂娟分析師:呂娟021-68821610SAC執證編號:S1440519080001SFC中央編號:BOU764本報告由中信建投證券股份有限公司在中華人民共和國(僅為本報告目的,不包括香港、澳門、臺灣)提供。在遵守適用的法律法規情況下,本報告亦可能由中信建投(國際)證券有限公司在香港提供。同時請參閱最后一頁的重要聲明。核心邏輯先進制程國產設備不斷突破先進制程國產設備不斷突破,受益受益AI發展浪潮:
2、發展浪潮:AI所需要的高算力、低能耗,將會提升20nm以下先進制程的需求;美日荷對中國先進制程的聯合封鎖,必將加速國產半導體設備的突破,目前我們已經看到多數國產半導體設備達到28nm制程節點,部分設備已達先進制程節點。國內半導體支持政策升溫預期強國內半導體支持政策升溫預期強,半導體設備有望優先受益:半導體設備有望優先受益:劉鶴總理發聲及大基金二期注入長存,均向市場釋放政策端的積極信號,表明國家高度重視集成電路產業發展,而半導體設備作為產業鏈中“卡脖子”最嚴重的領域,有望率先受益。行業判斷:行業判斷:全球半導體設備預計2024年重回增長賽道,而國內半導體設備預計2023年訂單仍有快速增長,受益下
3、游尤其是中小客戶擴產積極,以及機臺國產化率持續攀升。投資建議:投資建議:一看先進制程突破,二看相對估值,前者重點推薦北方華創、中微公司、芯源微、盛美上海、拓荊科技等,后者重點推薦正帆科技等。RUlZjWVYgUgVpMoNsQ7NbPaQpNrRnPoNlOmMtPjMrQzRbRnMvNxNrMqNxNmRsO目錄一、先進制程國產設備不斷突破,受益一、先進制程國產設備不斷突破,受益AI發展浪潮發展浪潮1.1 美國芯片法案加速半導體設備國產化進程美國芯片法案加速半導體設備國產化進程1.2 AI發展浪潮推動先進制程擴產需求發展浪潮推動先進制程擴產需求1.3 國內半導體設備在先進制程突破不斷國內半
4、導體設備在先進制程突破不斷1.4 國內半導體支持政策升溫預期強,半導體設備有望優先受益國內半導體支持政策升溫預期強,半導體設備有望優先受益二、全球與國內半導體設備行業判斷二、全球與國內半導體設備行業判斷2.1 全球半導體設備預計全球半導體設備預計2024年重回增長賽道年重回增長賽道2.2 國內半導體設備預計國內半導體設備預計2023年訂單仍有快速增長年訂單仍有快速增長2.2.1 下游擴產繼續,尤其中小客戶擴產積極下游擴產繼續,尤其中小客戶擴產積極2.2.2 機臺國產化率持續攀升機臺國產化率持續攀升三、投資建議:一看先進制程突破,二看相對估值三、投資建議:一看先進制程突破,二看相對估值四、風險提
5、示四、風險提示 一、先進制程國產設備不斷突破,受益AI發展浪潮圖表:美國多次制裁中國芯片制造領域相關公司,對“軟硬件”圖表:美國多次制裁中國芯片制造領域相關公司,對“軟硬件”+“上下游”實施全方位封鎖“上下游”實施全方位封鎖中美貿易摩擦背景下中美貿易摩擦背景下,美國加大對中國芯片產業鏈封鎖美國加大對中國芯片產業鏈封鎖,并將限制范圍逐步從芯片制造轉移至上游設備并將限制范圍逐步從芯片制造轉移至上游設備。2018年美國發起貿易戰,并對國內以華為為代表的高新技術公司進行制裁,隨后將制裁范圍上移至芯片制造領域,對中芯國際發起制裁,并開始對設備產業鏈開啟部分制裁。2021年1月,中微公司被美國商務部列入實
6、體清單(后撤回);2022年2月,上海微電子裝備被列入UVL清單;均反映出美國制裁范圍的擴大以及向上游延伸。14nm以下同等芯片制程領域實施進一步封鎖以下同等芯片制程領域實施進一步封鎖。2022年10月7日,美國商務部發布對中國技術出口的新限制,即美國供應商若向中國本土芯片制造商出售尖端生產設備,生產18納米或以下的DRAM芯片、128層或以上的NAND閃存芯片、14納米或以下的邏輯芯片,必須申請許可證并將受到嚴格審查。2023年年1月月,荷蘭和日本政府最終確認加入美國對華的出口限制荷蘭和日本政府最終確認加入美國對華的出口限制。1.1 美國芯片法案加速半導體設備國產化進程美國芯片法案加速半導體
7、設備國產化進程10月15日美國商務部工業安全局(BIS)宣布將六項新興技術添加到出口管理條例(EAR)的商務部管制清單(CCL)中。包括用于為用于為5nm生生產精加工晶圓的某些技術產精加工晶圓的某些技術等。2月7日,拜登政府將33家中國實體列入所謂“未經核實名單”(UVL),對這些企業進行更為嚴格的出口管控,其中包括上海上海微電子裝備微電子裝備(集團集團)有限公司有限公司等20192020202120225月15日將華為華為及其68家非美國關聯企業列入其“實體清單”。并表示今后如果沒有美國政府的批準,華為將無法向美國企業購買元器件。10月7日將28家中國企業列入實體清單,包括??低暫?低?、
8、大華科技大華科技、科大訊飛科大訊飛、曠視曠視科技科技、商湯科技商湯科技、依圖科技依圖科技、美亞柏科美亞柏科、頤信科技頤信科技等。12月21日將58家中國公司列入實體清單,包括中芯國際中芯國際、大疆大疆、天津微納天津微納、同房威視同房威視、中國航空工業集團中國航空工業集團(AVIC)下屬的7家實體等。1月14日,美國國防部在“中國軍方擁有或控制的中國企業清單”中,再增列9家中企,其中包括中微中微公司公司、小米小米、中國商飛中國商飛等。4月8日實體清單新增7家中國超算公司,其中包括上海上海集成電路技術與產業促進中集成電路技術與產業促進中心心、深圳市信維微電子有限深圳市信維微電子有限公司公司、國家超
9、級計算機濟南國家超級計算機濟南中心中心等。10月月7日,日,美政府將31家中資企業列入“未經核實名單”,其中包括北京北方華創磁北京北方華創磁電科技有限公司電科技有限公司、長長江存儲江存儲等。20231月底,荷蘭和日本荷蘭和日本政府最終確認加入美國對華的出口限制,對光刻機、半導體耗材光刻機、半導體耗材進口會產生較大影響。資料來源:美國商務部,美國財政部,美國國防部,美國政府,中信建投 一、先進制程國產設備不斷突破,受益AI發展浪潮日本政府宣布將實施半導體設備出口管制日本政府宣布將實施半導體設備出口管制,針對設備或僅限于先進制程領域針對設備或僅限于先進制程領域。據路透社報道,日本政府在3月31日宣
10、布將會對用于芯片制造的6類(23項)設備實施出口管制,具體包括3項清洗設備、11項薄膜沉積設備、1項熱處理設備、4項光刻設備、3項刻蝕設備、1項測試設備。并且中國大陸地區不在42個“友好國家及地區”范疇,因此日本半導體設備企業需要申請許可證才能向中國大陸出口相關設備。同時我們結合東京電子、迪恩士公司的2022日歷年數據,兩家日企的中國大陸地區收入占比分別排名第一(22%)、第二(21%),表明大陸市場是日本半導體設備企業最重要的海外市場之一,因此我們認為日本政府為了降低本次出口管制對本土設備企業的影響,出口受限的設備制程應該不會超出美國2022年10月出臺的芯片法案限制范圍。1.1 美國芯片法
11、案加速半導體設備國產化進程美國芯片法案加速半導體設備國產化進程資料來源:東京電子年報,中信建投資料來源:迪恩士年報,中信建投圖表:圖表:20222022日歷年東京電子大陸區域收入占比最高,為日歷年東京電子大陸區域收入占比最高,為22%22%圖表:圖表:20222022日歷年迪恩士大陸區域收入占比第二,為日歷年迪恩士大陸區域收入占比第二,為21%21%中國大陸中國大陸22%中國臺灣中國臺灣21%韓國韓國16%日本日本11%北美北美15%歐洲歐洲9%其他其他6%中國大陸中國大陸21%中國臺灣中國臺灣29%韓國韓國5%日本日本18%北美北美11%歐洲歐洲11%亞洲、澳洲其他亞洲、澳洲其他地區地區4%
12、全球其他地區全球其他地區1%一、先進制程國產設備不斷突破,受益AI發展浪潮ASML發布最新聲明發布最新聲明,出口受限設備或僅限于出口受限設備或僅限于“最先進的光刻機最先進的光刻機”。2023年3月8日,ASML官網發布聲明,夏季出臺的半導體設備出口管制或只針對“最先進的光刻機設備”。ASML的TWINSCAN NXT系列產品主要包括1980Di、2000i和2050i等型號,而“最先進的光刻機設備”僅包含2000i和2050i,1980Di及其他DUV產品(主要用于成熟制程)可能不受荷蘭出口管控;不久后,ASML全球總裁溫寧克主動訪華,3月28日與我國商務部部長王文濤就ASML在華發展等議題進
13、行了深入交流,表明了ASML公司對中國市場的高度重視,結合以上信息我們判斷用于先進制程的光刻機或將徹底對華斷供,但成熟制程光刻機仍有望出口國內。1 1.1 1 美國芯片法案加速半導體設備國產化進程美國芯片法案加速半導體設備國產化進程資料來源:ASML官網,中信建投光源光源型號型號效率效率可實現制程可實現制程DUVNXT1965250p/h45nmNXT1970250p/h28nmNXT1980275p/h1410nmNXT2000275p/h7nmNXT2050275p/h75nmEUVNXT3400B125p/h7nmNXT3400C170p/h75nm圖表:圖表:ASML三款三款DUVDU
14、V光刻機光刻機圖表:圖表:ASML光刻機與制程節點(黑灰底色為受限產品)光刻機與制程節點(黑灰底色為受限產品)資料來源:ASML官網,中信建投 一、先進制程國產設備不斷突破,受益AI發展浪潮隨著日荷加入美國對華出口限制隨著日荷加入美國對華出口限制,全球半導體先進設備基本對華斷供全球半導體先進設備基本對華斷供,但也加速了半導體設備的國產化進程但也加速了半導體設備的國產化進程。日本代表的半導體設備企業主要包括東京電子、迪恩士、愛德萬測試、尼康及佳能,其中東京電子核心設備為涂膠顯影設備、刻蝕設備、薄膜沉積設備、熱處理設備、清洗設備以及量測設備,產品覆蓋率接近美國應用材料;迪恩士核心設備為清洗設備、退
15、火設備;愛德萬測試以后道測試設備見長;尼康&索尼主要供應DUV光刻機。荷蘭代表企業主要為ASML、ASMI,前者為全球晶圓廠供給EUV、DUV光刻機,后者在ALD領域優勢顯著。日荷兩國半導體設備企業在晶圓制造各環節基本實現全面覆蓋(日荷未覆蓋的離子注入&CMP設備由美企占據全球主要份額),隨著日荷兩國加入美國對華出口限制,意味著我國晶圓廠在先進制程領域尋求海外“替美”設備愈發艱難,但也加速了國內半導體設備及零部件的國產化進程。1 1.1 1 美國芯片法案加速半導體設備國產化進程美國芯片法案加速半導體設備國產化進程資料來源:各公司官網,中信建投圖表:日本、荷蘭半導體設備企業的核心產品覆蓋率圖表:
16、日本、荷蘭半導體設備企業的核心產品覆蓋率公司公司光刻光刻刻蝕刻蝕薄膜沉積薄膜沉積熱處理熱處理離子注入離子注入CMP清洗清洗量測量測后道封測后道封測光刻曝光光刻曝光涂膠顯影涂膠顯影去膠去膠ICPCCPALECVDPVDALDASMLASMI東京電子迪恩士愛德萬測試尼康佳能 一、先進制程國產設備不斷突破,受益AI發展浪潮AI芯片對算力提出更高要求芯片對算力提出更高要求。AI芯片是針對人工智能算法做了特殊加速設計的芯片,也被稱為AI加速器或計算卡,專門用于處理人工智能應用中的大量計算任務的模塊。AI芯片有兩個突出特點:一是算法與芯片的高度契合,面向終端、云端和邊緣端不同需求提升計算能力;二是專門面向
17、細分應用場景的智能芯片,如語音識別芯片、圖像識別芯片、視頻監控芯片等。算力和帶寬為AI芯片的核心指標,算力決定其計算與處理數據的速度,而帶寬決定其單位時間能夠訪問的數據量。隨著AI大模型的復雜程度持續提升,對于AI芯片的算力也提出了更高的要求。全球全球AI芯片市場規模有望持續高速增長芯片市場規模有望持續高速增長,年均復合增速約年均復合增速約29.72%。根據Precedence Research數據,2022年全球AI芯片市場規模為168.6億美元,2032年有望增長至2274.8億美元,年均復合增速約29.72%。AI算力提升拉動AI芯片市場需求,AI芯片市場規模有望保持高增長。1 1.2
18、2 AI發展浪潮推動先進制程擴產需求發展浪潮推動先進制程擴產需求資料來源:Language Models are Few-Shot Learers,中信建投資料來源:Precedence Research,中信建投圖表:圖表:AI大模型復雜程度提升對算力提出更高的要求大模型復雜程度提升對算力提出更高的要求圖表:全球圖表:全球AI芯片市場規模有望持續高速增長芯片市場規模有望持續高速增長168.6218.7283.7368.0477.4619.3803.41042.11351.81753.62274.8050010001500200025002022 2023E 2024E 2025E 2026E
19、 2027E 2028E 2029E 2030E 2031E 2032EAI芯片市場規模CAGR=29.72%(億美元)一、先進制程國產設備不斷突破,受益AI發展浪潮1 1.2 2 AI發展浪潮推動先進制程擴產需求發展浪潮推動先進制程擴產需求資料來源:IC Insights,中信建投資料來源:Knometa Research,中信建投圖表:各制程建成產能市場份額預測圖表:各制程建成產能市場份額預測圖表:圖表:2022年底先進制程產能結構年底先進制程產能結構4.4%10.0%16.0%22.6%26.9%29.9%38.8%38.4%35.5%31.3%28.6%26.2%13.4%10.8%9
20、.4%7.9%7.2%6.7%19.8%18.7%18.6%18.4%18.3%18.5%23.7%22.1%20.6%19.8%19.0%18.6%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20192020F2021F2022F2023F2024F10nm20nm-10nm40nm-20nm0.18-40nm0.18先進制程能夠為先進制程能夠為AI芯片提供更高的算力與更低的功耗芯片提供更高的算力與更低的功耗。晶體管中柵極的寬度越窄,晶體管就越小,電流通過時的損耗越低,性能也越高,制造工藝也更復雜,目前,業界普遍認為28nm是成熟制程與先進制程的分界線,28nm及以上的
21、制程工藝被稱為成熟制程,28nm以下的制程工藝被稱為先進制程。AI芯片需要先進制程工藝,目前一般選擇10納米以下,先進制程可以提供更高的集成度以實現更高的計算密度和更多的功能;此外,先進制程還可以提供更高的計算性能和更低的功耗,美國AI芯片設計公司的產品多在臺積電、三星或英特爾制造,制程以7nm、10 nm和16 nm為主。AI需求有望推動先進制程市占率持續提升需求有望推動先進制程市占率持續提升。根據IC Insights預測數據,20nm以下先進制程市占率從2019年的43.2%有望提升至2024年的56.1%,主要先進制程供應商Samsung、Micron、SK Hynix、TSMS四家產
22、能市占率約85%。先進制程過去多用于智能手機、個人電腦等領域,消費電子市場相對低迷,AI芯片市場規模持續增長有望對消費電子市場形成對沖,推動先進制程產能擴張。Samsung32%Micron25%SK Hynix19%TSMC9%Kioxia/WD5%Others10%一、先進制程國產設備不斷突破,受益AI發展浪潮圖表:除光刻機外,國內其余半導體設備基本已達圖表:除光刻機外,國內其余半導體設備基本已達28nm28nm工藝制程水平,部分設備達到先進制程工藝制程水平,部分設備達到先進制程國產設備研發進展順利國產設備研發進展順利,部分設備已突破先進制程部分設備已突破先進制程。從工藝制程節點看,當前多
23、數國產半導體設備已達到28nm制程節點,部分設備已達先進制程節點,如中微公司的刻蝕設備、屹唐半導體的去膠機以及盛美半導體的清洗機等。隨著國內設備技術不斷突破以及邊緣政治摩擦加劇,國內晶圓廠或基于供應鏈安全性考量更多采購國產設備,從而加速半導體設備的國產化進程。1 1.3 3 國內半導體設備在先進制程突破不斷國內半導體設備在先進制程突破不斷資料來源:各公司官網及公告,中信建投(可能因為相關公司官網及公告未及時更新,導致上述圖表信息滯后)主要設備種類主要設備種類投資占比投資占比國內代表廠商國內代表廠商0.5-0.13um90nm65/55nm40nm28nm14nm10nm7nm5nm3nm光刻機
24、光刻機-20%上海微電子刻蝕設備刻蝕設備-25%中微公司北方華創屹唐半導體薄膜沉積設備薄膜沉積設備CVD15%沈陽拓荊PVD6%北方華創ALD3%沈陽拓荊清洗機清洗機-6%盛美半導體北方華創至純科技熱處理設備熱處理設備-4%北方華創CMP-3%華海清科涂膠顯影機涂膠顯影機-3%芯源微去膠機去膠機-1%屹唐半導體離子注入機離子注入機-3%萬業企業量測設備量測設備膜厚及膜厚及OCD5%精測電子缺陷檢測設備缺陷檢測設備6-7%中科飛測合計合計94%已達到研發中或者驗證中 一、先進制程國產設備不斷突破,受益AI發展浪潮事件一:劉鶴總理提出事件一:劉鶴總理提出發展集成電路產業必須發揮新型舉國體制優勢發展
25、集成電路產業必須發揮新型舉國體制優勢,用好政府和市場兩方面力量用好政府和市場兩方面力量。2023年3月2日,國務院副總理劉鶴在北京調研集成電路企業發展并主持召開了座談會,反復強調集成電路是現代化產業體系的核心樞紐,并指出發展集成電路產業必須發揮新型舉國體制優勢,用好政府和市場兩方面力量:1)政府端:政府端:應制定符合國情和新形勢的集成電路產業政策,在市場失靈的領域發揮好組織作用,并對國內人才給予一視同仁的優惠政策,對外籍專家給予真正的國民待遇,幫助企業加快引進和培養人才;2)市場端:市場端:要建立起以企業為主體的攻關機制,特別要善于發現和珍惜既懂技術又有很強組織能力的領軍人才,給予他們充分的發
26、揮空間。事件二:大基金二期事件二:大基金二期129億元注入長江存儲億元注入長江存儲。近期,國家集成電路產業基金二期(大基金二期)向長江存儲認繳出資129億人民幣,成為長存主要股東之一,為長江存儲后續擴產提供資金援助。結論:此次劉鶴總理發聲及大基金二期注入長存結論:此次劉鶴總理發聲及大基金二期注入長存,均向市場釋放政策端的積極信號均向市場釋放政策端的積極信號,表明國家高度重視集成電路產業發展表明國家高度重視集成電路產業發展,而半而半導體設備作為產業鏈中導體設備作為產業鏈中“卡脖子卡脖子”最嚴重的領域最嚴重的領域,后續有望優先受益于政策支持后續有望優先受益于政策支持。1 1.4 4 國內半導體支持
27、政策升溫預期強國內半導體支持政策升溫預期強,半導體設備有望優先受益半導體設備有望優先受益 目錄一、先進制程國產設備不斷突破,受益一、先進制程國產設備不斷突破,受益AI發展浪潮發展浪潮1.1 美國芯片法案加速半導體設備國產化進程美國芯片法案加速半導體設備國產化進程1.2 AI發展浪潮推動先進制程擴產需求發展浪潮推動先進制程擴產需求1.3 國內半導體設備在先進制程突破不斷國內半導體設備在先進制程突破不斷1.4 國內半導體支持政策升溫預期強,半導體設備有望優先受益國內半導體支持政策升溫預期強,半導體設備有望優先受益二、全球與國內半導體設備行業判斷二、全球與國內半導體設備行業判斷2.1 全球半導體設備
28、預計全球半導體設備預計2024年重回增長賽道年重回增長賽道2.2 國內半導體設備預計國內半導體設備預計2023年訂單仍有快速增長年訂單仍有快速增長2.2.1 下游擴產繼續,尤其中小客戶擴產積極下游擴產繼續,尤其中小客戶擴產積極2.2.2 機臺國產化率持續攀升機臺國產化率持續攀升三、投資建議:一看先進制程突破,二看相對估值三、投資建議:一看先進制程突破,二看相對估值四、風險提示四、風險提示 全球終端消費需求或將于全球終端消費需求或將于2023下半年見底反彈下半年見底反彈,并于并于2024年傳導至半導體設備端年傳導至半導體設備端。從全球半導體下游情況來看,本輪半導體周期在2021年年中受消費電子需
29、求急劇萎縮見頂,目前處于上游設計企業主動去庫存階段,結合全球主流晶圓廠整體下調資本開支及SEMI數據,我們判斷半導體終端需求在2023上半年仍較低迷,但有望在下半年見底反彈,并于2024年傳導至設備端,帶動半導體設備銷售額全面回升。2.1 全球半導體設備預計全球半導體設備預計2024年重回增長賽道年重回增長賽道資料來源:Wind,中信建投資料來源:SEMI,中信建投圖表:圖表:2023年全球半導體進入筑底、有望在下半年反彈年全球半導體進入筑底、有望在下半年反彈圖表:圖表:SEMI預計預計2024年半導體設備銷售迎來反轉年半導體設備銷售迎來反轉-30%-20%-10%0%10%20%30%40%
30、50%60%70%01020304050602010-012010-082011-032011-102012-052012-122013-072014-022014-092015-042015-112016-062017-012017-082018-032018-102019-052019-122020-072021-022021-092022-042022-11全球半導體元器件銷售額同比(十億美元)頂部頂部底部底部頂部頂部7.176.115.296.577.837.637.078.1987.594.878.8492.4010203040506070809010020212022F2023F2
31、024F封裝設備測試設備制造設備(十億美二、全球與國內半導體設備行業判斷 二、全球與國內半導體設備行業判斷2.2.1 下游擴產繼續下游擴產繼續,尤其中小客戶擴產積極尤其中小客戶擴產積極國內晶圓廠依舊堅持逆周期擴產國內晶圓廠依舊堅持逆周期擴產,尤其二三線晶圓廠尤其二三線晶圓廠擴產積極擴產積極。頭部晶圓廠:頭部晶圓廠:不同于大部分國際晶圓廠下調了2023年資本開支,大陸頭部晶圓廠整體資本開支計劃仍較積極,除臺積電擴大海外設廠布局導致資本開支小幅增長以外,美光、SK海力士資本開支計劃均出現較大下滑,而中芯國際將2023年資本開支維持在2022年水平(即63.5億美元),仍堅持逆周期擴產。二三線晶圓廠
32、:二三線晶圓廠:據不完全統計,2023年中小客戶仍積極擴產,包括北京的燕東微,廣東的粵芯、華潤微、鵬芯微、增芯科技等,成為國內逆周期擴產的中流砥柱;與之對應,國內半導體設備企業的客戶集中度也在降低,以中微公司為例,2022年其前五大客戶營收占比進一步下行至40.56%。2.2 國內半導體設備預計國內半導體設備預計2023年訂單仍有快速增長年訂單仍有快速增長來源:各公司公告,中信建投圖表:國內頭部廠商資本開支持平圖表:國內頭部廠商資本開支持平圖表:中微前五大客戶占比持續下降圖表:中微前五大客戶占比持續下降圖表:國內二三線晶圓廠擴產積極圖表:國內二三線晶圓廠擴產積極公司公司2023年最新資本開支預
33、算年最新資本開支預算變化幅度變化幅度臺積電380-390億美元增長5-8%三星電子47.9萬億韓元維持不變美光科技70-75億美元(此前計劃為80億美元,已在23年內下調)下降34-39%SK 海力士小于9萬億韓元降幅50%中芯國際中芯國際63.5億美元億美元維持不變維持不變67.51%59.65%53.31%40.56%0%10%20%30%40%50%60%70%80%2019202020212022前五大客戶銷售占比廠商廠商地點地點尺寸尺寸(英寸)(英寸)規劃產能規劃產能(萬片(萬片/月)月)燕東微北京124華潤微深圳124鵬芯微深圳121粵芯三期廣州124增芯科技廣州122紫光集團成都
34、1230賽微電子合肥122芯恩青島124芯恩青島88 二、全球與國內半導體設備行業判斷圖表:半導體設備均已實現不同程度國產化(招投標數據截至圖表:半導體設備均已實現不同程度國產化(招投標數據截至20222022年年1212月月3131日)日)2.2.2 機臺國產化率持續攀升機臺國產化率持續攀升半導體設備國產化率持續攀升半導體設備國產化率持續攀升。我們以華虹宏力、華虹無錫、上海先進積塔、福建晉華、上海新晟等5家主流Fab廠2022年的招投標數據來統計各設備的國產化率情況。截至2022年底,國產化率超過40%的有去膠設備、刻蝕設備、熱處理設備、CMP設備、清洗設備;國產化率在10-40%的有薄膜沉
35、積設備、量測設備、后道封測設備;國產化率仍不足10%的有光刻設備、離子注入設備。2.2 國內半導體設備預計國內半導體設備預計2023年訂單仍有快速增長年訂單仍有快速增長資料來源:機電產品招投標平臺,中信建投;(注:各廠商的設備采購還有非公開招標方式,且部分頭部晶圓廠未納入計算范疇,因此各設備國產化率與真實國產化率之間可能會存在誤差,僅供參考)光刻設備光刻設備涂膠顯影設備涂膠顯影設備去膠設備去膠設備刻蝕設備刻蝕設備薄膜沉積設備薄膜沉積設備熱處理設備熱處理設備離子注入設備離子注入設備CMP設備設備清洗設備清洗設備量測設備量測設備后道封測后道封測華虹宏力華虹宏力招標設備總量2322913國產設備量0
36、202610國產化率0.0%66.7%0.0%89.7%100.0%0.0%華虹無錫華虹無錫招標設備總量895263591815425748國產設備量0017617141847國產化率0.0%0.0%32.7%9.5%28.8%5.6%26.7%42.9%7.0%14.6%上海先進積塔上海先進積塔招標設備總量11320437067247425860國產設備量152036354106362113國產化率100.0%38.5%100.0%83.7%50.0%61.2%0.0%85.7%85.7%36.2%21.7%福建晉華福建晉華招標設備總量42722113國產設備量4020215國產化率100.
37、0%0.0%28.6%0.0%100.0%100.0%38.5%上海新晟上海新晟招標設備總量2837421國產設備量1123111國產化率50.0%12.5%66.7%42.9%26.2%100.0%合計合計招標設備總量112920101148160442293173109國產設備量11120544486310594121國產化率國產化率9.09%37.93%100.00%53.47%29.73%53.75%6.82%45.45%63.44%23.70%19.27%目錄一、先進制程國產設備不斷突破,受益一、先進制程國產設備不斷突破,受益AI發展浪潮發展浪潮1.1 美國芯片法案加速半導體設備國產
38、化進程美國芯片法案加速半導體設備國產化進程1.2 AI發展浪潮推動先進制程擴產需求發展浪潮推動先進制程擴產需求1.3 國內半導體設備在先進制程突破不斷國內半導體設備在先進制程突破不斷1.4 國內半導體支持政策升溫預期強,半導體設備有望優先受益國內半導體支持政策升溫預期強,半導體設備有望優先受益二、全球與國內半導體設備行業判斷二、全球與國內半導體設備行業判斷2.1 全球半導體設備預計全球半導體設備預計2024年重回增長賽道年重回增長賽道2.2 國內半導體設備預計國內半導體設備預計2023年訂單仍有快速增長年訂單仍有快速增長2.2.1 下游擴產繼續,尤其中小客戶擴產積極下游擴產繼續,尤其中小客戶擴
39、產積極2.2.2 機臺國產化率持續攀升機臺國產化率持續攀升三、投資建議:一看先進制程突破,二看相對估值三、投資建議:一看先進制程突破,二看相對估值四、風險提示四、風險提示 投資建議:投資建議:受制于美日荷設備出口管制,我國先進產線擴產受阻,成熟制程+先進封裝是短期解決方案;中長期還是看AI快遞迭代背景下,國產半導體設備在先進制程的突破。建議兩個維度選取投資標的,一是關注國產半導體設備在先進制程的突破帶來的強,比如北方華創、中微公司、芯源微、盛美上海、拓荊科技等,二是關注低估值的零部件供應商,比如正帆科技等。三、投資建議:一看先進制程突破,二看相對估值圖表:半導體設備重點公司盈利預測表(數據統計
40、于圖表:半導體設備重點公司盈利預測表(數據統計于2023年年4月月16日日)歸母凈利潤(億元)歸母凈利潤(億元)PE2022E2023E2024E2022E2023E2024E北方華創*23.5333.1544.7570.7150.1837.17中微公司*11.7013.5717.2799.9686.2067.70芯源微1.782.583.90152.98105.5469.78盛美上海*6.6813.1119.1575.8938.7026.49拓荊科技1.483.245.53237.48108.6663.66正帆科技*2.584.006.0841.0126.4717.43華海清科3.686.1
41、88.72106.1063.1944.76精測電子2.803.845.63108.1479.0453.86華峰測控5.698.1410.8551.1935.7926.86光力科技*0.652.363.03119.5433.0625.77富創精密2.183.865.83130.3173.6548.76新萊應材3.625.367.4564.7543.7331.43漢鐘精機5.857.328.7214.1111.279.46華亞智能1.622.503.4340.8126.3619.21盛劍環境2.123.004.0322.9816.2312.08資料來源:Wind,公司公告,中信建投(*表示已發20
42、22年年報或者業績快報或者業績預告)目錄一、先進制程國產設備不斷突破,受益一、先進制程國產設備不斷突破,受益AI發展浪潮發展浪潮1.1 美國芯片法案加速半導體設備國產化進程美國芯片法案加速半導體設備國產化進程1.2 AI發展浪潮推動先進制程擴產需求發展浪潮推動先進制程擴產需求1.3 國內半導體設備在先進制程突破不斷國內半導體設備在先進制程突破不斷1.4 國內半導體支持政策升溫預期強,半導體設備有望優先受益國內半導體支持政策升溫預期強,半導體設備有望優先受益二、全球與國內半導體設備行業判斷二、全球與國內半導體設備行業判斷2.1 全球半導體設備預計全球半導體設備預計2024年重回增長賽道年重回增長
43、賽道2.2 國內半導體設備預計國內半導體設備預計2023年訂單仍有快速增長年訂單仍有快速增長2.2.1 下游擴產繼續,尤其中小客戶擴產積極下游擴產繼續,尤其中小客戶擴產積極2.2.2 機臺國產化率持續攀升機臺國產化率持續攀升三、投資建議:一看先進制程突破,二看相對估值三、投資建議:一看先進制程突破,二看相對估值四、風險提示四、風險提示 1)終端消費市場復蘇不及預期:終端消費市場復蘇不及預期:若AI、3C、汽車、新能源等行業需求不達預期,會影響晶圓代工廠及封測廠資本擴張,進而影響半導體設備需求;2)國產設備進口替代不及預期:國產設備進口替代不及預期:若國產設備商在先進制程方面的突破不及預期,將影
44、響下游客戶先進制程產線擴張,從而影響國產設備需求;3)對華半導體制程限制加?。簩θA半導體制程限制加?。喝舻鼐壵文Σ辽?,或將加劇對華半導體制程限制,從而影響國內晶圓/封測廠擴產,最終影響國產半導體設備需求。四、風險提示 分析師介紹分析師介紹呂娟:呂娟:董事總經理,上海區域總監,高端制造組組長&首席分析師,機械行業首席分析師。復旦大學經濟學碩士,法國EDHEC商學院金融工程交換生,河海大學機械工程及自動化學士,2007.07-2016.12曾就職于國泰君安證券研究所任機械首席分析師,2017.01-2019.07曾就職于方正證券研究所任董事總經理、副所長、機械首席分析師。曾獲新財富、金牛、IA
45、MAC、水晶球、第一財經、WIND最佳分析師第一名。評級說明評級說明投資評級標準評級說明報告中投資建議涉及的評級標準為報告發布日后6個月內的相對市場表現,也即報告發布日后的6個月內公司股價(或行業指數)相對同期相關證券市場代表性指數的漲跌幅作為基準。A股市場以滬深300指數作為基準;新三板市場以三板成指為基準;香港市場以恒生指數作為基準;美國市場以標普500指數為基準。股票評級買入相對漲幅15以上增持相對漲幅5%15中性相對漲幅-5%5之間減持相對跌幅5%15賣出相對跌幅15以上行業評級強于大市相對漲幅10%以上中性相對漲幅-10-10%之間弱于大市相對跌幅10%以上20 分析師聲明分析師聲明
46、本報告署名分析師在此聲明:(i)以勤勉的職業態度、專業審慎的研究方法,使用合法合規的信息,獨立、客觀地出具本報告,結論不受任何第三方的授意或影響。(ii)本人不曾因,不因,也將不會因本報告中的具體推薦意見或觀點而直接或間接收到任何形式的補償。法律主體說明法律主體說明本報告由中信建投證券股份有限公司及/或其附屬機構(以下合稱“中信建投”)制作,由中信建投證券股份有限公司在中華人民共和國(僅為本報告目的,不包括香港、澳門、臺灣)提供。中信建投證券股份有限公司具有中國證監會許可的投資咨詢業務資格,本報告署名分析師所持中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格證書編號已披露在報告首頁。在遵守適用的法律法
47、規情況下,本報告亦可能由中信建投(國際)證券有限公司在香港提供。本報告作者所持香港證監會牌照的中央編號已披露在報告首頁。一般性聲明一般性聲明本報告由中信建投制作。發送本報告不構成任何合同或承諾的基礎,不因接收者收到本報告而視其為中信建投客戶。本報告的信息均來源于中信建投認為可靠的公開資料,但中信建投對這些信息的準確性及完整性不作任何保證。本報告所載觀點、評估和預測僅反映本報告出具日該分析師的判斷,該等觀點、評估和預測可能在不發出通知的情況下有所變更,亦有可能因使用不同假設和標準或者采用不同分析方法而與中信建投其他部門、人員口頭或書面表達的意見不同或相反。本報告所引證券或其他金融工具的過往業績不
48、代表其未來表現。報告中所含任何具有預測性質的內容皆基于相應的假設條件,而任何假設條件都可能隨時發生變化并影響實際投資收益。中信建投不承諾、不保證本報告所含具有預測性質的內容必然得以實現。本報告內容的全部或部分均不構成投資建議。本報告所包含的觀點、建議并未考慮報告接收人在財務狀況、投資目的、風險偏好等方面的具體情況,報告接收者應當獨立評估本報告所含信息,基于自身投資目標、需求、市場機會、風險及其他因素自主做出決策并自行承擔投資風險。中信建投建議所有投資者應就任何潛在投資向其稅務、會計或法律顧問咨詢。不論報告接收者是否根據本報告做出投資決策,中信建投都不對該等投資決策提供任何形式的擔保,亦不以任何
49、形式分享投資收益或者分擔投資損失。中信建投不對使用本報告所產生的任何直接或間接損失承擔責任。在法律法規及監管規定允許的范圍內,中信建投可能持有并交易本報告中所提公司的股份或其他財產權益,也可能在過去12個月、目前或者將來為本報告中所提公司提供或者爭取為其提供投資銀行、做市交易、財務顧問或其他金融服務。本報告內容真實、準確、完整地反映了署名分析師的觀點,分析師的薪酬無論過去、現在或未來都不會直接或間接與其所撰寫報告中的具體觀點相聯系,分析師亦不會因撰寫本報告而獲取不當利益。本報告為中信建投所有。未經中信建投事先書面許可,任何機構和/或個人不得以任何形式轉發、翻版、復制、發布或引用本報告全部或部分
50、內容,亦不得從未經中信建投書面授權的任何機構、個人或其運營的媒體平臺接收、翻版、復制或引用本報告全部或部分內容。版權所有,違者必究。中信建投證券研究發展部中信建投證券研究發展部中信建投(國際)中信建投(國際)北京東城區朝內大街2號凱恒中心B座12層電話:(8610)8513-0588聯系人:李祉瑤郵箱:上海浦東新區浦東南路528號南塔2103室電話:(8621)6882-1612聯系人:翁起帆郵箱:深圳福田區福中三路與鵬程一路交匯處廣電金融中心35樓電話:(86755)8252-1369聯系人:曹瑩郵箱:香港中環交易廣場2期18樓電話:(852)3465-5600聯系人:劉泓麟郵箱:charleneliucsci.hk