【研報】新材料行業化合物半導體系列報告：電信+數通拉動光模塊需求磷化銦蓄勢待發-20200709[22頁].pdf

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1、 請務必閱讀正文之后的免責條款 電信電信+數通數通拉動拉動光模塊需求光模塊需求，磷化銦，磷化銦蓄勢待發蓄勢待發 新材料行業化合物半導體系列報告2020.07.09 中信證券研究部中信證券研究部 核心觀點核心觀點 李超李超 有色分析師 S1010520010001 袁健聰袁健聰 首席新材料分析師 S1010517080005 顧海波顧海波 首席通信分析師 S1010517100003 敖翀敖翀 首席周期產業 分析師 S1010515020001 5G 時代光通信行業迎來快速發展，時代光通信行業迎來快速發展，5G 基站網絡結構的變化增加對光模塊的需基站網絡結構的變化增加對光模塊的需 求，激光器求，

2、激光器是是光模塊的關鍵光電器件，產能有望擴張，進一步帶動光模塊的關鍵光電器件，產能有望擴張，進一步帶動激光器激光器核心核心 半導體材料磷化銦需求的增長。半導體材料磷化銦需求的增長。未來五年未來五年 IDC 高速發展疊加架構升級，高速發展疊加架構升級，5G 光光 模塊需求升級，云廠商模塊需求升級，云廠商 CAPEX 中長期趨勢向上，國內磷化銦單晶制備工藝有中長期趨勢向上，國內磷化銦單晶制備工藝有 望打破技術壁壘。我們重點推薦云南鍺業望打破技術壁壘。我們重點推薦云南鍺業和和中際旭創。中際旭創。 磷化銦材料電學性質優勢突出，在半導體光電器件處于關鍵地位。磷化銦材料電學性質優勢突出，在半導體光電器件處

3、于關鍵地位。磷化銦（InP） 是第二代半導體材料，閃鋅礦型晶體結構，禁帶寬度為 1.34 eV。其以高電子遷 移速率、高禁帶寬度、高熱導率在光電芯片襯底材料應用中占據優勢，并且是光 模塊半導體激光器和接收器的關鍵材料。 磷化銦襯底材料處于光通信產業鏈上游， 國外壟斷格局明顯。磷化銦襯底材料處于光通信產業鏈上游， 國外壟斷格局明顯。 磷化銦是激光器和 接收器重要的半導體材料， 處于產業鏈上游； 激光器和接收器是光模塊能進行光 電信號轉換的核心器件，處于產業鏈中游；以亞馬遜、微軟為代表的云計算廠商 是光通信產業的應用端，處于產業鏈下游。上游襯底市場國外市占率 80%，國 內市占率不足 2%。中游激

4、光器和光模塊，中國企業市占率高于國外企業。下游 云計算亞馬遜以 45%市占率居于首位，阿里巴巴市占率 5.3%。 光模塊市場前景良好， 預期光模塊市場前景良好， 預期 2025 年全球市場規?？蛇_百億美元。年全球市場規?？蛇_百億美元。 2011-2019 年， 全球光模塊市場規模由 30.5 億美元增至 59.4 億美元，預計 2019-2025 年的復 合增長率為 15%，2025 年將增長至 177 億美元。在全球 IDC 產業持續爆發和 海內外 5G 大規模建設兩個因素作用下，預計光模塊市場將維持穩定增長。 磷化銦襯底需求磷化銦襯底需求主要主要來自光通信，預來自光通信，預期期 2024

5、年年襯底襯底市場規模增至市場規模增至 1.7 億美元。億美元。 2015 年光通信磷化銦襯底市場占磷化銦襯底市場的 80%。據 yole 預測，全球 磷化銦應用市場規模將從 2018 年的 0.77 億美元提高到 2024 的 1.7 億美元， CAGR 為 14%。 風險因素：風險因素： 光通信行業發展受阻， 激光器芯片被替代， 磷化銦襯底需求不及預期。 投資策略投資策略：5G 時代光通信行業迎來快速發展，基站網絡結構的變化增加對光模 塊的需求， 激光器是光模塊的關鍵光電器件， 其產能擴張進一步帶動激光器核心 半導體材料磷化銦需求的增長。未來 5G 光模塊需求升級，云廠商 CAPEX 中長

6、期趨勢向上， 國內磷化銦單晶制備工藝有望打破技術壁壘。 我們重點推薦云南鍺 業和中際旭創。 重點公司盈利預測、估值及投資評級重點公司盈利預測、估值及投資評級 簡稱簡稱 收盤價收盤價 （元）（元） EPS（元）（元） PE 評級評級 2019 2020E 2021E 2019 2020E 2021E 云南鍺業 13.77 -0.09 0.06 0.16 NA 229.5 86.06 買入 中際旭創 66.64 0.73 1.18 1.55 91.29 56.47 42.99 增持 資料來源：Wind，中信證券研究部預測 注：股價為 2020 年 7 月 7 日收盤價 新材料新材料行業行業化合物半

7、導體系列報告化合物半導體系列報告2020.07.09 目錄目錄 化合物半導體磷化銦化合物半導體磷化銦 (InP)，電學性質優越，電學性質優越 . 1 磷化銦半導體電學性能突出 . 1 磷化銦材料光電領域應用占優 . 2 磷化銦單晶制備技術壁壘高 . 2 磷化銦光通信產業鏈，上游國外壟斷有待突破磷化銦光通信產業鏈，上游國外壟斷有待突破 . 3 產業鏈全球分工明確，國內襯底市場占比不足 . 3 上游襯底公司：國外壟斷格局顯著，國內企業追趕 . 4 中游器件公司：激光器歐美企業起步較早，光模塊中國市占率高 . 4 下游云廠商：亞馬遜市占率全球首位，阿里巴巴追趕 . 6 IDC/5G 驅動光模驅動光模

8、塊需求迅增，磷化銦材料蓄勢待發塊需求迅增，磷化銦材料蓄勢待發 . 7 電信+數通拉動產業鏈上下游需求增長 . 7 全球及中國光模塊市場趨勢向好 . 8 數通光模塊增量升級，IDC 高速發展是引擎 . 8 電信光模塊需求旺盛，5G 驅動新一輪量價齊升 . 10 磷化銦材料在光模塊組件占據關鍵地位 . 12 磷化銦襯底蓄勢待發，預期 2024 年應用市場規模達 1.7 億美元 . 13 風險因素風險因素 . 15 重點公司推薦重點公司推薦 . 15 云南鍺業：轉型新材料產業，著力磷化銦單晶國產化 . 15 中際旭創：5G/IDC 雙驅動，高端光模塊龍頭持續領先 . 16 pOoRtNwOqQqPm

9、MqPrPsMtQaQ8QaQtRoOtRrRlOpPrOlOmNrRbRqQzQNZnPtPNZnOzQ 新材料新材料行業行業化合物半導體系列報告化合物半導體系列報告2020.07.09 插圖目錄插圖目錄 圖 1：磷化銦（InP）單晶錠 . 1 圖 2：磷化銦（InP）單晶片 . 1 圖 3：磷化銦主要應用領域 . 2 圖 4：磷化銦光通信全球產業鏈分工 . 3 圖 5：InP 襯底 2019 全球市場份額 . 4 圖 6：激光器 2019 全球市場份額 . 5 圖 7：光模塊 2019 全球市場份額 . 6 圖 8：云計算廠商（2019）全球市場份額 . 6 圖 9：光模塊上游相關光器件拆

10、分示意圖 . 7 圖 10：2011-2019 年全球及中國光模塊市場規模 . 8 圖 11：2019-2025 光模塊市場增長預測 . 8 圖 12：全球主要云廠商 CAPEX . 9 圖 13：全球 IDC 市場規模及增長 . 9 圖 14：中國 IDC 市場規模及增長 . 9 圖 15：數據中心發展拉動光模塊放量 . 10 圖 16：過去三年 100G 高速增長，未來三年時間將是 400G 增長時期 . 10 圖 17：2014-2019E 三大運營商 CAPEX 及同比增速 . 10 圖 18：5G 總投資預計將超過 1.3 萬億（+57%） . 10 圖 19：2019-2028 年

11、中國 5G 基站建設規模預測 . 11 圖 20：中國 5G 產業細分領域投資占比結構 . 11 圖 21：電信光模塊迎來增長期 . 11 圖 22：5G 前傳、中傳、回傳需求帶寬 . 12 圖 23：2016-2022 全球光通信器件市場規模 . 12 圖 24：磷化銦在光模塊組件中的應用 . 13 圖 25：2015 年磷化銦襯底下游客戶分布 . 13 圖 26：2020 年磷化銦襯底下游客戶分布 . 13 圖 27：全球磷化銦 2 英寸襯底年需求預測 . 14 圖 28：全球磷化銦 4 英寸襯底市場規模預測 . 14 圖 29：2018 年全球磷化銦應用市場規模占比 . 14 圖 30：

12、2024 年全球磷化銦應用市場規模占比預測 . 14 圖 31：全球磷化銦應用市場規模預測 . 15 新材料新材料行業行業化合物半導體系列報告化合物半導體系列報告2020.07.09 表格目錄表格目錄 表 1：三代半導體材料物理性質對比 . 1 表 2：磷化銦單晶制備工藝指標 . 3 表 3：磷化銦產業鏈上游公司概況 . 4 表 4：激光器全球公司情況概覽 . 5 表 5：光模塊全球公司情況概況 . 6 表 6：云廠商全球公司概況 . 7 表 7：5G 承載光模塊應用場景及需求分析 . 12 表 8：云南鍺業盈利預測及估值表 . 16 表 9：中際旭創盈利預測及估值表 . 17 新材料新材料行

13、業行業化合物半導體系列報告化合物半導體系列報告2020.07.09 1 化合物化合物半導體半導體磷化銦磷化銦 (InP)，電學性質優越電學性質優越 磷化銦是第二代磷化銦是第二代半導體材料半導體材料，廣泛，廣泛應用于光通信、集成電路等領域應用于光通信、集成電路等領域。5G 時代技術革 新帶來以磷化銦（InP） 、砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導體材料的蓬勃發展。半導體 材料按照物理性質可以劃分三代，分別是以 Si、Ge 為代表的第一代，InP、GaAs 為代表 的第二代，GaN、SiC 為代表的第三代。磷化銦（InP）是一種 IIIV 族化合物，閃鋅礦型 晶體結構，晶格常數為 5.8710-

14、10 m，禁帶寬度為 1.34 eV，常溫下遷移率為 30004500 cm2/(V.S)。InP 晶體具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強、導熱性好、光電轉換效率 高等諸多優點，被廣泛應用于光通信、高頻毫米波器件、光電集成電路和外層空間用太陽 電池等領域。未來組件需求將以高速、高頻與高功率等特性，鏈接 5G 通訊、車用電子與 光通訊領域的應用，第二、三代化合物半導體有望突破硅半導體摩爾定律。 圖 1：磷化銦（InP）單晶錠 圖 2：磷化銦（InP）單晶片 資料來源：Plutosemi 資料來源：Plutosemi 磷化銦磷化銦半導體電學半導體電學性能性能突出突出 磷化銦（磷化銦（InP）和砷

15、化鎵（）和砷化鎵（GaAs）相比，）相比，電學電學等等物理性質優勢突出，在半導體光通信物理性質優勢突出，在半導體光通信 領域領域應用占據優勢應用占據優勢。1）磷化銦具有高電子峰值漂移速度、高禁帶寬度、高熱導率等優點。 InP 的直接躍遷帶隙為 1.35eV，對應光通信中傳輸損耗最小的波段；熱導率高于 GaAs， 散熱性能更好。2）磷化銦在器件制作中比 GaAs 更具優勢。InP 器件高電流峰谷比決定了 器件的高轉換效率；InP 慣性能量時間常數是 GaAs 的一半，工作效率極限高出 GaAs 器 件一倍；InP 器件具有更好的噪聲特性。3）磷化銦（InP）作為襯底材料主要有以下應用 途徑。光電

16、器件，包括光源（LED）和探測器（APD 雪崩光電探測器）等，主要用于光纖 通信系統；集成激光器、光探測器和放大器等，是光電集成電路是新一代 40Gb/s 通信系 統必不可少的部件。 表 1：三代半導體材料物理性質對比 物理參數物理參數 第一代半導體第一代半導體 第二代半導體第二代半導體 第三代半導體第三代半導體 Si Ge GaAs InP GaN SiC 禁帶寬度（eV） 1.12 0.7 1.4 1.3 3.39 3.26 能帶躍遷類型 間接 間接 直接 直接直接 直接 直接 新材料新材料行業行業化合物半導體系列報告化合物半導體系列報告2020.07.09 2 物理參數物理參數 第一代半

17、導體第一代半導體 第二代半導體第二代半導體 第三代半導體第三代半導體 擊穿電場（MV/cm） 0.3 - 0.4 0.5 3.3 3 截止頻率（GHz） 20 - 150 300 150 20 本征載流子濃度 ni （cm(-3)） 1*10(7) 1*10(13) 1.5*10(10) 1*10(14) 1.9*10(10) 8.2*10(9) 飽和速度（10(6)cm/s） 10 6 20 22 22 20 電子遷移率（cm(2)/Vs） 1200 3800 6500 4600 1250 800 空穴遷移率（cm(2)/Vs） 420 1400 320 150 250 115 介電常數 1

18、1.8 16 12.8 10.8 9 10 熱導率（W/cmK） 1.5 0.6 0.5 0.7 1.3 4.9 資料來源：第三代半導體聯合創新孵化中心，中信證券研究部 磷化銦磷化銦材料材料光電領域應用光電領域應用占優占優 磷化銦應用磷化銦應用涵蓋涵蓋光纖通信、光電器件光纖通信、光電器件、醫療醫療及及傳感等多種傳感等多種領域。領域。目前主要應用于 1)用 于光纖通信技術。 在磷化銦單晶襯底上制備的 InGaAsP/InP， InGaAs/InP 異質結材料所制 備的 1.31.6m 光源和探測器已廣泛用于光纖通信中；2) 材料在光電器件方面得到廣泛 應用。 圖 3：磷化銦主要應用領域 資料來源

19、：Yole，中信證券研究部 磷化銦磷化銦單晶單晶制備制備技術壁壘高技術壁壘高 能夠使單晶批量化生長的技術主要有高壓液封直拉法（LEC） 、垂直溫度梯度凝固法 （VGF）和垂直布里奇曼法（VB） 。美國 AXT 公司和日本住友分別使用 VGF 和 VB 技術 可以生長出直徑 150mm 的磷化銦單晶，日本住友使用 VB 法制備的直徑 4 英寸摻 Fe 半 絕緣單晶襯底可以批量生產。VGF 生產技術要求晶體表面翹曲度小于 15 微米，位錯水平 越低越好。中國磷化銦制備技術與國際水平仍有較大差距，國內企業產能規模較小，大尺 寸磷化銦晶片生產能力不足。 新材料新材料行業行業化合物半導體系列報告化合物半

20、導體系列報告2020.07.09 3 表 2：磷化銦單晶制備工藝指標 導電類型導電類型 半絕緣半絕緣 N 型型 P 型型 NP 型型 摻雜元素 Fe S，Sn Zn 無摻雜 長晶方式 VGF 直徑 2，3，4，6 晶向（度） （100）+/- 0.5 厚度（微米） 350-675 +/- 25 參考邊 US EJ 載流子濃度 - (0.8-8)*10*(18) (0.8-8)*10*(18) (1-10)*10(15) 電阻率（ohm-cm） 0.5*10(7) - - - 電子遷移率（cm2/V.S.) 1000 1000-2500 50-100 3000-5000 位錯密度(/cm2) 5

21、000 5000 500 500 平整度P/P（微米） 10 平整度P/E（微米） 15 翹曲度（微米） 15 表面加工 P/P,P/E,E/E 資料來源：Plutosemi，中信證券研究部 磷化銦磷化銦光通信光通信產業鏈產業鏈，上游，上游國外國外壟斷壟斷有待有待突破突破 產業鏈全球分工產業鏈全球分工明確明確，國內國內襯底市場襯底市場占比占比不足不足 磷化銦磷化銦襯底襯底處于產業鏈上游處于產業鏈上游，80%市場份額市場份額被國外廠商壟斷。被國外廠商壟斷。目前，日本住友是行業 龍頭， 占據著全球 60%市場份額， 美國通美市占率 15%， 英法的公司市占率各 10%和 5%。 目前，國內襯底年用

22、量總計在 3 萬片左右，占全球總市場份額不足 2%。國內能夠生產磷 化銦晶圓的企業較少，珠海鼎泰芯源公司掌握 30 項專利，正在申請的專利有 10 項，磷化 銦長晶率可達到 40%-50%。而公司背后的技術團隊和技術支撐是中科院。目前鼎泰芯源 已經掌握了 2 英寸到 6 英寸晶圓的生產技術。 圖 4：磷化銦光通信全球產業鏈分工 資料來源：Yole，中信證券研究部 新材料新材料行業行業化合物半導體系列報告化合物半導體系列報告2020.07.09 4 上游襯底公司上游襯底公司：國外國外壟斷格局壟斷格局顯著顯著，國內企業追趕，國內企業追趕 磷化銦襯底材料處于光通信產業鏈上游，國外壟斷格局明顯。磷化銦

23、襯底材料處于光通信產業鏈上游，國外壟斷格局明顯。目前，由于在磷化銦單 晶生長設備和技術方面存在較高壁壘，磷化銦市場參與者較少，且以少數幾家國外廠商為 主，主要供應商包括日本住友、日本能源、美國 AXT(中國生產)、法國 InPact、英國 WaferTech 等，以上 5 家廠商占據了全球近 80%的市場份額。 圖 5：InP 襯底 2019 全球市場份額（單位：%） 資料來源：金智創新，中信證券研究部 國內開展磷化銦單晶材料的研究工作已經超過 30 年，但磷化銦單晶生長技術的研究 規模、項目支持力度和投入較小，與國際水平還存在較大差距。目前，國內除通美北京工 廠外，尚沒有可批量生產單晶襯底的

24、廠家。但傳統的砷化鎵、鍺單晶襯底廠家同樣注意到 了該市場的機會，包括珠海鼎泰芯源公司、云南鍺業、先導稀材、中科晶電、東一晶體在 內的廠家正在積極布局。目前，由于國內激光器外延廠家尚未實現大規模生產，磷化銦襯 底占全球總市場份額不足 2%。 表 3：磷化銦產業鏈上游公司概況 公司名稱公司名稱 國家國家/地區地區 簡介簡介 上游 磷化銦 日本住友 日本 光通信龍頭企業，占據全球 60%市場份額 日本能源 日本 行業重點企業，占據 5%的市場份額 美國 AXT 美國 行業重點公司，全球市占率 15% WaferTech 英國 專注于嵌入式閃存工藝技術，市占率 5% 云南鍺業 云南昆明 主營業務為鍺礦

25、和鍺材料加工貿易，設計產能 10 萬片 鼎泰芯源 廣東珠海 產能 4-5 萬片，預計今年產值 500 萬元,2021 年科創板上市 北京通美 美國 美國 AXT 公司子公司，2018 年銷售額約 2-3 億元 資料來源：各公司官網，中信證券研究部 中游中游器件公司：器件公司：激光器歐美企業起步激光器歐美企業起步較早，較早，光模塊光模塊中國中國市占率高市占率高 激光器歐美企業起步較早，激光器歐美企業起步較早，國內國內企業規模相對較小企業規模相對較小。公司規模來看，國外激光器企業 體量較大，國內激光器企業仍有差距。歐洲和美國在激光領域起步較早，技術上具備領先 優勢， 時至今日許多知名激光器企業已經

26、發展壯大， 如美國的 IPG 光電、 Coherent （相干， 收購德國羅芬） 、nLight（恩耐） 、II-VI（貳陸） ，德國的 Trumpf（通快，收購英國 SPI 公 司） ，以及丹麥的 NKTPhotonics 等。國內優秀的激光器企業有銳科激光、創鑫激光、杰普 60% 15% 10% 5% 5% 5% 日本住友 美國AXT 法國InPact 英國WaterTech 日本能源 其他廠商 新材料新材料行業行業化合物半導體系列報告化合物半導體系列報告2020.07.09 5 特等，但規模上相對較小。 圖 6：激光器 2019 全球市場份額（單位：%） 資料來源：2020 中國激光產業

27、發展報告，中信證券研究部 表 4：激光器全球公司情況概覽 公司名稱公司名稱 國家國家/地區地區 簡介簡介 中游 激光器 IPG 美國 主營業務光學組件、模塊及子系統，公司目前年產值超過 10 億美元 銳科激光 中國 國內最大、全球有影響力的具有從材料、器件到整機垂直集 成能力的光纖激光器研發、生產和服務供應商。 創鑫激光 中國 國內首批成立的光纖激光器制造商之一，也是國內首批實現 在光纖激光器、光學器件兩類核心技術上擁有自主知識產權 并進行垂直整合的國家高新技術企業之一。 Trumpf 德國 主要產品 CO2 激光器、固體激光器、光纖激光器 資料來源：各公司官網，中信證券研究部 光模塊產業鏈全

28、球分工明確光模塊產業鏈全球分工明確，國內，國內廠商占據較大市場份額廠商占據較大市場份額。歐美日等發達國家技術起 步較早，在芯片和產品研發方面擁有較大技術優勢。中國在技術方面起步晚，沒有實現技 術獨立的優勢，但是憑借勞動力優勢、市場規模以及電信設備商的扶持，光模塊在產業鏈 中游占據較大市場份額，從 OEM、ODM 發展為多個全球市占率領先的光模塊品牌。光迅 科技、中際旭創、華工正源等企業占據全球 19%光模塊市場份額。產業鏈分工有效利用了 全球優勢生產要素，并避免了重復研發，有利于全球產業鏈高效運轉。 42% 24% 12% 5% 5% 3%2% 2%1% 3% IPG 銳科激光 創鑫激光 nL

29、IGHT Coherent 杰普特 飛博激光 聯品激光 海富光子 新材料新材料行業行業化合物半導體系列報告化合物半導體系列報告2020.07.09 6 圖 7：光模塊 2019 全球市場份額（單位：%） 資料來源：Ittbank，中信證券研究部 表 5：光模塊全球公司情況概況 公司名稱公司名稱 國家國家/地區地區 簡介簡介 中游 光模塊 AAOI 美國 設計并制造各種光纖通訊產品，包括部件、組件和成套設備 II-VI 美國 全產品線，擁有領先的光芯片研發能力，IDM 模式 光迅科技 中國 中國最大光通信器件供貨商，是目前中國唯一一家有能力對 光電子器件進行系統性，戰略性研究開發的高科技企業。

30、中際旭創 中國 中國最大光通信器件供貨商，是目前中國唯一一家有能力對 光電子器件進行系統性，戰略性研究開發的高科技企業 三安集成 電路 中國 提供專用的大批量 6 英寸 GaAs 和 2 英寸/ 4 英寸 InP 化合 物半導體代工服務 資料來源：各公司官網，中信證券研究部 下游下游云廠商：云廠商：亞馬遜市占率全球首位，阿里巴巴追趕亞馬遜市占率全球首位，阿里巴巴追趕 從全球云計算市場份額來看，美國廠商占據主導地位，亞馬遜是唯一的行業龍頭，阿 里云躋身第四位。 根據 Gartner 的統計， 2019 年亞馬遜、 微軟、 谷歌三家美國廠商在 2019 年占 72%的市場份額。亞馬遜以 45%的市

31、場份額位于全球首位，第二、三、四分別是占據 17.9%市場的微軟、占據 9.1%市場的谷歌和占據 5.3%市場的阿里云。 圖 8：云計算廠商（2019）全球市場份額（單位：%） 資料來源：Gartner，Canalys，中信證券研究部 19% 14% 10% 10% 9% 8% 7% 6% 4% 3% 2% 2% 6% II-VI Lumentum FIT 光迅科技 中際旭創 華工正源 Sumitomo Cisco Neophotonis 45.0% 17.9% 9.1% 5.3% 23.7% 亞馬遜 微軟 谷歌 阿里云 其他 新材料新材料行業行業化合物半導體系列報告化合物半導體系列報告202

32、0.07.09 7 表 6：云廠商全球公司概況 公司名稱公司名稱 國家國家/地區地區 簡介簡介 微軟 美國 Microsoft Azure 是微軟的公用云端服務平臺，云計算的領先者 谷歌 美國 Google Cloud 是谷歌 2008 年推出的云計算服務系列 亞馬遜 美國 亞馬遜云服務（AWS）在云計算市場中占據了主要的市場份額 思科 美國 思科是一家網絡解決方案供應公司，于 2016 年收購 CloudLock 阿里巴巴 中國 全球領先的云計算及人工智能科技公司 騰訊 中國 為全球客戶提供領先的云計算、大數據、人工智能服務 資料來源：各公司官網，中信證券研究部 IDC/5G 驅動驅動光模塊

33、光模塊需求迅增需求迅增，磷化銦材料，磷化銦材料蓄勢待發蓄勢待發 電信電信+數通拉動產業鏈上下游需求增長數通拉動產業鏈上下游需求增長 5G 時代時代光通信行業的發展光通信行業的發展主要主要帶動光模塊需求增長。帶動光模塊需求增長。由于現代通信都是由光纖光纜 傳輸， 而終端發送和接收都是電信號， 所以兩端都需要有光電信號的轉換裝置光模塊。 光模塊如今大量應用于通信行業和數據中心行。5G 使用的網絡架構相比 4G 增加了中傳 環節，前傳、中傳、回傳之間均采用光模塊實現互聯。 光模塊需求升級帶動光模塊需求升級帶動激光器激光器產能產能的的擴張。擴張。光通信過程中，發射端將電信號轉換成光信 號，經過調制由激光器發射激光傳向接收端；接收端將光信號轉換成電信號，經過解調變 成信息。其中，光電芯片以其光電信號轉換功能占據關鍵地位。一是成本占比高，光芯片 和電芯片分別占光模塊成本 50%、20%，也就是光模塊成本有 7 成是芯片；二是技術壁壘 高，光模塊的核心技術就在于芯片，尤其是光芯片，光芯片的技術決定光模塊的性能。 圖 9：光模塊上游相關光器件拆分示意圖 資料來源：中際旭創財報 新材料新材料行業行業化合物半導體系列報告化合物半導體系列報告2020.07.09 8 全球及全球及中國光中國光模塊模塊市場市場趨勢向好趨勢向好 光模塊市場前景良好， 預期光模塊市場前景良好，