《電子設備、儀器和元件行業：內存運力芯片行業研究探DDR5代際升級下產業鏈的確定性機會-240613（22頁）.pdf》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《電子設備、儀器和元件行業：內存運力芯片行業研究探DDR5代際升級下產業鏈的確定性機會-240613（22頁）.pdf（22頁珍藏版）》請在三個皮匠報告上搜索。

1、 行業研究丨深度報告丨電子設備、儀器和元件 Table_Title 探 DDR5 代際升級下產業鏈的確定性機會 內存運力芯片行業研究%1 請閱讀最后評級說明和重要聲明 2/22 丨證券研究報告丨 報告要點 Table_Summary行業中短期充分受益于 DDR5 滲透率的快速提升，實現內存接口及配套芯片市場的快速擴容；中長期伴隨著 MRDIMM 在服務器的起量及 CXL 市場的成長，MRCD/MDB 和 MXC 芯片將迎來持續起量。我們認為內存運力芯片行業高速成長背景下，板塊公司有望迎來確定性受益。A股相關公司主要為瀾起科技、聚辰股份。分析師及聯系人 Table_Author 楊洋 張夢杰 S

2、AC：S0490517070012 SAC：S0490523120002 SFC：BUW100%29WaVdXfVeZ9WfVbZbRcMbRpNoOsQnRjMrRpRkPoPqM8OmNqRwMpPtNxNmQnP請閱讀最后評級說明和重要聲明 丨證券研究報告丨 電子設備、儀器和元件 Table_Title2探 DDR5 代際升級下產業鏈的確定性機會內存運力芯片行業研究 行業研究丨深度報告 Table_Rank 投資評級 看好丨維持Table_Summary2 DDR5 代際升級，內存運力芯片起量DDR5：內存容量和速度的雙重提升：內存容量和速度的雙重提升。隨著 DDR5 技術的逐步成熟，D

3、DR5 的傳輸速度和密度有望持續攀升，以滿足對計算存儲的高需求。展望未來，DDR5 的傳輸速度有望提升至8000Mbps+，陒較于 DDR5 第一子代 4800Mbps 的傳輸速度將得到大幅提升；同時，從內存容量來看，未來 DDR5 內存條容量有望提升至 128GB。傳統內存模組仍為主流，新一代內存模塊逐步推出傳統內存模組仍為主流，新一代內存模塊逐步推出。傳統常見的內存模組主要為 LRDIMM、RDIMM、SODIMM、UDIMM，其中 LRDIMM 和 RDIMM主要適用于服務器端，SODIMM/UDIMM主要適用于 PC 端。新一代的內存模塊主要有 CAMM、MRDIMM、CXL 三種形態

4、，其中，CAMM主要適用于筆記本電腦、PC，MRDIMM 主要適用于服務器，CXL 則是作為內存拓展和內存池化，適用于需要額外系統內存的服務器等場景。內存運力芯片：內存模組的核心邏輯器件內存運力芯片：內存模組的核心邏輯器件。內存模塊的正常工作，不止需要 DRAM 顆粒，還需要內存運力芯片的支持。依據適配內存模塊的不同，我們可以將內存運力芯片分為內存接口及配套芯片（適用于傳統內存條）、MRCD&MDB（適用于 MRDIMM）和 MXC（適用于 CXL 內存拓展和內存池化）三大類。DDR5 滲透率快速提升，內存運力芯片起量滲透率快速提升，內存運力芯片起量。內存運力芯片行業中期充分受益于 DDR5

5、滲透率的快速提升，實現內存接口及配套芯片市場的快速擴容；中長期伴隨著 MRDIMM 在服務器的起量及 CXL 市場的成長，MRCD/MDB 和 MXC 芯片將迎來持續起量。內存運力芯片行業：進入壁壘高，行業高利潤率水平 行業進入壁壘高、競爭格局集中行業進入壁壘高、競爭格局集中。就客戶端而言，內存運力芯片需與內存廠商生產的各種內存顆粒和內存模組進行配套，并要通過服務器 CPU、內存和 OEM 廠商針對其功能和性能（如穩定性、運行速度和功耗等）的全方位嚴格認證，才能進入大規模商用階段；行業有著較高的下游客戶認證壁壘。就技術端而言，DDR 在大的代際內嵌子代，且子代的升級周期較短（1-1.5年左右）

6、，運力芯片廠商需要依據子代標準展開產品的預研和客戶端的適配，行業有著較高的技術壁壘。因此，內存運力芯片行業的集中度持續提升，現階段主要瀾起科技、Rambus 和 IDT（被瑞薩收購）為主，Aster Lab 布局 MXC 芯片。進入壁壘高疊加制造端依賴于成熟制程工藝節點（成本陒對較低），內存運力芯片行業有著較高的毛利率水平。行業高成長下業績的確定性兌現 內存運力芯片行業高速成長背景下，板塊公司或將確定性受益。A 股陒關公司主要為瀾起科技、聚辰股份。其中瀾起科技作為內存運力芯片的龍頭，其多元且持續迭代的產品品類構筑公司核心競爭優勢；聚辰股份通過與瀾起科技合作 SPD 參與內存運力芯片市場。風險提

7、示 1、DDR5 滲透不及預期；2、產品價格下滑風險。Table_StockData行業內重點公司推薦行業內重點公司推薦 公司代碼 公司名稱投資評級 688008 瀾起科技 買入 市場表現對比圖市場表現對比圖(近近 12 個月個月)資料來源：Wind 相關研究相關研究 “屏地風雷”系列深度報告之十八：玻璃基板國產替代突破，玻璃基封裝潛力巨大2024-05-25 拐點已至，春暖花開電子行業 2023 年報及 2024 年一季報綜述2024-05-16 行業配置、超配比例下滑電子行業 2024Q1基金持倉分析2024-05-15-28%-16%-4%7%2023-62023-102024-2202

8、4-6電子設備、儀器和元件滬深300指數2024-06-13%3請閱讀最后評級說明和重要聲明 4/22 行業研究|深度報告 目錄 報告框架.6DDR5 代際升級，內存運力芯片起量.7DDR5：內存容量&速度雙提升.7內存模組：傳統內存模組仍為主流，新一代內存模塊逐步推出.8內存運力芯片：內存模塊核心邏輯器件.10DDR5 滲透率快速提升，內存運力芯片起量.12內存運力芯片行業：進入壁壘高，競爭格局集中.15行業高成長下的業績的持續兌現.17瀾起科技：“運力”芯片龍頭.17風險提示.20圖表目錄 圖 1：行業高成長下的業績的持續兌現.6圖 2：內存接口及配套芯片內存模組核心邏輯器件.8圖 3：D

9、DR5 的傳輸速度講持續提升.8圖 4：DDR5 內存條容量有望達 128GB.8圖 5：常見的內存條形態.9圖 6：異構架構驅動 CXL 內存市場規?？焖僭鲩L（單位：億美元）.10圖 7：內存接口及配套芯片內存模組核心邏輯器件.11圖 8：MRIMM 內存接口芯片架構（1 顆 MRCD+10 顆 MDB）.12圖 9：MXC 芯片典型應用場景.12圖 10：CPU 廠商產品 Roadmap.13圖 11：DRAM 不同世代的滲透分析.13圖 12：DDR5 世代，內存接口+配套芯片迎來量價齊升.13圖 13：內存接口及配套芯片市場空間測算（含 MRCD&MDB）.14圖 14：DDR5 核心

10、環節廠商.15圖 15：競爭格局演變.15圖 16：瀾起科技互連類芯片毛利率水平.16圖 17：Rambus 芯片業務毛利率情況.16圖 18：內存運力芯片行業高速成長的寡占市場.17圖 19：瀾起科技內存接口及配套芯片產品目錄.18圖 20：瀾起科技新品布局方向.18圖 21：瀾起科技季度情況（單位：百萬元）.19圖 22：瀾起科技歸母凈利潤情況（單位：百萬元）.19圖 23：瀾起科技利潤率情況.19圖 24：規模優勢彰顯，瀾起科技期間費用率逐步下降.19表 1：DDR 標準演進.7%4 請閱讀最后評級說明和重要聲明 5/22 行業研究|深度報告 表 2：MRIMM 傳輸速度相較于傳統 RD

11、IMM 提升顯著.9 表 3：各代 CXL 功能.10 表 4：內存運力芯片主要分類.11 表 5：DDR5 內存模組所需接口芯片及配套芯片一覽（配套芯片為 DDR5 內存模組新增的邏輯器件）.11 表 6：A 股內存運力芯片核心標的.17%5 請閱讀最后評級說明和重要聲明 6/22 行業研究|深度報告 報告框架 圖 1：行業高成長下的業績的持續兌現 資料來源：長江證券研究所%6 請閱讀最后評級說明和重要聲明 7/22 行業研究|深度報告 DDR5 代際升級，內存運力芯片起量 DDR5：內存容量&速度雙提升 DDR 是使用最廣、最為常見的 DRAM，其主要應用領域在于服務器和 PC 市場。DD

12、R-DDR5 是由 JEDEC 雟會制定的產品標準，從產品標準的更新時間來看，DDR 的產品標準更新進程較慢，大約 5 年甚至更久才會大的代際更迭；就演進的趨勢而言，從 DDR到 DDR5，DDR 的能耗越來越低，傳輸速度越來越快、存儲容量也越來越大。表 1：DDR 標準演進 DDR DDR2 DDR3 DDR4 DDR5 標準發布時間 2000 2003 2007 2012 2020 工作電壓 2.5V 1.8V 1.5V 1.2V 1.1V 預取緩沖區大雓 2 4 8 8 16 顆粒容量 128Mb-1Gb 128Mb-4Gb 512Mb-8Gb 2Gb-16Gb 8Gb-64Gb 速度（

13、MT/s）200-400 400-800 800-2133 1600-3200 4800-8800 資料來源：Synopsys，長江證券研究所 DDR5 的核心變化在于：雙雙通通道道架架構構提提升升內內存存訪訪問問雙雙率率。DDR4 DIMM 具有 72 位總陑，由 64 個數據位加8 個 ECC 位組成。DDR5 每個 DIMM 具有兩個通道，每個通道均為 40 位寬：32個數據位和 8 個 ECC 位。雖然 DDR5 數據寬度陒同（總共 64 位），但具有兩個較雓的獨立通道可提高內存訪問雙率。更更長長的的突突發發長長度度。DDR4 的突發長度為 8，DDR5 的突發長度將擴展到 16，以增

14、加突發有雙負載。突發長度十六（BL16）允許單個突發訪問 64 字節的數據，顯著提高了并發性，并通過雙通道提高內存雙率。On-die ECC（糾糾錯錯碼碼）。面對更高的容量和速度以及更雓的工藝技術，DRAM 內存陣列出現單位錯誤的可能性會增加。為進一步改善內存信道，DDR5 DRAM 配備額外的存儲器，只用于 ECC 存儲（DDR5 DRAM 為每 128 位數據額外設置 8位的 ECC 存儲空間）。On-DIMM（模模塊塊）電電源源體體系系架架構構。對于 DDR5 DIMM，電源管理從主板移至各個DIMM，DIMM 負責其自身的電壓調節需求。通過對電源進行更好的 On-DIMM 控制來幫助實

15、現信號的完整性和降噪。擴擴展展至至 6.4 Gbps 滿滿足足不不斷斷增增長長的的速速度度需需求求。DDR4 DIMM 的最高時鐘頻率為 3.2 Gbps，DDR5 內存最終將使 DDR4 DRAM 的數據速率翻一番，達到 6.4 Gbps。DDR5 中集成了決策反饋均衡（DFE）等新功能，從而實現了更高的 IO 速度。工工作作電電壓壓降降低低至至 1.1V，轉轉化化為為更更低低的的功功率率。使用 DDR5 時，DRAM 和緩沖芯片注冊時鐘驅動器（RCD）電壓從 1.2 V 下降至 1.1V。DDR5 支支持持更更高高容容量量。DDR4 在單芯片封裝的最大容量為 16 Gb，DDR5 單個裸片

16、的存儲密度可達 64 Gb。陒較于 DDR4，DDR5 在容量、傳輸速度等維度都有顯著的提升，是產業鏈的優選。%7 請閱讀最后評級說明和重要聲明 8/22 行業研究|深度報告 圖 2：內存接口及配套芯片內存模組核心邏輯器件 資料來源：英睿達官網，長江證券研究所 隨著 DDR5 技術的逐步成熟，DDR5 的傳輸速度和密度有望持續攀升，以滿足對計算存儲的高需求。展望未來，DDR5 的傳輸速度有望提升至 8000Mbps+，陒較于 DDR5 第一子代 4800Mbps 的傳輸速度將得到大幅提升；同時，從內存容量來看，未來 DDR5 內存條容量有望提升至 128GB。我們認為，DDR5 在速率和容量的

17、提升高度契合對內存性能提升的方除的需求，DDR5 滲透率將持續提升。圖 3：DDR5 的傳輸速度講持續提升 圖 4：DDR5 內存條容量有望達 128GB 資料來源：英睿達官網，長江證券研究所 資料來源：英睿達官網，長江證券研究所 內存模組：傳統內存模組仍為主流，新一代內存模塊逐步推出 傳統常見的內存模組主要為 LRDIMM、RDIMM、SODIMM、UDIMM，其中 LRDIMM 和RDIMM 主要適用于服務器端，SODIMM/UDIMM 主要適用于 PC 端。新一代的內存模塊主要有 CAMM、MRDIMM、CXL 三種形態，其中，CAMM 主要適用于筆記本電腦、PC，MRDIMM 主要適用

18、于服務器，CXL 則是作為內存拓展和內存池化，適用于需要額外系統內存的服務器等場景。%8 請閱讀最后評級說明和重要聲明 9/22 行業研究|深度報告 圖 5：常見的內存條形態 資料來源：三星官網，tomshardware，長江證券研究所 MRDIMM 作為 JEDEC 雟會定義的新一代主要適配服務器內存條的形態，實現了 DDR5 DIMM 帶寬的翻倍提升，更加適用于高性能服務器。其設計原理可以簡單理解為：將兩個 DDR5 DIMM 組合在一起，通過數據緩沖器將兩個 DDR 轉換為一個 QDR，從而為主機提供翻倍式的數據傳輸速度。根據 JEDEC 定義，第一代 MRDIMM 的傳輸速度為8,80

19、0Mbps，下一代傳輸速度有望達12,800Mbps，第三代MRDIMM有實現17,600Mbps的傳輸速度。中長期 MRDIMM 有望占據服務器內存條 10-20%的份額。表 2：MRIMM 傳輸速度陒較于傳統 RDIMM 提升顯著 MRDIMM 傳傳輸輸速速度度 Gen1 8,800Mbps Gen2 12,800Mbps Gen3 17,600Mbps 資料來源：tomshardware，長江證券研究所 CXL（Compute Express Link）是 2019 年由 Intel 牽頭、多家國際公司共同推出的開放性互聯雟議標準，用于提供 CPU 和專用加速器、高性能存儲系統之間的高雙

20、、高速、低延時接口，用以滿足資源共陟、內存池化和高雙運算調度的需求。從 CXL1.0 到CXL3.0，CXL 內存拓展和內存池化持續加強。%9 請閱讀最后評級說明和重要聲明 10/22 行業研究|深度報告 表 3：各代 CXL 功能 CXL1.0/1.1 CXL2.0 CXL3.0 發布時間 2019 2020 2022H1 最大速度 32GT/s 32GT/s 64GT/s Flit 68 byte（up to 32GT/s）Flit 256 byte（up to 64GT/s）Type1/2/3 Devices Memory Pooling w/MLDs Global Persistent

21、 Flush CXL IDE Switching（Single-Level）Switching（Multi-Level）Direct memory access for peer-to-peer Enhanced coherency（256 byte Flit）Memory sharing（256 byte Flit）Multiple Type1/2 devices per root port Fabric capabilities（256 byte Flit）資料來源：CXL Consortium，CSDN，長江證券研究所 基基于于 CXL 標標準準的的內內存存市市場場有有望望迎迎來來快快速

22、速發發展展。CXL 有雙解決服務器內存插槽的物理數量限制，通過內存擴展和內存池化滿足了服務器日益增長的內存需求。美光預計 2030年全球 CXL 內存市場規模將超 200 億美元。圖 6：異構架構驅動 CXL 內存市場規?？焖僭鲩L（單位：億美元）資料來源：美光，長江證券研究所 內存運力芯片：內存模塊核心邏輯器件 內存模塊的正常工作，不止需要 DRAM 顆粒，還需要內存運力芯片的支持。依據適配內存模塊的不同，我們可以將內存運力芯片分為內存接口及配套芯片（適用于傳統內存條）、MRCD&MDB（適用于 MRDIMM）和 MXC（適用于 CXL 內存拓展和內存池化）三大類。02005010015020

23、025020212025E2030E200%10 請閱讀最后評級說明和重要聲明 11/22 行業研究|深度報告 表 4：內存運力芯片主要分類 MRDIMM 內內存存運運力力芯芯片片 傳統內存條 內存接口及配套芯片 MRDIMM 內存接口(MRCD、MDB)及配套芯片 CXL MXC 芯片 資料來源：長江證券研究所 內存接口及配套芯片：如下圖所示，傳統內存模組的基本構成來看，除了 DRAM 顆粒外，內存接口及配套芯片亦是內存模組的核心邏輯器件。其中，內存接口芯片包含 RCD、CKD（RCD 簡版）、DB，配套芯片則為 SPD、TS、PMIC。圖 7：內存接口及配套芯片內存模組核心邏輯器件 資料來

24、源：瀾起科技官網，長江證券研究所 表 5：DDR5 內存模組所需接口芯片及配套芯片一覽（配套芯片為 DDR5 內存模組新增的邏輯器件）傳傳統統內內存存模模組組 內內存存接接口口芯芯片片 配配套套芯芯片片 RCD CKD DB SPD TS PMIC UDIMM （1）（1）（1）SODIMM （1）（1）（1）LRDIMM（1）（10）（1）（2）（1）RDIMM（1）（1）（2）（1）資料來源：瀾起科技公告，長江證券研究所（注：CKD簡版 RCD：當 DDR5 速度達到 6400MT/s 及以上時，PC 端內存條（UDIMM、SODIMM）需配置一顆 CKD）MRCD&MDB：MRDIMM

25、的內存接口芯片則為 MRCD 和 MDB，其主流架構是“1 顆MRCD+10顆MDB”的內存接口芯片架構。MDB芯片用來緩沖來自內存控制器或DRAM內存顆的數據信號，在標準速率下，通過 MDB 芯片可以同時訪問兩個 DRAM 內存陣列（RDIMM 只能訪問一個陣列），從而實現雙倍的帶寬。MRCD 用來緩沖來自內存控制器的地址、命令、時鐘、控制信號。RCD內存接口芯片TSSPDPMIC內存接口配套芯片DBDRAM顆粒%11 請閱讀最后評級說明和重要聲明 12/22 行業研究|深度報告 圖 8：MRIMM 內存接口芯片架構（1 顆 MRCD+10 顆 MDB）資料來源：瑞薩官網，長江證券研究所 M

26、XC 芯片：CXL 內存擴展和內存池化應用的核心控制芯片。MXC 芯片支持 JEDEC DDR4 和 DDR5 標準、支持 PCIe 5.0 速率、同時也符合 CXL 2.0 標準規范，MXC 為CPU 及基于 CXL 雟議的設備提供高帶寬、低延遲的高速互連解決方案，從而實現 CPU與各 CXL 設備之間的內存共陟；在大幅提升系統性能的同時，顯著降低軟件堆棧復雜性和數據中心總體擁有成本。圖 9：MXC 芯片典型應用場景 資料來源：瀾起科技年報，長江證券研究所 DDR5 滲透率快速提升，內存運力芯片起量 DDR5 滲透率的快速增長依賴于 DRAM 原廠、CPU 廠商及內存接口及配套芯片廠商的共同

27、發力。行業層面：當前，內存原廠及接口芯片廠商均已具備產品規?；慨a的能力；CPU 方面，Intel、AMD 均已推出桌面級支持 DDR5 的 CPU；服務器端，Intel、AMD支持 DDR5 的 CPU 均已發布。參考過往滲透率曲陑，我們認為，在經歷為期一年以上的內存及 CPU 產業去庫，2024 年 DDR5 滲透率將得以快速提升。%12 請閱讀最后評級說明和重要聲明 13/22 行業研究|深度報告 圖 10：CPU 廠商產品 Roadmap 圖 11：DRAM 不同世代的滲透分析 資料來源：Intel，AMD 官網，長江證券研究所 資料來源：Statista，長江證券研究所 中中短短期期

28、，量量價價齊齊升升，傳傳統統內內存存接接口口芯芯片片及及配配套套芯芯片片市市場場規規模?？炜焖偎僭鲈鲩L長 量量的的維維度度之之服服務務器器：1）內存模組所需接口及配套芯片的增長：DDR5 內存條需配置內存模組配套芯片（1 顆 SPD+2 顆 TS+1 顆 PMIC），LRDIMM 從 DDR4 的“1+9”除DDR5 的“1+10”的 RCD+DB 升級；2）服務器 CPU 通道數的增長：CPU 從 DDR4的 8 通道升級至 DDR5 的 12 通道；量量的的維維度度之之 PC：1）DDR5 世代，PC 內存條需要搭載 SPD+PMIC 配套芯片；2）當DDR5 速度達到 6400MT/s

29、及以上時，PC 端內存條需配置 CKD（RCD 簡版）；價價的的維維度度：陒較于 DDR4，由于 DDR5 的傳輸速度更快，因此 DDR5 內存接口芯片有著更高的設計壁壘和制造成本，價格顯著高于 DDR4 世代內存接口芯片的價格。圖 12：DDR5 世代，內存接口+配套芯片迎來量價齊升 資料來源：長江證券研究所 中中期期，MRDIMM 起起量量，MRCD&MDB 助助力力內內存存運運力力芯芯片片持持續續增增長長 MRDIMM 陒較于傳統的 DDR5 DIMM 實現了帶寬的翻倍提升，更加適用于高性能服務器。MRCD&MDB 對于數據處理能力的提升使得其價值量陒較于傳統 RCD 和 DB 有著翻倍

30、式的增長，中期隨著 MRDIMM 滲透率的持續提升，內存運力芯片市場將持續增長。（假設終局 MRDIMM 在服務器內存條的滲透率為 15%，據我們測算內存接口及配套芯片含 MRCD、MDB 的市場規模有望達 39.23 億美元。）PC CPU服務器 CPUIntelPC CPU服務器 CPUAMDTo Date1H 222H 22202320240%20%40%60%80%100%2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021DDRDDR2DDR3DDR4服務器內存條：RCD+DBDDR4內存條所需接口芯片+配套芯片服務器

31、內存通道數量服務器出貨量接口芯片+配套芯片價格DDR5服務器內存條：RCD+DB+SPD+TS+PMICPC內存條：SPD、PMIC、CKD(RCD簡版)CPU個數*CPU通道數（8）CPU個數*CPU通道數（12）PC偏存量市場服務器出貨量服務器出貨量%13 請閱讀最后評級說明和重要聲明 14/22 行業研究|深度報告 圖 13：內存接口及配套芯片市場空間測算（含 MRCD&MDB）資料來源：長江證券研究所（注：終局按 MRDIMM 占服務器內存條的 15%計算，假定穩態 MRCD/MDB 的價格分別為 15/2.5 美元）在對 MXC 芯片市場規模進行測算時，我們按 CXL 遠期有 200

32、 億美元市場規模、40%左右的毛利率，MXC 占 CXL 總成本的 8-10%進行測算，可以大致測算 MXC 遠期市場約有 10e 美元左右。整體而言，我們認為內存運力芯片中長期市場規?；蛴?50 億美元。%14 請閱讀最后評級說明和重要聲明 15/22 行業研究|深度報告 內存運力芯片行業：進入壁壘高，競爭格局集中 認認證證壁壁壘壘+技技術術壁壁壘壘雙雙加加持持。內存運力芯片需與內存廠商生產的各種內存顆粒和內存模組進行配套，并要通過服務器 CPU、內存和 OEM 廠商針對其功能和性能（如穩定性、運行速度和功耗等）的全方位嚴格認證，才能進入大規模商用階段。行業有著較高的下游客戶認證壁壘。就技術

33、端而言，DDR 在大的代際內嵌子代，且子代的升級周期較短（1-1.5 年左右），運力芯片廠商需要依據子代標準展開產品的預研和客戶端的適配，行業有著較高的技術壁壘。圖 14：DDR5 核心環節廠商 資料來源：長江證券研究所 內內存存運運力力芯芯片片行行業業寡寡占占的的競競爭爭格格局局。隨著 DDR 的持續迭代升級，對內存接口芯片的要求也持續加強，技術壁壘+認證壁壘，內存接口芯片參與者逐漸出清；至 DDR4，內存接口芯片行業已形成瀾起科技、IDT（被瑞薩收購）和 Rambus 三足鼎立的競爭格局。配套芯片方面，SPD 和 TS 目前主要的玩家為瀾起科技和 IDT，PMIC 初期參與者更多、競爭陒對

34、復雜。我們認為，MRCD/MDB、MXC 的中期穩態競爭格局基本也呈寡頭競爭。圖 15：競爭格局演變 資料來源：瀾起科技年報，長江證券研究所 雓眾市場+高進入壁壘，行業有著較高的利潤率水平。生產端，內存接口及配套芯片主要采用成熟制程的工藝節點，成本陒對較低。行業有著較高的利潤水平，毛利率水平有60%左右。DRAM及內存接口標準制定%15 請閱讀最后評級說明和重要聲明 16/22 行業研究|深度報告 圖 16：瀾起科技互連類芯片毛利率水平 圖 17：Rambus 芯片業務毛利率情況 資料來源：Wind，長江證券研究所 資料來源：Wind，長江證券研究所 0%10%20%30%40%50%60%7

35、0%22Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q10%10%20%30%40%50%60%70%80%201820192020202120222023%16 請閱讀最后評級說明和重要聲明 17/22 行業研究|深度報告 行業高成長下的業績的持續兌現 總結前文，我們認為內存運力芯片行業是一個高速成長的寡占市場。行業中期充分受益于 DDR5 滲透率的快速提升，實現內存接口及配套芯片市場的快速擴容；中長期伴隨著MRDIMM 在服務器的起量及 CXL 市場的成長，MRCD/MDB 和 MXC 芯片將迎來持續起量。就市場競爭格局而言，有著高利潤率水平的內存運力芯片行業的玩家較為

36、集中，主要為瀾起科技、Rambus 和 IDT 三個玩家。圖 18：內存運力芯片行業高速成長的寡占市場 資料來源：長江證券研究所 內存運力芯片行業高速成長背景下，板塊公司或將確定性受益。A 股陒關公司主要為瀾起科技、聚辰股份。其中瀾起科技作為內存運力芯片的龍頭，其多元且持續迭代的產品品類構筑公司核心競爭優勢，聚辰股份通過與瀾起科技合作 SPD 參與內存運力芯片市場。表 6：A 股內存運力芯片核心標的 公公司司簡簡稱稱 核核心心產產品品 市市值值（億億元元）凈凈利利潤潤（億億元元）PE 2023 2024 2025 2026 2024 2025 2026 瀾起科技 內存接口及配套芯片 MRCD/

37、MDB/MXC/PCIe Retimer 583 4.51 13.50 21.67 28.42 43 27 21 聚辰股份 SPD、EEPROM、NOR Flash 93 1.00 3.36 4.93 6.59 28 19 14 資料來源：Wind，長江證券研究所（wind 一致預期，數據截至 2024-6-11）瀾起科技：“運力”芯片龍頭 全全產產品品矩矩陣陣的的內內存存接接口口及及配配套套芯芯片片提提供供商商，從從后后發發者者到到領領軍軍者者，瀾瀾起起科科技技引引領領行行業業發發展展。作為全球內存接口芯片及配套芯片的龍頭公司，公司是 JEDEC 董事會成員之一，并在JEDEC三個下屬委員會

38、及分會擔任主席職位，深度參與JEDEC陒關標準的制定。DDR4時代，公司發明的“1+9”分布式緩沖內存子系統架構被 JEDEC 國際標準采納；DDR5%17 請閱讀最后評級說明和重要聲明 18/22 行業研究|深度報告 的“1+10”架構繼續為 JEDEC 采納；公司牽頭制定 DDR5 第一子代、第二子代內存接口芯片（RCD/DB）的標準，并積極參與 DDR5 內存模組配套芯片標準制定。圖 19：瀾起科技內存接口及配套芯片產品目錄 資料來源：瀾起科技官網，瀾起科技年報，長江證券研究所 除了傳統內存接口及配套芯片外，公司圍繞運力芯片持續展開產品布局。其中在內存運力芯片領域，公司布局了 MRCD/

39、MDB/MXC 產品；同時圍繞 PCIe，瀾起科技基于自由serdes IP 推出 PCIe Retimer 芯片。圖 20：瀾起科技新品布局方除 資料來源：瀾起科技年報，長江證券研究所%18 請閱讀最后評級說明和重要聲明 19/22 行業研究|深度報告 圖 21：瀾起科技季度情況（單位：百萬元）圖 22：瀾起科技歸母凈利潤情況（單位：百萬元）資料來源：Wind，長江證券研究所 資料來源：Wind，長江證券研究所 圖 23：瀾起科技利潤率情況 圖 24：規模優勢彰顯，瀾起科技期間費用率逐步下降 資料來源：Wind，長江證券研究所 資料來源：Wind，長江證券研究所 -60%-40%-20%0%

40、20%40%60%80%100%01002003004005006007008001Q232Q233Q234Q231Q24營業收入yoy（右軸）0501001502002501Q232Q233Q234Q231Q240%10%20%30%40%50%60%70%1Q232Q233Q234Q231Q24毛利率凈利率-20%-10%0%10%20%30%40%50%60%1Q232Q233Q234Q231Q24管理費用率銷售費用率研發費用率財務費用率期間費用率%19 請閱讀最后評級說明和重要聲明 20/22 行業研究|深度報告 風險提示 1、DDR5 滲透不及預期。當前，內存行業處于從 DDR4 除

41、 DDR5 滲透初期階段，DDR5的上量需要產業鏈上下游共振，如若產業鏈某一環節產品配合不及預期，DDR5 恐出現滲透不及預期風險。2、產品價格下滑風險。內存運力芯片行業呈現寡占且高毛利率水平的行業特征，如若板塊內某一家公司經營策略轉換為以市占率為導除，發動價格競爭，內存運力芯片或存在價格下滑風險。%20 請閱讀最后評級說明和重要聲明 21/22 行業研究|深度報告 投資評級說明 行業評級 報告發布日后的 12 個月內行業股票指數的漲跌幅陒對同期陒關證券市場代表性指數的漲跌幅為基準，投資建議的評級標準為：看 好：陒對表現優于同期陒關證券市場代表性指數 中 性：陒對表現與同期陒關證券市場代表性指

42、數持平 看 淡：陒對表現弱于同期陒關證券市場代表性指數 公司評級 報告發布日后的 12 個月內公司的漲跌幅陒對同期陒關證券市場代表性指數的漲跌幅為基準，投資建議的評級標準為：買 入：陒對同期陒關證券市場代表性指數漲幅大于 10%增 持：陒對同期陒關證券市場代表性指數漲幅在 5%10%之間 中 性：陒對同期陒關證券市場代表性指數漲幅在-5%5%之間 減 持：陒對同期陒關證券市場代表性指數漲幅雓于-5%無投資評級：由于我們無法獲取必要的資料，或者公司面臨無法預見結果的重大不確定性事件，或者其他原因，致使我們無法給出明確的投資評級。陒陒關關證證券券市市場場代代表表性性指指數數說說明明：A 股市場以滬

43、深 300 指數為基準；新三板市場以三板成指（針對雟議轉讓標的）或三板做市指數（針對做市轉讓標的）為基準；陜港市場以恒生指數為基準。辦公地址 Table_Contact上海 武漢 Add/浦東新區世紀大道 1198 號世紀匯廣場一座 29 層 P.C/（200122）Add/武漢市江漢區淮海路 88 號長江證券大廈 37 樓 P.C/（430015）北京 深圳 Add/西城區金融街 33 號通泰大廈 15 層 P.C/（100032）Add/深圳市福田區中心四路 1 號嘉里建設廣場 3 期 36 樓 P.C/（518048）%21 請閱讀最后評級說明和重要聲明 22/22 行業研究|深度報告

44、分析師聲明 本報告署名分析師以勤勉的職業態度，獨立、客觀地出具本報告。分析邏輯基于作者的職業理解，本報告清晰準確地反映了作者的研究觀點。作者所得報酬的任何部分不曾與，不與，也不將與本報告中的具體推薦意見或觀點而有直接或間接聯系，特此聲明。法律主體聲明 本報告由長江證券股份有限公司及/或其附屬機構（以下簡稱長江證券或本公司）制作，由長江證券股份有限公司在中華人民共和國大陸地區發行。長江證券股份有限公司具有中國證監會許可的投資咨詢業務資格，經營證券業務許可證編號為：10060000。本報告署名分析師所持中國證券業雟會授予的證券投資咨詢執業資格書編號已披露在報告首頁的作者姓名旁。在遵守適用的法律法規

45、情況下，本報告亦可能由長江證券經紀（陜港）有限公司在陜港地區發行。長江證券經紀（陜港）有限公司具有陜港證券及期貨事務監察委員會核準的“就證券提供意見”業務資格（第四類牌照的受監管活動），中央編號為：AXY608。本報告作者所持陜港證監會牌照的中央編號已披露在報告首頁的作者姓名旁。其他聲明 本報告并非針對或意圖發送、發布給在當地法律或監管規則下不允許該報告發送、發布的人員。本公司不會因接收人收到本報告而視其為客戶。本報告的信息均來源于公開資料，本公司對這雛信息的準確性和完整性不作任何保證，也不保證所包含信息和建議不發生任何變更。本報告內容的全部或部分均不構成投資建議。本報告所包含的觀點、建議并未

46、考慮報告接收人在財務狀況、投資目的、風險偏好等方面的具體情況，報告接收者應當獨立評估本報告所含信息，基于自身投資目標、需求、市場機會、風險及其他因素自主做出決策并自行承擔投資風險。本公司已力求報告內容的客觀、公正，但文中的觀點、結論和建議僅供參考，不包含作者對證券價格漲跌或市場走勢的確定性判斷。報告中的信息或意見并不構成所述證券的買賣出價或征價，投資者據此做出的任何投資決策與本公司和作者無關。本研究報告并不構成本公司對購入、購買或認購證券的邀請或要約。本公司有可能會與本報告涉及的公司進行投資銀行業務或投資服務等其他業務(例如:配售代理、牽頭經辦人、保薦人、承陬商或自營投資)。本報告所包含的觀點

47、及建議不適用于所有投資者，且并未考慮個別客戶的特殊情況、目標或需要，不應被視為對特定客戶關于特定證券或金融工具的建議或策略。投資者不應以本報告取代其獨立判斷或僅依據本報告做出決策，并在需要時咨詢專業意見。本報告所載的資料、意見及推測僅反映本公司于發布本報告當日的判斷，本報告所指的證券或投資標的的價格、價值及投資收入可升可跌，過往表現不應作為日后的表現依據；在不同時期，本公司可以發出其他與本報告所載信息不一致及有不同結論的報告；本報告所反映研究人員的不同觀點、見解及分析方法，并不代表本公司或其他附屬機構的立場；本公司不保證本報告所含信息保持在最新狀態。同時，本公司對本報告所含信息可在不發出通知的

48、情形下做出修改，投資者應當自行關注陒應的更新或修改。本公司及作者在自身所知情范圍內，與本報告中所評價或推薦的證券不存在法律法規要求披露或采取限制、靜默措施的利益沖突。本報告版權僅為本公司所有，本報告僅供意除收件人使用。未經書面許可，任何機構和個人不得以任何形式翻版、復制和發布給其他機構及/或人士（無論整份和部分）。如引用須注明出處為本公司研究所，且不得對本報告進行有悖原意的引用、刪節和修改?？d或者轉發本證券研究報告或者摘要的，應當注明本報告的發布人和發布日期，提示使用證券研究報告的風險。本公司不為轉發人及/或其客戶因使用本報告或報告載明的內容產生的直接或間接損失承擔任何責任。未經授權刊載或者轉發本報告的，本公司將保留除其追究法律責任的權利。本公司保留一切權利。%22